JP7384792B2 - プラズマ加熱された窓のマルチゾーン冷却 - Google Patents
プラズマ加熱された窓のマルチゾーン冷却 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7384792B2 JP7384792B2 JP2020526991A JP2020526991A JP7384792B2 JP 7384792 B2 JP7384792 B2 JP 7384792B2 JP 2020526991 A JP2020526991 A JP 2020526991A JP 2020526991 A JP2020526991 A JP 2020526991A JP 7384792 B2 JP7384792 B2 JP 7384792B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- air
- plenum
- substrate processing
- processing system
- window
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 130
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 95
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 description 30
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 235000010384 tocopherol Nutrition 0.000 description 2
- 235000019731 tricalcium phosphate Nutrition 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32522—Temperature
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25D—REFRIGERATORS; COLD ROOMS; ICE-BOXES; COOLING OR FREEZING APPARATUS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F25D1/00—Devices using naturally cold air or cold water
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25D—REFRIGERATORS; COLD ROOMS; ICE-BOXES; COOLING OR FREEZING APPARATUS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F25D17/00—Arrangements for circulating cooling fluids; Arrangements for circulating gas, e.g. air, within refrigerated spaces
- F25D17/005—Arrangements for circulating cooling fluids; Arrangements for circulating gas, e.g. air, within refrigerated spaces in cold rooms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/32119—Windows
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25D—REFRIGERATORS; COLD ROOMS; ICE-BOXES; COOLING OR FREEZING APPARATUS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F25D2700/00—Means for sensing or measuring; Sensors therefor
- F25D2700/16—Sensors measuring the temperature of products
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/002—Cooling arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
本出願は、2017年11月15日に出願された米国特許出願公開第15/814,139号の優先権を主張する。上記で参照された出願の開示の全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[形態1]
基板処理システムであって、
処理チャンバであって、前記処理チャンバの上部において前記処理チャンバを覆う窓を有する、処理チャンバと、
前記窓の上方に位置付けられ、前記処理チャンバ内のプラズマ処理ガスをイオン化するための電磁エネルギーを生成する、第1のコイルと、
作動時に空気流を生成する第1の空気増幅器と、
前記第1のコイルの下方、かつ前記窓の上方に位置付けられた少なくとも1つのプレナムであって、前記少なくとも1つのプレナムが側壁を有し、また前記窓の上部表面の面積と実質的に同じ面積の頂部表面を有し、前記第1のコイルの下方の、前記窓の領域内のホットスポットを減らすように、前記頂部表面が第1の空気入口を有して、前記空気増幅器から前記空気流を受け取り、前記少なくとも1つのプレナムの前記側壁の間にある前記窓にわたって空気を分配する、少なくとも1つのプレナムと、
複数の温度センサであって、前記複数の温度センサの各々が、前記窓の対応する部分の温度を測定し、検知された温度を出力する、複数の温度センサと、
前記検知された温度に応答して前記第1の空気増幅器を制御して前記空気流を生成させるコントローラと、
を備える基板処理システム。
[形態2]
形態1に記載の基板処理システムであって、前記少なくとも1つのプレナムが、前記窓の前記上部表面の全てを覆うように寸法設定されている、基板処理システム。
[形態3]
形態1に記載の基板処理システムであって、前記少なくとも1つのプレナムが、前記窓の前記上部表面の実質的に全てを覆う複数のプレナムを備える、基板処理システム。
[形態4]
形態3に記載の基板処理システムであって、前記複数のプレナムが、前記窓の前記上部表面の全てを覆う、基板処理システム。
[形態5]
