CN114127906A - 用于衬底处理系统的热电冷却基座 - Google Patents

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Abstract

一种温控基座包括基座；温度传感器，其感测N个区域中的N个温度；和N个温度控制设备，其分别设置在N个区域内。电压源选择性地向所述N个温度控制设备供电。控制器被配置为通过以下方式使所述电压源控制所述N个区域中的温度：a)根据所述N个温度确定所述N个区域中的最热的一个；b)如果所述N个区域中的所述最热的一个尚未冷却，则使用所述N个温度控制设备中的一个增加对所述N个区域中的所述最热的一个的冷却；c)当所述N个区域的温度低于第一温度设定点时减少对所述N个区域的冷却；以及d)重复a)到c)直到所有的所述N个区域的温度都小于或等于第一温度设定点。

Description

用于衬底处理系统的热电冷却基座
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年7月16日申请的美国临时申请No.62/874,649的优先权。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。
技术领域
本公开涉及衬底处理系统，更具体地涉及用于衬底处理系统的具有闭环区域控制的热电冷却基座。
背景技术
这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
衬底处理系统用于对半导体晶片之类的衬底进行处理。处理的示例包括沉积、蚀刻、灰化和其他处理。衬底处理系统包括处理室或装载锁和基座。在处理过程中，衬底被布置在基座上。衬底暴露于一种或多种气体混合物。在一些示例中，等离子体可用于引起化学反应发生。
在某些处理中，衬底在处理过程中会被加热到相对较高的温度。例如，在处理室中的处理过程中，衬底可能被加热到600℃和700℃之间的温度。在处理室中处理之后，可以将衬底移动到冷却基座以将衬底冷却到较低温度。在后处理站(例如装载锁中使用水或其他冷却剂的冷却基座)冷却衬底可能需要相对较长的时间，这会降低处理的产量。由于蒸发，水冷却基座在高温下可能效率不高。此外，高温衬底的突然冷却会在衬底中引起应力。
发明内容
一种用于冷却衬底的温控基座包括基座，所述基座包括：N个区域，其中N为大于一的整数；温度传感器，其分别感测所述N个区域中的N个温度；和N个温度控制设备，其分别设置在N个区域内。电压源选择性地向所述N个温度控制设备供电。控制器被配置为通过以下方式使所述电压源控制所述N个区域中的温度：a)根据所述N个温度确定所述N个区域中的最热的一个；b)如果所述N个区域中的所述最热的一个尚未冷却，则使用所述N个温度控制设备中的一个增加对所述N个区域中的所述最热的一个的冷却；c)当所述N个区域的温度低于第一温度设定点时减少对所述N个区域的冷却；以及d)重复a)到c)直到所有的所述N个区域的温度都小于或等于第一温度设定点。
在其他特征中，所述N个温度控制设备包括珀耳帖(Peltier)设备。N个继电器连接到所述控制器。N个开关选择性地将所述电压源连接到所述N个温度控制设备。
在其他特征中，所述控制器使用所述N个继电器来控制所述N个开关的占空比。所述电压源包括固定电压源。所述电压源包括可变电压源，并且还包括分别连接在所述电压源和所述N个温度控制设备之间的N个H桥。
在其他特征中，所述控制器被配置为选择用于冷却的所述N个H桥的第一模式和用于加热的所述N个H桥的第二模式。所述控制器还被配置为当移除衬底时：选择所述N个H桥的所述第二模式；以及将所述传感层加热到第二温度设定点，其中第二温度设定点大于所述第一温度设定点。
在其他特征中，所述控制器还被配置为在移除所述衬底时通过以下方式控制所述N个区域中的温度：e)基于所述N个温度确定所述N个区域中的最冷的一个；f)如果所述N个区域中的所述最冷的一个尚未被加热，则使用所述N个温度控制设备中的一个增加对所述N个区域中的所述最冷的一个的加热；g)当所述N个区域的温度大于所述第二温度设定点时减少对所述N个区域的加热；以及h)重复e)至g)直到所有的所述N个区域的温度都大于或等于所述第二温度设定点。
在其他特征中，当另一衬底位于所述基座上时，所述控制器还被配置为通过增加对所述N个温度控制设备的电压输出来降低所述N个区域中的温度。所述控制器以预定间隔将所述电压输出增加预定量。所述预定量和所述预定间隔是固定的。
在其他特征中，所述控制器响应于所述基座的温度下降到低于T个预定温度，以T个离散步骤增加所述电压输出，其中T是大于1的整数。
在其他特征中，散热器布置在所述基座附近。风扇布置在所述散热器附近。冷板布置在所述散热器附近。所述温度传感器包括布置在所述基座中的N个温度传感器。所述温度传感器包括一个或多个红外传感器以感测所述N个区域中的温度。所述温度传感器包括用于生成热图像的热像仪，其中，所述N个区域的所述N个温度分别基于所述热图像。
