JP2003273085A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 圧力差によって処理容器内の溶媒蒸気が液化
するのを抑制すると共に、パーティクルの発生を抑制し
て製品歩留まりの向上を図ること。 【解決手段】 処理容器１０内に収容された半導体ウエ
ハＷに処理ガスであるオゾンガスと溶媒蒸気である水蒸
気を供給して、半導体ウエハＷを処理する基板処理方法
において、処理容器１０内にオゾンガスと水蒸気を供給
して半導体ウエハＷの処理を行う前に、処理容器１０内
にＯ3ガスを供給すると共に、処理容器１０の排気系の
開閉手段である排液用開閉弁Ｖ11，Ｖ12を閉じて、処理
容器１０内を加圧し、処理容器１０内の圧力と以後に処
理容器１０内に供給される水蒸気の圧力との差を可及的
に少なくする。これにより、処理容器１０内の水蒸気が
液化するのを抑制すると共に、パーティクルの発生を抑
制することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
やＬＣＤ用ガラス基板等の被処理基板を密封雰囲気の処
理容器内に収容して処理ガス例えばオゾンガス等を供給
して処理を施す基板処理方法及び基板処理装置に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いては、被処理基板としての半導体ウエハやＬＣＤ基板
等（以下にウエハ等という）にフォトレジストを塗布
し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮
小してフォトレジストに転写し、これを現像処理し、そ
の後、ウエハ等からフォトレジストを除去する一連の処
理が施されている。

【０００３】前記レジスト除去の手段として洗浄装置が
用いられている。従来の洗浄装置では、一般に、ＳＰＭ
（Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２の混合液）と称される薬液が充
填された洗浄槽内にウエハ等を浸漬させてレジストの剥
離を行っている。一方、近年では、環境保全の観点から
廃液処理が容易なオゾン（Ｏ３）が溶解した溶液を用い
てレジスト除去を行うことが要望されている。この場
合、オゾンが溶解した溶液が充填された洗浄槽内にウエ
ハ等を浸漬させる、いわゆるディップ方式の洗浄によ
り、溶液中の酸素原子ラジカルによってレジストを酸化
反応させて二酸化炭素や水等に分解する。

【０００４】ところで、一般に、高濃度のオゾンガスを
純水にバブリングして溶解させることにより前記溶液を
生成し、その後、この溶液を洗浄槽内に充填しているた
め、その間に溶液中のオゾンが消滅していきオゾン濃度
が低下し、レジスト除去が十分に行えない場合があっ
た。更に、ウエハ等を前記溶液に浸漬させた状態では、
レジストと反応してオゾンが次々と消滅する一方で、レ
ジスト表面へのオゾン供給量が不十分となり、高い反応
速度を得ることができなかった。

【０００５】そこで、ウエハ等をオゾンが溶解された溶
液に浸漬させるディップ方式の洗浄方法の代わりに、処
理ガス例えばオゾンガスと溶媒の蒸気例えば水蒸気を用
いて、ウエハ等からレジストを除去する洗浄方法が新規
に提案されている。この洗浄方法は、処理容器内に収容
されたウエハ等に、処理ガス例えばオゾンガスを供給し
て、ウエハ等のレジストを除去する方法である。

【０００６】具体的には、次のような処理工程（１）〜
（５）が順次行われる。（１）処理容器内にホットエア
を供給してウエハを昇温する（ウエハ昇温工程）。
（２）オゾンガス（又は更に水蒸気）を供給して処理容
器内を例えば約７ＫＰａに予備加圧する（プレ加圧工
程）。（３）処理容器内にオゾンガスと水蒸気を供給し
て、ウエハを処理する（Ｏ３／蒸気処理工程）。このと
きの水蒸気圧は約５０ＫＰａである。（４）オゾンガス
の代わりに酸素を供給して、オゾンガス供給管路内をＯ
２パージする（Ｏ３→Ｏ２置換工程）。（５）処理容器
内にクールエアを供給して、処理容器内から内部雰囲気
を押し出し排気する（エアパージ工程）。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
処理工程においては、処理容器内にオゾンガス（又は更
に水蒸気）を供給して処理容器内を予備加圧した後、処
理容器内にオゾンガスと水蒸気を供給すると、処理容器
内の予備加圧（約７ＫＰａ）に対して処理容器内に供給
される蒸気の圧力（約５０ＫＰａ）が極端に高いため、
この圧力差によって突発的に蒸気が液化する。このよう
に、蒸気が液化すると、その液滴がウエハ等に付着しパ
ーティクルが発生するという問題があった。

【０００８】また、Ｏ３／蒸気処理工程の後に、処理容
器内にクールエアを供給して、処理容器内から内部雰囲
気を押し出し排気する際においても、処理容器内の圧力
（約５０ＫＰａ）が急激に圧力低下（約１０ＫＰａ）す
るため、処理容器内に残存する溶媒蒸気が液化して、ウ
エハ等にパーティクルが付着するという問題もあった。

【０００９】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、圧力差によって処理容器内の溶媒蒸気が液化するの
を抑制すると共に、パーティクルの発生を抑制して製品
歩留まりの向上を図る基板処理方法及び基板処理装置を
提供することを目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の基板処理方法は、処理容器内に収
容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を供給して、
被処理基板を処理する基板処理方法であって、 前記処
理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して前記被処理基
板の処理を行う前に、前記処理容器の排液系の開閉手段
を閉鎖した状態で、処理容器内に処理ガスを供給して処
理容器内を加圧し、前記処理容器内の圧力と、以後に処
理容器内に供給される溶媒蒸気の圧力との差を可及的に
少なくするようにした、ことを特徴とする（請求項
１）。

【００１１】この発明の第２の基板処理方法は、処理容
器内に収容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を供
給して、被処理基板を処理する基板処理方法であって、
前記処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して前記
被処理基板の処理を行った後、前記処理容器内に前記溶
媒蒸気と空気を供給すると共に、処理容器の排液系から
少量排液して、処理容器内を加圧した状態で処理容器内
に残存する処理ガスを溶媒蒸気に吸着させて排出する、
ことを特徴とする（請求項２）。

【００１２】この発明の第３の基板処理方法は、処理容
器内に収容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を供
給して、被処理基板を処理する基板処理方法であって、
前記処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して前記
被処理基板の処理を行う前に、前記処理容器の排液系の
開閉手段を閉鎖した状態で、処理容器内に処理ガスを供
給して処理容器内を加圧し、前記処理容器内の圧力と、
以後に処理容器内に供給される溶媒蒸気の圧力との差を
可及的に少なくするようにし、 前記処理容器内に処理
ガスと溶媒蒸気を供給して前記被処理基板の処理を行っ
た後、前記処理容器内に前記溶媒蒸気と空気を供給する
と共に、処理容器の排液系から少量排液して、処理容器
内を加圧した状態で処理容器内に残存する処理ガスを溶
媒蒸気に吸着させて排出する、ことを特徴とする（請求
項３）。