形態1に記載の基板処理システムであって、前記第1の空気入口が、前記プレナムの前記頂部表面のほぼ中央部に位置付けられる、基板処理システム。
[形態6]
形態5に記載の基板処理システムであって、前記プレナムが、前記プレナムの前記頂部表面の縁部に第2の空気入口を有し、前記基板処理システムが第2の空気増幅器を更に備えて、前記第2の空気入口を通して空気流を供給して、前記窓の縁部における1つ以上のホットスポットを減少させる、基板処理システム。
[形態7]
形態6に記載の基板処理システムであって、前記頂部表面の中心部と前記縁部との間にある、前記プレナムの前記頂部表面の中間部に、前記プレナムが第3の空気入口を有し、前記基板処理システムが第3の空気増幅器を更に備えて、前記第3の空気入口を通して空気流を供給して、前記窓の中間部におけるホットスポットを減少させる、基板処理システム。
[形態8]
形態5に記載の基板処理システムであって、前記プレナムの前記頂部表面の縁部に、前記プレナムが追加空気入口を有し、前記第1の空気増幅器が、前記第1の空気入口と前記追加空気入口の両方に空気流を供給する、基板処理システム。
[形態9]
形態5に記載の基板処理システムであって、追加空気増幅器を更に備え、前記プレナムが追加空気入口を有し、前記第1の空気増幅器が前記第1の空気入口に空気流を供給し、前記追加空気増幅器が前記追加空気入口に空気流を供給する、基板処理システム。
[形態10]
形態1に記載の基板処理システムであって、
前記プレナムの上方に位置付けられた第2のコイルを更に備え、前記第2のコイルが電磁エネルギーを供給して、前記処理チャンバ内の前記プラズマ処理ガスをイオン化する、基板処理システム。
[形態11]
形態10に記載の基板処理システムであって、前記第1のコイルと前記第2のコイルとが互いに導電結合されている、基板処理システム。
[形態12]
形態1に記載の基板処理システムであって、前記プレナムは、前記頂部表面に第1の空気出口を有する、基板処理システム。
[形態13]
形態1に記載の基板処理システムであって、前記プレナムは、前記側壁のうちの1つに第1の空気出口を有する、基板処理システム。
[形態14]
形態1に記載の基板処理システムであって、空気源と、前記空気源に接続された第1の弁および第2の弁とを更に備え、前記第1の空気増幅器が、前記第1の弁および前記第2の弁を介して前記空気源に接続され、前記コントローラが、前記空気源を制御し、前記第1の弁および前記第2の弁が空気流を供給し、前記第1の弁が比較的少ない空気流を供給し、前記第2の弁が比較的多い空気流を供給する、基板処理システム。
[形態15]
基板処理システムであって、
処理チャンバであって、前記処理チャンバの上部において前記処理チャンバを覆う窓を有する、処理チャンバと、
前記窓の上方に位置付けられて、電磁エネルギーを生成して、前記処理チャンバ内のプラズマ処理ガスをイオン化するための複数のコイルと、
空気流を生成するための複数の空気増幅器と、
前記複数のコイルの下方、かつ前記窓の上方に位置付けられた少なくとも1つのプレナムであって、前記少なくとも1つのプレナムが側壁を有し、また前記窓の上部表面の面積と実質的に同じ面積の頂部表面を有し、前記複数のコイルの下方の、前記窓の1つ以上の領域内の1つ以上のホットスポットを減らすように、前記頂部表面が複数の空気入口を有して、前記空気流、前記複数の空気増幅器を受け取り、前記少なくとも1つのプレナムの前記側壁の間にある前記窓にわたって前記空気流を分配する、少なくとも1つのプレナムと、
複数の温度センサであって、前記複数の温度センサの各々が、前記窓の対応する部分の温度を測定し、検知された温度を出力する、複数の温度センサと、
前記検知された温度に応答して、前記複数の空気増幅器を制御するコントローラと、
を備える基板処理システム。
[形態16]
形態15に記載の基板処理システムであって、前記少なくとも1つのプレナムが、前記窓の前記上部表面の全てを覆うように寸法設定されている、基板処理システム。
[形態17]
形態15に記載の基板処理システムであって、前記少なくとも1つのプレナムが、前記窓の前記上部表面の実質的に全てを覆う複数のプレナムを備える、基板処理システム。
[形態18]
形態17に記載の基板処理システムであって、前記複数のプレナムが、前記窓の前記上部表面の全てを覆う、基板処理システム。
[形態19]
形態15に記載の基板処理システムであって、前記複数の空気増幅器の数が、前記複数の空気入口の数に等しい、基板処理システム。
[形態20]
形態15に記載の基板処理システムであって、前記複数の空気増幅器が前記複数の空気入口よりも少なく、前記複数の空気入口のうちの2つ以上が空気増幅器を共有する、基板処理システム。
[形態21]
形態15に記載の基板処理システムであって、前記複数のコイルが互いに導電結合されている、基板処理システム。
[形態22]
形態15に記載の基板処理システムであって、空気源と、前記空気源に接続された複数の弁対とを更に備え、前記複数の空気増幅器の各々が、前記複数の弁対のうちの1つを介して前記空気源に接続され、前記コントローラが、前記空気源および前記複数の弁対を制御して前記空気流を供給し、前記複数の弁対の各々の第1の弁が比較的少ない空気流を供給し、前記複数の弁対の各々の第2の弁が比較的多い空気流を供給する、基板処理システム。
Claims (21)
- 基板処理システムであって、
処理チャンバであって、前記処理チャンバの上部において前記処理チャンバを覆う窓を有する、処理チャンバと、
前記窓の上方に位置付けられ、前記処理チャンバ内のプラズマ処理ガスをイオン化するための電磁エネルギーを生成する、第1のコイルと、
作動時に空気流を生成する第1、第2、および第3の空気増幅器と、
前記第1のコイルの下方、かつ前記窓の上方に位置付けられたプレナムであって、前記プレナムが側壁を有し、また前記窓の上部表面の面積と同じ面積の頂部表面を有し、前記頂部表面が、前記プレナムの前記頂部表面の中央部に位置付けられた第1の空気入口を有して、前記第1の空気増幅器から前記空気流を受け取り、前記第1の空気入口が、前記第1のコイルの下方の前記窓の中央部のホットスポットを減らすように、前記プレナムの前記側壁の間にある前記窓にわたって空気を分配するための複数の孔を含む、プレナムであって、前記プレナムは、
前記窓の縁部の1つ以上のホットスポットを減らすように、前記第2の空気増幅器から前記空気流を受け取るための、前記プレナムの前記頂部表面の縁部の第2の空気入口と、
前記窓の中間部のホットスポットを減らすように、前記第3の空気増幅器から前記空気流を受け取るための、前記頂部表面の前記中央部と前記縁部との間にある、前記プレナムの前記頂部表面の中間部の第3の空気入口と、を更に含む、プレナムと、
