JPH09306892A - クリーニング方法および半導体製造装置 - Google Patents

クリーニング方法および半導体製造装置

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JPH09306892A
JPH09306892A JP8118623A JP11862396A JPH09306892A JP H09306892 A JPH09306892 A JP H09306892A JP 8118623 A JP8118623 A JP 8118623A JP 11862396 A JP11862396 A JP 11862396A JP H09306892 A JPH09306892 A JP H09306892A
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JP
Japan
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processing chamber
ultraviolet
manufacturing apparatus
semiconductor manufacturing
ultraviolet light
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Application number
JP8118623A
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English (en)
Inventor
Kyoichi Murata
恭一 村田
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Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
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  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 真空雰囲気でのチャンバ内のパーティクルを
効率よくクリーニングし、ウェットクリーニング頻度を
低減させる。 【解決手段】 リアクタチャンバ３の下方の周辺部近傍
の所定の位置に設けられた１８4.９ｎｍ程度の極短波長
と２３5.７ｎｍ程度の短波長とを含んだ紫外線を発生さ
せる紫外線光源９，１０を所定の枚数の半導体ウエハの
処理の終了毎に、真空ポンプ１５によって真空引きを行
いながら照射し、リアクタチャンバ３内に堆積した有機
化合物を分解、気化してリアクタチャンバ３外に排気す
る。紫外線光源９，１０の照射時間ならびにクリーニン
グ頻度は、予め実験などによって最適な条件出しを行
い、それに基づいて決定するものとする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、クリーニング方法
および半導体製造装置に関し、特に、ドライエッチング
装置の処理室内のクリーニングに適用して有効な技術に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化に伴い、パ
ターンの微細化による高密度化が急速に進展しており、
エッチング加工においてもより高精度な加工ができるド
ライエッチング技術が必須となっている。
【０００３】本発明者が検討したところによれば、たと
えば、ドライエッチング装置では、有機化合物からなる
レジストパターンをマスクとして用い、気相中で半導体
ウエハのエッチングを行っている。
【０００４】しかし、エッチング中にマスクもある速度
によってエッチングされてしまい、反応副生成物として
有機化合物、すなわち、パーティクルがエッチングを行
う処理室内に付着してしまうので、エッチング加工の合
間に処理室内に酸素ガスを供給しながらプラズマを発生
させる酸素ガスプラズマなどによって処理室内のクリー
ニングを行っている。
【０００５】また、酸素ガスプラズマによるクリーニン
グ技術では、パーティクルが堆積しやすい場所、すなわ
ち、エッチング加工中にプラズマ反応が弱い場所のクリ
ーニングを効率よく行うことができないので、水や溶剤
などによるウェットクリーニングを定期的に行ってい
る。
【０００６】なお、この種のエッチング装置について詳
しく述べてある例としては、平成６年９月９日、株式会
