JP2021503183A5 - - Google Patents

Description

本開示の適用可能な更なる領域が、「発明を実施するための形態」、「特許請求の範囲」、および図面から明らかとなるであろう。「発明を実施するための形態」および具体例は、例示のみを目的としており、開示の範囲を限定することを意図していない。また本開示は以下の形態としても適用可能である。
［形態１］
基板処理システムであって、
処理チャンバであって、前記処理チャンバの上部において前記処理チャンバを覆う窓を有する、処理チャンバと、
前記窓の上方に位置付けられ、前記処理チャンバ内のプラズマ処理ガスをイオン化するための電磁エネルギーを生成する、第１のコイルと、
作動時に空気流を生成する第１の空気増幅器と、
前記第１のコイルの下方、かつ前記窓の上方に位置付けられた少なくとも１つのプレナムであって、前記少なくとも１つのプレナムが側壁を有し、また前記窓の上部表面の面積と実質的に同じ面積の頂部表面を有し、前記第１のコイルの下方の、前記窓の領域内のホットスポットを減らすように、前記頂部表面が第１の空気入口を有して、前記空気増幅器から前記空気流を受け取り、前記少なくとも１つのプレナムの前記側壁の間にある前記窓にわたって空気を分配する、少なくとも１つのプレナムと、
複数の温度センサであって、前記複数の温度センサの各々が、前記窓の対応する部分の温度を測定し、検知された温度を出力する、複数の温度センサと、
前記検知された温度に応答して前記第１の空気増幅器を制御して前記空気流を生成させるコントローラと、
を備える基板処理システム。
［形態２］
形態１に記載の基板処理システムであって、前記少なくとも１つのプレナムが、前記窓の前記上部表面の全てを覆うように寸法設定されている、基板処理システム。
［形態３］
形態１に記載の基板処理システムであって、前記少なくとも１つのプレナムが、前記窓の前記上部表面の実質的に全てを覆う複数のプレナムを備える、基板処理システム。
［形態４］
形態３に記載の基板処理システムであって、前記複数のプレナムが、前記窓の前記上部表面の全てを覆う、基板処理システム。
［形態５］
形態１に記載の基板処理システムであって、前記第１の空気入口が、前記プレナムの前記頂部表面のほぼ中央部に位置付けられる、基板処理システム。
［形態６］
形態５に記載の基板処理システムであって、前記プレナムが、前記プレナムの前記頂部表面の縁部に第２の空気入口を有し、前記基板処理システムが第２の空気増幅器を更に備えて、前記第２の空気入口を通して空気流を供給して、前記窓の縁部における１つ以上のホットスポットを減少させる、基板処理システム。
［形態７］
形態６に記載の基板処理システムであって、前記頂部表面の中心部と前記縁部との間にある、前記プレナムの前記頂部表面の中間部に、前記プレナムが第３の空気入口を有し、前記基板処理システムが第３の空気増幅器を更に備えて、前記第３の空気入口を通して空気流を供給して、前記窓の中間部におけるホットスポットを減少させる、基板処理システム。
［形態８］
形態５に記載の基板処理システムであって、前記プレナムの前記頂部表面の縁部に、前記プレナムが追加空気入口を有し、前記第１の空気増幅器が、前記第１の空気入口と前記追加空気入口の両方に空気流を供給する、基板処理システム。
［形態９］
形態５に記載の基板処理システムであって、追加空気増幅器を更に備え、前記プレナムが追加空気入口を有し、前記第１の空気増幅器が前記第１の空気入口に空気流を供給し、前記追加空気増幅器が前記追加空気入口に空気流を供給する、基板処理システム。
［形態１０］
形態１に記載の基板処理システムであって、
前記プレナムの上方に位置付けられた第２のコイルを更に備え、前記第２のコイルが電磁エネルギーを供給して、前記処理チャンバ内の前記プラズマ処理ガスをイオン化する、基板処理システム。
［形態１１］
形態１０に記載の基板処理システムであって、前記第１のコイルと前記第２のコイルとが互いに導電結合されている、基板処理システム。
［形態１２］
形態１に記載の基板処理システムであって、前記プレナムは、前記頂部表面に第１の空気出口を有する、基板処理システム。
［形態１３］
形態１に記載の基板処理システムであって、前記プレナムは、前記側壁のうちの１つに第１の空気出口を有する、基板処理システム。
［形態１４］
形態１に記載の基板処理システムであって、空気源と、前記空気源に接続された第１の弁および第２の弁とを更に備え、前記第１の空気増幅器が、前記第１の弁および前記第２の弁を介して前記空気源に接続され、前記コントローラが、前記空気源を制御し、前記第１の弁および前記第２の弁が空気流を供給し、前記第１の弁が比較的少ない空気流を供給し、前記第２の弁が比較的多い空気流を供給する、基板処理システム。
［形態１５］
基板処理システムであって、
処理チャンバであって、前記処理チャンバの上部において前記処理チャンバを覆う窓を有する、処理チャンバと、
