KR102262657B1 - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 처리 장치가 제공된다. 상기 플라즈마 처리 장치는, 플라즈마 처리가 수행되는 챔버의 상부를 덮는 윈도우(window)와 자기장을 생성하는 안테나(antenna) 사이에 형성되는 플레이트(plate); 및 윈도우와 안테나의 온도를 제어하기 위한 유체를 제공하는 유체 공급부를 포함하되, 플레이트는 유체를 제공받는 제1 및 제2 영역을 포함하고, 유체 공급부는 제1 및 제2 영역을 각각 독립적으로 제어한다.

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING DEVICE}
본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
플라즈마 처리 공정(예를 들면, 플라즈마 식각 공정)이 수행되는 식각 챔버의 상부를 덮는 윈도우의 온도를 제어하는 것은, 윈도우 내부의 열적 스트레스(thermal stress) 및 공정 산포와 관련된 중요한 이슈이다. 또한 이러한 열적 스트레스 및 공정 산포는 수율에 영향을 미칠 수 있는 이슈들이다.
일반적으로 플라즈마 처리 공정이 수행되는 식각 챔버의 윈도우는, 가장자리 대비 중심 지역에서 더 높은 온도가 감지될 수 있다. 식각 챔버의 윈도우 내부의 열적 스트레스 및 공정 산포를 적절하게 제어하고자 한다면, 윈도우의 중심부와 가장자리부 간 온도 편차를 줄이는 것이 중요하다는 점에서 이에 대한 연구의 필요성이 대두되고 있다.
본 발명이 해결하려는 과제는, 플라즈마 식각 챔버의 플레이트 영역의 선택적 온도 제어를 통해 윈도우의 중심부와 가장자리부 간 온도 편차를 줄일 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다.
또한 안테나에 의해 생성된 자기장이 플레이트와 가스 피드의 결합을 통과하여 윈도우의 전체 영역으로 동일한 세기를 가지고 입사될 수 있도록 하는 것이다.
또한 선택적으로 핫 에어(hot air)와 쿨 에어(cool air)를 제공하는 유체 공급부를 포함함으로써, 윈도우의 온도를 보다 효율적으로 제어하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 플라즈마 처리 장치의 일 실시예는,
플라즈마 처리가 수행되는 챔버의 상부를 덮는 윈도우(window)와 자기장을 생성하는 안테나(antenna) 사이에 형성되는 플레이트(plate); 및 윈도우와 안테나의 온도를 제어하기 위한 유체를 제공하는 유체 공급부를 포함하되, 플레이트는 유체를 제공받는 제1 및 제2 영역을 포함하고, 유체 공급부는 제1 및 제2 영역을 각각 독립적으로 제어한다.
상기 윈도우는 유전 물질을 포함할 수 있다.
상기 유전 물질은 Al₂O₃를 포함할 수 있다.
상기 안테나는 ICP(Inductively coupled plasma) 안테나를 포함할 수 있다.
상기 제1 영역은, 유체가 유입(流入)되는 유입 포트(inlet port)와, 유체가 유출(流出)되는 유출 포트(outlet port)를 포함할 수 있다.
상기 유입 포트로 유입되는 유체는 윈도우의 온도를 제어하는데 이용되고, 유출 포트로부터 유출되는 유체는 안테나의 온도를 제어하는데 이용될 수 있다.
상기 제1 영역은 내부에 유입된 유체가 흐르는 유로관(流路管)을 더 포함하고, 유로관의 일단은 유입 포트와 연결되고, 유로관의 타단은 유출 포트와 연결될 수 있다.
상기 유입 포트와 유체 공급부 사이를 연결하는 유입 파이프와, 유출 포트와 유체 공급부 사이를 연결하는 유출 파이프를 더 포함할 수 있다.
상기 플레이트와 윈도우는, 유전율 및 자기장 투과율이 동일할 수 있다.
상기 플레이트는 열전도성 및 열팽창계수가 낮은 물질을 포함할 수 있다.
상기 플레이트는 PEEK(Polyether Ether Ketone)을 포함할 수 있다.
상기 플레이트와 윈도우를 연결하는 클램프(clamp)를 더 포함할 수 있다.
상기 클램프는 플레이트의 가장자리 하부에 장착될 수 있다.
상기 윈도우는 슬라이드 홈을 포함하고, 클램프는 슬라이드 홈에 결합되는 슬라이드 돌기를 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 영역은 플레이트의 중심부에 배치될 수 있다.
상기 윈도우의 중심부는 제1 및 제2 영역을 흐르는 유체에 의해 온도가 제어되고, 윈도우의 가장자리부는 플레이트에 포함된 열전도성이 낮은 물질에 의해 온도가 제어될 수 있다.
상기 유체는, 윈도우와 안테나의 온도를 낮추기 위한 제1 유체와, 윈도우의 온도를 높이기 위한 제2 유체를 포함할 수 있다.
상기 윈도우의 온도를 감지하는 온도 감지부를 더 포함하되, 유체 공급부는 온도 감지부로부터 윈도우의 온도를 제공받을 수 있다.
상기 유체 공급부는 윈도우의 온도 상태에 따라 제1 및 제2 유체 중 어느 하나를 플레이트로 제공할 수 있다.
상기 챔버 내부로 공정 가스를 제공하는 가스 피드(gas feed)를 더 포함할 수 있다.
상기 가스 피드는 플레이트와 동일한 재질을 포함할 수 있다.
상기 가스 피드는 PEEK(Polyether Ether Ketone)을 포함할 수 있다.