【００１３】この発明の第４の基板処理方法は、処理容
器内に収容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を供
給して、被処理基板を処理する基板処理方法であって、
前記処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して前記
被処理基板の処理を行った後、前記処理容器内に前記溶
媒蒸気と空気を供給すると共に、処理容器の排液系から
少量排液して、処理容器内を加圧した状態で処理容器内
に残存する処理ガスを溶媒蒸気に吸着させて排出し、
その後、前記処理容器内に空気のみを供給すると共に、
処理容器の排液系から少量排液して、処理容器内を加圧
した状態で処理容器内に残存する処理ガス及び溶媒蒸気
を排出する、ことを特徴とする（請求項４）。

【００１４】この発明の第５の基板処理方法は、処理容
器内に収容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を供
給して、被処理基板を処理する基板処理方法であって、
前記処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して前記
被処理基板の処理を行う前に、前記処理容器の排液系の
開閉手段を閉鎖した状態で、処理容器内に処理ガスを供
給して処理容器内を加圧し、前記処理容器内の圧力と、
以後に処理容器内に供給される溶媒蒸気の圧力との差を
可及的に少なくするようにし、 前記処理容器内に処理
ガスと溶媒蒸気を供給して前記被処理基板の処理を行っ
た後、前記処理容器内に前記溶媒蒸気と空気を供給する
と共に、処理容器の排液系から少量排液して、処理容器
内を加圧した状態で処理容器内に残存する処理ガスを溶
媒蒸気に吸着させて排出し、 その後、前記処理容器内
に空気のみを供給すると共に、処理容器の排液系から少
量排液して、処理容器内を加圧した状態で処理容器内に
残存する処理ガス及び溶媒蒸気を排出する、ことを特徴
とする（請求項５）。

【００１５】また、この発明の第１の基板処理装置は、
前記第１の基板処理方法を具現化するもので、処理容器
内に収容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を供給
して、被処理基板を処理する基板処理装置であって、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給管路
に介設される処理ガス用開閉手段と、 前記処理容器に
接続する排液管路に介設される少量の排液量を排出する
少量排液用開閉手段と、 前記処理ガス用開閉手段及び
少量排液用開閉手段を開閉制御する制御手段とを具備
し、 前記処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して
前記被処理基板の処理を行う前に、前記制御手段によっ
て、前記処理ガス用開閉手段を開放すると共に、前記少
量排液用開閉手段を閉鎖して、前記処理容器内に処理ガ
スを供給し、処理容器内を加圧可能に形成してなる、こ
とを特徴とする（請求項６）。

【００１６】この発明の第２の基板処理装置は、前記第
２の基板処理方法を具現化するもので、処理容器内に収
容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を供給して、
被処理基板を処理する基板処理装置であって、 前記処
理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給管路に介設
される処理ガス用開閉手段と、 前記処理容器内に溶媒
蒸気を供給する溶媒蒸気供給管路に介設される溶媒蒸気
用開閉手段と、 前記処理容器内に空気を供給する空気
供給管路に介設される空気用開閉手段と、 前記処理容
器に接続する排液管路に介設される少量の排液量を排出
する少量排液用開閉手段と、 前記処理ガス用開閉手
段、溶媒蒸気用開閉手段、空気用開閉手段及び少量排液
用開閉手段を開閉制御する制御手段とを具備し、 前記
処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して前記被処理
基板の処理を行った後、前記制御手段によって、前記溶
媒蒸気用開閉手段及び空気用開閉手段を開放すると共
に、前記少量排液用開閉手段を開放して、処理容器内に
前記溶媒蒸気と空気を供給可能に形成してなる、ことを
特徴とする（請求項７）。

【００１７】この発明の第３の基板処理装置は、前記第
３の基板処理方法を具現化するもので、処理容器内に収
容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を供給して、
被処理基板を処理する基板処理装置であって、 前記処
理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給管路に介設
される処理ガス用開閉手段と、 前記処理容器内に溶媒
蒸気を供給する溶媒蒸気供給管路に介設される溶媒蒸気
用開閉手段と、 前記処理容器内に空気を供給する空気
供給管路に介設される空気用開閉手段と、 前記処理容
器に接続する排液管路に介設される少量の排液量を排出
する少量排液用開閉手段と、 前記処理ガス用開閉手
段、溶媒蒸気用開閉手段、空気用開閉手段及び少量排液
用開閉手段を開閉制御する制御手段とを具備し、 前記
処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して前記被処理
基板の処理を行った後、前記制御手段によって、前記溶
媒蒸気用開閉手段及び空気用開閉手段を開放すると共
に、前記少量排液用開閉手段を開放して、処理容器内に
前記溶媒蒸気と空気を供給し、その後、前記溶媒用開閉
手段を閉鎖して、処理容器内に空気のみを供給し、処理
容器内を加圧可能に形成してなる、ことを特徴とする
（請求項８）。

【００１８】請求項１，６記載の発明によれば、処理容
器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して被処理基板の処理
を行う前に、処理容器の排液系の開閉手段を閉鎖した状
態で、処理容器内に処理ガスを供給して処理容器内を加
圧し、処理容器内の圧力と、以後に処理容器内に供給さ
れる溶媒蒸気の圧力との差を可及的に少なくすることに
より、処理容器内に供給される溶媒蒸気の圧力と処理容
器内の圧力との圧力差によって処理容器内で溶媒蒸気が
液化するのを抑制することができる。したがって、溶媒
蒸気の液化によって発生するパーティクルを低減するこ
とができる。

【００１９】請求項２，３，７記載の発明によれば、処
理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して被処理基板の
処理を行った後、処理容器内に溶媒蒸気と空気を供給す
ると共に、処理容器の排液系から少量排液して、処理容
器内に残存する処理ガスを溶媒蒸気に吸着させて排出す
ることにより、処理後の処理容器内に残存する処理ガス
を迅速に排出することができる。

【００２０】また、請求項４，５，８記載の発明によれ
ば、処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して被処理
基板の処理を行った後、処理容器内に溶媒蒸気と空気を
供給すると共に、処理容器の排液系から少量排液して、
処理容器内に残存する処理ガスを溶媒蒸気に吸着させて
排出することにより、処理後の処理容器内に残存する処
理ガスを迅速に排出することができる。また、処理容器
内に空気のみを供給すると共に、処理容器の排液系から
少量排液して、処理容器内を加圧した状態で処理容器内
に残存する処理ガス及び溶媒蒸気を排出することによ
り、処理後の排気時の処理容器内に残存する溶媒蒸気の
液化を抑制してパーティクルの発生を抑制することがで
きる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態ではオゾ
ンガスを利用して半導体ウエハＷ（以下にウエハＷとい
う）からレジストを除去する場合について説明する。