前記窓の上方に位置付けられて、電磁エネルギーを生成して、前記処理チャンバ内のプラズマ処理ガスをイオン化するための複数のコイルと、
空気流を生成するための複数の空気増幅器と、
前記複数のコイルの下方、かつ前記窓の上方に位置付けられた少なくとも１つのプレナムであって、前記少なくとも１つのプレナムが側壁を有し、また前記窓の上部表面の面積と実質的に同じ面積の頂部表面を有し、前記複数のコイルの下方の、前記窓の１つ以上の領域内の１つ以上のホットスポットを減らすように、前記頂部表面が複数の空気入口を有して、前記空気流、前記複数の空気増幅器を受け取り、前記少なくとも１つのプレナムの前記側壁の間にある前記窓にわたって前記空気流を分配する、少なくとも１つのプレナムと、
複数の温度センサであって、前記複数の温度センサの各々が、前記窓の対応する部分の温度を測定し、検知された温度を出力する、複数の温度センサと、
前記検知された温度に応答して、前記複数の空気増幅器を制御するコントローラと、
を備える基板処理システム。
［形態１６］
形態１５に記載の基板処理システムであって、前記少なくとも１つのプレナムが、前記窓の前記上部表面の全てを覆うように寸法設定されている、基板処理システム。
［形態１７］
形態１５に記載の基板処理システムであって、前記少なくとも１つのプレナムが、前記窓の前記上部表面の実質的に全てを覆う複数のプレナムを備える、基板処理システム。
［形態１８］
形態１７に記載の基板処理システムであって、前記複数のプレナムが、前記窓の前記上部表面の全てを覆う、基板処理システム。
［形態１９］
形態１５に記載の基板処理システムであって、前記複数の空気増幅器の数が、前記複数の空気入口の数に等しい、基板処理システム。
［形態２０］
形態１５に記載の基板処理システムであって、前記複数の空気増幅器が前記複数の空気入口よりも少なく、前記複数の空気入口のうちの２つ以上が空気増幅器を共有する、基板処理システム。
［形態２１］
形態１５に記載の基板処理システムであって、前記複数のコイルが互いに導電結合されている、基板処理システム。
［形態２２］
形態１５に記載の基板処理システムであって、空気源と、前記空気源に接続された複数の弁対とを更に備え、前記複数の空気増幅器の各々が、前記複数の弁対のうちの１つを介して前記空気源に接続され、前記コントローラが、前記空気源および前記複数の弁対を制御して前記空気流を供給し、前記複数の弁対の各々の第１の弁が比較的少ない空気流を供給し、前記複数の弁対の各々の第２の弁が比較的多い空気流を供給する、基板処理システム。

Claims (19)

1. 基板処理システムであって、
   処理チャンバであって、前記処理チャンバの上部において前記処理チャンバを覆う窓を有する、処理チャンバと、
   前記窓の上方に位置付けられ、前記処理チャンバ内のプラズマ処理ガスをイオン化するための電磁エネルギーを生成する、第１のコイルと、
   作動時に空気流を生成する第１、第２、および第３の空気増幅器と、
   前記第１のコイルの下方、かつ前記窓の上方に位置付けられたプレナムであって、前記プレナムが側壁を有し、また前記窓の上部表面の面積と実質的に同じ面積の頂部表面を有し、前記頂部表面が、前記プレナムの前記頂部表面のほぼ中央部に位置付けられた第１の空気入口を有して、前記第１の空気増幅器から前記空気流を受け取り、前記第１の空気入口が、前記第１のコイルの下方の前記窓の中央部のホットスポットを減らすように、前記プレナムの前記側壁の間にある前記窓にわたって空気を分配するための複数の孔を含む、プレナムであって、前記プレナムは、
   前記窓の縁部の１つ以上のホットスポットを減らすように、前記第２の空気増幅器から前記空気流を受け取るための、前記プレナムの前記頂部表面の縁部の第２の空気入口と、
   前記窓の中間部のホットスポットを減らすように、前記第３の空気増幅器から前記空気流を受け取るための、前記頂部表面の前記中央部と前記縁部との間にある、前記プレナムの前記頂部表面の中間部の第３の空気入口と、を更に含む、プレナムと、
   複数の温度センサであって、前記複数の温度センサの各々が、前記窓の対応する部分の温度を測定し、検知された温度を出力する、複数の温度センサと、
   前記検知された温度に応答して前記第１、前記第２、および前記第３の空気増幅器を制御して前記空気流を生成させるコントローラと、
   を備える基板処理システム。
2. 請求項１に記載の基板処理システムであって、前記プレナムが、前記窓の前記上部表面の全てを覆うように寸法設定されている、基板処理システム。
3. 請求項１に記載の基板処理システムであって、前記プレナムが、前記窓の前記上部表面の実質的に全てを覆う複数のプレナムを備える、基板処理システム。
4. 請求項３に記載の基板処理システムであって、前記複数のプレナムが、前記窓の前記上部表面の全てを覆う、基板処理システム。