상기 플레이트는 윈도우의 상부의 일부를 노출시키는 결합 홈을 포함하고, 가스 피드는 결합 홈에 결합될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 플라즈마 처리 장치의 다른 실시예는, 플라즈마 처리가 수행되는 챔버의 상부를 덮는 윈도우(window)와 자기장을 생성하는 안테나(antenna) 사이에 형성되는 플레이트(plate); 윈도우의 온도를 감지하는 온도 감지부; 및 윈도우와 안테나의 온도를 낮추기 위한 제1 유체와 윈도우의 온도를 높이기 위한 제2 유체를 제공하고, 온도 감지부로부터 윈도우의 온도를 제공받는 유체 공급부를 포함하되, 유체 공급부는 윈도우의 온도 상태에 따라 제1 및 제2 유체 중 어느 하나를 플레이트로 제공한다.
상기 플레이트는 제1 및 제2 영역을 포함하고, 유체 공급부는 제1 및 제2 영역을 각각 독립적으로 제어할 수 있다.
상기 제1 영역은, 유체가 유입되는 유입 포트와, 유체가 유출되는 유출 포트와, 일단이 유입 포트와 연결되고, 타단이 유출 포트와 연결되며, 제1 영역의 내부에 형성되는 유로관을 포함할 수 있다.
상기 유입 포트와 유체 공급부 사이를 연결하는 유입 파이프와, 유출 포트와 유체 공급부 사이를 연결하는 유출 파이프를 더 포함하되, 유입 파이프와 유출 파이프 각각의 일단은, 플레이트의 상면에 고정되어 플레이트가 열팽창으로 인해 변형되는 것을 방지할 수 있다.
상기 플레이트와 윈도우를 연결하고 플레이트의 가장자리 하부에 장착되는 클램프(clamp)와, 플레이트와 유체 공급부를 연결하는 유입 및 유출 파이프를 더 포함할 수 있다.
상기 윈도우는 슬라이드 홈을 포함하고, 클램프는 슬라이드 홈에 결합되는 슬라이드 돌기를 포함하고, 유입 및 유출 파이프 각각의 일단은, 플레이트의 상면에 고정될 수 있다.
상기 클램프와 유입 및 유출 파이프는, 플레이트를 윈도우 상에 고정시킬 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 플라즈마 처리 장치의 또 다른 실시예는, 플라즈마 처리가 수행되는 챔버의 상부를 덮는 윈도우(window)와 자기장을 생성하는 안테나(antenna) 사이에 형성되는 플레이트(plate); 및 챔버 내부로 공정 가스를 제공하고, 플레이트와 동일한 재질을 포함하는 가스 피드(gas feed)를 포함하되, 플레이트는 윈도우의 상부의 일부를 노출시키는 결합 홈을 포함하고, 가스 피드는 결합 홈에 결합된다.
상기 플레이트와 가스 피드는 PEEK(Polyether Ether Ketone)을 포함할 수 있다.
상기 윈도우와 안테나의 온도를 제어하기 위한 유체를 제공하는 유체 공급부를 더 포함하되, 플레이트는 유체를 제공받는 제1 및 제2 영역을 포함하고, 유체 공급부는 제1 및 제2 영역을 각각 독립적으로 제어할 수 있다.
상기 결합 홈은 제1 및 제2 영역 사이에 형성될 수 있다.
상기 플레이트와 가스 피드는, 안테나에 의해 생성된 자기장에 대해 동일한 자외선 투과율을 가질 수 있다.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 설명하는 개략도이다.
도 2는 도 1의 확대도이다.
도 3은 도 1의 플레이트 및 가스 피드를 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 도 3의 플레이트의 제1 및 제2 영역을 설명하기 위한 개략도이다.
도 5 및 도 6은 도 3의 플레이트 및 가스 피드 간의 결합 관계를 설명하기 위한 사시도들이다.
도 7 및 도 8은 도 4의 플레이트의 다른 실시예들을 설명하기 위한 도면들이다.
도 9 및 도 10은 도 1의 유체 공급부 및 유, 출입 파이프를 설명하기 위한 개략도들이다.
도 11 및 도 12는 유체 공급부의 유체 공급 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
도 13 및 도 14는 도 1의 플라즈마 처리 장치의 효과를 설명하기 위한 도면들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 표시된 구성요소의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭하며, "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자나 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자나 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자나 구성요소를 다른 소자나 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자나 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자나 구성요소 일 수도 있음은 물론이다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하에서, 도 1 내지 도 12를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 설명하는 개략도이다. 도 2는 도 1의 확대도이다. 도 3은 도 1의 플레이트 및 가스 피드를 설명하기 위한 평면도이다. 도 4는 도 3의 플레이트의 제1 및 제2 영역을 설명하기 위한 개략도이다. 도 5 및 도 6은 도 3의 플레이트 및 가스 피드 간의 결합 관계를 설명하기 위한 사시도들이다. 도 7 및 도 8은 도 4의 플레이트의 다른 실시예들을 설명하기 위한 도면들이다. 도 9 및 도 10은 도 1의 유체 공급부 및 유, 출입 파이프를 설명하기 위한 개략도들이다. 도 11 및 도 12는 유체 공급부의 유체 공급 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
먼저, 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 윈도우(100), 플레이트(110), 유체 공급부(120), 안테나(130), 가스 피드(140), 온도 감지부(150), 유입 파이프(180, 190), 정전 척(200), 챔버(230) 등을 포함할 수 있다.
윈도우(100)는 챔버(230)의 상부에 형성될 수 있다.
구체적으로, 윈도우(100)는 챔버(230)의 상부 외벽을 형성할 수 있다. 또한 윈도우(100)는 챔버(230)의 진공 상태를 유지할 수 있게 하는 동시에 안테나(130)에서 발생된 유도 전자기장이 챔버(230) 내부로 통과할 수 있도록 한다.
챔버(230)의 외벽이 전부 금속성인 경우 안테나(130)에서 발생한 유도 전자기장이 챔버(230) 내부로 통과하지 못할 수 있다. 그러므로 챔버(230)의 일 면을 윈도우(100)로 구성함으로써, 안테나(130)에서 발생한 유도 전자기장이 윈도우(100)를 통해 챔버(230) 내부로 통과해 들어가고, 챔버(230) 내부의 가스와 반응하여 플라즈마를 형성한다.
