TW202238664A - 電漿處理裝置、及電漿處理方法 - Google Patents

電漿處理裝置、及電漿處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202238664A
TW202238664A TW111105418A TW111105418A TW202238664A TW 202238664 A TW202238664 A TW 202238664A TW 111105418 A TW111105418 A TW 111105418A TW 111105418 A TW111105418 A TW 111105418A TW 202238664 A TW202238664 A TW 202238664A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
chamber
unit
gas
pressure
plasma
Prior art date
Application number
TW111105418A
Other languages
English (en)
Inventor
吉森大晃
嘉瀬慶久
中澤和輝
Original Assignee
日商芝浦機械電子裝置股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 filed Critical 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司
Publication of TW202238664A publication Critical patent/TW202238664A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/335—Cleaning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Treatment Of Fiber Materials (AREA)

Abstract

本發明提供一種可抑制由污染物引起的污染的電漿處理裝置、及電漿處理方法。實施方式的電漿處理裝置包括：第一腔室，維持較大氣壓經減壓的氣體環境，能夠在內部載置處理物；第一排氣部，能夠將所述第一腔室的內部減壓至規定壓力；電漿產生部，能夠產生所述電漿；第一氣體供給部，能夠向所述第一腔室的內部且為產生所述電漿的區域供給製程氣體；第二腔室，經由閘閥與所述第一腔室連接，能夠維持較大氣壓經減壓的氣體環境；搬送部，設置於所述第二腔室的內部，能夠在與所述第一腔室之間搬送所述處理物；第二排氣部，能夠將所述第二腔室的內部減壓至規定壓力；第二氣體供給部，能夠向所述第二腔室的內部供給氣體；以及控制器，能夠對所述搬送部、所述第二排氣部、及所述第二氣體供給部進行控制。所述控制器在進行所述搬送部對所述處理物的搬送時，控制所述第二排氣部，以使所述第二腔室內部的壓力成為與所述第一腔室內部的壓力大致同等，在所述搬送部對所述處理物的搬送結束時，控制所述第二氣體供給部，而向所述第二腔室的內部供給所述氣體。

Description

電漿處理裝置、及電漿處理方法
本發明的實施方式關於一種電漿處理裝置、及電漿處理方法。
利用電漿的乾燥製程例如是在製造微細結構體時被運用。例如，在半導體裝置、平板顯示器、光罩等的製造中，進行蝕刻處理、灰化處理、損害的去除等各種電漿處理。
在進行此種電漿處理的電漿處理裝置例如設置有對處理物實施電漿處理的製程腔室、經由閘閥與製程腔室連接的傳輸腔室（transfer chamber）、設置於傳輸腔室的內部且在與製程腔室之間搬送處理物的搬送機械手等。
此處，在傳輸腔室的內部，有時會產生包含有機物的污染物。由於在傳輸腔室的內部進行處理物的搬送，因此若產生污染物，則有所產生的污染物附著於處理物的表面之虞。在此情況下，若將附著有污染物的處理物搬入至製程腔室，並進行電漿處理，則有製品的品質受到影響之虞。另外，若將附著有污染物的處理物從傳輸腔室搬出至外部，則有後續步驟的處理受到影響之虞。 因此，提出了一種抑制處理物被污染物污染的技術（例如，參照專利文獻1、專利文獻2）。
但是，近年來，微細結構體的材料的多樣化或微細化等推進，從而有污染物對品質的影響變大之虞。 因此，期望開發出可進一步抑制由污染物引起的污染的技術。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利特開平6-196540號公報 [專利文獻2] 日本專利特開2003-17478號公報
[發明所要解決的問題] 本發明所要解決的問題在於，提供一種可抑制由污染物引起的污染的電漿處理裝置、及電漿處理方法。
[解決問題的技術手段] 實施方式的電漿處理裝置包括：第一腔室，維持較大氣壓經減壓的氣體環境，能夠在內部載置處理物；第一排氣部，能夠將所述第一腔室的內部減壓至規定壓力；電漿產生部，能夠產生所述電漿；第一氣體供給部，能夠向所述第一腔室的內部且為產生所述電漿的區域供給製程氣體；第二腔室，經由閘閥與所述第一腔室連接，能夠維持較大氣壓經減壓的氣體環境；搬送部，設置於所述第二腔室的內部，能夠在與所述第一腔室之間搬送所述處理物；第二排氣部，能夠將所述第二腔室的內部減壓至規定壓力；第二氣體供給部，能夠向所述第二腔室的內部供給氣體；以及控制器，能夠對所述搬送部、所述第二排氣部、及所述第二氣體供給部進行控制。所述控制器在進行所述搬送部對所述處理物的搬送時，控制所述第二排氣部，以使所述第二腔室內部的壓力成為與所述第一腔室內部的壓力大致同等，在所述搬送部對所述處理物的搬送結束時，控制所述第二氣體供給部，而向所述第二腔室的內部供給所述氣體。
[發明的效果] 根據本發明的實施方式，提供一種可抑制由污染物引起的污染的電漿處理裝置、及電漿處理方法。