【００２２】図１は、この発明に係る基板処理装置の配
管系統を示す概略断面図、図２は、基板処理装置の概略
断面図、図３は、基板処理装置の要部を示す断面図であ
る。

【００２３】前記基板処理装置は、ウエハＷの処理が行
われる処理容器１０と、処理容器１０内でウエハＷを保
持する保持手段としてのウエハガイド２０と、処理容器
１０内に溶媒の蒸気である水蒸気１を供給する溶媒蒸気
供給手段である水蒸気供給手段３０と、処理容器１０内
に処理ガスとして例えばオゾン（Ｏ３）ガス２を供給す
る処理ガス供給手段であるオゾンガス供給手段４０と、
処理容器１０内にエアを供給するエア供給手段５０と、
処理容器１０の内部雰囲気を排気する内部排気手段６０
と、処理容器１０の周囲雰囲気を排出する周囲雰囲気排
出手段７０と、処理容器１０内から排気された内部雰囲
気中のオゾンを除去する後処理機構としてのオゾンキラ
ー８０と、処理容器１０内の液滴を排液する排液手段９
０（排液系）とを具備している。

【００２４】処理容器１０は、複数例えば５０枚のウエ
ハＷを収容可能な大きさを有する容器本体１１と、この
容器本体１１の上端に形成された搬入・搬出口１４を開
放又は閉鎖する容器カバー１２とで主に構成されてい
る。

【００２５】容器カバー１２は、例えば断面逆Ｕ字状に
形成され、昇降機構１５によって昇降可能に形成されて
いる。昇降機構１５は、制御手段例えば中央演算処理装
置１００（以下にＣＰＵ１００という）に接続されてい
る。ＣＰＵ１００からの制御信号により、昇降機構１５
が作動して、容器カバー１２が開放又は閉鎖されるよう
に構成されている。そして、容器カバー１２が上昇した
際には、搬入・搬出口１４は開放され、容器本体１１に
対してウエハＷを搬入できる状態となる。容器本体１１
にウエハＷを搬入して収容した後、容器カバー１２が下
降することで、搬入・搬出口１４が塞がれる。この場
合、容器本体１１の上端に設けられたフランジ１１ａと
容器カバー１２の下端に設けられたフランジ１２ａの間
の隙間は、エアの注入によって膨らむ伸縮式のシール部
材１６によって密封されるように構成されている。した
がって、処理容器１０内は密封雰囲気となり、外部に気
体が漏れない状態となっている。また、容器本体１１の
上端部には、容器カバー１２の閉塞状態をロックするロ
ック機構（図示せず）が設けられている。

【００２６】なお、容器本体１１の外周面にはラバーヒ
ータ１７が取り付けられ、容器カバー１２の外周面及び
容器本体１１の底面にはラバーヒータ１８，１９が取り
付けられている。これらラバーヒータ１７，１８，１９
は、図示しない電源に接続されて、電源からの給電によ
って発熱し、処理容器１０の内部雰囲気を所定温度（例
えば８０℃〜１２０℃の範囲内）に維持し得るように構
成されている。この場合、処理容器１０内の温度を温度
センサＴＳ1 にて検出し、その検出温度に基づいてＣＰ
Ｕ１００からの制御信号によってラバーヒータ１７，１
８，１９が発熱することで、処理容器１０の内部雰囲気
を所定温度（例えば８０℃〜１２０℃の範囲内）に加熱
することができる。また、ラバーヒータ１７，１８，１
９によって処理容器１０内の結露防止が図られている。

【００２７】前記水蒸気供給手段３０は、純水供給源３
１に接続する純水供給管路３２と、純水供給管路３２か
ら供給された純水を気化して水蒸気１を発生させる溶剤
蒸気生成手段である水蒸気発生器３３と、水蒸気発生器
３３内の水蒸気１を供給する水蒸気供給管路３４と、水
蒸気供給管路３４から供給された水蒸気１を処理容器１
０内に吐出する水蒸気ノズル３５とで主に構成されてい
る。

【００２８】この場合、純水供給管路３２の一端は純水
供給源３１に接続されている。また、純水供給管路３２
には、純水供給源３１側から順に開閉弁Ｖ１と流量コン
トローラＦＭ０が介設されている。開閉弁Ｖ１と流量コ
ントローラＦＭ０は、ＣＰＵ１００からの制御信号に基
づいて制御されるようになっている。すなわち、開閉弁
Ｖ１は、純水を流すか否かの開閉制御され、また、流量
コントローラＦＭ０は、純水の流量を調整すべく開度が
制御されるようになっている。

【００２９】また、水蒸気発生器３３は、図２に示すよ
うに、純水を供給する容器である密閉式のタンク３６
と、このタンク３６内の中央部にタンク３６の深さ方向
すなわち垂直状に配設されるヒータ３７と、タンク３６
内の水蒸気の圧力を検出する圧力検出手段である圧力セ
ンサＰＳ２と、タンク３６内の純水の液面を検出するセ
ンサ（図示せず）を具備している。このように構成され
る水蒸気発生器３３において、タンク３６内に供給され
る純水は、その量に応じて加熱調節されて所定量の水蒸
気１が生成されるようになっている。すなわち、タンク
３６内に供給される純水とヒータ３７との接触面積に応
じたヒータ３７の熱により純水が気化されて水蒸気１の
生成（発生）量が調節されるようになっている。

【００３０】また、タンク３６内には、液体状態の溶媒
である水の温度、ヒータ３７の温度調整や過昇温を検知
する温度センサ（図示せず）が配設されている。これら
温度センサはＣＰＵ１００に接続されており、水蒸気の
発生量や水蒸気の圧力を監視できるようになっている。

【００３１】また、水蒸気発生器３３において、生成さ
れた水蒸気の圧力が圧力検出手段である圧力センサＰＳ
２にて検出され、その検出信号が前記ＣＰＵ１００に伝
達されるようになっている。この圧力センサＰＳ２によ
って検出される圧力によって純水の沸騰状態が検出され
る。圧力が高い程水蒸気１が増量するので、水蒸気発生
器３３のヒータ３７の発熱容量を最大にしておく方が望
ましい。その理由は、所定量の水蒸気１の供給を円滑に
することができるからである。

【００３２】また、水蒸気発生器３３と水蒸気ノズル３
５とを接続する水蒸気供給管路３４の途中には溶媒蒸気
用開閉手段である開閉弁Ｖ７（以下に蒸気用開閉弁Ｖ７
という）が介設されている。この水蒸気供給管路３４に
おける蒸気用開閉弁Ｖ７の上流側（タンク３６側）に
は、後述するミストトラップ９５に接続される排出管路
３９が分岐されており、この排出管路３９に開閉弁Ｖ５
が介設されている。また、排出管路３９には、開閉弁Ｖ
５とミストトラップ９５との間に、オリフィス３９ａが
介設されており、水蒸気発生器３３内の圧力が急激に低
下するのを抑制するようになっている。また、排出管路
３９には、開閉弁Ｖ15を介して大気側に連通する大気連
通管路３９ｂが接続されており、水蒸気発生器３３内の
水を抜く時に空気の取入口となるように構成されてい
る。