윈도우(100)는 플라즈마 처리 공정이 진행되면서 챔버(230) 내부에서 발생한 플라즈마 등에 의해 온도가 서서히 올라가다가 일정한 온도로 포화(saturation)된다. 온도가 변하는 동안 진행되는 공정은 그 결과가 일정하지 않은 경우가 발생할 수 있다.
따라서, 안테나(130)와 윈도우(100) 사이에 히터(미도시)를 구비하여 히터(미도시)의 열에 의해 윈도우(100)의 온도를 유지하도록 할 수 있다.
윈도우(100)는 유전 물질을 포함할 수 있고, 예를 들면, 유전 물질은 Al₂O₃를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한 윈도우(100)는 플레이트(110)와 유전율 및 자기장 투과율이 동일할 수 있다.
윈도우(100)는 플레이트(110)와 클램프(115)를 통해서 연결 및 고정될 수 있다.
구체적으로, 도 2를 참조하면, 클램프(115)는 플레이트(110)의 가장자리 하부에 볼트(Bolt)를 통해서 결합 및 장착될 수 있다. 즉, 클램프(115)는 바디부(115a)와 슬라이드 돌기(115b)를 포함하며, 바디부(115a)가 플레이트(110)의 가장자리 하부에 볼트(Bolt)를 통해서 결합 및 장착될 수 있다.
또한 윈도우(100)는 슬라이드 홈(102)을 포함할 수 있고, 클램프(115)의 슬라이드 돌기(115b)는 슬라이드 홈(102)에 결합될 수 있다. 여기에서, 슬라이드 홈(102)은 윈도우(100)의 측면에 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다시 도 1을 참조하면, 윈도우(100)는 윈도우(100) 상부에 형성된 플레이트(110)에 의해 온도가 제어될 수 있다. 즉, 윈도우(100)의 중심부(center)는 플레이트(110)를 흐르는 유체에 의해 온도가 제어되고, 윈도우(100)의 가장자리부(Edge)는 플레이트(110)에 포함된 열전도성이 낮은 물질(예를 들면, 열전도도 K[W/m-k]<20)에 의해 온도가 제어될 수 있다.
이에 대한 구체적인 설명은 후술하도록 한다.
플레이트(110)는 플라즈마 처리가 수행되는 챔버(230)의 상부를 덮는 윈도우(100)와 자기장(예를 들면, 유도 전자기장)을 생성하는 안테나(130) 사이에 형성될 수 있다.
여기에서, 도 3 및 도 4를 참조하면, 플레이트(110)는 유체를 제공받는 제1 및 제2 영역(R1, R2)을 포함할 수 있고, 제1 및 제2 영역(R1, R2)은 유체 공급부(도 1의 120)에 의해 각각 독립적으로 제어될 수 있다.
도 3 및 도 4에는 플레이트(110)가 2개의 영역으로 나뉘어져 있는 것으로 도시되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 2개 이상의 영역으로 나뉘어질 수 있고, 유체 공급부(도 1의 120)에 의해 각 영역이 독립적으로, 그리고 선택적으로 제어될 수 있다.
제1 영역(R1)은 유체가 유입되는 제1 유입 포트(160)와 유체가 유출되는 제1 유출 포트(165)를 포함할 수 있다.
제1 유입 포트(160)로 유입되는 유체는 윈도우의 온도를 제어하는데 이용되고 제1 유출 포트(165)로부터 유출되는 유체는 안테나(130)의 온도를 제어하는데 이용될 수 있다. 여기에서 유체는 유체 공급부(120)로부터 제공될 수 있다.
또한 제1 영역(R1)은 내부에 제1 유입 포트(160)로 유입된 유체가 흐르는 제1 유로관(168)을 더 포함할 수 있고, 제1 유로관(168)의 일단은 제1 유입 포트(160)와 연결되고, 제1 유로관(168)의 타단은 제1 유출 포트(165)와 연결될 수 있다. 즉, 제1 유입 포트(160)로 유입된 유체는 제1 유로관(168)을 지나 제1 유출 포트(165)를 통해서 유출될 수 있다.
보다 구체적으로, 제1 유입 포트(160)와 유체 공급부(120)는 제1 유입 파이프(도 9의 180)를 통해 연결되고, 제1 유출 포트(165)와 유체 공급부(120)는 제1 유출 파이프(도 9의 185)를 통해 연결될 수 있다.
제2 영역(R2)은 유체가 유입되는 제2 유입 포트(170)와 유체가 유출되는 제2 유출 포트(175)를 포함할 수 있다.
제2 유입 포트(170)로 유입되는 유체는 윈도우의 온도를 제어하는데 이용되고 제2 유출 포트(175)로부터 유출되는 유체는 안테나(130)의 온도를 제어하는데 이용될 수 있다. 여기에서 유체는 유체 공급부(120)로부터 제공될 수 있다.
또한 제2 영역(R2)은 내부에 제2 유입 포트(170)로 유입된 유체가 흐르는 제2 유로관(178)을 더 포함할 수 있고, 제2 유로관(178)의 일단은 제2 유입 포트(170)와 연결되고, 제2 유로관(178)의 타단은 제2 유출 포트(175)와 연결될 수 있다. 즉, 제2 유입 포트(170)로 유입된 유체는 제2 유로관(178)을 지나 제2 유출 포트(175)를 통해서 유출될 수 있다.
보다 구체적으로, 제2 유입 포트(170)와 유체 공급부(120)는 제2 유입 파이프(도 9의 190)를 통해 연결되고, 제2 유출 포트(175)와 유체 공급부(120)는 제2 유출 파이프(도 9의 195)를 통해 연결될 수 있다.