5. 請求項１に記載の基板処理システムであって、前記プレナムの前記頂部表面の縁部に、前記プレナムが追加空気入口を有し、前記第１の空気増幅器が、前記第１の空気入口と前記追加空気入口の両方に空気流を供給する、基板処理システム。
6. 請求項１に記載の基板処理システムであって、追加空気増幅器を更に備え、前記プレナムが追加空気入口を有し、前記第１の空気増幅器が前記第１の空気入口に空気流を供給し、前記追加空気増幅器が前記追加空気入口に空気流を供給する、基板処理システム。
7. 請求項１に記載の基板処理システムであって、
   前記プレナムの上方に位置付けられた第２のコイルを更に備え、前記第２のコイルが電磁エネルギーを供給して、前記処理チャンバ内の前記プラズマ処理ガスをイオン化する、基板処理システム。
8. 請求項７に記載の基板処理システムであって、前記第１のコイルと前記第２のコイルとが互いに導電結合されている、基板処理システム。
9. 請求項１に記載の基板処理システムであって、前記プレナムは、前記頂部表面に第１の空気出口を有する、基板処理システム。
10. 請求項１に記載の基板処理システムであって、前記プレナムは、前記側壁のうちの１つに第１の空気出口を有する、基板処理システム。
11. 請求項１に記載の基板処理システムであって、空気源と、前記空気源に接続された第１の弁および第２の弁とを更に備え、前記第１の空気増幅器が、前記第１の弁および前記第２の弁を介して前記空気源に接続され、前記コントローラが、前記空気源を制御し、前記第１の弁および前記第２の弁が空気流を供給し、前記第１の弁が比較的少ない空気流を供給し、前記第２の弁が比較的多い空気流を供給する、基板処理システム。
12. 基板処理システムであって、
    処理チャンバであって、前記処理チャンバの上部において前記処理チャンバを覆う窓を有する、処理チャンバと、
    前記窓の上方に位置付けられて、電磁エネルギーを生成して、前記処理チャンバ内のプラズマ処理ガスをイオン化するための複数のコイルと、
    空気流を生成するための複数の空気増幅器と、
    前記複数のコイルの下方、かつ前記窓の上方に位置付けられたプレナムであって、前記プレナムが側壁を有し、また前記窓の上部表面の面積と実質的に同じ面積の頂部表面を有し、前記複数のコイルの下方の、前記窓の１つ以上の領域内の１つ以上のホットスポットを減らすように、前記頂部表面が複数の空気入口を有して、前記複数の空気増幅器から前記空気流を受け取り、前記プレナムの前記側壁の間にある前記窓にわたって前記空気流を分配する、プレナムであって、前記複数の空気入口は、
    前記複数の空気増幅器の第１の空気増幅器から前記空気流を受け取るように、前記プレナムの前記頂部表面のほぼ中央部に位置付けられ、前記窓の中央部のホットスポットを減らすように、複数の孔を含む第１の空気入口と、
    前記窓の縁部のホットスポットを減らすように、前記複数の空気増幅器の第２の空気増幅器から前記空気流を受け取るための、前記プレナムの前記頂部表面の縁部の第２の空気入口と、
    前記窓の中間部のホットスポットを減らすように、前記複数の空気増幅器の第３の空気増幅器から前記空気流を受け取るための、前記中央部と前記縁部との間にある、前記プレナムの前記頂部表面の中間部の第３の空気入口と、を含む、プレナムと、
    複数の温度センサであって、前記複数の温度センサの各々が、前記窓の対応する部分の温度を測定し、検知された温度を出力する、複数の温度センサと、
    前記検知された温度に応答して、前記複数の空気増幅器を制御するコントローラと、
    を備える基板処理システム。
13. 請求項１２に記載の基板処理システムであって、前記プレナムが、前記窓の前記上部表面の全てを覆うように寸法設定されている、基板処理システム。
14. 請求項１２に記載の基板処理システムであって、前記プレナムが、前記窓の前記上部表面の実質的に全てを覆う複数のプレナムを備える、基板処理システム。
15. 請求項１４に記載の基板処理システムであって、前記複数のプレナムが、前記窓の前記上部表面の全てを覆う、基板処理システム。
16. 請求項１２に記載の基板処理システムであって、前記複数の空気増幅器の数が、前記複数の空気入口の数に等しい、基板処理システム。
17. 請求項１２に記載の基板処理システムであって、前記複数の空気増幅器が前記複数の空気入口よりも少なく、前記複数の空気入口のうちの２つ以上が空気増幅器を共有する、基板処理システム。
18. 請求項１２に記載の基板処理システムであって、前記複数のコイルが互いに導電結合されている、基板処理システム。
19. 請求項１２に記載の基板処理システムであって、空気源と、前記空気源に接続された複数の弁対とを更に備え、前記複数の空気増幅器の各々が、前記複数の弁対のうちの１つを介して前記空気源に接続され、前記コントローラが、前記空気源および前記複数の弁対を制御して前記空気流を供給し、前記複数の弁対の各々の第１の弁が比較的少ない空気流を供給し、前記複数の弁対の各々の第２の弁が比較的多い空気流を供給する、基板処理システム。