【００３３】前記蒸気用開閉弁Ｖ７と開閉弁Ｖ５は、そ
れぞれＣＰＵ１００に接続されており、ＣＰＵ１００か
らの制御信号に基づいて開閉動作が制御されるように構
成されている。この場合、処理容器１０内に供給される
水蒸気１の供給量の最低量（しきい値）に応じて蒸気用
開閉弁Ｖ７と開閉弁Ｖ５が開閉制御される。また、ＣＰ
Ｕ１００は、処理容器１０内に配設された容器圧力検出
手段である圧力センサＰＳ１とも接続されており、圧力
センサＰＳ１よって検出される処理容器１０内の圧力
と、圧力センサＰＳ２によって検出される水蒸気発生器
３３内の水蒸気の圧力とを比較して、蒸気用開閉弁Ｖ７
と開閉弁Ｖ５が開閉制御される。このように構成するこ
とによって、処理容器１０内の圧力と同等以上の圧力の
水蒸気１を処理容器１０内に供給することができる。な
お、予め、ＣＰＵ１００に処理時の処理容器１０内の圧
力をデータとして記憶させておけば、このデータと、水
蒸気発生器３３にて生成された水蒸気の圧力とを比較し
て、蒸気用開閉弁Ｖ７と開閉弁Ｖ５を開閉制御すること
ができる。

【００３４】また、水蒸気発生器３３から排出された純
水は、開閉弁Ｖ14を介設する純水排出管路３９ｃを介し
て排出管路３９に接続されている。なお、開閉弁Ｖ14
は、ＣＰＵ１００に接続され、ＣＰＵ１００からの制御
信号によって開閉制御されるように構成されている。

【００３５】一方、オゾンガス供給手段４０は、オゾン
ガス生成手段４１と、オゾンガス生成手段４１からのオ
ゾンガス２を供給するオゾンガス供給管路４２（処理ガ
ス供給管路）と、オゾンガス供給管路４２からのオゾン
ガス２を処理容器１０内の両側に吐出する一対のオゾン
ガスノズル４３とで主に構成されている。

【００３６】この場合、オゾンガス生成手段４１は、図
３に示すように、原料となる基ガスとしての酸素（Ｏ
２）を、高周波電源４４に接続されて高周波電圧が印加
される放電電極４５，４６間を通過させることで、オゾ
ン（Ｏ３）を生成している。これら高周波電源４４と放
電電極４５，４６とを接続する電気回路４７には、スイ
ッチ４８が介設されている。スイッチ４８は、ＣＰＵ１
００からの制御信号に基づいて制御されるようになって
いる。すなわち、スイッチ４８は、オゾンを生成するか
否か制御されるようになっている。

【００３７】また、オゾンガス供給管路４２には、オゾ
ンガス生成手段４１側に処理ガス用開閉手段である開閉
弁Ｖ８（以下にオゾン用開閉弁Ｖ８という）が介設され
ており、このオゾン用開閉弁Ｖ８の二次側（処理容器１
０側）に、エア供給手段５０のエア供給源５５に接続さ
れるエア供給管路５７（空気供給管路）が接続されてい
る。このエア供給管路５１には、第１の空気用開閉手段
である開閉弁Ｖ４（以下にエア用第１開閉弁Ｖ４とい
う）とオリフィス５８が介設されている。また、エア供
給管路５７には、オリフィス５８の上流側と下流側に接
続する分岐管路５９が分岐されており、この分岐管路５
９に第２の空気用開閉手段である開閉弁Ｖ３（以下にエ
ア用第２開閉弁Ｖ３という）が介設されている。これら
オゾン用開閉弁Ｖ８とエア用第１及び第２開閉弁Ｖ４，
Ｖ３はＣＰＵ１００に接続されており、ＣＰＵ１００か
らの制御信号に基づいて切り換え及び開閉制御されるよ
うになっている。この制御により、例えば、オゾンガス
２を供給する場合には、オゾン用開閉弁Ｖ８を開放する
と共にエア用第１開閉弁Ｖ４を閉鎖する。また、エアを
供給する場合には、オゾン用開閉弁Ｖ８を閉鎖すると共
にエア用第１開閉弁Ｖ４を開放する。この場合、エア用
第２開閉弁Ｖ３を閉鎖した状態においては、エア供給源
５５から供給されるエアはオリフィス５８によって流量
が絞られて、小流量（小パージ）のエアが処理容器１０
内に供給される。また、エア用第２開閉弁Ｖ３が開放さ
れると、エア供給源５５から供給されるエアは分岐管路
５９を流れるので、大流量（大パージ）のエアが処理容
器１０内に供給され。なお、オゾンガス２及びエアの供
給を停止する場合には、オゾン用開閉弁Ｖ８とエア用第
１開閉弁Ｖ４の両方を閉鎖する。なお、オゾン用開閉弁
Ｖ８とエア用第１開閉弁Ｖ４の代わりに三方弁を用いる
ことも可能である。

【００３８】一方、処理容器１０内のパージや処理容器
１０内のウエハＷの昇温用のガスを供給するガス供給手
段として例えばエアを供給するエア供給手段５０は、加
熱ガス供給手段を具備している。この加熱ガス供給手段
は、エアを供給する第１のエア供給管路５１と、この第
１のエア供給管路５１から供給されたエアを加熱してホ
ットエア３を発生させるホットエアジェネレータ（ガス
加熱手段）５２と、ホットエアジェネレータ５２内のホ
ットエア３を供給する第２のエア供給管路５３と、第２
のエア供給管路５３から供給されたホットエア３を吐出
する一対のエアノズル５４とを具備している。

【００３９】この場合、第１のエア供給管路５１の一端
には、エア供給源５５が接続されている。また、第１の
エア供給管路５１には、エア供給源５５側から順に流量
コントローラＦＭ１、フィルタＦ１及び開閉手段である
開閉弁Ｖ２とが介設されている。これら開閉弁Ｖ２と流
量コントローラＦＭ１は、ＣＰＵ１００に接続されて、
ＣＰＵ１００からの制御信号に基づいてエアの供給の正
否が制御されると共に、エアの供給量が制御されるよう
になっている。また、ホットエアジェネレータ５２の内
部には、エアを加熱するヒータ５６が配設されている。
また、第２のエア供給管路５３には、開閉手段である開
閉弁Ｖ６が介設されている。この開閉弁Ｖ６は、制御手
段であるＣＰＵ１００によって制御されるようになって
いる。

【００４０】排液手段９０は、処理容器１０の底部に接
続される第１の排液管路９１と、この第１の排液管路９
１に接続する冷却部９２と、この冷却部９２の下流側に
接続する液溜部９５ａとからなるミストトラップ９５
と、液溜部９５ａの底部に接続された第２の排液管路９
３とを具備している。前記第１の排液管路９１、冷却部
９２、ミストトラップ９５及び第２の排液管路９３等に
よって排液系が構成されている。また、第１の排液管路
９１には、排液用開閉手段である排液用開閉弁Ｖ11が介
設されており、この開閉弁Ｖ11の上流側及び下流側に接
続するオリフィス９４ａを介設したバイパス管路９４に
開閉弁Ｖ11と反対の開閉動作を行う少量排液用開閉手段
である少量排液用開閉弁Ｖ12が介設されている。