根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。
附图说明
根据详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：
图1是根据本公开的冷却基座的一示例的侧面剖视图。
图2-5是根据本公开的冷却基座的示例的平面图；
图6是根据本公开的冷却基座的控制系统的一个示例的功能框图；
图7是根据本公开的用于控制图6的冷却基座的方法的示例的流程图；
图8是根据本公开的冷却基座的控制系统的另一示例的功能框图；
图9A是根据本公开的用于控制图8的冷却基座的冷却的方法的示例的流程图；
图9B是说明电压源的电压输出与基座温度的函数关系的曲线图；
图9C是说明根据本公开的电压源的电压输出与时间的函数关系的曲线图；
图10是根据本公开的用于控制图8的冷却基座的加热的方法的示例的流程图；以及
图11是根据本公开的带有热像仪的冷却基座的示例的侧剖视图。
在附图中，可以重复使用附图标记来标识相似和/或相同的元件。
具体实施方式
在一些处理中，衬底在处理过程中被加热到相对较高的温度。例如，在处理室中的处理过程中，衬底可能被加热到介于600℃和700℃之间的温度。在处理室中处理之后，可以将衬底移动到冷却基座以将衬底冷却到较低温度。在后处理站(例如装载锁中使用水或其他冷却剂的冷却基座)冷却衬底可能需要相对较长的时间，从而会降低处理的产量。由于蒸发，水冷却基座在高温下可能效率不高。此外，高温衬底的突然冷却会在衬底中引起应力。
冷却衬底时应注意避免损坏衬底。例如，衬底不同部分的温度差异可能(例如，由于中心到边缘的温度梯度)导致损坏，例如开裂。此外，处理后的即时衬底温度与冷却基座的温度之间的较大差异可能会导致损坏，例如开裂。换言之，将非常热的衬底放置在非常冷的基座上可能会导致衬底开裂。
当衬底布置在基座上时，温度传感器会在所有区域启动冷却(至设定温度)。如果一个或多个区域的温度与其他区域相比下降，则关闭一个或多个区域，直到所有区域的温度大致相等(相差在预定范围内)。当所有区域的温度相等时，之前关闭的一个或多个区域再次打开以达到设定点温度。该循环继续进行，直到所有区域均一地达到设定点温度。这种方法限制了从一个区域到达另一个区域的温差，从而避免了开裂。
现在参考图1，示出了根据本公开的用于衬底128的冷却基座组件120。虽然冷却基座组件120主要冷却衬底，但在一些示例中，冷却基座组件120在衬底128未位于冷却基座组件120上的一些时段期间提供加热。
冷却基座组件120包括传感层130和基部136。传感层130包括一个或多个温度传感器132。传感层130布置在基部136附近。在一些示例中，基部136包括一个或多个温度控制设备138。当衬底128布置在冷却基座组件120上时，温度控制设备138还提供冷却。在一些示例中，当衬底128没有布置在冷却基座组件120上时，温度控制设备138还提供加热。
在一些示例中，温度控制设备138包括珀尔帖设备。热油脂层134可以位于温度控制设备138和基座136之间。温度控制设备138夹在散热器142和热油脂层134之间，使得温度控制设备138夹在散热器142和基部136之间，以便发生接触传导。使用热油脂层134或夹具代替胶水，使得其允许温度控制设备138由于温度变化而收缩和膨胀，从而减少了应力引起的故障。风扇或冷板150可布置在散热器142附近以分别增加用于温度控制设备138的气流和冷却。
现在参考图2-5，示出了冷却基座组件120的示例。在图2中，温度控制设备138以正方形图案布置。在图3中，图2中的温度控制设备138被进一步布置在方形区域中。在图4中，温度控制设备138以圆形图案排列。在图5中，图4中的温度控制设备138被进一步布置在圆形区域中。
现在参考图6，示出了用于冷却基座组件120的温度控制系统600。温度控制系统600执行预设温度控制。温度控制系统600包括控制器610和电压源620。电压源620为所有区域提供单一电压输出。在一些示例中，电压输出可以响应于测得的基座温度和/或自从衬底被放置在基座上用于冷却以来的时间量来调整。
在以下示例中，描述了三个区域。但是，可以使用N个区域，其中N是大于1的整数。控制器610使用第一、第二和第三继电器R1、R2和R3来分别控制第一、第二和第三开关Sw1、Sw2和Sw3的占空比。开关Sw1、Sw2和Sw3将电压源620连接到第一、第二和第三区域Z1、Z2和Z3中的温度控制设备138。
图6中的温度控制系统600可用于低温衬底。电压源620为区域Z1、Z2和Z3中的温度控制设备供电以将基座温度维持在温度设定点(例如20℃)。当热衬底放置在冷却基座组件120上时，衬底128增加冷却基座组件120的温度。温度控制设备138提供冷却以将冷却基座组件120的温度降低到第一温度设定点。
对于较低的衬底温度，由于热应力导致衬底开裂的可能性较小。因此，可以将热衬底直接放置在冷却基座上。