複数の温度センサであって、前記複数の温度センサの各々が、前記窓の対応する部分の温度を測定し、検知された温度を出力する、複数の温度センサと、
前記検知された温度に応答して前記第1、前記第2、および前記第3の空気増幅器を制御して前記空気流を生成させるコントローラと、
を備える基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、前記プレナムが、前記窓の前記上部表面の全てを覆うように寸法設定されている、基板処理システム。
- 請求項1に記載の基板処理システムであって、前記プレナムが、前記窓の前記上部表面の全てを覆う複数のプレナムを備える、基板処理システム。
- 請求項3に記載の基板処理システムであって、前記複数のプレナムが、前記窓の前記上部表面の全てを覆う、基板処理システム。
- 請求項1に記載の基板処理システムであって、前記プレナムの前記頂部表面の縁部に、前記プレナムが追加空気入口を有し、前記第1の空気増幅器が、前記第1の空気入口と前記追加空気入口の両方に空気流を供給する、基板処理システム。
- 請求項1に記載の基板処理システムであって、追加空気増幅器を更に備え、前記プレナムが追加空気入口を有し、前記第1の空気増幅器が前記第1の空気入口に空気流を供給し、前記追加空気増幅器が前記追加空気入口に空気流を供給する、基板処理システム。
- 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記プレナムの上方に位置付けられた第2のコイルを更に備え、前記第2のコイルが電磁エネルギーを供給して、前記処理チャンバ内の前記プラズマ処理ガスをイオン化する、基板処理システム。 - 請求項7に記載の基板処理システムであって、前記第1のコイルと前記第2のコイルとが互いに導電結合されている、基板処理システム。
- 請求項1に記載の基板処理システムであって、前記プレナムは、前記頂部表面に第1の空気出口を有する、基板処理システム。
- 請求項1に記載の基板処理システムであって、前記プレナムは、前記側壁のうちの1つに第1の空気出口を有する、基板処理システム。
- 請求項1に記載の基板処理システムであって、空気源と、前記空気源に接続された第1の弁および第2の弁とを更に備え、前記第1の空気増幅器が、前記第1の弁および前記第2の弁を介して前記空気源に接続され、前記コントローラが、前記空気源を制御し、前記第1の弁および前記第2の弁が空気流を供給し、前記第1の弁が供給する空気流の流量は、前記第2の弁が供給する空気流の流量よりも少ない、基板処理システム。
- 基板処理システムであって、
処理チャンバであって、前記処理チャンバの上部において前記処理チャンバを覆う窓を有する、処理チャンバと、
前記窓の上方に位置付けられて、電磁エネルギーを生成して、前記処理チャンバ内のプラズマ処理ガスをイオン化するための複数のコイルと、
空気流を生成するための複数の空気増幅器と、
前記複数のコイルの下方、かつ前記窓の上方に位置付けられたプレナムであって、前記プレナムが側壁を有し、また前記窓の上部表面の面積と同じ面積の頂部表面を有し、前記複数のコイルの下方の、前記窓の1つ以上の領域内の1つ以上のホットスポットを減らすように、前記頂部表面が複数の空気入口を有して、前記複数の空気増幅器から前記空気流を受け取り、前記プレナムの前記側壁の間にある前記窓にわたって前記空気流を分配する、プレナムであって、前記複数の空気入口は、
前記複数の空気増幅器の第1の空気増幅器から前記空気流を受け取るように、前記プレナムの前記頂部表面の中央部に位置付けられ、前記窓の中央部のホットスポットを減らすように、複数の孔を含む第1の空気入口と、
前記窓の縁部のホットスポットを減らすように、前記複数の空気増幅器の第2の空気増幅器から前記空気流を受け取るための、前記プレナムの前記頂部表面の縁部の第2の空気入口と、
前記窓の中間部のホットスポットを減らすように、前記複数の空気増幅器の第3の空気増幅器から前記空気流を受け取るための、前記中央部と前記縁部との間にある、前記プレナムの前記頂部表面の中間部の第3の空気入口と、を含む、プレナムと、
複数の温度センサであって、前記複数の温度センサの各々が、前記窓の対応する部分の温度を測定し、検知された温度を出力する、複数の温度センサと、
前記検知された温度に応答して、前記複数の空気増幅器を制御するコントローラと、
を備える基板処理システム。 - 請求項12に記載の基板処理システムであって、前記プレナムが、前記窓の前記上部表面の全てを覆うように寸法設定されている、基板処理システム。
- 請求項12に記載の基板処理システムであって、前記プレナムが、前記窓の前記上部表面の全てを覆う複数のプレナムを備える、基板処理システム。
- 請求項14に記載の基板処理システムであって、前記複数のプレナムが、前記窓の前記上部表面の全てを覆う、基板処理システム。
- 請求項12に記載の基板処理システムであって、前記複数の空気増幅器の数が、前記複数の空気入口の数に等しい、基板処理システム。
- 請求項12に記載の基板処理システムであって、前記複数の空気増幅器が前記複数の空気入口よりも少なく、前記複数の空気入口のうちの2つ以上が空気増幅器を共有する、基板処理システム。
- 請求項12に記載の基板処理システムであって、前記複数のコイルが互いに導電結合されている、基板処理システム。
- 請求項12に記載の基板処理システムであって、空気源と、前記空気源に接続された複数の弁対とを更に備え、前記複数の空気増幅器の各々が、前記複数の弁対のうちの1つを介して前記空気源に接続され、前記コントローラが、前記空気源および前記複数の弁対を制御して前記空気流を供給し、前記複数の弁対の各々の第1の弁が供給する空気流の流量は、前記複数の弁対の各々の第2の弁が供給する空気流の流量よりも少ない、基板処理システム。
- 請求項1または請求項12に記載の基板処理システムであって、さらに、
前記第1の空気入口に接続された導管を有し、
前記導管の外周側面には、前記空気流を前記第1の空気入口に供給する出口孔を有する、基板処理システム。 - 請求項1または請求項12に記載の基板処理システムであって、
前記複数の孔は、前記第1の空気入口の外周側面に配置されている、基板処理システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023191210A JP2024012547A (ja) | 2017-11-15 | 2023-11-09 | プラズマ加熱された窓のマルチゾーン冷却 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/814,139 US11538666B2 (en) | 2017-11-15 | 2017-11-15 | Multi-zone cooling of plasma heated window |