以下，參照附圖對本發明的實施方式進行例示。此外，在各附圖中，對相同的構成元件標注相同的符號，並適宜省略詳細的說明。
圖1是用於例示本實施方式的電漿處理裝置1的佈局圖。 如圖1所示，電漿處理裝置1例如包括：控制器2、收納部3、搬送部4、加載互鎖部5、處理部6、及交接部7。
控制器2例如包括中央處理器（Central Processing Unit，CPU）等運算部、以及存儲器等存儲部。控制器2例如為計算機等。控制器2例如基於保存於存儲部中的控制程序來對設置於電漿處理裝置1的各元件的動作進行控制。
收納部3例如將處理物100收納為層疊狀（多級狀）。收納部3例如是所謂的吊艙或作為正面開口式載體的前開式統一吊艙（Front-Opening Unified Pod，FOUP）等。但是，收納部3並不限定於例示，只要可收納處理物100即可。收納部3可設置至少一個。
搬送部4設置於收納部3與加載互鎖部5之間。搬送部4進行收納部3與加載互鎖部5之間的處理物100的搬送與交接。在此情況下，搬送部4在比實施電漿處理時的壓力高的壓力（例如，大氣壓）的環境下，進行處理物100的搬送與交接。搬送部4例如是具有保持處理物100的臂的搬送機械手。
加載互鎖部5設置於搬送部4與交接部7之間。加載互鎖部5在氣體環境的壓力不同的搬送部4與交接部7之間進行處理物100的交接。因此，加載互鎖部5包括腔室51、排氣部52、及氣體供給部53。
腔室51具有能夠維持較大氣壓經減壓的氣體環境的氣密結構。在腔室51的側壁設置有用於進行處理物100的搬入與搬出的開口。另外，設置有使開口開閉的閘閥51a。腔室51經由閘閥51a連接於交接部7的腔室71（相當於第二腔室的一例）。
排氣部52對腔室51的內部進行排氣，以使腔室51內部的壓力成為與交接部7的腔室71內部的壓力大致同等。排氣部52例如可包括渦輪分子泵（Turbo Molecular Pump，TMP）、以及壓力控制部（自動壓力控制器（Auto Pressure Controller，APC））等。
氣體供給部53向腔室51的內部供給氣體，以使腔室51內部的壓力成為與搬送部4的壓力大致同等。所供給的氣體例如可設為空氣或氮氣等。
處理部6在較大氣壓經減壓的氣體環境下，對處理物100實施電漿處理。 處理部6例如可設為電漿蝕刻裝置、電漿灰化裝置、濺射裝置、電漿化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）裝置等電漿處理裝置。 在此情況下，電漿的產生方法並無特別限定，例如可設為使用高頻或微波等產生電漿。 但是，電漿處理裝置的種類或電漿產生方法並不限定於例示。即，處理部6只要在較大氣壓經減壓的氣體環境下對處理物100實施電漿處理即可。
另外，處理部6的數量也並無特別限定。處理部6只要設置至少一個即可。在設置多個處理部6的情況下，可設置相同種類的電漿處理裝置，也可設置不同種類的電漿處理裝置。另外，在設置多個相同種類的電漿處理裝置的情況下，處理條件可分別不同，處理條件也可分別相同。
圖2是用於例示處理部6的一例的示意剖面圖。 圖2中進行例示的處理部6是電感耦合電漿處理裝置。即，為使用由高頻能量激發、產生的電漿P從製程氣體G生成電漿生成物，進行處理物100的處理的電漿處理裝置的一例。
如圖2所示，處理部6例如包括：腔室61（相當於第一腔室的一例）、載置部62、天線63、高頻電源64a、高頻電源64b、氣體供給部65（相當於第一氣體供給部的一例）、排氣部66（相當於第一排氣部的一例）等。
腔室61例如呈有底的大致圓筒形狀，且具有能夠維持較大氣壓經減壓的氣體環境的氣密結構。在腔室61的上部，以成為氣密的方式設置有透射窗61a。透射窗61a呈板狀，可由對高頻能量的透射率高且在進行電漿處理時不易被蝕刻的材料形成。透射窗61a例如可由石英等介電體材料形成。
在腔室61的側壁設置有用於進行處理物100的搬入與搬出的開口61b。另外，設置有使開口61b開閉的閘閥61c。腔室61經由閘閥61c連接於交接部7的腔室71。
載置部62設置於腔室61的內部。在載置部62的上表面載置處理物100。在此情況下，處理物100可直接載置於載置部62的上表面，也可經由未圖示的支撐構件等載置於載置部62。另外，在載置部62可設置靜電卡盤等保持裝置。
天線63向腔室61內部的產生電漿P的區域供給高頻能量（電磁能量）。利用供給至腔室61的內部的高頻能量而產生電漿P。例如，天線63經由透射窗61a向腔室61的內部供給高頻能量。
高頻電源64a經由匹配器64a1電連接於天線63。在匹配器64a1，設置有用於在高頻電源64a側的阻抗與電漿P側的阻抗之間取得匹配的匹配電路等。高頻電源64a是用於產生電漿P的電源。即，高頻電源64a是為了在腔室61的內部產生高頻放電而產生電漿P而設置。高頻電源64a向天線63施加具有100 KHz～100 MHz左右的頻率的高頻電力。 在本實施方式中，天線63及高頻電源64a成為產生電漿P的電漿產生部。
高頻電源64b經由匹配器64b1電連接於載置部62。在匹配器64b1，設置有用於在高頻電源64b側的阻抗與電漿P側的阻抗之間取得匹配的匹配電路等。高頻電源64b對引入至載置於載置部62的處理物100中的離子的能量進行控制。高頻電源64b向載置部62施加具有適於引入離子的比較低的頻率（例如，13.56 MHz以下）的高頻電力。
氣體供給部65經由流量控制部65a向腔室61內部的產生電漿P的區域供給製程氣體G。流量控制部65a例如可設為質量流量控制器（Mass Flow Controller，MFC）等。氣體供給部65例如可連接於腔室61的側壁且為透射窗61a的附近。
製程氣體G是根據處理的種類或處理物100的處理面的材料等而適宜選擇。例如，在蝕刻處理的情況下，可設為CF 4或CF 3等包含氟原子的製程氣體G，以便生成反應性高的自由基。在此情況下，製程氣體G例如可設為僅包含氟原子的氣體，也可設為包含氟原子的氣體與稀有氣體的混合氣體。
排氣部66將腔室61的內部減壓至規定壓力。排氣部66例如可設為渦輪分子泵（TMP）。排氣部66可經由壓力控制部66a連接於腔室61的底面。壓力控制部66a基於檢測腔室61內部的壓力的未圖示的壓力計的輸出進行控制，以使腔室61的內部成為規定壓力。壓力控制部66a例如可設為自動壓力控制器（APC：Auto Pressure Controller）等。
在對處理物100實施電漿處理時，利用排氣部66將腔室61的內部減壓至規定壓力，從氣體供給部65向腔室61內部的產生電漿P的區域供給規定量的製程氣體G（例如，CF 4等）。另一方面，從高頻電源64a向天線63施加規定功率的高頻電力，電磁能量經由透射窗61a放射至腔室61的內部。另外，從高頻電源64b向載置處理物100的載置部62施加規定功率的高頻電力，形成加速從電漿P朝向處理物100的離子的電場。
透過放射至腔室61的內部的電磁能量而產生電漿P，透過所產生的電漿P，製程氣體G被激發、活化而生成中性活性種、離子等電漿生成物。然後，透過將所述所生成的電漿生成物供給至處理物100，對處理物100實施電漿處理。
圖3是用於例示另一實施方式的處理部16的示意剖面圖。 處理部16一般具而言為「化學乾式蝕刻（Chemical Dry Etching，CDE）裝置」，或者被稱為「遠程電漿裝置」的微波激發型的電漿處理裝置。處理部16使用電漿P從製程氣體G生成電漿生成物，主要使用電漿生成物中所含的自由基進行處理物100的處理。
如圖3所示，處理部16例如包括：電漿產生部161、排氣部162（相當於第一排氣部的一例）、微波產生部163、腔室164（相當於第一腔室的一例）、載置部165、及氣體供給部166（相當於第一氣體供給部的一例）。
電漿產生部161例如包括放電管161a、導入波導管161b、及輸送管161c。 放電管161a在內部具有產生電漿P的區域，且設置於遠離腔室164的位置。放電管161a呈管狀，可由對微波M的透過率高且不易被蝕刻的材料形成。例如，放電管161a可由氧化鋁或石英等介電體形成。
導入波導管161b以與放電管161a大致正交的方式連接於放電管161a的外側。在導入波導管161b的終端設置有終端匹配器161b1。另外，在導入波導管161b的入口側（微波M的導入側）設置有短截線調諧器161b2。
在導入波導管161b與放電管161a的連接部分，設置有環狀的槽161b3。在導入波導管161b的內部傳播的微波M經由槽161b3而放射至放電管161a的內部。
輸送管161c的其中一個端部連接於放電管161a的、與氣體供給部166側為相反側的端部。輸送管161c的另一個端連接於腔室164。輸送管161c由對電漿生成物中所含的自由基具有耐性的材料形成。輸送管161c例如由石英、不銹鋼、陶瓷、氟樹脂等形成。
排氣部162將腔室164的內部減壓至規定壓力。排氣部162例如可經由壓力控制部66a連接於腔室164的底面。排氣部162例如可設為與上文所述的排氣部66相同。
微波產生部163設置於導入波導管161b的、與放電管161a側為相反側的端部。微波產生部163產生規定頻率（例如，2.75 GHz）的微波M，並朝向導入波導管161b放射。
腔室164具有能夠維持較大氣壓經減壓的氣體環境的氣密結構。在腔室164的側壁設置有用於進行處理物100的搬入與搬出的開口164a。另外，設置有使開口164a開閉的閘閥164b。腔室164經由閘閥164b連接於交接部7的腔室71。
另外，可在腔室164的內部設置整流板164c。整流板164c可以與載置部165的載置面成為大致平行的方式設置於腔室164的內壁。經由輸送管161c向整流板164c與腔室164的頂棚之間的空間導入包含自由基的氣體。若設置有整流板164c，則使處理物100的處理面中的自由基的量大致均勻變得容易。
載置部165設置於腔室164的內部。在載置部165的上表面載置處理物100。在此情況下，處理物100可直接載置於載置部165的上面，也可經由未圖示的支撐構件等載置於載置部165。另外，在載置部165可設置靜電卡盤等保持裝置。
氣體供給部166連接於放電管161a的、與腔室164側為相反側的端部。氣體供給部166向放電管161a的內部供給製程氣體G。另外，在氣體供給部166與放電管161a之間可設置壓力控制部166a。壓力控制部166a對供給至放電管161a的內部的製程氣體G的壓力進行控制。
在對處理物100實施電漿處理時，利用排氣部162將腔室164的內部減壓至規定壓力。此時，與腔室164連通的放電管161a的內部也被減壓。接著，從氣體供給部166經由壓力控制部166a向放電管161a的內部供給規定壓力的製程氣體G。另外，從微波產生部163嚮導入波導管161b的內部放射規定功率的微波M。所放射的微波M在導入波導管161b的內部傳播，經由槽161b3而放射至放電管161a的內部。
透過放射至放電管161a的內部的微波M的能量，而產生電漿P。透過所產生的電漿P，製程氣體G被激發、活化而生成包含自由基或離子等的電漿生成物。
包含電漿生成物的氣體經由輸送管161c供給至腔室164的內部。此時，壽命短的離子等無法到達腔室164的內部，壽命長的自由基到達腔室164的內部。供給至腔室164的內部的包含自由基的氣體被整流板164c整流而到達處理物100的處理面，進行蝕刻處理等電漿處理。在此情況下，主要進行利用自由基的化學性處理。另外，由於用於物理性處理的離子不被供給至腔室164的內部，因此處理物100的處理面不會因離子而受到損傷。因此，處理部16例如適合於去除因使用離子的蝕刻處理而產生的損害。
此外，以上，作為處理部的一例，對感應耦合電漿（Inductively Coupled Plasma，ICP）處理裝置與CDE裝置（遠程電漿裝置）進行了說明，但處理部並不限定於這些電漿處理裝置。例如，處理部也可為電容耦合型電漿（Capacitively Coupled Plasma，CCP）處理裝置（例如，平行平板型（反應離子蝕刻（Reactive Ion Etching，RIE））裝置）、其他微波激發型的電漿處理裝置（例如，表面波電漿（Surface Wave Plasma，SWP）裝置等。此外，可對其他電漿處理裝置的基本結構應用已知的技術，因此省略詳細的說明。
接著，返回至圖1，對交接部7進行說明。 如圖1所示，交接部7設置於處理部6（16）與加載互鎖部5之間。交接部7進行處理部6（16）與加載互鎖部5之間的處理物100的交接。
圖4是用於例示交接部7的示意剖面圖。 此外，圖4是圖1中的交接部7的A-A線剖面圖。 如圖4所示，交接部7包括：腔室71、搬送部72、排氣部73（相當於第二排氣部的一例）、及氣體供給部74（相當於第二氣體供給部的一例）。
腔室71具有能夠維持較大氣壓經減壓的氣體環境的氣密結構。腔室71經由閘閥61c（164b）與腔室61（164）連接。
搬送部72設置於腔室71的內部。搬送部72在處理部6（16）與加載互鎖部5之間進行處理物100的交接。例如，搬送部72在與處理部6（16）的腔室61（164）之間搬送（搬入、搬出）處理物100。搬送部72例如可設為具有保持處理物100的臂的搬送機械手（例如，多關節機械手）。
排氣部73將腔室71的內部減壓至規定壓力。排氣部73例如可經由壓力控制部66a連接於腔室71的底面。 排氣部73例如可設為與上文所述的排氣部66相同。 壓力控制部66a基於檢測腔室71內部的壓力的未圖示的壓力計的輸出進行控制，以使腔室71內部的壓力成為規定壓力。
此處，如上所述，在電漿處理中使用的製程氣體G中，例如有如包含氟原子的氣體那樣反應性高的氣體。若反應性高的氣體從處理部6（16）的腔室61（164）的內部流向交接部7的腔室71的內部，則有反應性高的氣體與露出至腔室71的內部的元件反應而產生污染物之虞。
另外，有時在電漿處理時產生的副產物附著於處理部6（16）的腔室61（164）的內壁或露出至腔室61（164）的內部的元件上。因此，若形成從處理部6（16）的腔室61（164）的內部朝向交接部7的腔室71的內部流動的氣流，則有從處理部6（16）的腔室61（164）的內壁等剝離的副產物隨著氣流而侵入至交接部7的腔室71的內部之虞。侵入至交接部7的腔室71的內部的副產物成為對處理物100的污染物。
因此，在對處理部6（16）的腔室61（164）搬入處理物100，或者從處理部6（16）的腔室61（164）搬出處理物100時，排氣部73與安裝於腔室71的壓力控制部66a協同動作，以使腔室71內部的壓力成為與處理部6（16）的腔室61（164）內部的壓力大致同等。例如，可將處理部6（16）的腔室61（164）內部的壓力設為1×10 -3Pa～1×10 -2Pa左右。
在此情況下，所謂交接部7的腔室71內部的壓力與處理部6（16）的腔室61（164）內部的壓力大致同等，是指使腔室71內部的壓力處於自與腔室61內部的壓力相同的壓力至比與腔室61內部的壓力相同的壓力高5×10 -2Pa的壓力的範圍。若如此，則可有效果地抑制反應性高的氣體或副產物侵入至交接部7的腔室71的內部。
本發明者等人為了抑制粒子向處理部6（16）的流入，也嘗試了使交接部7的腔室71內的壓力成為與處理部6（16）的腔室61（164）內的壓力大致同等的情況。具體而言，透過利用排氣部73對交接部7的腔室71內進行排氣，以使腔室71內的壓力維持為1×10 -3Pa～5×10 -3Pa。
若如上所述，則即便污染物從處理部6（16）的腔室61（164）移動至交接部7的腔室71，考慮到只要排氣部73的排氣量相對於腔室71的容量足夠大，則污染物在附著在處理物100之前由排氣部73從腔室71內排出，因此也可認為可消除由污染物引起的污染。 然而，實際上判明了，在腔室71的內部，有時污染物附著於處理物100。若將附著有污染物的處理物100搬入至處理部6（16）的腔室61（164）的內部，並進行電漿處理，則有製品的品質受到影響之虞。另外，若將附著有污染物的處理物100從電漿處理裝置1搬出至外部，則有後續步驟的處理受到影響之虞。
本發明者等人進行研究的結果獲得以下見解：在處理物100相對於處理部6（16）的腔室61（164）的搬入或搬出時，若使腔室71內部的壓力與處理部6（16）的腔室61（164）內部的壓力成為大致同等，則在腔室71的內部產生污染物。即，判明了若對腔室71內部的壓力進行減壓，則從露出至腔室71的內部且包含有機物的元件產生污染物。
如上所述，腔室71具有能夠維持較大氣壓經減壓的氣體環境的氣密結構。因此，為了構成氣密結構，對腔室71使用O形環等密封構件。本發明者等人等進行了努力調查，結果獲得以下的見解。 判明了所述密封構件包含例如C 16H 30O 4等有機物。而且，若包含有機物的密封構件暴露於較大氣壓經減壓的氣體環境下，則有時密封構件的有機成分蒸發而釋放至腔室71的內部。另外，進行電漿處理時的熱被傳遞至腔室71，從而腔室71的溫度有時成為50℃左右。在此種情況下，密封構件的溫度變高，密封構件的成分更容易釋放。釋放至腔室71的內部的密封構件的成分成為污染物。
本發明者等人進一步進行研究的結果獲得以下見解：若控制腔室71內部的壓力，則可抑制密封構件的成分的釋放，進而可抑制在腔室71的內部處理物100受到污染。
圖5是C 16H 30O 4的蒸氣壓曲線。 C 16H 30O 4是較多地包含在O形環等密封構件中的成分。 另外，圖5中的點B1、點B2是測定值，圖5中的虛線是基於點B1、點B2的近似曲線。 在蒸氣壓曲線的下側的區域中，C 16H 30O 4的成分容易蒸發，在蒸氣壓曲線的上側的區域中，C 16H 30O 4的成分難以蒸發。例如，在進行了處理物100相對於處理部6（16）的腔室61（164）的搬送之後，若使腔室71內部的壓力處於蒸氣壓曲線的上側的區域，則可抑制密封構件的成分的釋放。
且說，處理部6的腔室61由於暴露於電漿，因此有時從80℃加熱至100℃左右。另外，處理物100有時在處理部16的腔室164內從150℃加熱至300℃左右的狀態下進行電漿處理。因此，處理部16的腔室164有時也從80℃加熱至100℃左右。 在如上所述那樣的情況下，腔室71經由閘閥61c（164b）與腔室61（164）連接，因此腔室71的溫度也上升至50℃～70℃左右。
例如，在進行了處理物100相對於處理部6（16）的腔室61（164）的搬送之後，若將腔室71內部的壓力設為5×10 -3Pa以上，則即便腔室71的溫度成為50℃左右，也可抑制C 16H 30O 4的成分蒸發。
但是，根據電漿處理的種類或處理條件等不同，可能產生腔室71的溫度進一步變高的情況。 本發明者等人進行研究的結果獲得以下見解：在進行了處理物100相對於處理部6（16）的腔室61（164）的搬送之後，若將腔室71內部的壓力設為1×10 -1Pa以上，則即便電漿處理的種類或處理條件等發生了變化，也可幾乎消除C 16H 30O 4的成分的蒸發。
此外，若使腔室71內部的壓力過高，則由於從腔室71朝向處理部6（16）的腔室61（164）的氣流，而有附著於腔室61（164）的內壁的副產物剝離，或者副產物浮游於腔室61（164）的內部之虞。因此，在從處理部6進行處理物100的搬入及搬出時，腔室71內部的壓力較佳為設為8×10 -3Pa～5×10 -2Pa左右。此外，交接部7的腔室71內部的壓力被決定為在所述壓力範圍內，比處理部6（16）的腔室61（164）內部的壓力稍高。
腔室71的壓力控制可利用排氣部73與壓力控制部66a進行，但難以迅速地增加變低的壓力。 因此，如圖4所示，在本實施方式的交接部7設置有氣體供給部74。 氣體供給部74經由流量控制部74a向腔室71的內部供給氣體G1。流量控制部74a例如可設為質量流量控制器（MFC）等。
氣體G1例如可設為不易與處理物100或露出至腔室71的內部的元件反應的氣體。例如，氣體G1可設為氮氣、氬氣等稀有氣體或者它們的混合氣體等。
另外，氣體G1是為了控制腔室71內部的壓力而供給，壓力的控制量也小，因此供給至腔室71的內部的氣體G1的量少。例如，氣體G1的流量為10 sccm以上、1000 sccm以下。
因此，也可將與包含有機物的污染物反應的氣體作為氣體G1來供給，或者將與包含有機物的污染物反應的氣體添加至上文所述的氮氣等中來供給。與包含有機物的污染物反應的氣體例如可設為臭氧氣體等。若氣體G1為臭氧氣體，或者包含臭氧氣體，則即便產生了包含有機物的污染物，也可分解所產生的污染物的至少一部分。
且說，處理部6中使用的密封構件與交接部7中使用的密封構件相同。另外，腔室61（164）內部的壓力在實施電漿處理以外的期間，維持為有密封構件的成分蒸發之虞的壓力。因此，密封構件的成分蒸發而釋放至腔室61（164）的內部，從而有附著於處理物100之虞。但是，發明人進行了努力調查，結果與在腔室61（164）的內部污染物附著的機率相比，在腔室71的內部污染物附著的機率高。
認為其原因大概在於：為了實施電漿處理而向腔室61（164）的內部導入製程氣體，因此污染物（所蒸發的密封構件的成分）與製程氣體一起從腔室61（164）的內部排出。即，認為透過氣體的導入來提高腔室內的壓力，由此可抑制污染物附著於處理物100。
圖6是用於例示氣體G1的供給的時序圖。 圖6中的T1是處理物100從交接部7的腔室71向處理部6（16）的腔室61（164）的搬入開始的時機。
圖6中的T2是處理物100從處理部6（16）的腔室61（164）向交接部7的腔室71的搬出開始的時機。
在無要進行處理的處理物100的情況下，電漿處理裝置1處於待機狀態。在電漿處理裝置1為待機狀態的情況下，加載互鎖部5的腔室51的內部被排氣部52排氣，而維持為1×10 -2Pa～1×10 -1Pa左右的壓力。在本實施方式中，例如為5×10 -2Pa。 交接部7的腔室71內部的壓力維持為可抑制C 16H 30O 4的成分蒸發的5×10 -3Pa以上的壓力。具體而言，控制器2基於檢測腔室71內部的壓力的未圖示的壓力計的輸出，控制安裝於腔室71的壓力控制部66a，以使腔室71內部的壓力成為5×10 -3Pa以上的壓力。 處理部6的腔室61的內部被排氣部66排氣而維持為1×10 -3Pa～1×10 -2Pa的壓力。在本實施方式中，例如為1×10 -3Pa。
在對處理物100進行處理的情況下，透過對加載互鎖部5的腔室51的內部進行排放而使腔室51內部的壓力成為與大氣壓力相同的壓力。搬送部4取出位於收納部3的內部的處理物100，並將其搬入至加載互鎖部5的腔室51的內部（圖6的（1））。
當將處理物100搬入至腔室51的內部後，對腔室51的內部進行減壓。當將腔室51的內部減壓至規定壓力後，從氣體供給部74向腔室71的內部供給氣體G1，使腔室71內部的壓力為1×10 -1Pa以上。此外，所謂規定壓力，是1×10 -2Pa以上、小於1×10 -1Pa的壓力。在本實施方式中，例如為5×10 -2Pa。 當腔室51內部的壓力及腔室71內部的壓力成為所述壓力後，閘閥51a打開。然後，利用搬送部72將處理物100搬入至腔室71的內部（圖6的（2））。
腔室51與電漿處理裝置1的外部的空間連通。因此，在處理物100的搬送時，外部的空間的空氣被取入至腔室51內。外部的空間的空氣中有包含水蒸氣或粒子之虞。透過將腔室71內部的壓力設為高於腔室51內部的壓力的壓力，可抑制水蒸氣或粒子從腔室51流入至腔室71。
當將處理物100搬送至腔室71的內部後，閘閥51a關閉。當閘閥51a關閉後，氣體G1向腔室71的內部的供給停止。此外，腔室51內部的減壓得以維持。 當腔室71內部的壓力例如成為5×10 -2Pa後，打開閘閥61c。然後，利用搬送部72將處理物100搬入至腔室61（164）的內部（圖6的T1）。
在處理部6（16）的腔室61（164）的內部中，使用電漿從反應性高的氣體生成電漿生成物，進行處理物100的處理。因此，反應性高的氣體有時殘留於腔室61（164）的內部或電漿處理時產生的副產物有時附著於處理部6（16）的腔室61（164）的內壁等。若使腔室71內部的壓力成為與處理部6（16）的腔室61（164）內部的壓力大致同等，則可抑制反應性高的氣體或副產物侵入至交接部7的腔室71的內部。
當將處理物100搬入至腔室61（164）的內部後，關閉閘閥61c。將從打開閘閥61c起至關閉閘閥61c的期間作為處理物100的搬入期間T1a。當閘閥61c關閉後，從氣體供給部74向腔室71的內部供給氣體G1。由此，腔室71內部的壓力維持為1×10 -1Pa以上。
當將腔室61（164）內部的壓力減壓至規定壓力後，控制氣體供給部65（166）來供給製程氣體G，直至腔室61（164）內部的壓力成為實施電漿處理的壓力。實施電漿處理的壓力為1×10 -1Pa～10 Pa左右。在本實施方式中，例如為1 Pa。此外，所謂規定壓力，為1×10 -3Pa～1×10 -2Pa。
當腔室61（164）內部的壓力成為實施電漿處理的壓力後，從高頻電源64a向天線63施加高頻電壓而產生電漿P。然後，使用電漿P從製程氣體G生成電漿生成物，使用電漿生成物中所含的自由基進行處理物100的處理。
當電漿處理完成後，停止來自高頻電源64a的高頻電壓的施加與製程氣體G的供給。腔室61（164）的內部被減壓至成為1×10 -3Pa～1×10 -2Pa的壓力。在本實施方式中，腔室61（164）內部的壓力例如被減壓至成為1×10 -3Pa。
當腔室61（164）內部的壓力成為1×10 -3Pa後，停止來自氣體供給部74的氣體G1的供給。然後，當腔室71內部的壓力成為例如5×10 -2Pa後，打開閘閥61c。利用搬送部72將處理物100從腔室61（164）的內部搬出（圖6的T2）。
當利用搬送部72將處理物100搬送至腔室71的內部後，關閉閘閥61c。將從打開閘閥61c起至關閉閘閥61c的期間作為處理物100的搬出期間T2a。搬出期間T2a後，從氣體供給部74向腔室71內部供給氣體G1。
當腔室71內部的壓力成為1×10 -1Pa以上後，打開閘閥51a，利用搬送部72將處理物100搬送至腔室51（圖6的（4））。
當將處理物100搬送至腔室51的內部後，關閉閘閥51a。在交接部7中，減少氣體G1向腔室71的內部的供給量。氣體G1的供給量設為腔室71內部的壓力成為1×10 -2Pa以上的供給量。例如，將氣體G1的供給量設為0.5倍。由此，可抑制密封構件的成分蒸發而釋放至腔室71的內部。另外，即便在從腔室61（164）搬出處理物100時產生了污染物（所蒸發的密封構件的成分），透過供給氣體G1，也可將污染物與氣體G1一起排出至腔室71的外部。
另外，不僅可減少氣體G1向腔室71的內部的供給量，還可透過安裝於腔室71的壓力控制部66a來減小排氣部73的排氣量。即，氣體供給部74與壓力控制部66a也可以使腔室71內部的壓力成為1×10 -2Pa以上的方式協同動作地維持。由此，可削減氣體G1的使用量。
在加載互鎖部5中，對腔室51的內部進行排放而使腔室51內部的壓力為大氣壓力。當腔室51內部的壓力與大氣壓力為相同程度後，利用搬送部4從腔室51的內部取出處理物100，並收納至收納部3（圖6的（5））。然後，將下一個處理物100搬送至加載互鎖部5（圖6的（6））。
T1後的處理物100的搬入期間T1a、及T2後的處理物100的搬出期間T2a中，將交接部7的壓力暫時設為包含在圖5的蒸氣壓曲線的下側的區域中的壓力。具體而言，當閘閥61c打開時，腔室71內部的氣體流入至處理部6。因此，腔室71內部的壓力被減壓為與處理部6（16）的腔室61（164）內部的壓力（例如，即將實施電漿處理之前的規定壓力即1×10 -3Pa）大致同等。因此，在搬入期間T1a、及搬出期間T2a中，密封構件的成分蒸發而釋放至腔室71的內部。
然而，在經過搬入期間T1a、及搬出期間T2a後，交接部7的腔室71與處理部6（16）的腔室61（164）之間被閘閥61c（164b）閉鎖。然後，透過氣體供給部74向交接部7的腔室71的內部供給氣體G1，而使腔室71內部的壓力為5×10 -3Pa以上，較佳為1×10 -1Pa以上。因此，可抑制密封構件的成分蒸發。
另外，即便將交接部7的腔室71及處理部6的腔室61的內部的壓力設為密封構件的成分能夠蒸發的壓力以下，透過向交接部7的內部導入氣體，也可抑制污染物（所蒸發的密封構件的成分）附著於處理物100。腔室71及腔室61的內部被進行排氣，以維持規定的減壓氣體環境。排氣部73及排氣部66的排氣速度（L/min）已決定。然後，當向腔室71及腔室61的內部供給氣體G1時，腔室71內的壓力上升，每單位體積的排出的氣體G1的量增加。結果，看起來像與供給氣體G1的量相應地，進行了腔室內部的排氣。即，透過所述排氣，可將污染物與氣體G1一起排出。
另外，如根據圖6可知那樣，可縮短腔室71內部的壓力被減壓為與成為密封構件的成分能夠蒸發的壓力以下的壓力、即處理部6（16）的腔室61（164）內部的壓力大致同等的期間。因此，可抑制密封構件的成分蒸發。 另外，在腔室71的內部，即便密封構件的成分蒸發，透過供給氣體G1，也與腔室61（164）同樣地，可將污染物（所蒸發的密封構件的成分）與氣體G1一起排出至腔室71的外部。
在腔室71的內部無處理物100的狀態長時間持續的情況下，也可控制安裝於腔室71的壓力控制部66a，而減小排氣部73的排氣量。透過減小排氣部73的排氣量，可削減使腔室71內部的壓力為1×10 -2Pa以上所需的氣體G1的量。此外，腔室71的內部無處理物100的狀態持續的時間例如是從停止氣體G1的供給起至腔室71內部的壓力成為1×10 -2Pa的時間。
以上的順序例如可透過控制器2對搬送部72、排氣部73、及氣體供給部74進行控制來進行。 例如，在進行搬送部72對處理物100的搬送（搬入、搬出）時，控制器2控制排氣部73，以使腔室71內部的壓力成為與腔室61（164）內部的壓力大致同等。例如，在搬送部72對處理物100的搬送結束時，控制器2控制氣體供給部74，而向腔室71的內部供給氣體G1。 例如，控制器2透過供給氣體G1，而使腔室71內部的壓力高於腔室61（164）內部的壓力。 例如，控制器2透過供給氣體G1，而使腔室71內部的壓力為5×10 -3Pa以上，較佳為1×10 -1Pa以上。
另外，如以上所說明那樣，本實施方式的電漿處理方法可包括以下的步驟。 在具有較大氣壓經減壓的氣體環境的第一區域中對處理物100進行電漿處理的步驟。第一區域例如為腔室61（164）的內部。 在遠離第一區域的第二區域與第一區域之間搬送處理物100的步驟。第二區域例如為腔室71的內部。 然後，在進行處理物100的搬送時，使第二區域的氣體環境的壓力成為與第一區域的氣體環境的壓力大致同等。 在處理物100的搬送結束時，向第二區域供給氣體G1。 例如，在進行了處理物100的搬送之後，透過供給氣體G1，而使第二區域的氣體環境的壓力高於進行處理物100的搬送時的第一區域的氣體環境的壓力。 例如，透過供給氣體G1，而使第二區域的氣體環境的壓力為5×10 -3Pa以上，較佳為1×10 -1Pa以上。 此外，各步驟中的內容由於可設為與上文所述相同，因此省略詳細的說明。
以上，對本實施方式進行了例示。但是，本發明並不限定於這些記載。 通常知識者對上文所述的實施方式適宜施加設計變更而得的實施方式也只要具備本發明的特徵，則包含於本發明的範圍。 例如，電漿處理裝置1所包括的各元件的形狀、尺寸、材質、配置、數量等並不限定於例示，可適宜變更。 另外，上文所述的各實施方式所包括的各元件可盡可能地組合，將這些組合而得的實施方式也只要具備本發明的特徵，則包含於本發明的範圍。
在本實施方式中，利用安裝於腔室71的壓力控制部66a進行控制，以使腔室71內部的壓力維持為5×10 -3Pa以上。但是，並不限定於此。例如，也可將排氣部73設為組合渦輪分子泵與乾式泵而成，在腔室71的底部設置與乾式泵連接的排氣口。在腔室71的內部長時間無處理物100的情況下，也可利用乾式泵對腔室71的內部進行排氣。或者，也可當達到5×10 -3Pa後停止排氣部73。
1:電漿處理裝置 2:控制器 3:收納部 4、72:搬送部 5:加載互鎖部 6、16:處理部 7:交接部 51、61、71、164:腔室 51a、61c、164b:閘閥 52、66、73、162:排氣部 53:氣體供給部 61a:透射窗 61b、164a:開口 62:載置部 63:天線 64a、64b:高頻電源 64a1、64b1:匹配器 65、74、166:氣體供給部 65a、74a:流量控制部 66a、166a:壓力控制部 100:處理物 161:電漿產生部 161a:放電管 161b:導入波導管 161b1:終端匹配器 161b2:短截線調諧器 161b3:槽 161c:輸送管 163:微波產生部 164c:整流板 165:載置部 B1、B2:點 G:製程氣體 G1:氣體 M:微波 P:電漿 T1、T2:時機 T1a:搬入期間 T2a:搬出期間
圖1是用於例示本實施方式的電漿處理裝置的佈局圖。 圖2是用於例示處理部的一例的示意剖面圖。 圖3是用於例示另一實施方式的處理部的示意剖面圖。 圖4是用於例示交接部的示意剖面圖。 圖5是C 16H 30O 4的蒸氣壓曲線。 圖6是用於例示氣體的供給的時序圖。
1:電漿處理裝置
2:控制器
3:收納部
4、72:搬送部
5:加載互鎖部
6、16:處理部
7:交接部
51、61、71、164:腔室
51a、61c、164b:閘閥
52、73:排氣部
53:氣體供給部
74:氣體供給部
74a:流量控制部
66a:壓力控制部
100:處理物

Claims (7)

  1. 一種電漿處理裝置，包括： 第一腔室，維持較大氣壓經減壓的氣體環境，能夠在內部載置處理物； 第一排氣部，能夠將所述第一腔室的內部減壓至規定壓力； 電漿產生部，能夠產生所述電漿； 第一氣體供給部，能夠向所述第一腔室的內部且為產生所述電漿的區域供給製程氣體； 第二腔室，經由閘閥與所述第一腔室連接，能夠維持較大氣壓經減壓的氣體環境； 搬送部，設置於所述第二腔室的內部，能夠在與所述第一腔室之間搬送所述處理物； 第二排氣部，能夠將所述第二腔室的內部減壓至規定壓力； 第二氣體供給部，能夠向所述第二腔室的內部供給氣體；以及 控制器，能夠對所述搬送部、所述第二排氣部、及所述第二氣體供給部進行控制， 所述控制器是 在進行所述搬送部對所述處理物的搬送時，控制所述第二排氣部，以使所述第二腔室內部的壓力成為與所述第一腔室內部的壓力大致同等， 在所述搬送部對所述處理物的搬送結束時，控制所述第二氣體供給部，而向所述第二腔室的內部供給所述氣體。
  2. 如請求項1所述的電漿處理裝置，其中，所述控制器在所述第一腔室與所述第二腔室之間利用所述搬送部搬送所述處理物之後，透過供給所述氣體，而使所述第二腔室內部的壓力高於搬送所述處理物時的所述第一腔室內部的壓力。
  3. 如請求項1或請求項2所述的電漿處理裝置，其中，所述控制器透過供給所述氣體，而使所述第二腔室內部的壓力為5×10 -3Pa以上。
  4. 如請求項3所述的電漿處理裝置，其中，所述控制器在所述第二腔室內不存在所述處理物的情況下，控制所述第二排氣部，而使所述第二腔室內部的壓力為5×10 -3Pa以上。
  5. 一種電漿處理方法，是對處理物進行電漿處理的電漿處理方法，包括： 在具有較大氣壓經減壓的氣體環境的第一區域中，對所述處理物進行電漿處理的步驟；以及 在遠離所述第一區域的第二區域與所述第一區域之間搬送所述處理物的步驟， 在進行所述處理物的搬送時，使所述第二區域的氣體環境的壓力成為與所述第一區域的氣體環境的壓力大致同等， 在所述處理物的搬送結束時，向所述第二區域供給氣體。
  6. 如請求項5所述的電漿處理方法，其中，在進行了所述處理物的搬送之後，透過供給所述氣體，而使所述第二區域的氣體環境的壓力高於進行所述處理物的搬送時的所述第一區域的氣體環境的壓力。
  7. 如請求項5或請求項6所述的電漿處理方法，其中，透過供給所述氣體，而使所述第二區域的氣體環境的壓力為5×10 -3Pa以上。
TW111105418A 2021-03-23 2022-02-15 電漿處理裝置、及電漿處理方法 TW202238664A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021048078A JP7337868B2 (ja) 2021-03-23 2021-03-23 プラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法
JP2021-048078 2021-03-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202238664A true TW202238664A (zh) 2022-10-01

Family

ID=83324490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111105418A TW202238664A (zh) 2021-03-23 2022-02-15 電漿處理裝置、及電漿處理方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7337868B2 (zh)
KR (1) KR20220132438A (zh)
CN (1) CN115116813A (zh)
TW (1) TW202238664A (zh)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3020567B2 (ja) * 1990-08-20 2000-03-15 アネルバ株式会社 真空処理方法
JPH06196540A (ja) 1992-12-25 1994-07-15 Hitachi Ltd 真空装置
JP4669257B2 (ja) 2000-03-29 2011-04-13 株式会社日立国際電気 半導体製造方法、基板処理方法、及び基板処理装置
JP2003017478A (ja) 2001-07-05 2003-01-17 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置および真空処理方法
JP2009065066A (ja) 2007-09-10 2009-03-26 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP5710194B2 (ja) 2010-09-28 2015-04-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP7337868B2 (ja) 2023-09-04
KR20220132438A (ko) 2022-09-30
CN115116813A (zh) 2022-09-27
JP2022147006A (ja) 2022-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100789007B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR0157139B1 (ko) 반도체장치의 제조방법과 제조장치
KR100787080B1 (ko) 기판 처리 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 및 기판처리 장치
US20070062646A1 (en) Method and apparatus for processing substrates
JP4555143B2 (ja) 基板の処理方法
JPH1050679A (ja) 乾式エッチング器の残留ガス除去装置および除去方法
KR20200090133A (ko) 막을 에칭하는 방법
KR102538188B1 (ko) 플라즈마 처리 장치의 세정 방법
KR102606417B1 (ko) 에칭 방법, 대미지층의 제거 방법, 및 기억 매체
KR102614944B1 (ko) 에칭 방법, 에칭 잔사의 제거 방법, 및 기억 매체
US20130252433A1 (en) Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and non-transitory recording medium
TW202238664A (zh) 電漿處理裝置、及電漿處理方法
TWI785987B (zh) 電漿處理裝置的檢查方法
JP2004319540A (ja) 半導体装置の製造方法およびドライエッチング装置
TWI612580B (zh) 電漿處理方法
JP2022057019A (ja) プラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法
JPH1046372A (ja) ドライエッチング方法
JP6366307B2 (ja) 洗浄システム、および洗浄方法
JP2018157233A (ja) 洗浄システム、および洗浄方法
JP2023008412A (ja) 基板集積装置、プラズマ処理装置、および基板の集積方法
KR20240096373A (ko) 에칭 방법 및 에칭 장치
CN118231244A (zh) 蚀刻方法和蚀刻设备
JPH08330294A (ja) プラズマ処理装置
JP2022094914A (ja) エッチング方法およびエッチング装置
JP4050423B2 (ja) プラズマ処理装置