温度控制系统600包括用于每个区域的继电器。例如，继电器R1、R2和R3以及开关Sw1、Sw2和Sw3分别控制每个区域Z1、Z2和Z3中的冷却。控制器610基于分别来自位于区域Z1、Z2和Z3中的温度传感器132的输入向继电器R1、R2和/或R3发送信号。继电器R1、R2和R3控制区域Z1、Z2和Z3的占空比。改变占空比有助于在降低温度的同时保持基座的所有区域的温度均匀。
现在参考图7，示出了用于控制图6的冷却基座组件的方法700。在714，读取所有区域的温度。在718，将区域温度与设定点温度进行比较。在722，该方法确定区域温度中的至少一个是否大于设定点温度。如果722为假，则该方法继续至723。当所有区域都达到设定点温度时，将衬底从基座移开并且该方法结束。
如果722为真，则该方法在724识别区域中最热的一个。在726，该方法确定最热区域是否已经被冷却。如果726为假，则该方法在728处增大最热区域的占空比，并且该方法继续到730。在730处，该方法确定所有区域温度是否相等(彼此相差在(例如0.5℃、1℃、2℃、3℃、4℃、5℃等)预定温差内)和高于设定温度。如果730为真，则该方法在731增大中心区域的占空比并且该方法继续到732。在732，该方法确定是否有任何区域温度低于设定点温度。如果732为真，则该方法在736处降低温度低于设定点温度的区域的占空比。如果732为假，则该方法继续到722。
现在参考图8，示出了用于冷却基座组件120的基于可变电压的温度控制系统800。温度控制系统800包括控制器810以比较区域温度并产生用于电压源820的输出信号，从而向每个区域提供单独的电压。控制器810改变每个区域的占空比，以基于区域温度为每个区域提供可变电压。
可变电压源820的第一、第二和第三输出分别被输出到第一、第二和第三H桥822-1、822-2和822-3。第一、第二和第三H桥822-1、822-2和822-3具有反相(加热)和非反相(冷却)状态。当处于反相状态时，第一、第二和第三H桥822-1、822-2和822-3选择性地使可变电压源820的输出反相到达所有区域中的温度控制设备。第一、第二和第三H桥822-1、822-2和822-3的输出分别连接到区域Z1、Z2和Z3的温度控制设备。
温度控制系统包括可变电压源820。电压基于在区域Z1、Z2和Z3的相应一个中测量的温度而变化。随着任何区域的温度变化，占空比和电压输出也会相应变化。
当热衬底放置在基座上时，传感器检测衬底存在并将衬底存在(SP)信号发送到控制器810。温度传感器测量温度并将信号发送到控制器810。控制器810确定最热的区域并开始冷却最热的区域。温度控制设备的占空比由控制器810直接控制。例如，电压的变化对应于预定值。例如，要从325℃变为315℃，电压设置为12V)。该过程在控制器810的每个预定周期或循环中持续，并且在区域内保持温度均匀性，同时根据需要降低/升高温度。此外，每个区域的输出电压独立于其他输出电压。
一旦衬底冷却到第一温度设定点ST1(例如20℃)，衬底就会被运输以进行进一步处理。传感器感应到衬底已被移除并转换SP信号。控制器将基座的目标温度调整到第二温度设定点ST2(例如35℃)。H桥改变为反相模式以将基座从第一温度设定点(ST1)加热到第二温度设定点(ST2)。
现在参考图9A-10，示出了用于控制图9的冷却基座的冷却和/或加热的方法。在图9A中，方法900在910确定衬底是否位于基座上。如果910为真，则该方法在914继续并将H桥设置为非反相(冷却)模式。在918，读取区域温度。在922，将区域温度与第一设定点温度ST1进行比较。在926，该方法确定至少一个区域温度是否大于第一设定点温度ST1。如果926为假，则该方法继续到927，将衬底从基座移动(所有区域都已达到设定点温度ST1)并且该方法结束。否则，该方法在928识别区域中的最热的一个区域。在930，该方法确定最热区域是否已经被冷却。如果930为假，则该方法在932冷却最热区域并在933继续。在933，该方法确定所有区域温度是否等于并且大于设定点温度ST1。如果933为真，则该方法在934增大中心区域的占空比并且该方法在936继续。在936，该方法确定任何区域温度是否低于第一设定点温度ST1。如果936为真，则该方法将温度低于第一设定点温度ST1的区域的占空比减小。该方法返回到926。
在图9B中，曲线图说明了电压源向温度控制设备输出的电压与基座温度的函数关系。供应的电压可以在衬底冷却期间逐渐地逐步改变。当达到基座温度时，可以将电压源输出的电压升高到下一个电压输出。可以重复该处理，直至达到温度设定点ST1。
在图9C中，曲线图说明了自从衬底被放置在冷却基座上以来，电压源输出到温度控制设备的电压与时间的函数关系。供应的电压可以在衬底冷却期间逐渐地逐步改变。当到达下一个周期时，电压源输出的电压可以增加到下一个电压输出。可以重复该处理，直到达到温度设定点ST1。
在图10中，方法1000在1010确定衬底是否位于基座上。如果1010为假，则该方法在1014继续并且将H桥设置为反相(加热)模式。在1018，读取区域温度。在1022，将区域温度与第二设定点温度ST2进行比较。在1026，该方法确定至少一个区域温度是否小于第二设定点温度ST2。在一些示例中，第二设定点温度ST2大于第一设定点温度ST1。
如果1026为假，则该方法继续到1028，将衬底移离基座(所有区域都已达到设定点温度ST2)并且该方法结束。否则，该方法将区域中的最冷区域识别到1029。在1030，该方法确定最冷区域是否已经被加热。如果1030为假，则该方法在1032加热最冷区域并继续到1034。在1034，该方法确定所有区域温度是否等于并且小于设定点温度ST2。如果1034为真，则该方法在1036增大中心区域的占空比并且该方法继续到1040。在1040，该方法确定是否有任何区域温度大于第二设定点温度ST2。如果1040为真，则该方法停止加热温度高于第二设定点温度ST2的区域。该方法返回到1026。
现在参考图11，温度传感器可以由一个或多个热传感器1110代替，例如一个或多个红外(IR)传感器或布置在衬底上方的热像仪。IR传感器产生输出到控制器的IR数据。热像仪产生衬底的热图像并且将热成像数据输出到控制器。区域内的温度由IR数据和/或热图像确定。控制器调整区域中的加热或冷却，以保持整个衬底的温度均匀。换言之，改变功率以改变区域温度，使得整个衬底上的温度(如热图像或IR数据中所看见的)是相同(均匀)的。
前面的描述本质上仅仅是说明性的，并且绝不旨在限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式实现。因此，虽然本公开包括特定示例，但是本公开的真实范围不应当被如此限制，因为在研究附图、说明书和所附权利要求时，其他修改将变得显而易见。应当理解，在不改变本公开的原理的情况下，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时地)执行。此外，虽然每个实施方案在上面被描述为具有某些特征，但是相对于本公开的任何实施方案描述的那些特征中的任何一个或多个，可以在任何其它实施方案的特征中实现和/或与任何其它实施方案的特征组合，即使该组合没有明确描述。换句话说，所描述的实施方案不是相互排斥的，并且一个或多个实施方案彼此的置换保持在本公开的范围内。
使用各种术语来描述元件之间(例如，模块之间、电路元件之间、半导体层之间等)的空间和功能关系，各种术语包括“连接”、“接合”、“耦合”、“相邻”、“紧挨”、“在...顶部”、“在...上面”、“在...下面”和“设置”。除非将第一和第二元件之间的关系明确地描述为“直接”，否则在上述公开中描述这种关系时，该关系可以是直接关系，其中在第一和第二元件之间不存在其它中间元件，但是也可以是间接关系，其中在第一和第二元件之间(在空间上或功能上)存在一个或多个中间元件。如本文所使用的，短语“A、B和C中的至少一个”应当被解释为意味着使用非排他性逻辑或(OR)的逻辑(A或B或C)，并且不应被解释为表示“A中的至少一个、B中的至少一个和C中的至少一个”。
在一些实现方式中，控制器是系统的一部分，该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可以被编程以控制本文公开的任何处理，包括处理气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(RF)产生器设置、RF匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、位置和操作设置、晶片转移进出工具和其他转移工具和/或与具体系统连接或通过接口连接的装载锁。
概括地说，控制器可以定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(DSP)、定义为专用集成电路(ASIC)的芯片、和/或一个或多个微处理器、或执行程序指令(例如，软件)的微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式发送到控制器的指令，单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定处理的操作参数。在一些实施方案中，操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。
在一些实现方式中，控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器可以在“云”中或是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、检查多个制造操作的趋势或性能标准，改变当前处理的参数、设置处理步骤以跟随当前的处理、或者开始新的处理。在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供处理配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户界面，然后将该参数和/或设置从远程计算机发送到系统。在一些示例中，控制器接收数据形式的指令，其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，参数可以特定于要执行的处理的类型和工具的类型，控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。因此，如上所述，控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的处理和控制)工作的一个或多个分立的控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的处理。
示例系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(PVD)室或模块、化学气相沉积(CVD)室或模块、原子层沉积(ALD)室或模块、原子层蚀刻(ALE)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。
如上所述，根据将由工具执行的一个或多个处理步骤，控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。

Claims (19)

1.一种用于冷却衬底的温控基座，其包括：
基座，其包括：
N个区域，其中N为大于一的整数；
温度传感器，其分别感测所述N个区域中的N个温度；
N个温度控制设备，其分别设置在N个区域内；
电压源，其选择性地向所述N个温度控制设备供电；以及
控制器，其被配置为通过以下方式使所述电压源控制所述N个区域中的温度：
a)根据所述N个温度确定所述N个区域中的最热的一个；
b)如果所述N个区域中的所述最热的一个尚未冷却，则使用所述N个温度控制设备中的一个增加对所述N个区域中的所述最热的一个的冷却；
c)当所述N个区域的温度低于第一温度设定点时减少对所述N个区域的冷却；以及
d)重复a)到c)直到所有的所述N个区域的温度都小于或等于第一温度设定点。
2.根据权利要求1所述的温控基座，其中，所述N个温度控制设备包括珀耳帖设备。
3.根据权利要求1所述的温控基座，其还包括：
N个继电器，其连接到所述控制器；和
N个开关，其选择性地将所述电压源连接到所述N个温度控制设备。
4.根据权利要求3所述的温控基座，其中，所述控制器使用所述N个继电器来控制所述N个开关的占空比。
5.根据权利要求3所述的温控基座，其中，所述电压源包括固定电压源。
6.根据权利要求1所述的温控基座，其中，所述电压源包括可变电压源，并且还包括分别连接在所述电压源和所述N个温度控制设备之间的N个H桥。
7.根据权利要求6所述的温控基座，其中，所述控制器被配置为选择用于冷却的所述N个H桥的第一模式和用于加热的所述N个H桥的第二模式。
8.根据权利要求7所述的温控基座，其中，所述控制器还被配置为：
当移除衬底时：
选择所述N个H桥的所述第二模式；以及
将所述传感层加热到第二温度设定点，其中第二温度设定点大于所述第一温度设定点。
9.根据权利要求8所述的温控基座，其中，所述控制器还被配置为在移除所述衬底时通过以下方式控制所述N个区域中的温度：
e)基于所述N个温度确定所述N个区域中的最冷的一个；
f)如果所述N个区域中的所述最冷的一个尚未被加热，则使用所述N个温度控制设备中的一个增加对所述N个区域中的所述最冷的一个的加热；
g)当所述N个区域的温度大于所述第二温度设定点时减少对所述N个区域的加热；以及
h)重复e)至g)直到所有的所述N个区域的温度都大于或等于所述第二温度设定点。
10.根据权利要求9所述的温控基座，其中，当另一衬底位于所述基座上时，所述控制器还被配置为通过增加对所述N个温度控制设备的电压输出来降低所述N个区域中的温度。
11.根据权利要求10所述的温控基座，其中，所述控制器以预定间隔将所述电压输出增加预定量。
12.根据权利要求11所述的温控基座，其中，所述预定量和所述预定间隔是固定的。
13.根据权利要求10所述的温控基座，其中，所述控制器响应于所述基座的温度下降到低于T个预定温度，以T个离散步骤增加所述电压输出，其中T是大于1的整数。
14.根据权利要求1所述的温控基座，其还包括布置在所述基座附近的散热器。
15.根据权利要求14所述的温控基座，其还包括布置在所述散热器附近的风扇。
16.根据权利要求14所述的温控基座，其还包括布置在所述散热器附近的冷板。
17.根据权利要求1所述的温控基座，其中，所述温度传感器包括布置在所述基座中的N个温度传感器。
18.根据权利要求1所述的温控基座，其中，所述温度传感器包括一个或多个红外传感器以感测所述N个区域中的温度。
19.根据权利要求1所述的温控基座，其中，所述温度传感器包括用于生成热图像的热像仪，其中，所述N个区域的所述N个温度分别基于所述热图像。
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