US15/814,139 | 2017-11-15 | ||
PCT/US2018/060240 WO2019099313A1 (en) | 2017-11-15 | 2018-11-12 | Multi-zone cooling of plasma heated window |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023191210A Division JP2024012547A (ja) | 2017-11-15 | 2023-11-09 | プラズマ加熱された窓のマルチゾーン冷却 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021503183A JP2021503183A (ja) | 2021-02-04 |
JP2021503183A5 JP2021503183A5 (ja) | 2022-01-11 |
JP7384792B2 true JP7384792B2 (ja) | 2023-11-21 |
Family
ID=66431407
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020526991A Active JP7384792B2 (ja) | 2017-11-15 | 2018-11-12 | プラズマ加熱された窓のマルチゾーン冷却 |
JP2023191210A Pending JP2024012547A (ja) | 2017-11-15 | 2023-11-09 | プラズマ加熱された窓のマルチゾーン冷却 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023191210A Pending JP2024012547A (ja) | 2017-11-15 | 2023-11-09 | プラズマ加熱された窓のマルチゾーン冷却 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11538666B2 (ja) |
JP (2) | JP7384792B2 (ja) |
CN (2) | CN117810058A (ja) |
TW (1) | TWI796382B (ja) |
WO (1) | WO2019099313A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114127906A (zh) * | 2019-07-16 | 2022-03-01 | 朗姆研究公司 | 用于衬底处理系统的热电冷却基座 |
TWI731463B (zh) * | 2019-11-06 | 2021-06-21 | 聚昌科技股份有限公司 | 側向擾流式高均勻度感應耦合電漿蝕刻機之製造方法及其結構 |
CN113013008A (zh) * | 2019-12-19 | 2021-06-22 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 电感耦合型等离子处理设备及其盖体、介电窗温控方法 |
CN113990730B (zh) * | 2020-07-27 | 2023-10-31 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置及其中的气流调节盖和气流调节方法 |
WO2022039984A1 (en) * | 2020-08-18 | 2022-02-24 | Lam Research Corporation | Controlling temperature profiles of plasma chamber components using stress analysis |
CN112820616B (zh) | 2021-01-18 | 2024-04-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体工艺腔室 |
JP2024051314A (ja) * | 2022-09-30 | 2024-04-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 冷却装置、基板処理装置、および冷却方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003273085A (ja) | 2002-03-18 | 2003-09-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2004360061A (ja) | 2003-05-13 | 2004-12-24 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びその使用方法 |
JP2012211359A (ja) | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
US20140020837A1 (en) | 2012-07-20 | 2014-01-23 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma source with multiple dielectric windows and window-supporting structure |
US20170103875A1 (en) | 2011-10-07 | 2017-04-13 | Lam Research Corporation | Temperature Control in RF Chamber with Heater and Air Amplifier |
JP2017143059A (ja) | 2016-01-11 | 2017-08-17 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマエッチングチャンバのための高速インピーダンス切り替えを備えた変圧器結合容量性同調回路 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6284051B1 (en) | 1999-05-27 | 2001-09-04 | Ag Associates (Israel) Ltd. | Cooled window |
US6530539B2 (en) | 2001-02-09 | 2003-03-11 | Raytheon Company | Internal fluid cooled window assembly |