제1 및 제2 영역(R1, R2)은 플레이트(110)의 중심부에 배치될 수 있다. 따라서, 윈도우(도 1의 100)의 중심부(Center)는 제1 및 제2 영역(R1, R2)을 흐르는 유체에 의해 온도가 제어되고, 윈도우(도 1의 100)의 가장자리부(Edge)는 플레이트(110)에 포함된 열전도성이 낮은 물질에 의해 온도가 제어될 수 있다. 또한 제1 및 제2 영역(R1, R2) 사이를 가로지르도록 가스 피드(140)가 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
여기에서, 가스 피드(140)는 플레이트(110)와 동일한 재질을 포함할 수 있고, 예를 들면, PEEK(Polyether Ether Ketone)을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
추가적으로, 플레이트(110)는 윈도우(도 1의 100)와 유전율 및 자기장 투과율이 동일할 수 있다. 또한 플레이트(110)는 열전도성 및 열팽창계수가 낮은 물질을 포함할 수 있으며, 예를 들면, PEEK(Polyether Ether Ketone)을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 플레이트(110)는 앞서 설명한 바와 같이, 클램프(도 2의 115)를 통해 윈도우(도 1의 100)에 연결 및 고정될 수 있다.
이어서, 도 5 및 도 6을 참조하면, 플레이트(110) 및 가스 피드(140) 간의 결합 관계를 알 수 있다.
먼저, 도 5에는 가스 피드(도 6의 140)가 분리, 제거된 플레이트(110)가 도시되어 있다. 구체적으로, 플레이트(110)는 윈도우(100)의 상부의 일부를 노출시키는 결합 홈(117)을 포함할 수 있다. 여기에서, 결합 홈(117)은 제1 및 제2 영역(R1, R2) 사이를 가로지르도록 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다음으로, 도 6에는 플레이트(도 5의 110)가 분리, 제거된 가스 피드(140)가 도시되어 있다. 구체적으로, 가스 피드(140)는 챔버(도 1의 230) 내부로 공정 가스를 제공할 수 있다. 또한 가스 피드(140)는 플레이트(도 5의 110)의 결합 홈(도 5의 117)에 결합될 수 있다.
이와 같이, 플레이트(110)의 결합 홈(117)에 플레이트(110)와 동일한 재질을 가지는 가스 피드(140)가 결합됨으로써, 안테나(도 1의 130)의 관점에서 바라보았을 때, 플레이트(110)와 가스 피드(140)는 안테나(도 1의 130)에 의해 생성된 자기장에 대해 동일한 자외선 투과율을 가질 수 있다. 이에 따라, 윈도우(100)에도 세기가 균일한 자외선이 입사될 수 있다.
도 7 및 도 8은 앞서 설명한 도 4의 플레이트와 다른 실시예들이 도시되어 있다.
먼저, 도 7에 도시된 플레이트(110)는 도 4와 달리, 4개의 영역(제3 내지 제6 영역(R3~R6))을 포함한다는 것을 알 수 있다. 제3 내지 제6 영역(R3~R6)은 유체 공급부(도 1의 120)에 의해 각각 독립적으로 제어될 수 있고, 윈도우(도 1의 100)의 중심부의 온도를 제어하는데 이용될 수 있다. 또한 제3 내지 제6 영역(R3~R6)은 각각 유입 포트(260, 270, 280, 290), 유출 포트(265, 275, 285, 295), 유로관(미도시)을 가질 수 있다.
도 8을 참조하면, 도 4 및 도 7과 달리, 플레이트(110)의 제7 및 제8 영역(R7, R8)은 링 형일 수 있다. 제7 및 제8 영역(R7, R8)은 유체 공급부(도 1의 120)에 의해 각각 독립적으로 제어될 수 있고, 윈도우(도 1의 100)의 중심부의 온도를 제어하는데 이용될 수 있다. 또한 제7 및 제8 영역(R7, R8)은 각각 유입 포트(360, 370), 유출 포트(365, 375), 유로관(미도시)을 가질 수 있다.
이와 같이, 플레이트(110)는 다양한 형태, 개수의 영역을 포함할 수 있고, 각 영역은 유체 공급부(도 1의 120)에 의해 독립적, 선택적으로 제어됨으로써, 윈도우(100)의 온도를 효율적으로 제어할 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 유체 공급부(120)는 윈도우(100)와 안테나(130)의 온도를 제어하기 위한 유체를 제공할 수 있다. 또한 유체 공급부(120)는 제1 유입 파이프(180)를 통해 플레이트(110)의 제1 유입 포트(160)와 연결되고, 제2 유입 파이프(190)를 통해 플레이트(110)의 제2 유입 포트(170)와 연결될 수 있다.
구체적으로, 도 9를 참조하면, 유체 공급부(120)는 중앙 제어 모듈(122), 서브 제어 모듈(124), 저장부(127)를 포함할 수 있다.
여기에서, 중앙 제어 모듈(122)은 윈도우(100)의 온도를 감지하는 온도 감지부(150)로부터 윈도우(100)의 온도에 관한 정보(TI)를 제공받아, 서브 제어 모듈(124)로 제어 명령(CMD)를 제공할 수 있다.
여기에서, 제어 명령(CMD)은 플레이트(110)로 제공하는 유체와 관련된 정보, 예를 들면, 유체의 압력, 유량, 공급 온도에 관한 정보를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
서브 제어 모듈(124)은 중앙 제어 모듈(122)로부터 제어 명령(CMD)을 제공받아 플레이트(110)의 제1 및 제2 영역(R1, R2)으로 각각 제1 및 제2 유입 파이프(180, 190)를 통해 유체를 제공할 수 있다. 또한 서브 제어 모듈(124)은 저장부(127)로부터 유체를 제공받을 수 있다.
저장부(127)는 플레이트(110)의 제1 및 제2 영역(R1, R2)으로부터 유출된 유체를 각각 제1 및 제2 유출 파이프(185, 195)를 통해 제공받아 저장할 수 있다. 또한 저장부(127)는 저장된 유체를 서브 제어 모듈(124)로 제공할 수 있다. 이 때 저장된 유체는 저장부(127) 내에서 정화될 수 있고, 저장부(127)는 정화된 유체(CF)를 서브 제어 모듈(124)로 제공할 수 있다.
도 10을 참조하면, 유체 공급부(120)가 보다 구체적으로 도시되어 있다.
먼저, 서브 제어 모듈(124)은 제1 서브 제어부(125)와 제2 서브 제어부(126)를 포함할 수 있다. 본 발명에서 서브 제어 모듈()에 포함된 서브 제어부의 수가 2개인 것으로 도시되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 서브 제어부의 수는 플레이트(도 9의 110)의 영역의 수에 따라 증가하거나 감소할 수 있다.
제1 서브 제어부(125)는 플레이트(도 9의 110)의 제1 영역(도 9의 R1)으로 유체를 공급할 수 있다. 또한 제1 서브 제어부(125)는 중앙 제어 모듈(122)로부터 제공받은 제1 제어 명령(CMD1)을 기반으로 유체의 압력, 유량, 온도를 제어하여 제1 유입 파이프(180)를 통해 제1 영역(도 9의 R1)으로 유체를 제공할 수 있다.
여기에서, 유체는 윈도우(도 1의 100)와 안테나(도 1의 130)의 온도를 낮추기 위한 제1 유체와 윈도우(도 1의 100)의 온도를 높이기 위한 제2 유체를 포함할 수 있다.
또한 제1 서브 제어부(125)는 제1 제어 명령(CMD1)을 기반으로 제1 유체는 제1 쿨링 파이프(C1)를 통해 제1 유입 파이프(180)로 제공하고, 제2 유체는 제1 히팅 파이프(H1)를 통해 제1 유입 파이프(180)로 제공할 수 있다. 즉, 윈도우(도 1의 100)와 안테나(도 1의 130)의 온도를 낮출 필요가 있는 경우, 제1 서브 제어부(125)는 제1 제어 명령(CMD1)을 기반으로 제1 유체를 제공하고, 윈도우(도 1의 100)의 온도를 높일 필요가 있는 경우, 제1 서브 제어부(125)는 제1 제어 명령(CMD1)을 기반으로 제2 유체를 제공할 수 있다.
정리하자면, 제1 서브 제어부(125)는 제1 제어 명령(CMD1)을 기반으로 제1 유체 및 제2 유체 중 어느 하나를 제공할 수 있다.
여기에서, 윈도우(도 1의 100)의 온도를 높일 필요가 있는 경우는 예를 들면, 챔버(도 1의 230) 내부 구석에 화학 반응으로 인해 폴리머(polymer)가 발생한 경우를 포함할 수 있다. 이 경우, 윈도우(도 1의 100)의 온도를 높임으로써 폴리머를 제거할 수 있다.
제2 서브 제어부(126)는 플레이트(도 9의 110)의 제2 영역(도 9의 R2)으로 유체를 공급할 수 있다. 또한 제2 서브 제어부(126)는 중앙 제어 모듈(122)로부터 제공받은 제2 제어 명령(CMD2)을 기반으로 유체의 압력, 유량, 온도를 제어하여 제2 유입 파이프(190)를 통해 제2 영역(도 9의 R2)으로 유체를 제공할 수 있다.
여기에서, 유체는 윈도우(도 1의 100)와 안테나(도 1의 130)의 온도를 낮추기 위한 제1 유체와 윈도우(도 1의 100)의 온도를 높이기 위한 제2 유체를 포함할 수 있다.
또한 제2 서브 제어부(126)는 제2 제어 명령(CMD2)을 기반으로 제1 유체는 제2 쿨링 파이프(C2)를 통해 제2 유입 파이프(190)로 제공하고, 제2 유체는 제2 히팅 파이프(H2)를 통해 제2 유입 파이프(190)로 제공할 수 있다. 즉, 윈도우(도 1의 100)와 안테나(도 1의 130)의 온도를 낮출 필요가 있는 경우, 제2 서브 제어부(126)는 제2 제어 명령(CMD2)을 기반으로 제1 유체를 제공하고, 윈도우(도 1의 100)의 온도를 높일 필요가 있는 경우, 제2 서브 제어부(126)는 제2 제어 명령(CMD2)을 기반으로 제2 유체를 제공할 수 있다.
정리하자면, 제2 서브 제어부(126)는 제2 제어 명령(CMD2)을 기반으로 제1 유체 및 제2 유체 중 어느 하나를 제공할 수 있다.
도 11을 참조하면, 윈도우(도 1의 100)의 온도를 높일 필요가 있는 경우의 유체 공급부(120)의 프로세스가 도시되어 있다.
구체적으로, 중앙 제어 모듈(122)은 온도 감지부(150)로부터 윈도우의 온도에 관한 정보(TI)를 제공받아, 윈도우(도 1의 100)의 온도를 높일 필요가 있는지 여부를 판단할 수 있다.
만약 윈도우(도 1의 100)의 온도를 높일 필요가 있다면, 제1 및 제2 제어 명령(CMD1, CMD2)을 생성하여 제1 및 제2 서브 제어부(125, 126)로 각각 제공할 수 있다. 제1 및 제2 서브 제어부(125, 126)는 각각 제공받은 제1 및 제2 제어 명령(CMD1, CMD2)을 기반으로 제1 및 제2 히팅 파이프(H1, H2)를 통해 제1 및 제2 유입 파이프(180, 190)로 제2 유체를 제공할 수 있다.
여기에서, 제1 서브 제어부(125)와 제2 서브 제어부(126)가 중앙 제어 모듈(122)에 의해 서로 다른 제어 명령(CMD1, CMD2)을 제공받고, 제공받은 서로 다른 제어 명령(CMD1, CMD2)을 토대로 제1 및 제2 영역(R1, R2)을 독립적으로 제어한다는 것을 알 수 있다. 즉, 제1 영역(R1)을 제어하는 제1 제어 명령의 흐름(CMD1-F)과 제2 영역(R2)을 제어하는 제2 제어 명령의 흐름(CMD2-F)이 각각 독립적이라는 것을 알 수 있다.
이어서, 도 12를 참조하면, 윈도우(도 1의 100)와 안테나(도 1의 130)의 온도를 낮출 필요가 있는 경우의 유체 공급부(120)의 프로세스가 도시되어 있다.
구체적으로, 중앙 제어 모듈(122)은 온도 감지부(150)로부터 윈도우의 온도에 관한 정보(TI)를 제공받아, 윈도우(도 1의 100)와 안테나(도 1의 130)의 온도를 낮출 필요가 있는지 여부를 판단할 수 있다.
만약 윈도우(도 1의 100)와 안테나(도 1의 130)의 온도를 낮출 필요가 있다면, 제1 및 제2 제어 명령(CMD1, CMD2)을 생성하여 제1 및 제2 서브 제어부(125, 126)로 각각 제공할 수 있다. 제1 및 제2 서브 제어부(125, 126)는 각각 제공받은 제1 및 제2 제어 명령(CMD1, CMD2)을 기반으로 제1 및 제2 쿨링 파이프(C1, C2)를 통해 제1 및 제2 유입 파이프(180, 190)로 제1 유체를 제공할 수 있다.
여기에서, 제1 서브 제어부(125)와 제2 서브 제어부(126)가 중앙 제어 모듈(122)에 의해 서로 다른 제어 명령(CMD1, CMD2)을 제공받고, 제공받은 서로 다른 제어 명령(CMD1, CMD2)을 토대로 제1 및 제2 영역(R1, R2)을 독립적으로 제어한다는 것을 알 수 있다. 즉, 제1 영역(R1)을 제어하는 제1 제어 명령의 흐름(CMD1-F)과 제2 영역(R2)을 제어하는 제2 제어 명령의 흐름(CMD2-F)이 각각 독립적이라는 것을 알 수 있다.
추가적으로, 제1 제어 명령(CMD1)과 제2 제어 명령(CMD2)은 서로 다를 수 있다. 즉, 제1 제어 명령(CMD1)에서 가리키는 유체의 유량, 온도, 압력은 제2 제어 명령(CMD2)에서 가리키는 유체의 유량, 온도, 압력과 다를 수 있다.
또한 도시되어 있지는 않지만, 제1 서브 제어부(125)는 제1 유체를 제1 쿨링 파이프(C1)를 통해 제공하고, 동시에, 제2 서브 제어부(126)는 제2 유체를 제2 히팅 파이프(H2)를 통해 제공할 수 있다. 물론 제1 서브 제어부(125)는 제2 유체를 제1 히팅 파이프(H1)를 통해 제공하고, 동시에, 제2 서브 제어부(126)는 제1 유체를 제2 쿨링 파이프(C2)를 통해 제공할 수도 있다.
또한 제1 서브 제어부(125)와 제2 서브 제어부(126) 중 어느 하나만 플레이트(도 9의 110)로 유체를 제공할 수도 있다.
다시 도 1을 참조하면, 안테나(130)는 플레이트(110) 상부에 형성되고, 자기장(예를 들면, 유도 전자기장)을 생성할 수 있다.
구체적으로, 가스 피드(140)에 의해 진공 상태인 챔버(230)로 분사된 공정 가스는 안테나(130)에서 발생된 자기장과 반응하여 챔버(230) 내부에 플라즈마를 형성할 수 있다. 또한 고주파 전원(220)이 정합기(210)를 거쳐서 안테나(130)로 인가되면, 안테나(130)는 자기장을 발생할 수 있다.
추가적으로, 안테나(130)는 예를 들면, ICP(Inductively coupled plasma) 안테나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
온도 감지부(150)는 윈도우(100)의 온도를 감지할 수 있다.
구체적으로, 온도 감지부(150)는 윈도우(100)의 온도를 감지하여 유체 공급부(120)로 온도에 관한 정보를 제공할 수 있다.
정전 척(ESC; ElectroStatic Chuck)(200)은 챔버(230)의 내부에 장착되어 플라즈마 처리 공정이 진행될 웨이퍼(W)의 위치를 고정시킬 수 있다.
구체적으로, 정전 척(200)은 하부에 전극(미도시)을 포함하고 있고, 전극(미도시)에서 발생된 정전기를 이용하여 정전 척(200)의 상부에 위치한 웨이퍼(W)의 위치를 유지하거나 웨이퍼(W)를 수평상태로 고정시킬 수 있다.
챔버(230) 내에서는 플라즈마 처리 공정이 수행될 수 있고, 보다 구체적으로, 플라즈마를 이용한 건식식각공정이 수행될 수 있다.
구체적으로, 플라즈마를 이용한 건식식각공정이 진행되는 챔버(230)는 플라즈마를 형성하는 방법에 따라 RIE(Reactive Ion Etching), MERIE(Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching), CDE(Chemical Downstrem Etching), ECR(Electron Cyclotron Resonance), TCP(Transformer Coupled Plasma) 등으로 나눌수 있다. 그러한 구별 외에 크게 CCP(Capacitive Coupled plasma) 타입과 ICP(Inductive Coupled Plasma: 유도 결합 플라즈마) 타입으로 나눌 수도 있다.
여기에서, CCP 타입은 챔버 내부에 설치된 다수의 전극에 선택적으로 고주파 전원(RF power)을 인가하고, 이로 인해 형성된 전기장에 의해서 반응가스가 플라즈마 상태로 변형된다. 그리고, ICP 타입은 챔버 외측에 감겨진 코일과 챔버 내측에 설치된 다수의 전극에 선택적으로 고주파 전원(RF power)을 인가하고, 이로 인해 형성된 자기장 및 전기장에 의해서 반응 가스가 플라즈마 상태로 변형된다.
본 발명에서는, ICP 타입을 도시하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
이하에서는, 도 13 및 도 14를 참조하여, 도 1의 플라즈마 처리 장치의 효과에 대해 설명하도록 한다.
도 13 및 도 14는 도 1의 플라즈마 처리 장치의 효과를 설명하기 위한 도면들이다.
도 1 및 도 13을 참조하면, 도 1의 플라즈마 처리 장치(1)를 사용하기 전(Before)에는 플라즈마 처리 공정을 진행할 때, 윈도우의 중심부(Center)와 가장자리부(Edge) 사이의 온도 차(즉, 제1 온도차(?T1))가 크다는 것을 알 수 있다.
이에 반해, 도 1의 플라즈마 처리 장치(1)를 사용한 후(After)에는 플라즈마 처리 공정을 진행할 때, 윈도우의 중심부(Center)와 가장자리부(Edge) 사이의 온도 차(즉, 제2 온도차(?T2))가 제1 온도차(?T1)보다 작다는 것을 알 수 있다.
이는 앞서 설명한 바와 같이, 윈도우(100)의 중심부(Center)는 플레이트(110)를 흐르는 유체(예를 들면, 쿨 에어(cool air))에 의해 온도가 낮아지고, 윈도우(100)의 가장자리부(Edge)는 플레이트(110)에 포함된 열전도성이 낮은 물질(예를 들면, 열전도도 K[W/m-k]<20)에 의해 보온이 되기 때문이다.
결과적으로, 플라즈마 처리 공정시 온도가 높은 윈도우(100)의 중심부(Center)는 온도가 낮아지고, 온도가 낮은 윈도우(100)의 가장자리부(Edge)는 온도가 높아질 수 있다.
도 1 및 도 14를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)를 사용하기 전(Before)에는, 윈도우(100)는 플라즈마 처리 공정이 진행될 수록(즉, 플라즈마 처리되는 웨이퍼의 수가 증가할수록) 챔버(230) 내부에서 발생한 플라즈마 등에 의해 온도가 서서히 올라가게 되고, 결국 일정한 온도로 포화(saturation)될 수 있다. 즉, 첫 번째 웨이퍼를 플라즈마 처리할 때의 윈도우와 마지막(예를 들면, 열 번째) 웨이퍼를 플라즈마 처리할 때의 윈도우 사이의 온도 차이(즉, 제3 온도차(?T3))가 크다는 것을 알 수 있다.
그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)를 사용한 후에는, 뒤의 웨이퍼를 처리할 때의 윈도우의 경우에도 앞의 웨이퍼를 처리할 때의 윈도우와 온도 차이가 크지 않다는 것을 알 수 있다. 즉, 첫 번째 웨이퍼를 플라즈마 처리할 때의 윈도우와 마지막(예를 들면, 열 번째) 웨이퍼를 플라즈마 처리할 때의 윈도우 사이의 온도 차이(즉, 제4 온도차(?T4))가 제3 온도차(?T3)보다 작다는 것을 알 수 있다.
이는 앞서 설명한 바와 같이, 윈도우(100)의 중심부(Center)는 플레이트(110)를 흐르는 유체(예를 들면, 쿨 에어(cool air))에 의해 온도가 낮아지고, 윈도우(100)의 가장자리부(Edge)는 플레이트(110)에 포함된 열전도성이 낮은 물질(예를 들면, 열전도도 K[W/m-k]<20)에 의해 보온이 됨으로써, 윈도우(100)의 전체적인 온도가 고르게 유지될 수 있기 때문이다.
즉, 윈도우(100)의 전체적인 온도가 고르게 유지될 수 있기 때문에 플라즈마 처리 공정이 진행된다고 하더라도 첫번째 웨이퍼를 플라즈마 처리할 때의 윈도우와 마지막 웨이퍼를 플라즈마 처리할 때의 윈도우 간 온도 편차가 크지 않을 수 있다.
추가적으로, 플라즈마 처리 장치(1)는 첫번째 웨이퍼를 플라즈마 처리할 때의 윈도우와 마지막 웨이퍼를 플라즈마 처리할 때의 윈도우 간 온도 편차가 커지지 않도록 함으로써, 처음에 플라즈마 처리를 받은 웨이퍼의 식각 간격(즉, 플라즈마 식각으로 인해 생긴 트렌치의 간격)과 마지막에 플라즈마 처리를 받은 웨이퍼의 식각 간격 간의 차이를 허용 오차 범위 내로 줄일 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)를 사용하기 전(Before)에는 처음에 플라즈마 처리를 받은 웨이퍼의 식각 간격과 마지막에 플라즈마 처리를 받은 웨이퍼의 식각 간격 간의 차이가 제1 차이 간격이라면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)를 사용한 후(After)에는 처음에 플라즈마 처리를 받은 웨이퍼의 식각 간격과 마지막에 플라즈마 처리를 받은 웨이퍼의 식각 간격 간의 차이는 제1 차이 간격보다 작은 제2 차이 간격일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 플레이트(110)를 복수의 영역(예를 들면, 제1 및 제2 영역(R1, R2))으로 구분하고, 유체 공급부(120)를 이용하여 각 영역의 온도를 선택적, 독립적으로 제어함으로써, 윈도우(100)의 중심부(Center)와 가장자리부(Edge) 간 온도 편차를 줄일 수 있다. 또한 플라즈마 처리 장치(1)는 동일한 재질을 포함하는 플레이트(110)와 가스 피드(140)를 포함함으로써, 안테나(130)에 의해 생성된 자기장이 플레이트(110)와 가스 피드(140)의 결합을 통과하여 윈도우(100)의 전체 영역으로 동일한 세기를 가지고 입사되도록 할 수 있다.
뿐만 아니라 유체 공급부(120)는 필요에 따라 선택적으로 제1 유체(예를 들면, 쿨 에어(cool air))와 제2 유체(예를 들면, 핫 에어(hot air))를 제공함으로써, 윈도우(100)의 온도를 보다 효율적으로 제어할 수 있다.
결과적으로, 플라즈마 처리 장치(1)는 윈도우(100)의 중심부(Center)와 가장자리부(Edge) 간 온도 편차를 줄임으로써, 윈도우(100) 내부의 열적 스트레스 및 공정 산포를 적절하게 제어할 수 있다.
또한 윈도우(100) 내부의 열적 스트레스 및 공정 산포를 적절하게 제어함으로써, 첫번째 웨이퍼를 플라즈마 처리할 때의 윈도우(100)와 마지막 웨이퍼를 플라즈마 처리할 때의 윈도우(100) 간 온도 차이 및 처음에 플라즈마 처리를 받은 웨이퍼의 식각 간격과 마지막에 플라즈마 처리를 받은 웨이퍼의 식각 간격 간의 차이도 줄일 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (10)

  1. 플라즈마 처리가 수행되는 챔버의 상부를 덮는 윈도우(window)와 자기장을 생성하는 안테나(antenna) 사이에 형성되는 플레이트(plate)로, 상기 플레이트는 상기 플레이트의 가장자리부에서 상기 플레이트의 중심부로 연장되는 결합 홈을 포함하고, 상기 플레이트의 가장자리부는 20W/m-k보다 낮은 열전도도를 갖는 물질을 포함하는 플레이트;
    상기 윈도우와 상기 안테나의 온도를 제어하기 위한 유체를 제공하는 유체 공급부; 및
    상기 챔버 내부로 상기 유체와 다른 공정 가스를 제공하고, 상기 결합 홈에 결합되는 가스 피드를 포함하되,
    상기 플레이트는 상기 유체를 제공받는 제1 및 제2 영역을 포함하고,
    상기 결합 홈은 상기 윈도우의 상부를 노출시키고,상기 유체 공급부는 상기 제1 및 제2 영역을 각각 독립적으로 제어하고,
    상기 윈도우의 가장자리부의 온도는 상기 플레이트의 가장자리부에 의해 제어되고,
    상기 윈도우의 중심부의 온도는 상기 제1 및 제2 영역으로 제공되는 상기 유체에 의해 제어되고,
    상기 가스 피드는 상기 플레이트와 동일한 재질을 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 영역은,
    상기 유체가 유입(流入)되는 유입 포트(inlet port)와,
    상기 유체가 유출(流出)되는 유출 포트(outlet port)를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제1 영역은 내부에 상기 유입된 유체가 흐르는 유로관(流路管)을 더 포함하고,
    상기 유로관의 일단은 상기 유입 포트와 연결되고, 상기 유로관의 타단은 상기 유출 포트와 연결되는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 유입 포트와 상기 유체 공급부 사이를 연결하는 유입 파이프와,
    상기 유출 포트와 상기 유체 공급부 사이를 연결하는 유출 파이프를 더 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 플레이트와 상기 윈도우를 연결하는 클램프(clamp)를 더 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 유체는,
    상기 윈도우와 상기 안테나의 온도를 낮추기 위한 제1 유체와,
    상기 윈도우의 온도를 높이기 위한 제2 유체를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 윈도우의 온도를 감지하는 온도 감지부를 더 포함하되,
    상기 유체 공급부는 상기 온도 감지부로부터 상기 윈도우의 온도를 제공받는 플라즈마 처리 장치.
  8. 삭제
  9. 플라즈마 처리가 수행되는 챔버의 상부를 덮는 윈도우(window)와 자기장을 생성하는 안테나(antenna) 사이에 형성되는 플레이트(plate)로, 상기 플레이트는 상기 플레이트의 가장자리부에서 상기 플레이트의 중심부로 연장되는 결합 홈을 포함하고, 상기 플레이트의 가장자리부는 20W/m-k보다 낮은 열전도도를 갖는 물질을 포함하는 플레이트;
    상기 윈도우의 온도를 감지하는 온도 감지부;
    상기 윈도우와 상기 안테나의 온도를 낮추기 위한 제1 유체와 상기 윈도우의 온도를 높이기 위한 제2 유체를 제공하고, 상기 온도 감지부로부터 상기 윈도우의 온도를 제공받는 유체 공급부; 및
    상기 제1 유체 및 상기 제2 유체와 다른 공정 가스를 챔버 내부로 제공하고, 상기 결합 홈과 결합되는 가스 피드를 포함하되,
    상기 결합 홈은 상기 윈도우의 상부를 노출하고,
    상기 유체 공급부는 상기 윈도우의 온도 상태에 따라 상기 제1 및 제2 유체 중 어느 하나를 상기 플레이트로 제공하고,
    상기 윈도우의 가장자리부의 온도는 상기 플레이트의 가장자리부에 의해 제어되고,
    상기 윈도우의 중심부의 온도는 상기 플레이트로 제공되는 상기 제1 및 제2 유체에 의해 제어되고,
    상기 가스 피드는 상기 플레이트와 동일한 재질을 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  10. 플라즈마 처리가 수행되는 챔버의 상부를 덮는 윈도우(window)와 자기장을 생성하는 안테나(antenna) 사이에 형성되는 플레이트(plate); 및
    상기 챔버 내부로 공정 가스를 제공하고, 상기 플레이트와 동일한 재질을 포함하는 가스 피드(gas feed)를 포함하되,
    상기 플레이트는 상기 윈도우의 상부의 일부를 노출시키고, 상기 플레이트의 가장자리부에서 상기 플레이트의 중심부로 연장되는 결합 홈을 포함하고,
    상기 가스 피드는 상기 결합 홈에 결합되는 플라즈마 처리 장치.
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