【００４１】これら排液用開閉弁Ｖ11と少量排液用開閉
弁Ｖ12は、ＣＰＵ１００に接続されて、ＣＰＵ１００か
らの制御信号に基づいて開閉制御されるようになってい
る。

【００４２】例えば、処理容器１０内にホットエアを供
給するウエハ昇温工程においては、排液用開閉弁Ｖ11と
少量排液用開閉弁Ｖ12の両方とも閉鎖されるが、処理容
器１０内にオゾンガスを供給する場合は、少量排液用開
閉弁Ｖ12が開放される。また、処理容器１０内にオゾン
ガスを供給して処理容器１０内を所定の圧力に予備加圧
するプレ加圧工程においては、両開閉弁Ｖ11，Ｖ12共閉
鎖される。したがって、プレ加圧工程においては、処理
容器１０内に供給されるオゾンガスによって処理容器１
０内をの圧力を高めることができるので、以後に、処理
容器１０内にオゾンガスと水蒸気を供給してウエハＷに
付着するレジストを除去するＯ３／蒸気処理工程の際に
処理容器１０内に供給される水蒸気の圧力と、処理容器
１０内の圧力との圧力差を可及的に少なくすることがで
きる。これにより、処理容器１０内の水蒸気の液化を抑
制することができ、パーティクルの発生を抑制すること
ができる。なお、Ｏ３／蒸気処理工程のときには、少量
排液用開閉弁Ｖ12は開放されている。

【００４３】また、Ｏ３／蒸気処理工程が終了した後、
処理容器１０内に水蒸気と空気（エア）を供給する蒸気
／エア供給工程のとき、及び、その後に、処理容器１０
内にエアのみを供給するポスト加圧工程のときには、排
液用開閉弁Ｖ11は閉鎖され、少量排液用開閉弁Ｖ12が開
放される。このようにすることにより、蒸気／エア供給
工程においては、処理容器１０内に水蒸気とエアが供給
されると共に、少量排液用開閉弁Ｖ12を介して排液され
るので、Ｏ３／蒸気処理後の処理容器１０内に存在する
オゾンガスを水蒸気が吸着して排出することができる。
また、ポスト加圧工程においては、処理容器１０内にエ
アのみが供給されると共に、少量排液用開閉弁Ｖ12を介
して排液されて、処理容器１０内が加圧されるので、Ｏ
３／蒸気処理後の排液時に処理容器１０内に存在する水
蒸気の液化を抑制することができる。

【００４４】なお、第２の排液管路９３には、開閉弁Ｖ
13が介設されている。この場合、液中にオゾンが残存す
る恐れがあるので、第２の排液管路９３は、工場内の酸
専用の排液系１２３（ＡＣＩＤ ＤＲＡＩＮ）に連通さ
れている。

【００４５】なお、ミストトラップ９５には、下から順
に、空防止センサ、排液開始センサ、排液停止センサ、
液オーバーセンサ等（図示せず）が配置されている。こ
の場合、図示しないが、各センサは、前記排液用開閉弁
Ｖ11、少量排液用開閉弁Ｖ12、開閉弁Ｖ13と同様にＣＰ
Ｕ１００に接続されている。そして、センサからの検出
信号に基づいて排液用開閉弁Ｖ11、少量排液用開閉弁Ｖ
12、開閉弁Ｖ13が開閉制御されるようになっている。

【００４６】また、液滴がミストトラップ９５内にある
程度溜められ、液面が排液開始センサ（図示せず）にて
検出されると、排液開始センサからの検出信号がＣＰＵ
１００に伝達され、ＣＰＵ１００からの制御信号によっ
て開閉弁Ｖ13を開放して排液が開始され、液面が排液停
止センサ（図示せず）にて検出されると、排液停止セン
サからの検出信号がＣＰＵ１００に伝達され、ＣＰＵ１
００からの制御信号によって開閉弁Ｖ13を閉止して排液
が停止される。また、液面の高さが液オーバーセンサ
（図示せず）まで達すると、液オーバーセンサからの警
告信号がＣＰＵ１００に入力される。一方、液面が空防
止センサ（図示せず）より下回っている場合には、空防
止センサから禁止信号がＣＰＵ１００に入力され、ＣＰ
Ｕ１００からの制御信号によって開閉弁Ｖ13を閉じるよ
うに構成されている。この空防止センサによって液滴が
全て流れてミストトラップ９５内が空になり、オゾンガ
ス２が工場内の酸専用の排液系に漏出する事態を防止す
ることができる。

【００４７】また、ミストトラップ９５の上部には排気
管路１１０が接続されており、この排気管路１１０に順
次オゾンキラー８０と排気マニホールド８１が介設され
ている。

【００４８】前記ミストトラップ９５は、気体と液体と
を分離して排出するように構成されている。すなわち、
第１の排液管路９１を介して処理容器１０内から排出さ
れる水蒸気１及びオゾンガス２が、冷却部９２を介して
ミストトラップ９５に流れるようになっている。この場
合、処理容器１０内から排気された水蒸気１は、冷却部
９２内を通過する間に冷却されて凝縮される。水蒸気１
が凝縮して液化した液滴は、ミストトラップ９５に滴下
される。一方、オゾンガス２は、そのままミストトラッ
プ９５内に導入される。このようにして、処理容器１０
から排気された内部雰囲気を、オゾンガス２と液滴に分
離し、分離されたオゾンガス２は、排気管路１１０に排
気され、液滴は、第２の排液管路９３に排液されるよう
になっている。

【００４９】一方、処理ガス分解手段であるオゾンキラ
ー８０は、加熱によりオゾンを酸素に熱分解するように
構成されている。このオゾンキラー８０の加熱温度は、
例えば４００℃以上に設定されている。なお、オゾンキ
ラー８０は、工場内の無停電電源装置（図示せず）に接
続され、停電時でも、無停電電源装置から安定的に電力
供給が行われるように構成する方が好ましい。停電時で
も、オゾンキラー８０が作動し、オゾンを除去して安全
を図ることができるからである。なお、オゾンキラー８
０の内部では、気体が急激に膨張する上、内部の排気経
路が螺旋状のため、オゾンキラー８０は排気抵抗とな
る。

【００５０】また、オゾンキラー８０には、オゾンキラ
ー８０の作動状態を検出する作動検出手段としての温度
センサ（図示せず）が設けられている。この温度センサ
は、オゾンキラー８０の加熱温度を検出するように構成
されている。また、温度センサは、ＣＰＵ１００に接続
されており、温度センサからの検出信号がＣＰＵ１００
に伝達され、温度センサからの検出信号に基づいて、オ
ゾンを酸素に分解するのにオゾンキラー８０に十分な準
備が整っているか判断するようになっている。オゾンキ
ラー８０によって熱分解されてオゾンは酸素となり、こ
の酸素は、工場内の酸専用の排気系１２２（ＡＣＩＤ
ＥＸＡＵＳＴ）から排気される。また、オゾンキラー８
０内は高温（例えば４００℃）となるため、冷却水を冷
却水供給源（図示せず）から供給して冷却している。冷
却に供された冷却水は排液系（図示せず）から排液され
る。

【００５１】排気マニホールド８１は、装置全体の排気
を集合して行うように構成されている。また、排気マニ
ホールド８１には、処理装置背面の雰囲気を取り込むた
めの配管（図示せず）が複数設置され、処理装置からオ
ゾンガス２が周囲に拡散するのを防止している。更に、
排気マニホールド８１は、工場内の酸専用の排気系１２
２（ＡＣＩＤ ＥＸＴＨＡＵＳＴ）に接続されており、
酸専用の排気系に流す前の各種排気の合流場所として機
能するようになっている。

【００５２】また、排気マニホールド８１には、オゾン
濃度を検出する濃度センサ（図示せず）が設けられてい
る。排気マニホールド８１に設けられた濃度センサは、
ＣＰＵ１００に接続されており、濃度センサからの検出
信号がＣＰＵ１００に伝達され、ＣＰＵ１００にて、濃
度センサにより検出されたオゾン濃度に基づいて、オゾ
ンキラー８０のオゾン除去能力を把握し、例えばオゾン
キラー８０の故障によるオゾンガス２の漏洩を監視する
ようになっている。

【００５３】上記のように、処理容器１０からの排液管
路９１中に、排液用開閉弁Ｖ11及びこれに並列に接続さ
れた少量排液用開閉弁Ｖ12と、冷却部９２と、ミストト
ラップ９５とが介設され、このミストトラップ９５から
の排気系を構成する排気管路１１０にオゾンキラー８０
が接続されている。更に、処理容器１０から前記ミスト
トラップ９５を迂回する形で内部排気手段６０が設けら
れ、その構成要素である強制排気機構を構成するイジェ
クタ６３により強制的に処理容器１０内のガスを吸引し
てミストトラップ９５の排気系出口側に戻す強制排気管
路６２が設けられている。なお、強制排気管路６２には
開閉弁Ｖ18を介設した排気管路６２ａが接続されてお
り、強制排気管路６２を流れる排気を排気管路６２ａを
介して工場内の酸専用の排気系１２２（ＡＣＩＤ ＥＸ
ＴＨＡＵＳＴ）に排気するようになっている。

【００５４】内部排気手段６０は、処理容器１０内に設
けられた排気部６１と、この排気部６１と前記排気管路
１１０を接続する強制排気管路６２と、強制排気管路６
２に介設される開閉手段である第１の排気開閉弁Ｖ10
と、この第１の排気開閉弁Ｖ10の下流側に介設されるイ
ジェクタ６３を具備する強制排気機構とで主に構成され
ている。また、処理容器１０の下部と強制排気管路６２
の第１の排気開閉弁Ｖ10の下流側には万一処理容器１０
の圧力が異常に高くなったときに処理容器１０内の雰囲
気を解放させるための安全弁ＣＶ２を介設した補助排気
管路６８が接続されている。また、強制排気管路６２の
第１の排気開閉弁Ｖ10の上流側と排気管路１１０におけ
るオゾンキラー８０とマニホールド８１との間には分岐
排気管路６４が接続されており、この分岐排気管路６４
には、第２の排気開閉弁Ｖ９とダンパ６５が介設され、
また、ケース７１内の排気を行うための排気管路６４ａ
も介設されている（図２参照）。

【００５５】この場合、前記排気開閉弁Ｖ10，Ｖ９及び
ダンパ６５は、ＣＰＵ１００に接続されて、ＣＰＵ１０
０からの制御信号に基づいて作動制御されるように構成
されている。

【００５６】また、強制排気機構のイジェクタ６３は、
前記エア供給手段５０のエア供給源５５から供給される
エアを、開閉弁（図示せず）を介して強制排気管路６２
の一部（イジェクタ６３）に供給することによって生じ
る負圧を利用して、処理容器１０内の水蒸気１及びオゾ
ンガス２を強制的に吸引排気し得るように構成されてい
る。このように構成される強制排気機構、つまりイジェ
クタ６３の開閉弁（図示せず）は、ＣＰＵ１００に接続
されて、ＣＰＵ１００からの制御信号に基づいて作動制
御されるように構成されている。

【００５７】周囲雰囲気排出手段７０は、処理容器１０
の周囲を包囲するケース７１と、このケース７１の下部
に一端が接続され、他端が工場内の酸専用の排液系１２
３（ＡＣＩＤ ＤＲＡＩＮ）に接続される排液管路７２
を具備している。

【００５８】この場合、ケース７１では、上方から清浄
なエアのダウンフローが供給されており、このダウンフ
ローにより、ケース７１の内部雰囲気、すなわち処理容
器１０の周囲雰囲気が外部に漏れるのを防止すると共
に、下方に押し流されて排気管路６４ａ及び排液管路７
２に流入し易いようにしている。なお、ケース７１に
は、処理容器１０の周囲雰囲気中のオゾン濃度を検出す
る周囲の濃度検出手段としての濃度センサ（図示せず）
が設けられている。この濃度センサは、ＣＰＵ１００に
接続されており、濃度センサからの検出信号がＣＰＵ１
００に伝達され、濃度センサにより検出されたオゾン濃
度に基づいてオゾンガス２の漏れを感知するようになっ
ている。

【００５９】次に、この発明に係る基板処理装置を用い
た処理工程について、図４に示すフローチャートと表１
に示す制御装置のシーケンス制御の仕方を参照して説明
する。

【００６０】

【表１】

【００６１】まず、処理容器１０内にウエハＷを収容し
た状態において、処理容器１０内にホットエアを供給す
べく、制御装置（ＣＰＵ１００）により、エア供給手段
５０の開閉弁Ｖ２、Ｖ６が開放されると共に、第２の排
気開閉弁Ｖ９が開放され、ホットエアジェネレータ５２
が作動して、処理容器１０内に約２８０℃に加熱された
ホットエア３が供給され、ウエハＷ及び処理容器１０の
雰囲気温度を常温（２５℃）から所定の温度（例えば８
０℃〜９０℃）に昇温する（ウエハ昇温工程：ステップ
１）。

【００６２】次に、オゾンガス供給手段であるオゾンガ
ス生成手段４１が作動して供給される酸素（Ｏ２）に高
周波電圧を印加してオゾン（Ｏ３）ガスを生成する。制
御装置（ＣＰＵ１００）は、少量排液用開閉弁Ｖ12を開
放状態（排液用開閉弁Ｖ11は閉鎖状態）にすると共に、
オゾン用開閉弁Ｖ８を開放して、オゾンガス２を処理容
器１０内に供給する（オゾン（Ｏ３）供給工程：ステッ
プ２）。このオゾンガス２の供給は例えば１８０ｓｅｃ
間行われる。次いで、少量排液用開閉弁Ｖ12を閉鎖状態
にして、オゾンガス２を処理容器１０内に供給して、ウ
エハＷ及び処理容器１０内の雰囲気を予備加圧する（プ
レ加圧工程：ステップ２−１）。このオゾンガス２の供
給は例えば３０ｓｅｃ間行われる。このようにすること
により、処理容器１０内を加圧することができ、後述す
るＯ３／蒸気処理工程において、水蒸気供給手段３０か
ら処理容器１０内に供給された水蒸気１の圧力との圧力
差を可及的に少なくすることができる。したがって、水
蒸気１が液化するのを抑制することができると共に、パ
ーティクルの発生を抑制することができる。

【００６３】次に、オゾンガス生成手段４１を作動さ
せ、オゾン用開閉弁Ｖ８を開放しオゾンガス２を供給す
る一方、水蒸気供給手段３０を作動させ、蒸気用開閉弁
Ｖ７を開放して、処理容器１０内に水蒸気１を供給し
て、水蒸気１（溶媒蒸気）とオゾンガス２（処理ガス）
と熱とがレジストに作用して、水に溶けない性質のレジ
ストを水溶性に変質させるための処理を行う（Ｏ３／蒸
気処理工程：ステップ３）。このとき、排液用開閉弁Ｖ
11は閉鎖状態、少量排液用開閉弁Ｖ12は開放状態に制御
される（表１のステップ３参照）。

【００６４】Ｏ３／蒸気処理工程を適宜時間行った後、
オゾン用開閉弁Ｖ８を閉鎖すると共にエア用第１開閉弁
Ｖ４を開放する。このとき、エア用第２開閉弁Ｖ３は閉
鎖しているため、エア供給源５５から供給されるエアは
オリフィス５８によって流量が絞られて、小流量（小パ
ージ）のエアが処理容器１０内に供給される。このエア
の供給と同時に、蒸気用開閉弁Ｖ７が開放されて処理容
器１０内に水蒸気１が供給される（蒸気／エア供給工
程：ステップ３−１）。この蒸気／エア供給工程は約３
０ｓｅｃ間行われる。この蒸気／エア供給工程において
は、処理容器１０内に水蒸気とエア（小パージ）が供給
され、少量排液用開閉弁Ｖ12を介して少量の水蒸気１及
びオゾンガス２が排液（排出）されるので、処理容器１
０内に供給される水蒸気１によって処理容器１０内に残
存するオゾンガス２が吸着されて排出される。したがっ
て、オゾンガス２の排出を迅速にすることができる。

【００６５】蒸気／エア供給工程を所定時間（例えば３
０ｓｅｃ）行った後、蒸気用開閉弁Ｖ７を閉鎖すると共
に、エア用第２開閉弁Ｖ３を開放して、処理容器１０内
に大流量（大パージ）のエアを供給して、処理容器１０
内を加圧する（ポスト加圧工程：ステップ３−２）。こ
のポスト加圧工程により、処理容器１０内の圧力は更に
高められ、以後の排気工程（エアパージ）の際に生じる
急激な圧力低下を防止することができ、処理容器１０内
の水蒸気１の液化を抑制することができると共に、パー
ティクルの発生を抑制することができる。

【００６６】ポスト加圧工程を行った後、エア用第２開
閉弁Ｖ３を開放状態にして、少量排液用開閉弁Ｖ12を閉
鎖する一方、排液用開閉弁Ｖ11を開放して、処理容器１
０内に大量のエアを供給する（エアパージ：ステップ
４）。このエアパージは、例えば２０ｓｅｃ間行われ
る。このエアパージを所定時間（例えば２０ｓｅｃ）行
った後、排液用開閉弁Ｖ11を閉鎖して、処理容器１０の
排液系を開放する（圧力開放：ステップ５）。この圧力
開放は、例えば１０ｓｅｃ間行われる。以後、このエア
パージと圧力開放を複数回例えば７回（ステップ６〜１
９）繰り返し行うことにより、処理容器１０内に残存す
る水蒸気１及びオゾンガス２とエアとが置換されてウエ
ハＷの洗浄処理が終了する。

【００６７】なお、上記実施形態では、被処理基板がウ
エハＷである場合について説明したが、ウエハＷ以外の
例えばＬＣＤ基板等についても同様にレジストの除去を
行うことができる。

【００６８】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような効
果が得られる。

【００６９】１）請求項１，６記載の発明によれば、処
理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して被処理基板の
処理を行う前に、処理容器の排液系の開閉手段を閉鎖し
た状態で、処理容器内に処理ガスを供給して処理容器内
を加圧することにより、処理容器内の圧力と、処理容器
内に供給される溶媒蒸気の圧力との圧力差を可及的に少
なくすることができ、この圧力差によって処理容器内で
溶媒蒸気が液化するのを抑制することができるので、溶
媒蒸気の液化によって発生するパーティクルを低減する
ことができる。したがって、製品歩留まりの向上を図る
ことができる。

【００７０】２）請求項２，３，７記載の発明によれ
ば、処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して被処理
基板の処理を行った後、処理容器内に溶媒蒸気と空気を
供給すると共に、処理容器の排液系から少量排液して、
処理容器内に残存する処理ガスを溶媒蒸気に吸着させて
排出することにより、処理後の処理容器内に残存する処
理ガスを迅速に排出することができる。したがって、製
品歩留まりの向上を図ることができると共に、スループ
ットの向上を図ることができる。

【００７１】３）請求項４，５，８記載の発明によれ
ば、処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して被処理
基板の処理を行った後、処理容器内に溶媒蒸気と空気を
供給すると共に、処理容器の排液系から少量排液して、
処理容器内に残存する処理ガスを溶媒蒸気に吸着させて
排出することにより、処理後の処理容器内に残存する処
理ガスを迅速に排出することができる。また、処理容器
内に空気のみを供給すると共に、処理容器の排液系から
少量排液して、処理容器内を加圧した状態で処理容器内
に残存する処理ガス及び溶媒蒸気を排出することによ
り、処理後の排気時の処理容器内に残存する溶媒蒸気の
液化を抑制してパーティクルの発生を抑制することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る基板処理装置の配管系統を示す
概略断面図である。

【図２】前記基板処理装置の概略断面図である。

【図３】前記基板処理装置の要部を示す断面図である。

【図４】この発明に係る基板処理装置の処理工程を示す
フローチャートである。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板） １ 水蒸気（溶媒蒸気） ２ オゾンガス（処理ガス） １０ 処理容器 ３０ 水蒸気供給手段 ３４ 水蒸気供給管路 ４０ オゾンガス供給手段（処理ガス供給手段） ４２ オゾンガス供給管路（処理ガス供給管路） ５０ エア供給手段（ガス供給手段） ５７ エア供給管路（空気供給管路） ９０ 排液手段（排液系） ９１ 第１の排液管路 １００ ＣＰＵ（制御手段） Ｖ３ エア用第２開閉弁（空気用開閉手段） Ｖ４ エア用第１開閉弁（空気用開閉手段） Ｖ７ 蒸気用開閉弁（溶媒蒸気用開閉手段） Ｖ８ オゾン用開閉弁（処理ガス用開閉手段） Ｖ10 少量排液用開閉弁 Ｖ11 排液用開閉弁

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４８ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｂ Ｆターム(参考） 2H096 AA25 LA01 LA02 5F004 AA16 BC03 BC07 BD01 CA01 CA02 DA00 DA23 DA27 DB26 FA08 5F046 MA02 MA03 MA05

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理容器内に収容された被処理基板に処
   理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する基
   板処理方法であって、 前記処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して前記被
   処理基板の処理を行う前に、前記処理容器の排液系の開
   閉手段を閉鎖した状態で、処理容器内に処理ガスを供給
   して処理容器内を加圧し、前記処理容器内の圧力と、以
   後に処理容器内に供給される溶媒蒸気の圧力との差を可
   及的に少なくするようにした、ことを特徴とする基板処
   理方法。
2. 【請求項２】 処理容器内に収容された被処理基板に処
   理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する基
   板処理方法であって、 前記処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して前記被
   処理基板の処理を行った後、前記処理容器内に前記溶媒
   蒸気と空気を供給すると共に、処理容器の排液系から少
   量排液して、処理容器内を加圧した状態で処理容器内に
   残存する処理ガスを溶媒蒸気に吸着させて排出する、こ
   とを特徴とする基板処理方法。
3. 【請求項３】 処理容器内に収容された被処理基板に処
   理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する基
   板処理方法であって、 前記処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して前記被
   処理基板の処理を行う前に、前記処理容器の排液系の開
   閉手段を閉鎖した状態で、処理容器内に処理ガスを供給
   して処理容器内を加圧し、前記処理容器内の圧力と、以
   後に処理容器内に供給される溶媒蒸気の圧力との差を可
   及的に少なくするようにし、 前記処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して前記被
   処理基板の処理を行った後、前記処理容器内に前記溶媒
   蒸気と空気を供給すると共に、処理容器の排液系から少
   量排液して、処理容器内を加圧した状態で処理容器内に
   残存する処理ガスを溶媒蒸気に吸着させて排出する、こ
   とを特徴とする基板処理方法。
4. 【請求項４】 処理容器内に収容された被処理基板に処
   理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する基
   板処理方法であって、 前記処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して前記被
   処理基板の処理を行った後、前記処理容器内に前記溶媒
   蒸気と空気を供給すると共に、処理容器の排液系から少
   量排液して、処理容器内を加圧した状態で処理容器内に
   残存する処理ガスを溶媒蒸気に吸着させて排出し、 その後、前記処理容器内に空気のみを供給すると共に、
   処理容器の排液系から少量排液して、処理容器内を加圧
   した状態で処理容器内に残存する処理ガス及び溶媒蒸気
   を排出する、ことを特徴とする基板処理方法。
5. 【請求項５】 処理容器内に収容された被処理基板に処
   理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する基
   板処理方法であって、 前記処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して前記被
   処理基板の処理を行う前に、前記処理容器の排液系の開
   閉手段を閉鎖した状態で、処理容器内に処理ガスを供給
   して処理容器内を加圧し、前記処理容器内の圧力と、以
   後に処理容器内に供給される溶媒蒸気の圧力との差を可
   及的に少なくするようにし、 前記処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して前記被
   処理基板の処理を行った後、前記処理容器内に前記溶媒
   蒸気と空気を供給すると共に、処理容器の排液系から少
   量排液して、処理容器内を加圧した状態で処理容器内に
   残存する処理ガスを溶媒蒸気に吸着させて排出し、 その後、前記処理容器内に空気のみを供給すると共に、
   処理容器の排液系から少量排液して、処理容器内を加圧
   した状態で処理容器内に残存する処理ガス及び溶媒蒸気
   を排出する、ことを特徴とする基板処理方法。
6. 【請求項６】 処理容器内に収容された被処理基板に処
   理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する基
   板処理装置であって、 前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給管路
   に介設される処理ガス用開閉手段と、 前記処理容器に接続する排液管路に介設される少量の排
   液量を排出する少量排液用開閉手段と、 前記処理ガス用開閉手段及び少量排気用開閉手段を開閉
   制御する制御手段とを具備し、 前記処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して前記被
   処理基板の処理を行う前に、前記制御手段によって、前
   記処理ガス用開閉手段を開放すると共に、前記少量排気
   用開閉手段を閉鎖して、前記処理容器内に処理ガスを供
   給し、処理容器内を加圧可能に形成してなる、ことを特
   徴とする基板処理装置。
7. 【請求項７】 処理容器内に収容された被処理基板に処
   理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する基
   板処理装置であって、 前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給管路
   に介設される処理ガス用開閉手段と、 前記処理容器内に溶媒蒸気を供給する溶媒蒸気供給管路
   に介設される溶媒蒸気用開閉手段と、 前記処理容器内に空気を供給する空気供給管路に介設さ
   れる空気用開閉手段と、 前記処理容器に接続する排液管路に介設される少量の排
   液量を排出する少量排液用開閉手段と、 前記処理ガス用開閉手段、溶媒蒸気用開閉手段、空気用
   開閉手段及び少量排液用開閉手段を開閉制御する制御手
   段とを具備し、 前記処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して前記被
   処理基板の処理を行った後、前記制御手段によって、前
   記溶媒蒸気用開閉手段及び空気用開閉手段を開放すると
   共に、前記少量排液用開閉手段を開放して、処理容器内
   に前記溶媒蒸気と空気を供給可能に形成してなる、こと
   を特徴とする基板処理装置。
8. 【請求項８】 処理容器内に収容された被処理基板に処
   理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する基
   板処理装置であって、 前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給管路
   に介設される処理ガス用開閉手段と、 前記処理容器内に溶媒蒸気を供給する溶媒蒸気供給管路
   に介設される溶媒蒸気用開閉手段と、 前記処理容器内に空気を供給する空気供給管路に介設さ
   れる空気用開閉手段と、 前記処理容器に接続する排液管路に介設される少量の排
   液量を排出する少量排液用開閉手段と、 前記処理ガス用開閉手段、溶媒蒸気用開閉手段、空気用
   開閉手段及び少量排液用開閉手段を開閉制御する制御手
   段とを具備し、 前記処理容器内に処理ガスと溶媒蒸気を供給して前記被
   処理基板の処理を行った後、前記制御手段によって、前
   記溶媒蒸気用開閉手段及び空気用開閉手段を開放すると
   共に、前記少量排液用開閉手段を開放して、処理容器内
   に前記溶媒蒸気と空気を供給し、その後、前記溶媒用開
   閉手段を閉鎖して、処理容器内に空気のみを供給し、処
   理容器内を加圧可能に形成してなる、ことを特徴とする
   基板処理装置。