US6652711B2 (en) | 2001-06-06 | 2003-11-25 | Tokyo Electron Limited | Inductively-coupled plasma processing system |
US6563092B1 (en) | 2001-11-28 | 2003-05-13 | Novellus Systems, Inc. | Measurement of substrate temperature in a process chamber using non-contact filtered infrared pyrometry |
JP4128383B2 (ja) * | 2002-03-27 | 2008-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
JP4381963B2 (ja) * | 2003-11-19 | 2009-12-09 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置 |
US8721791B2 (en) * | 2010-07-28 | 2014-05-13 | Applied Materials, Inc. | Showerhead support structure for improved gas flow |
US9978565B2 (en) | 2011-10-07 | 2018-05-22 | Lam Research Corporation | Systems for cooling RF heated chamber components |
US8901518B2 (en) | 2012-07-26 | 2014-12-02 | Applied Materials, Inc. | Chambers with improved cooling devices |
US8970114B2 (en) * | 2013-02-01 | 2015-03-03 | Lam Research Corporation | Temperature controlled window of a plasma processing chamber component |
TWI623960B (zh) * | 2013-03-27 | 2018-05-11 | 蘭姆研究公司 | 半導體製造設備及其處理方法 |
JP2015018687A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置、スロットアンテナ及び半導体装置 |
US9885493B2 (en) * | 2013-07-17 | 2018-02-06 | Lam Research Corporation | Air cooled faraday shield and methods for using the same |
US9484214B2 (en) * | 2014-02-19 | 2016-11-01 | Lam Research Corporation | Systems and methods for improving wafer etch non-uniformity when using transformer-coupled plasma |
JP6410622B2 (ja) | 2014-03-11 | 2018-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び成膜方法 |
KR102262657B1 (ko) | 2014-10-13 | 2021-06-08 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
US10332725B2 (en) * | 2015-03-30 | 2019-06-25 | Lam Research Corporation | Systems and methods for reversing RF current polarity at one output of a multiple output RF matching network |
-
2017
- 2017-11-15 US US15/814,139 patent/US11538666B2/en active Active
-
2018
- 2018-11-12 CN CN202311514845.8A patent/CN117810058A/zh active Pending
- 2018-11-12 JP JP2020526991A patent/JP7384792B2/ja active Active
- 2018-11-12 CN CN201880074096.2A patent/CN111357075B/zh active Active
- 2018-11-12 WO PCT/US2018/060240 patent/WO2019099313A1/en active Application Filing
- 2018-11-13 TW TW107140157A patent/TWI796382B/zh active
-
2022
- 2022-12-20 US US18/085,241 patent/US20230121097A1/en active Pending
-
2023
- 2023-11-09 JP JP2023191210A patent/JP2024012547A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003273085A (ja) | 2002-03-18 | 2003-09-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2004360061A (ja) | 2003-05-13 | 2004-12-24 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びその使用方法 |
JP2012211359A (ja) | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
US20170103875A1 (en) | 2011-10-07 | 2017-04-13 | Lam Research Corporation | Temperature Control in RF Chamber with Heater and Air Amplifier |
US20140020837A1 (en) | 2012-07-20 | 2014-01-23 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma source with multiple dielectric windows and window-supporting structure |