社プレスジャーナル発行、松下晋司（編）、１９９４年
増刊号 第１３巻 第１０号「月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ増刊号Ｔｈｅ ＥＱＵＩＰＭＥＮ
Ｔ」Ｐ３７〜Ｐ４３があり、この文献には、種々のドラ
イエッチング装置の構成および動向などが記載されてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
なドライエッチング装置のクリーニング技術では、次の
ような問題点があることが本発明者により見い出され
た。
【０００８】すなわち、ウェットクリーニングを行う場
合、処理室を大気開放しなければならず、クリーニング
後の真空引きや処理室のコンディショニングに多大な時
間を要してしまい、作業工数の増加や装置の稼動率が低
下してしまうという問題がある。
【０００９】本発明の目的は、真空雰囲気での処理室内
のパーティクルを効率よくクリーニングし、ウェットク
リーニング頻度を低減させることのできるクリーニング
方法および半導体製造装置を提供することにある。
【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１２】すなわち、本発明のクリーニング方法は、
所定の処理ガスを導入し、被処理物に所定の処理を行う
処理室を真空引きしながら該処理室内に設けられた紫外
線照射手段によって紫外線を照射し、該処理室内に付着
したパーティクルを除去するものである。
【００１３】それにより、処理室内に付着堆積した有機
化合物を分解および気化することができるので、処理室
のウェットクリーニングの頻度を大幅に低減させること
ができる。
【００１４】また、本発明のクリーニング方法は、前記
処理室内に酸素ガスを導入しながら紫外線を照射するも
のである。
【００１５】それにより、オゾンのクリーニング効果も
期待できるので、紫外線照射によるクリーニング効果を
一層向上させることができる。
【００１６】さらに、本発明のクリーニング方法は、前
記紫外線照射手段から照射される紫外線が、極短波長な
らびに短波長を含む波長よりなるものである。
【００１７】それにより、処理室内に付着堆積した有機
化合物をより効果的に分解および気化することができ
る。
【００１８】また、本発明の半導体製造装置は、所定の
処理ガスが導入された減圧下の処理室内で活性ガスプラ
ズマを用いて被処理物にエッチングを行う処理室内に紫
外線を照射する紫外線照射手段を設けたものである。
【００１９】それにより、エッチング処理時に処理室内
に付着堆積した有機化合物を分解および気化することが
できるので、処理室のウェットクリーニングの頻度を大
幅に低減させることができる。
【００２０】さらに、本発明の半導体製造装置は、薄膜
材料を構成する所定の反応ガスを処理室内に導入し、気
相または被処理物表面での化学反応により所定の薄膜を
形成させる処理室内に紫外線を照射する紫外線照射手段
を設けたものである。
【００２１】それにより、成膜時に処理室内に付着堆積
した反応ガスの有機化合物を分解および気化することが
できるので、処理室のウェットクリーニングの頻度を大
幅に低減させることができる。
【００２２】さらに、本発明の半導体製造装置は、前記
紫外線照射手段の照射面に、パーティクルの堆積を防止
するシャッタを設けたことを特徴とする半導体製造装置
である。
【００２３】それにより、処理中の紫外線照射手段の照
射面にパーティクルが堆積するのを防止することができ
る。
【００２４】以上のことにより、装置の稼働率や生産性
を上げることができ、半導体装置の品質を向上させるこ
とができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
【００２６】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１によるマイクロ波プラズマエッチング装置の模式
説明図である。
【００２７】本実施の形態１において、ドライエッチン
グ装置の一種であるマイクロ波プラズマエッチング装置
（半導体製造装置）１は、最上部に、たとえば、2.４５
ＧＨｚのマイクロ波を発振するマグネトロンなどのプラ
ズマ源２が設けられている。
【００２８】また、マイクロ波プラズマエッチング装置
１には、プラズマ源２の下方にプラズマ加工を行う反応
室である、たとえば、石英からなるリアクタチャンバ
（処理室）３が設けられている。
【００２９】さらに、マイクロ波プラズマエッチング装
置１は、エッチング加工が行われる半導体ウエハが載置
されるステージ４がリアクタチャンバ３の中央部に設け
られている。
【００３０】そして、リアクタチャンバ３の所定の位置
には、エッチング加工前の半導体ウエハが搬送される搬
送路５ならびにエッチング加工後の半導体ウエハが搬送
される搬送路６が設けられている。
【００３１】また、これら搬送路５，６の端部には、リ
アクタチャンバ３と搬送路５，６との雰囲気を隔離する
ソレノイドバルブ７，８が設けられている。
【００３２】さらに、マイクロ波プラズマエッチング装
置１には、紫外線ランプなどの紫外線光源（紫外線照射
手段）９，１０が、リアクタチャンバ３の下方の周辺部
近傍の所定の位置に設けられている。
【００３３】ここで、紫外線光源９，１０は、酸素との
反応によって非常に強力な酸化材である原子状酸素を発
生させる、たとえば、１８4.９ｎｍ程度の極短波長の光
と、有機物質の炭素と水素との化学結合を切断し分解で
きる、たとえば、２３5.７ｎｍ程度の短波長の光とを含
んだ紫外線を発生させるものを用いる。
【００３４】また、紫外線光源９，１０の近傍には、た
とえば、ステンレス製のシャッタ１１，１２が設けられ
ており、通常、これらシャッタ１１，１２が閉じられて
紫外線光源９，１０を覆うようになっており、エッチン
グ加工中に紫外線光源９，１０にパーティクルが付着す
るのを防止している。
【００３５】さらに、マイクロ波プラズマエッチング装
置１は、所定の処理ガスをリアクタチャンバ３内に導入
するガス供給配管１３が設けられている。
【００３６】また、マイクロ波プラズマエッチング装置
１には、リアクタチャンバ３内の排気を行う排気管１４
ならびにリアクタチャンバ３内の真空引きを行う真空ポ
ンプ１５が設けられている。
【００３７】次に、本実施の形態の作用について説明す
る。
【００３８】まず、所定の枚数の半導体ウエハのエッチ
ング加工が終了すると、紫外線光源９，１０の近傍に設
けられたシャッタ１１，１２が開けられ、その後、紫外
線光源９，１０が照射され、リアクタチャンバ３内のク
リーニングが開始される。
【００３９】また、この時、リアクタチャンバ３は、真
空ポンプ１５によって真空引きが行われている。
【００４０】ここで、紫外線光源９，１０の照射時間な
らびにクリーニング頻度は、予め実験などによって最適
な条件出しを行い、それに基づいて決定するものとす
る。
【００４１】また、紫外線光源９，１０は、前述したよ
うに、たとえば、１８4.９ｎｍ程度の極短波長の光と２
３5.７ｎｍ程度の短波長の光と含んだ紫外線を発生して
おり、それによって、リアクタチャンバ３内に堆積した
ポリマ系などの有機化合物である反応性副生成物を分
解、気化してリアクタチャンバ３外に排気することがで
きる。
【００４２】さらに、紫外線光源９，１０を反応性副生
成物が堆積しやすいリアクタチャンバ３の下方の周辺部
近傍に設けることにより、効果的に反応性副生成物を除
去することができる。
【００４３】また、紫外線光源９，１０による紫外線の
照射中に酸素（Ｏ2)ガスをガス供給配管１３からリアク
タチャンバ３内に導入することによってオゾンを発生さ
せることができ、オゾンによる有機分解などによるクリ
ーニング効果も期待でき、より効率よくクリーニングを
行うことができる。
【００４４】そして、所定の時間の紫外線光源９，１０
の照射が終了すると、再び、シャッタ１１，１２が閉じ
られて紫外線光源９，１０へのパーティクルの付着を防
止し、クリーニングを終了する。また、酸素ガスを供給
している場合は、酸素ガスの供給も同時に終了させる。
【００４５】その後、再び、リアクタチャンバ３内に
は、ガス供給配管１３から所定の処理ガスが導入されて
半導体ウエハが搬送され、エッチング加工が開始される
ことになり、所定の枚数の半導体ウエハのエッチング加
工毎に繰り返し前述したクリーニング動作が行われるこ
とになる。
【００４６】それにより、本実施の形態１によれば、リ
アクタチャンバ３内に紫外線光源９，１０を設けること
により、効率よくリアクタチャンバ３に堆積した反応性
副生成物を除去することができるので、ウェットクリー
ニングの頻度を確実に低減させることができる。
【００４７】（実施の形態２）図２は、本発明の実施の
形態２による反応性イオンエッチング装置の模式説明図
である。
【００４８】本実施の形態２において、ドライエッチン
グ装置の一種である反応性イオンエッチング装置（半導
体製造装置）１ａは、たとえば、石英などのリアクタチ
ャンバ（処理室）３ａが設けられている。
【００４９】また、反応性イオンエッチング装置１ａに
は、円板状の一対の平行平板形電極１６がリアクタチャ
ンバ３ａ内に設けられている。
【００５０】さらに、反応性イオンエッチング装置１ａ
は、たとえば、１3.５６ＭＨｚ程度の高周波を発振する
高周波電源１７が設けられており、一方の平行平板電極
１６にブロッキングコンデンサを介して高周波が印加さ
れ、他方に平行平板電極１６が接地されるように接続が
行われており、一対の平行平板電極１６間にプラズマを
発生させるようになっている。
【００５１】また、この接地された平行平板電極１６に
エッチング加工が行われる半導体ウエハが載置されるこ
とになる。
【００５２】さらに、反応性イオンエッチング装置１ａ
には、反応性ガスをリアクタチャンバ３ａ内に導入する
ガス供給配管１３が設けられており、リアクタチャンバ
３ａの上部の所定の位置に接続が行われている。
【００５３】また、リアクタチャンバ３ａの下方には、
リアクタチャンバ３ａ内の排気を行う排気管１４が設け
られ、この排気管１４はリアクタチャンバ３ａ内を真空
引きする真空ポンプと接続されている。
【００５４】そして、反応性イオンエッチング装置１ａ
は、前記実施の形態１と同様に、たとえば、１８4.９ｎ
ｍ程度の極短波長の光と２３5.７ｎｍ程度の短波長の光
とを含む紫外線を発生させる紫外線光源（紫外線照射手
段）１８が、一対の平行平板電極１６の所定の周辺部近
傍に設けられている。
【００５５】また、この紫外線光源１８には駆動手段が
設けられており、紫外線光源１８が一対の平行平板電極
１６の間を平行平板電極１６の半径方向に移動できるよ
うな構成となっている。
【００５６】さらに、紫外線光源１８近傍には、前記実
施の形態１と同様に、たとえば、ステンレス製のシャッ
タ１９が設けられており、通常、これらシャッタ１９が
閉じられて紫外線光源１８を覆うようになっており、エ
ッチング加工中に紫外線光源１８にパーティクルが付着
するのを防止している。
【００５７】次に、本実施の形態の作用について説明す
る。
【００５８】まず、所定の枚数の半導体ウエハのエッチ
ング加工が終了すると、紫外線源１８の近傍に設けられ
たシャッタ１９が開けられ、その後、紫外線光源１８が
照射され、リアクタチャンバ３ａ内のクリーニングが開
始される。
【００５９】また、この時、リアクタチャンバ３ａは、
真空ポンプによって真空引きが行われている。
【００６０】ここで、紫外線光源１８の照射時間ならび
にクリーニング頻度は、前記実施の形態１と同様に予め
実験などによって最適な条件出しを行い、それに基づい
て決定するものとする。
【００６１】そして、紫外線光源１８が照射されると同
時に、前述した駆動手段が紫外線光源１８を一対の平行
平板電極１６の間を平行平板電極１６の半径方向に移動
させることによって、リアクタチャンバ３ａの隅々まで
反応性副生成物を除去することができる。
【００６２】また、紫外線光源１８は、前述したよう
に、たとえば、１８4.９ｎｍ程度の極短波長の光と２３
5.７ｎｍ程度の短波長の光と含んだ紫外線を発生してお
り、それによって、リアクタチャンバ３ａ内に堆積した
有機化合物などの反応性副生成物を分解、気化してリア
クタチャンバ３ａ外に排気することができる。
【００６３】ここで、紫外線光源１８による紫外線の照
射中に酸素（Ｏ2)ガスをガス供給配管１３からリアクタ
チャンバ３ａ内に導入することによってオゾンを発生さ
せることができ、オゾンによる有機分解などにクリーニ
ング効果も期待でき、より効率よくクリーニングを行う
ことができる。
【００６４】そして、所定の時間の紫外線光源１８の照
射が終了し、紫外線光源１８が移動手段によってもとの
位置まで移動されると、再び、シャッタ１９が閉じられ
て紫外線光源１８へのパーティクルの付着を防止し、ク
リーニングを終了する。また、酸素ガスを供給している
場合は、酸素ガスの供給も同時に終了させる。
【００６５】その後、再び、リアクタチャンバ３ａ内に
は、ガス供給配管１３から所定の処理ガスが導入されて
半導体ウエハが搬送され、エッチング加工が開始される
ことになり、所定の枚数の半導体ウエハのエッチング加
工毎に繰り返し前述したクリーニング動作が行われるこ
とになる。
【００６６】それにより、本実施の形態２によれば、紫
外線光源１８を移動させながらクリーニングを行うこと
によって、より効率よくリアクタチャンバ３ａに堆積し
た反応性副生成物を除去することができるので、ウェッ
トクリーニングの頻度を確実に低減させることができ
る。
【００６７】また、本実施の形態２では、紫外線光源１
８をクリーニング時に使用しているが、たとえば、エッ
チング加工後のウエハに紫外線光源１８を移動させなが
ら照射することにより、マスクに残留している塩素ガス
などを除去することも可能である。
【００６８】（実施の形態３）図３は、本発明の実施の
形態３による常圧ＣＶＤ装置の模式説明図である。
【００６９】本実施の形態３において、薄膜材料を構成
する所定の反応ガスによって気相または被処理物表面で
の化学反応により所定の薄膜を形成させるＣＶＤ（Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装
置の一種である常圧ＣＶＤ装置（半導体製造装置）２０
は、たとえば、筒状の石英からなる薄膜形成を行う反応
管（処理室）２１が設けられている。
【００７０】また、常圧ＣＶＤ装置２０には、薄膜形成
される被処理物である半導体ウエハが載置されるステー
ジ２２が反応管２１の中央部に設けられている。
【００７１】さらに、反応管２１の外周部近傍には、半
導体ウエハを加熱するヒータ２３が設けられ、反応管２
１の一方の端部近傍には、反応ガスなどが供給されるガ
ス供給配管２４が接続されている。
【００７２】また、常圧ＣＶＤ装置２０には、反応管２
１内を排気する排気用ポンプ２５が設けられ、反応管２
１の他方の端部近傍に設けられた排気口２６と排気管２
７によって接続されている。
【００７３】さらに、常圧ＣＶＤ装置２０には、紫外線
ランプなどの紫外線光源（紫外線照射手段）２８，２９
が、たとえば、反応管２１の下方の周辺部近傍の所定の
位置に設けられている。
【００７４】ここで、本実施の形態３においても、紫外
線光源２８，２９は、たとえば、１８4.９ｎｍ程度の極
短波長の光と２３5.７ｎｍ程度の短波長の光とを含んだ
紫外線を発生させるものを用いる。
【００７５】また、紫外線光源２８，２９の近傍には、
たとえば、ステンレス製のシャッタ３０，３１が設けら
れており、通常、これらシャッタ３０，３１が閉じられ
て紫外線光源２８，２９を覆うようになっており、成膜
中に紫外線光源２８，２９にパーティクルが付着するの
を防止している。
【００７６】次に、本実施の形態の作用について説明す
る。
【００７７】まず、所定の枚数の半導体ウエハの成膜処
理が終了すると、紫外線源２８，２９の近傍に設けられ
たシャッタ３０，３１が開けられた後、排気ポンプ２５
によって反応管２１内の排気を行いながら紫外線光源２
８，２９の照射を行い、クリーニングする。
【００７８】ここでも、紫外線光源２８，２９の照射時
間ならびにクリーニング頻度は、予め実験などによって
最適な条件出しを行い、それに基づいて決定するものと
する。
【００７９】また、紫外線光源９，１０は、前述した１
８4.９ｎｍ程度の極短波長の光と２３5.７ｎｍ程度の短
波長の光とを含んだ紫外線を発生しており、反応管２１
内に成膜中に堆積した有機化合物などの反応性副生成物
を分解、気化して反応管２１外に排気することができ
る。
【００８０】また、紫外線光源２８，２９による紫外線
の照射中に酸素（Ｏ2)ガスをガス供給配管２４から反応
管２１内に導入することによってオゾンを発生させ、そ
のオゾンによる有機分解などにクリーニング効果も期待
でき、より効率よくクリーニングを行うことができる。
【００８１】そして、所定の時間の紫外線光源２８，２
９の照射が終了すると、再び、シャッタ３０，３１が閉
じられて紫外線光源２８，２９へのパーティクルの付着
を防止し、クリーニングを終了する。また、酸素ガスを
供給している場合は、酸素ガスの供給も同時に終了させ
る。
【００８２】その後、再び、通常のＣＶＤによる薄膜の
形成処理が開始されることになり、所定の枚数の半導体
ウエハの成膜処理毎に繰り返し前述したクリーニング動
作が行われることになる。
【００８３】また、紫外線光源２８，２９は、常圧ＣＶ
Ｄ装置２０だけでなく、たとえば、減圧ＣＶＤ装置や有
機金属ＣＶＤ装置などすべてのＣＶＤ装置に設けても良
好に処理室のクリーニングを行うことができる。
【００８４】それにより、本実施の形態３によれば、常
圧ＣＶＤ装置２０の反応管２１内に紫外線光源２８，２
９を設けることにより、効率よく反応管２１に堆積した
反応性副生成物を除去することができる。
【００８５】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
【００８６】たとえば、前記実施の形態１〜３において
は、紫外線光源をエッチング装置ならびにＣＶＤ装置に
設けたが、所定の処理を行う処理室に堆積した有機化合
物のクリーニングをしなければならない他の半導体製造
装置に処理室に紫外線光源を設けても良好に処理室内の
クリーニングを行うことができる。
【００８７】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００８８】（１）本発明によれば、処理室内に設けた
紫外線照射手段によって付着堆積した有機化合物を分解
および気化することができるので、処理室のウェットク
リーニングの頻度を大幅に低減させることができる。
【００８９】（２）また、本発明では、処理室内に酸素
ガスを導入しながら紫外線を照射することにより、オゾ
ンのクリーニング効果も期待できるので、紫外線照射に
よるクリーニング効果を一層向上させることができる。
【００９０】（３）さらに、本発明においては、上記
（１),（２）により、半導体製造装置の稼働率や生産性
を上げることができ、半導体装置の品質を向上ならびに
安定化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１によるマイクロ波プラズ
マエッチング装置の模式説明図である。
【図２】本発明の実施の形態２による反応性イオンエッ
チング装置の模式説明図である。
【図３】本発明の実施の形態３による常圧ＣＶＤ装置の
模式説明図である。
【符号の説明】
１ マイクロ波プラズマエッチング装置（半導体製造装
置） １ａ 反応性イオンエッチング装置（半導体製造装置） ２ プラズマ源 ３ リアクタチャンバ（処理室） ３ａ リアクタチャンバ（処理室） ４ ステージ ５，６ 搬送路 ７，８ ソレノイドバルブ ９，１０ 紫外線光源（紫外線照射手段） １１，１２ シャッタ １３ ガス供給配管 １４ 排気管 １５ 真空ポンプ １６ 平行平板形電極 １７ 高周波電源 １８ 紫外線光源（紫外線照射手段） １９ シャッタ ２０ 常圧ＣＶＤ装置（半導体製造装置） ２１ 反応管（処理室） ２２ ステージ ２３ ヒータ ２４ ガス供給配管 ２５ 排気用ポンプ ２６ 排気口 ２７ 排気管 ２８，２９ 紫外線光源（紫外線照射手段） ３０，３１ シャッタ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｂ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 所定の処理ガスを導入し、被処理物に所
    定の処理を行う処理室のクリーニング方法であって、前
    記処理室を真空引きしながら前記処理室内に設けられた
    紫外線照射手段によって紫外線を照射し、前記処理室内
    に付着したパーティクルを除去することを特徴とするク
    リーニング方法。
  2. 【請求項２】 請求項２記載のクリーニング方法におい
    て、前記処理室内に酸素ガスを導入しながら紫外線を照
    射することを特徴とするクリーニング方法。
  3. 【請求項３】 請求項１または２記載のクリーニング方
    法において、前記紫外線照射手段から照射される紫外線
    が、極短波長ならびに短波長を含む波長であることを特
    徴とするクリーニング方法。
  4. 【請求項４】 所定の処理ガスが導入された減圧下の処
    理室内で活性ガスプラズマを用いて被処理物にエッチン
    グを行う半導体製造装置であって、前記処理室内に紫外
    線を照射する紫外線照射手段を設けたことを特徴とする
    半導体製造装置。
  5. 【請求項５】 薄膜材料を構成する所定の反応ガスを処
    理室内に導入し、気相または被処理物表面での化学反応
    により所定の薄膜を形成させる半導体製造装置であっ
    て、前記処理室内に紫外線を照射する紫外線照射手段を
    設けたことを特徴とする半導体製造装置。
  6. 【請求項６】 請求項４または６記載の半導体製造装置
    において、前記紫外線照射手段の照射面に、パーティク
    ルの堆積を防止するシャッタを設けたことを特徴とする
    半導体製造装置。
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