JP2015531163A (ja) | 2012-07-20 | 2015-10-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 対称フローチャンバを有する対称誘導結合プラズマ源 |
JP2017143059A (ja) | 2016-01-11 | 2017-08-17 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマエッチングチャンバのための高速インピーダンス切り替えを備えた変圧器結合容量性同調回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN117810058A (zh) | 2024-04-02 |
US20230121097A1 (en) | 2023-04-20 |
WO2019099313A1 (en) | 2019-05-23 |
JP2024012547A (ja) | 2024-01-30 |
US11538666B2 (en) | 2022-12-27 |
KR20200075012A (ko) | 2020-06-25 |
TW201933473A (zh) | 2019-08-16 |
CN111357075A (zh) | 2020-06-30 |
TW202322182A (zh) | 2023-06-01 |
CN111357075B (zh) | 2023-12-05 |
TWI796382B (zh) | 2023-03-21 |
US20190148118A1 (en) | 2019-05-16 |
JP2021503183A (ja) | 2021-02-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7384792B2 (ja) | プラズマ加熱された窓のマルチゾーン冷却 | |
CN107710378B (zh) | 多电极基板支撑组件与相位控制系统 | |
JP7062383B2 (ja) | アーク放電および点火を防ぎプロセスの均一性を向上させるための特徴を有する静電チャック | |
JP4815298B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
US20170103875A1 (en) | Temperature Control in RF Chamber with Heater and Air Amplifier | |
WO2011075437A2 (en) | Multifunctional heater/chiller pedestal for wide range wafer temperature control | |
US11145490B2 (en) | Plasma processing method | |
JP2022530803A (ja) | 二重周波数、直接駆動誘導結合プラズマ源 | |
CN107426837A (zh) | 层压加热器与加热器电压输入之间的连接 | |
TW202137824A (zh) | 基板處理裝置及載置台 | |
US20210313202A1 (en) | Substrate support | |
KR102667049B1 (ko) | 플라즈마 가열된 윈도우의 멀티-존 (multi-zone) 냉각 | |
US10037883B2 (en) | Enhanced productivity for an etch system through polymer management | |
KR20240074898A (ko) | 플라즈마 가열된 윈도우의 멀티-존 (multi-zone) 냉각 | |
CN115335976A (zh) | 使用穿透光束激光传感器的原位晶片厚度和间隙监测 | |
JP2010010154A (ja) | チャンバー部品を介してプロセス流体を導入する方法及びシステム | |
US11011355B2 (en) | Temperature-tuned substrate support for substrate processing systems | |
JP2022534141A (ja) | ヒータが一体化されたチャンバリッド | |
US20220108879A1 (en) | Substrate support, substrate processing apparatus, and substrate processing method | |
WO2024019075A1 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
US20210305017A1 (en) | Inductively coupled plasma chamber heater for controlling dielectric window temperature | |
CN112514044A (zh) | 用于衬底处理系统的具有介电窗的蜂窝式喷射器 | |
CN117594477A (zh) | Esc温度控制单元及包括其的基板处理装置 | |
WO2023239531A1 (en) | Liquid cooling plate for cooling of dielectric window of a substrate processing system | |
JP2024014744A (ja) | シーズニング方法及びプラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211202 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230110 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230404 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230710 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231010 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231109 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7384792 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |