JP2008066495A - 高圧処理装置および高圧処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】フィルタによるパーティクルの捕捉性能を十分に引き出す。
【解決手段】高圧配管26に設けられたフィルタFFを通過するSCCO2の温度を温度調節部TC1により処理温度T1より高い濾過温度T2に上昇させる。そして、温度調節部TC2によりSCCO2の温度を処理温度T1に低下させて処理チャンバーに供給する。
【選択図】図4
【解決手段】高圧配管26に設けられたフィルタFFを通過するSCCO2の温度を温度調節部TC1により処理温度T1より高い濾過温度T2に上昇させる。そして、温度調節部TC2によりSCCO2の温度を処理温度T1に低下させて処理チャンバーに供給する。
【選択図】図4
Description
この発明は、高圧流体、例えば亜臨界状態または超臨界状態の高圧流体を用いて、基板などの被処理体の表面に所定の表面処理(洗浄処理、リンス処理や乾燥処理など)を施す高圧処理技術に関するものである。
半導体製造プロセスの中でレジストを用いてパターン形成する場合、パターン形成後に不要となるレジストや、エッチングの時に生成して基板上に残存してしまうエッチングポリマー等の不要物・汚染物質を基板から除去するための洗浄工程が必須工程となる。そこで、高圧流体を基板などの被処理体の表面に接触させて該被処理体に対して洗浄処理などの表面処理を施す高圧処理装置が従来より提案されている(特許文献1,2参照)。
ところで、特に近年の技術進歩により、半導体ウエハに形成される回路の線幅はサブミクロンレベルにまで微細化しているため、回路にパーティクル(ゴミ等の不要物質)が付着していると、品質が劣化し製品歩留まりの低下を招くことから、清浄度に対する要求は益々厳しくなっている。
そこで、例えば特許文献1記載の高圧処理装置では、超臨界状態の二酸化炭素は、フィルタにより濾過されて清浄化された後に被処理体がセットされた処理チャンバーに送られる。ここで、フィルタの外周にヒータを設け、二酸化炭素を超臨界状態に保つようにしている。これは、温度低下により二酸化炭素が固体化してフィルタが損傷されるのを防止するためである。また、例えば特許文献2記載の高圧処理装置では、媒質の循環路中にフィルタを設け、加熱されて上昇する媒質をフィルタにより濾過するようにしている。ただし、媒質の投入路にはフィルタが設けられていないため、最初に清浄な媒質を導入するのは困難となっている。また、超臨界流体を用いてフィルタを洗浄する技術も知られている(特許文献3,4参照)。
ところで、フィルタによるパーティクルの捕捉性能は、そのフィルタが濾過しようとする流体の密度に依存することが知られている。すなわち、フィルタによるパーティクルの捕捉率は、高密度流体(例えば液体)に比べて低密度流体(例えば気体)の方が高い。この理由は、以下のとおりと考えられる。すなわち、低密度流体の場合には、例えば多孔質フィルタの孔径(メッシュフィルタであればメッシュの粗さ)より小さいパーティクルであってもフィルタに付着して捕捉される。これに対して、高密度流体の場合には、孔径より小さいパーティクルはフィルタを通過してしまい、孔径より大きいパーティクルのみがフィルタを通過できずに捕捉されることとなる。
一方、超臨界流体や亜臨界流体などの高圧流体は、圧力や温度を僅かに変化させるだけで密度などの物性値を大きく変化させることができるという特性を有している。しかしながら、上記各特許文献に記載の装置は、このような高圧流体の特性とフィルタの捕捉性能とを互いに関連付けて考慮したものではない。したがって、フィルタの捕捉性能を十分に引き出しているとは言えなかった。
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、フィルタおよび高圧流体の特性を互いに関連付けて考慮することで、フィルタの捕捉性能を十分に引き出すことができる高圧処理装置および高圧処理方法を提供することを目的とする。
この発明にかかる高圧処理装置は、上記目的を達成するため、高圧流体を用いて被処理体の表面に対して所定の表面処理を施すための処理チャンバーを内部に有する圧力容器と、処理チャンバーに連通するメイン配管を介して処理チャンバーに高圧流体を供給する高圧流体供給手段と、メイン配管の高圧流体供給手段と処理チャンバーとの間に介装され、高圧流体供給手段から処理チャンバーに供給される高圧流体を濾過するフィルタと、フィルタの周囲またはフィルタより高圧流体供給手段側に配置され、フィルタを通過する高圧流体の温度を表面処理実行時の処理チャンバー内の処理温度より高い温度に保持する加熱手段と、フィルタと処理チャンバーとの間に配置され、処理チャンバーに流入する高圧流体の温度を処理温度に低下させる温度調節手段とを備えたことを特徴としている。
また、この発明にかかる高圧処理方法は、フィルタにより濾過された高圧流体を圧力容器内に設けられた処理チャンバーに供給し、処理チャンバー内の被処理体の表面に対して所定の表面処理を施す高圧処理方法であって、上記目的を達成するため、フィルタを通過する高圧流体の温度を、表面処理実行時の処理チャンバー内の処理温度より高い濾過温度に一時的に保持するようにしたことを特徴としている。
このように構成された発明(高圧処理装置および高圧処理方法)によれば、フィルタにより濾過された高圧流体が処理チャンバーに供給されて、被処理体の表面に対して表面処理が施される。このとき、フィルタを通過する高圧流体の温度が、表面処理実行時の処理チャンバー内の処理温度より高い濾過温度に一時的に保持される。したがって、処理温度での流体密度に比べてフィルタを通過する高圧流体の密度が低下し、パーティクルを効果的に除去することができる。すなわち、フィルタによるパーティクル捕捉率は、上述のようにフィルタを通過する流体の密度が高い場合に比べて低い方が向上する。このため、処理温度に調節された高圧流体がフィルタを通過する場合に比べて、濾過温度への昇温処理によりフィルタによるパーティクルの捕捉率が向上する。したがって、フィルタによるパーティクルの捕捉性能を十分に引き出すことが可能になる。
また、温度調節手段と処理チャンバーとの間に設けられた薬液用分岐位置でメイン配管から分岐する薬液用分岐配管と、薬液用分岐配管から薬液用分岐位置でメイン配管に流入し、処理チャンバーに所定の薬液を供給する薬液供給手段とをさらに備え、高圧流体供給手段から供給される高圧流体と薬液供給手段から供給される薬液とを混合した処理流体により、被処理体の表面に対して表面処理が施されるとしてもよい。
このように構成された発明によれば、フィルタを通過する際に一旦処理温度より高い濾過温度に保持された高圧流体は、温度調節手段により処理温度に低下された状態で薬液用分岐位置に到達する。したがって、薬液用分岐位置では、高圧流体の密度がフィルタ通過時に比べて高くなるため、高圧流体に対する薬液の溶解度がフィルタ通過時に比べて増大することとなる。その結果、薬液用分岐位置では、より多くの薬液を高圧流体に混合することができ、これによって、処理流体による表面処理を促進することができるという利点が得られる。
また、フィルタと処理チャンバーとの間に設けられた洗浄用分岐位置でメイン配管から分岐する洗浄用分岐配管と、洗浄用分岐配管に設けられた分岐バルブと、メイン配管の洗浄用分岐位置と処理チャンバーとの間に介装されたメインバルブと、加熱手段の動作を停止し、分岐バルブを開き、かつ、メインバルブを閉じた状態で、高圧流体供給手段から高圧流体を供給させてフィルタの洗浄を行う洗浄制御手段とをさらに備えているとしてもよい。
このように構成された発明によれば、フィルタの洗浄時には、加熱手段の動作が停止しているため、表面処理実行時に比べて高圧流体の温度が低い状態、つまり高圧流体の密度が高い状態でフィルタを通過することとなる。したがって、表面処理実行時にフィルタに捕捉されていたパーティクルを掃き出すことができ、フィルタの洗浄を好適に行うことができる。
また、メイン配管は、少なくともフィルタが設けられている部位の断面積が他の部位の断面積に比べて大きくなるように、構成されているとすると、高圧流体の密度を低くしたことによってフィルタの捕捉性能に対して悪影響を及ぼす可能性を排除することができる。すなわち、メイン配管を流れる高圧流体の流量は密度の高低に関わりなく一定であるから、メイン配管の断面積が一定の場合には、流体密度が例えば半分になると流速が2倍になる。したがって、断面積が一定のままで流体密度を低下させると流速が上昇するため、流体の運動エネルギーが増大し、フィルタに捕捉される筈のパーティクルが押し流されてしまうことも考えられる。これに対して、この発明によれば、少なくともフィルタが設けられている部位の断面積を他の部位の断面積に比べて大きくなるように構成しているため、フィルタを通過する高圧流体の流速の増大を抑制することができる。すなわち断面積を例えば2倍にすると、流体密度が半分になっても流速は変わらない。これによって、フィルタの捕捉性能に対して悪影響を及ぼす可能性を未然に排除することが可能になる。
ここで、メイン配管は、加熱手段の配置位置から温度調節手段の配置位置までの断面積がそれ以外の部位の断面積に比べて大きくなるように、構成されているとすると、高圧流体の密度が低くなっている部位全体にわたって、高圧流体の流速の増大を抑制することができる。
また、少なくともフィルタが設けられている部位の断面積を濾過面積とし、他の部位の断面積を配管面積とし、濾過温度における高圧流体の密度を濾過密度とし、処理温度における高圧流体の密度を処理密度としたとき、配管面積に対する濾過面積の比は、濾過密度に対する処理密度の比に対応しているとすると、少なくともフィルタが設けられている部位において、流速が増大しないようにすることができる。
なお、本発明における「被処理体の表面」とは、表面処理を施すべき面を意味しており、「被処理体」が例えば半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などの各種基板である場合、その基板の両主面のうち回路パターンなどが形成された一方主面に対して表面処理を施す必要がある場合には、該一方主面が本発明の「被処理体の表面」に相当する。また、他方主面に対して表面処理を施す必要がある場合には、該他方主面が本発明の「被処理体の表面」に相当する。もちろん、両面実装基板のように両主面に対して表面処理を施す必要がある場合には、両主面が本発明の「被処理体の表面」に相当する。
また、「被処理体」としては、半導体基板に限定されず、金属、プラスチック、セラミックス等の各種基材の上に、異種物質の非連続または連続層が形成もしくは残留しているようなものが含まれる。
また、本発明における「表面処理」とは、例えばレジストが付着した半導体基板のように汚染物質が付着している被処理体から、汚染物質を剥離・除去する洗浄処理が代表例としてあげられる。また、洗浄処理に限られず、高圧流体を用いて、被処理体の表面から不要な物質を除去する処理(例えば、乾燥、リンス、エッチング等)は、全て本発明の高圧処理装置および高圧処理方法の対象とすることができる。
また、本発明において、用いられる高圧流体としては、安全性、価格、超臨界状態にするのが容易、といった点で、二酸化炭素が好ましい。二酸化炭素以外には、水、アンモニア、亜酸化窒素、エタノール等も使用可能である。高圧流体を用いるのは、拡散係数が高く、溶解した汚染物質を媒体中に分散することができるためであり、その高圧流体を超臨界流体にした場合には、気体と液体の中間の性質を有するようになり、拡散係数は気体に近づき、微細なパターン部分にもよく浸透することができる。また、高圧流体の密度は、液体に近く、気体に比べて遥かに大量の助剤を含むことができる。
ここで、本発明における「高圧流体」とは、1MPa以上の圧力の流体である。好ましく用いることのできる高圧流体は、高密度、高溶解性、低粘度、高拡散性の性質が認められる流体であり、さらに好ましいものは超臨界状態または亜臨界状態の流体である。二酸化炭素を超臨界流体とするには31.1℃、7.4MPa以上とすればよい。洗浄並びに洗浄後のリンス工程や乾燥・現像工程等は、5〜30MPaの亜臨界流体または超臨界流体(高圧流体)を用いることが好ましく、7.4〜30MPaの下でこれらの処理を行うことがより好ましい。
また、本発明における「薬液」としては、メタノール、エタノールやIPAなどのアルコール、フッ酸、TMAF(フッ化テトラメチルアンモニウム)、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)などの表面処理に好適な物質を、単独で、あるいは複数種類を組み合わせて、用いることができる。
この発明にかかる高圧処理装置および高圧処理方法によれば、フィルタを通過する高圧流体の温度が表面処理実行時の処理チャンバー内の処理温度より高い濾過温度に保持されるため、処理温度に保持された状態に比べてフィルタを通過する高圧流体の密度を低下させることができる。これによって、処理温度に保持された状態でフィルタを通過する場合に比べて、フィルタによるパーティクルの捕捉率を向上することができる。したがって、フィルタの捕捉性能を十分に引き出すことが可能になる。
(第1実施形態)
図1は、この発明にかかる高圧処理装置の第1実施形態を示す図、図2は図1の高圧処理装置の電気的構成を示すブロック図である。この高圧処理装置は、圧力容器1の内部に形成される処理チャンバー11に超臨界二酸化炭素または超臨界二酸化炭素に薬液を溶解した処理流体を導入し、その処理チャンバー11において保持されている略円形の半導体ウエハなどの基板Wに対して所定の洗浄処理、リンス処理および乾燥処理を行う装置である。以下、その構成および動作について詳細に説明する。
図1は、この発明にかかる高圧処理装置の第1実施形態を示す図、図2は図1の高圧処理装置の電気的構成を示すブロック図である。この高圧処理装置は、圧力容器1の内部に形成される処理チャンバー11に超臨界二酸化炭素または超臨界二酸化炭素に薬液を溶解した処理流体を導入し、その処理チャンバー11において保持されている略円形の半導体ウエハなどの基板Wに対して所定の洗浄処理、リンス処理および乾燥処理を行う装置である。以下、その構成および動作について詳細に説明する。
この高圧処理装置は、大きく分けて3つのユニット、(1)処理流体を処理チャンバー11に供給する処理流体供給ユニットAと、(2)圧力容器1を有し、圧力容器1の処理チャンバー11内で処理流体により基板Wに付着するレジスト等を剥離除去して基板Wを洗浄する洗浄ユニットBと、(3)洗浄処理に使用された高圧流体などを回収して貯留する貯留ユニットCを備えている。
これらのユニットのうち、処理流体供給ユニットAには、本発明の「高圧流体」として超臨界二酸化炭素(以下「SCCO2」という)を圧力容器1に向けて圧送する高圧流体供給部2が設けられている。
この高圧流体供給部2は、高圧流体貯留タンク21と高圧ポンプ22を備えている。上記のように高圧流体としてSCCO2を用いる場合、高圧流体貯留タンク21には、通常、液化二酸化炭素が貯留されている。また、過冷却器(図示省略)で予め流体を冷却して、高圧ポンプ22内でのガス化を防止してもよい。そして、該流体を、高圧ポンプ22で加圧すれば高圧液化二酸化炭素を得ることができる。また、高圧ポンプ22の出口側はヒータ23および高圧弁V1を設けた高圧配管(本発明の「メイン配管」に相当)26により圧力容器1の処理チャンバー11に連通されている。そして、装置全体を制御するコントローラ100からの開閉指令に応じて高圧弁V1を開成することで、高圧ポンプ22で加圧された高圧液化二酸化炭素をヒータ23により加熱して高圧流体としてSCCO2を得るとともに、このSCCO2を処理流体として圧力容器1の処理チャンバー11に圧送する。
高圧配管26には、高圧弁V1と処理チャンバー11との間に、SCCO2を濾過する濾過膜より構成されるフィルタFFが設けられており、このフィルタFFによりSCCO2に含まれているパーティクル(不要物質)が捕捉されて、清浄なSCCO2が処理チャンバー11に供給される。
フィルタFFの直ぐ高圧流体供給部2側には、温度調節部(本発明の「加熱手段」に相当)TC1が設けられている。また、フィルタFFと処理チャンバー11との間には、フィルタFF側から順に、温度調節部(本発明の「温度調節手段」に相当)TC2、温度調節部TC3、および高圧弁FVが設けられている。
温度調節部TC1は、ヒータ23により超臨界状態にされているSCCO2を、表面処理実行時における処理チャンバー11内の処理温度T1より高い濾過温度T2に加熱するものである。温度調節部TC2は、温度調節部TC1により濾過温度T2に加熱されたSCCO2を、処理温度T1に低下するものである。温度調節部TC3は、SCCO2の温度をさらに精密に調整するためのものである。高圧弁FVは、処理チャンバー11の直前に配置され、高圧配管26の流路を開閉するものである。
洗浄ユニットBでは、圧力容器1の処理チャンバー11が高圧配管12により貯留ユニットCの貯留部4と連通されている。また、この高圧配管12には圧力調整弁13が設けられている。すなわち、圧力調整弁13は、高圧配管12を介して処理チャンバー11に接続されている。このため、圧力調整弁13を開くと、処理チャンバー11内の処理流体などが貯留部4に排出される一方、圧力調整弁13を閉じると、処理チャンバー11に処理流体を閉じ込めることができる。
また、処理チャンバー11と圧力調整弁13との間で高圧配管12に圧力計(図示省略)が配置されており、処理チャンバー11内の処理圧力を検知可能となっている。この圧力計の出力信号はコントローラ100に与えられており、この出力信号に基づき、コントローラ100は、圧力調整弁13の開閉を制御して処理チャンバー11内の処理圧力を調整可能になっている。
貯留ユニットCの貯留部4としては、例えば気液分離容器等を設ければ良く、気液分離容器を用いてSCCO2を気体部分と液体部分とに分離し、別々の経路を通して廃棄する。あるいは、各成分を回収(および必要により精製)して再利用してもよい。なお、気液分離容器により分離された気体成分と液体成分は、別々の経路を通して系外へ排出してもよい。また、この実施形態では、高圧処理装置が貯留ユニットC(貯留部4)を備えているが、装置が貯留ユニット(貯留部)を備えずに、例えば装置外に設けられた貯留ユニット(貯留部)を利用するようにしてもよい。
次に、上記のように構成された高圧処理装置の動作について図3、図4を参照しつつ説明する。図3は図1の高圧処理装置の動作手順を示すフローチャート、図4は高圧配管26におけるSCCO2の温度変化を示す図である。この装置の初期状態では、すべての弁13,V1,FVは閉じられるとともに、ポンプ22も停止状態にある。
そして、産業用ロボット等のハンドリング装置や搬送機構により被処理体たる基板Wが1枚、処理チャンバー11にローディングされる(ステップS1)と、処理チャンバー11を閉じて処理準備を完了する(ステップS2)。それに続いて、高圧弁V1,FVを開いてSCCO2を高圧流体供給部2から処理チャンバー11に圧送可能な状態にした後、高圧ポンプ22を作動させて処理チャンバー11へのSCCO2圧送を開始する(ステップS3)。これにより、SCCO2がフィルタFFにより濾過されて処理チャンバー11に圧送されていき、処理チャンバー11内の処理圧力が徐々に上昇していく。このとき、圧力調整弁13をコントローラ100からの開閉指令に応じて開閉制御することで、処理チャンバー11内の処理圧力が所定値(例えば20MPa)に保たれる。なお、この開閉制御による圧力調整は後で説明する減圧処理が完了するまで継続される。
ここで、コントローラ100により温度調節部TC1,TC2の動作が制御されて、図4に示すように、高圧配管26を流れるSCCO2の温度が制御される。すなわち、高圧弁V1を通過する時点では、ヒータ23により処理温度T1に保持されて、超臨界状態に保たれている。そして、温度調節部TC1により濾過温度T2まで加熱された状態でフィルタFFを通過する。フィルタFFにより濾過された後、温度調節部TC2によりSCCO2の温度が処理温度T1まで低下される。
このように、高圧配管26において、フィルタFFが設けられた部位を含む温度調節部TC1から温度調節部TC2までの部位におけるSCCO2の温度が、処理温度T1より高い濾過温度T2に保持されている。一方、高圧配管26におけるSCCO2の圧力は、圧力調整弁13よりフィルタFF側は、全域にわたってほぼ同一圧力になっている。したがって、温度調節部TC1から温度調節部TC2までの部位においてのみSCCO2の密度が局所的に低下する。その結果、温度調節部TC1により加熱しない場合に比べて、フィルタFFによるパーティクルの捕捉率が向上することとなる。
そして、SCCO2は、必要に応じて温度調節部TC3により、さらに精密に処理温度T1に温度調節された後、処理チャンバー11に供給される。このようにSCCO2送給の開始により洗浄工程が始まるが、このときSCCO2の送給は連続的に行う。こうして処理流体(この実施形態では、SCCO2単独)が処理チャンバー11に供給されて基板Wの表面にSCCO2が接触し、基板Wに付着しているレジスト、レジスト残渣などの不要物質が剥離除去される。また、不要物質を随伴させた処理流体は高圧配管12を通じて貯留ユニットCの貯留部4へ送られる。
そして、洗浄工程が完了する(図3のステップS5でYES)と、高圧ポンプ22を停止してSCCO2圧送を停止する(ステップS8)。そして、圧力調整弁13の開閉を制御することで処理チャンバー11内を常圧に戻す(ステップS9)。この減圧過程において、処理チャンバー11内に残留するSCCO2は気体になって蒸発するので、基板Wの表面にシミ等が発生するなどの不具合を発生させることなく、基板Wを乾燥させることができる。しかも、近年、基板表面に微細パターンが形成されることが多く、乾燥処理の際に微細パターンが破壊されるという問題がクローズアップされているが、減圧乾燥を用いることで上記問題を解消することができる。
そして、処理チャンバー11が常圧に戻ると、処理チャンバー11を開き(ステップS10)、産業用ロボット等のハンドリング装置や搬送機構により洗浄処理済みの基板Wをアンロードする(ステップS11)。こうして、一連の表面処理、つまり洗浄処理(レジスト剥離除去処理)+乾燥処理が完了する。そして、次の未処理の基板Wが搬送されてくると、上記動作が繰り返されていく。
以上のように、この実施形態によれば、表面処理の実行中に、温度調節部TC1,TC2の動作を制御して、フィルタFFを通過するSCCO2の温度を、処理温度T1より高い濾過温度T2に一時的に保持している。したがって、フィルタFFを通過するSCCO2の密度が、処理温度T1に調節されたSCCO2の密度に比べて低下する。その結果、温度調節部TC1により加熱しない場合に比べて、フィルタFFによるパーティクルの捕捉率を向上することができ、これによって、処理チャンバー11に供給するSCCO2の清浄度を向上することができる。
(第2実施形態)
図5は、この発明にかかる高圧処理装置の第2実施形態を示す図、図6は図5の高圧処理装置の電気的構成を示すブロック図である。この第2実施形態は、SCCO2と薬液との混合物を処理流体として処理チャンバー11に供給して表面処理を行っている点で、第1実施形態と大きく相違している。すなわち、処理流体供給ユニットAの構成のみ第1実施形態と相違している。以下、第1実施形態と同一の構成要素には同一符号を付し、相違点を中心に説明する。
図5は、この発明にかかる高圧処理装置の第2実施形態を示す図、図6は図5の高圧処理装置の電気的構成を示すブロック図である。この第2実施形態は、SCCO2と薬液との混合物を処理流体として処理チャンバー11に供給して表面処理を行っている点で、第1実施形態と大きく相違している。すなわち、処理流体供給ユニットAの構成のみ第1実施形態と相違している。以下、第1実施形態と同一の構成要素には同一符号を付し、相違点を中心に説明する。
この第2実施形態の処理流体供給ユニットAには、高圧流体供給部2に加えて、レジストおよびレジスト残渣を剥離させるのに好適な薬液を供給するための薬液供給部3が設けられている。
すなわち、高圧配管26の温度調節部TC2と温度調節部TC3との間に分岐位置BPが設けられ、この分岐位置BPで高圧配管26は分岐し、その分岐配管31が薬液供給部3の薬液貯留タンク32と連通されている。そして、薬液供給部3からレジスト等を好適に剥離可能な剥離成分を有する薬液が、分岐配管31を介して高圧配管26に送り込まれる。これによって分岐位置BPでSCCO2に薬液が溶解されて処理流体が調製される。このように薬液の溶解により流体温度が処理温度T1未満に温度低下する場合には、温度調節部TC3が処理流体を加熱して処理温度T1に戻し、処理チャンバー11に供給する。
薬液供給部3は、上記したようにレジスト等を剥離除去するための薬液を供給するものであり、薬液を貯留する薬液貯留タンク32を備えている。この実施形態では、薬液として、メタノール、エタノール、イソプロパノール(IPA)などのアルコールを用いている。なお、アルコールに代えて、フッ酸(フッ化水素)、TMAF(フッ化テトラメチルアンモニウム)、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)などを用いてもよい。また、これらは単独で使用しても良いが、2種以上を混合して使用しても良い。
この薬液貯留タンク32は分岐配管31により高圧配管26と連通されている。また、この分岐配管31には、送液ポンプ33および高圧弁34が設けられている。このため、コントローラ100からの開閉指令にしたがって高圧弁34の開閉動作を制御することで、適切なタイミングで薬液貯留タンク32内の薬液が高圧配管26に送り込まれて分岐位置BPで処理流体(SCCO2+薬液)が調製される。そして、処理流体が圧力容器1の処理チャンバー11に供給される。
次に、上記のように構成された第2実施形態の高圧処理装置の動作について図7を参照しつつ説明する。図7は図5の高圧処理装置の動作手順を示すフローチャートである。なお、図3と同一ステップには同一符号を付し、相違点のみ説明する。この装置の初期状態では、すべての弁13,V1,FV,34は閉じられるとともに、ポンプ22,33も停止状態にある。
そして、SCCO2の圧送開始(ステップS3)に続いて、高圧弁34を開いて送液ポンプ33を稼動させる。これによって、レジストおよびレジスト残渣を剥離するための薬液が薬液貯留タンク32から分岐配管31を介して高圧配管26に送り込まれ、SCCO2への薬液の混合により処理流体が調製される(ステップS4)。このように薬液送給の開始により洗浄工程が始まるが、このときSCCO2や薬液の送給は連続的に行う。こうして処理流体(この実施形態では、SCCO2+薬液)が処理チャンバー11に供給されて基板Wの表面に薬液が接触し、基板Wに付着しているレジスト、レジスト残渣などの不要物質が剥離除去される。
ここで、第1実施形態と同様に、コントローラ100により温度調節部TC1,TC2の動作が制御されているため、高圧配管26を流れるSCCO2の温度は、図4に示すように変化する。すなわち、高圧配管26の温度調節部TC2より処理チャンバー11側に設けられた分岐位置BPでは、SCCO2の温度は濾過温度T2より低い処理温度T1に保持されている。このため、濾過温度T2に調節された部位でのSCCO2の密度に比べて、分岐位置BPでのSCCO2の密度の方が高くなっている。したがって、分岐位置BPにおけるSCCO2に対する薬液の溶解度は、濾過温度T2に調節された部位での溶解度に比べて増大しており、より多くの薬液をSCCO2に溶解することが可能になっている。
そして、洗浄工程が完了する(ステップS5でYES)と、高圧弁34を閉じ、さらに送液ポンプ33を停止して、薬液の送給を停止する(ステップS6)。しかしながら、SCCO2の圧送についてはそのまま継続され、SCCO2のみが処理チャンバー11に供給されてSCCO2によるリンス工程が実行される。なお、この実施形態では、SCCO2のみによるリンス工程を実行しているが、メタノールなどのアルコール成分をSCCO2に混合させてリンス工程を行うようにしてもよい。その場合、SCCO2のみによる最終リンス工程をさらに追加するのが好ましい。
そして、リンス工程が完了する(ステップS7でYES)と、高圧ポンプ22を停止してSCCO2圧送を停止し(ステップS8)、以下、第1実施形態の図3と同様の動作が行われる。こうして、一連の表面処理、つまり洗浄処理(レジスト剥離除去処理)+リンス処理+乾燥処理が完了し、次の未処理の基板Wが搬送されてくると、上記動作が繰り返されていく。
以上のように、この実施形態によれば、上記第1実施形態と同様に、表面処理の実行中に、温度調節部TC1,TC2の動作を制御して、フィルタFFを通過するSCCO2の温度を、処理温度T1より高い濾過温度T2に保持している。したがって、フィルタFFを通過するSCCO2の密度が、処理温度T1に調節されたSCCO2の密度に比べて低下する。その結果、温度調節部TC1により加熱しない場合に比べて、フィルタFFによるパーティクルの捕捉率を向上することができ、これによって、処理チャンバー11に供給するSCCO2の清浄度を向上することができる。
また、この実施形態によれば、温度調節部TC2より処理チャンバー11側に分岐位置BPを設け、温度調節部TC2により、SCCO2の温度が濾過温度T2から処理温度T1に低下された後で薬液を混合するようにしているため、より多くの薬液をSCCO2に溶解することができ、これによって表面処理を促進することができる。
また、この実施形態によれば、分岐位置BPより処理チャンバー11側に温度調節部TC3を設けているため、SCCO2への薬液の混合により処理流体の温度が処理温度T1未満に低下してしまった場合でも、温度調節部TC3の動作を制御することにより、処理流体の温度を処理温度T1に戻すことができる。これによって、表面処理を好適に実行することができる。
(第3実施形態)
図8は、この発明にかかる高圧処理装置の第3実施形態を示す図、図9は図8の高圧処理装置の電気的構成を示すブロック図である。この第3実施形態は、フィルタFFの洗浄が可能に構成されている点で、第1実施形態と大きく相違している。以下、第1実施形態と同一の構成要素には同一符号を付し、相違点を中心に説明する。
図8は、この発明にかかる高圧処理装置の第3実施形態を示す図、図9は図8の高圧処理装置の電気的構成を示すブロック図である。この第3実施形態は、フィルタFFの洗浄が可能に構成されている点で、第1実施形態と大きく相違している。以下、第1実施形態と同一の構成要素には同一符号を付し、相違点を中心に説明する。
この第3実施形態では、高圧配管26のフィルタFFと温度調節部TC2との間に分岐位置CPが設けられ、この分岐位置CPで高圧配管26は分岐し、その分岐配管41により貯留部42と連通されている。この貯留部42は貯留部4と同様に構成されている。なお、この実施形態では貯留部4と別に貯留部42を備えているが、これに限られず、分岐配管41により貯留ユニットCの貯留部4と連通するようにしてもよい。
分岐配管41には、分岐位置CP側から順に、開閉弁(本発明の「分岐バルブ」に相当)V2と、圧力調整弁PCVとが設けられている。また、高圧配管26の分岐位置CPと温度調節部TC2との間には、開閉弁(本発明の「メインバルブ」に相当)V3が設けられている。
次に、このように構成された第3実施形態の高圧処理装置の動作について説明する。この第3実施形態では、基板Wに対する表面処理が終了して基板Wが処理チャンバー11から取り出され、次の基板Wが処理チャンバー11に投入されるまでの休止期間に、フィルタFFの洗浄動作を行う。すなわち、開閉弁V2を開き、開閉弁V3を閉じ、温度調節部TC1の動作を停止した状態で、高圧弁V1を開いてSCCO2を高圧流体供給部2から圧送可能な状態にした後、高圧ポンプ22を作動させてSCCO2圧送を開始する。このとき、高圧配管26および分岐配管41の管内圧力は、圧力調整弁PCVの開閉制御により調整される。
このフィルタ洗浄時には温度調節部TC1の動作は停止しているため、フィルタFFを通過するSCCO2の温度は、表面処理実行時(濾過温度T2)に比べて低い。すなわち、フィルタFFを通過するSCCO2の密度は、表面処理実行時に比べてフィルタ洗浄時の方が高い。したがって、フィルタFFのパーティクル捕捉率は、表面処理実行時に比べてフィルタ洗浄時の方が低い。その結果、表面処理実行時にフィルタFFに捕捉されていたパーティクルは、フィルタFFから掃き出されることとなる。そして、この掃き出されたパーティクルは、分岐位置CPから分岐配管41を介して貯留部42に排出される。
以上のように、この実施形態によれば、高圧配管26に分岐位置CPから分岐した分岐配管41を設け、開閉弁V2を開き、開閉弁V3を閉じ、かつ、温度調節部TC1の動作を停止した状態でSCCO2を圧送してフィルタFFの洗浄を実行しているため、フィルタFFを通過するSCCO2の温度は、表面処理実行時に比べてフィルタ洗浄時の方が低い。したがって、表面処理実行時にフィルタFFに捕捉されていたパーティクルを掃き出すことができ、これによってフィルタFFの洗浄を好適に行うことができる。
なお、この第3実施形態では、第1実施形態に対してフィルタFFの洗浄のための構成を付加しているが、第2実施形態のようなSCCO2に薬液を混合した処理流体で表面処理を行う構成に対してフィルタFFの洗浄のための構成を付加するようにしてもよい。また、高圧流体の温度を超臨界温度よりも低い亜臨界状態の温度として、フィルタFFの洗浄を実行してもよい。
(その他)
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態において、高圧配管26は、フィルタFFが設けられた部位の断面積を大きく構成することが好ましい。以下、その理由について、図10、図11を参照しつつ説明する。図10は高圧配管26の断面積が一定の場合の超臨界流体(SCF)の密度と流速の関係を説明するための図、図11はフィルタFFが設けられた部位の断面積を大きく構成した高圧配管26の一例を示す図である。なお、ここでは一般の超臨界流体(以下「SCF」という)を用いた例について説明する。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態において、高圧配管26は、フィルタFFが設けられた部位の断面積を大きく構成することが好ましい。以下、その理由について、図10、図11を参照しつつ説明する。図10は高圧配管26の断面積が一定の場合の超臨界流体(SCF)の密度と流速の関係を説明するための図、図11はフィルタFFが設けられた部位の断面積を大きく構成した高圧配管26の一例を示す図である。なお、ここでは一般の超臨界流体(以下「SCF」という)を用いた例について説明する。
例えば図10に示すように、高圧配管26の断面積を一定値A1とし、処理温度T1の部位におけるSCFの密度をρ1、流速をv1とし、濾過温度T2の部位におけるSCFの密度をρ2、流速をv2とすると、SCFの流量Qは一定であるから、
Q=ρ1×v1×A1=ρ2×v2×A1
になる。
Q=ρ1×v1×A1=ρ2×v2×A1
になる。
ここで、処理温度T1から濾過温度T2へのSCFの温度上昇により、SCFの密度が例えば、
ρ2=ρ1/2
になったとすると、高圧配管26における流量Qは一定であるから、SCFの流速は、
v2=2×v1
になる。したがって、SCFの運動エネルギーも増大するため、フィルタFFにより捕捉される筈のパーティクルが捕捉されずに通過してしまう虞がある。
ρ2=ρ1/2
になったとすると、高圧配管26における流量Qは一定であるから、SCFの流速は、
v2=2×v1
になる。したがって、SCFの運動エネルギーも増大するため、フィルタFFにより捕捉される筈のパーティクルが捕捉されずに通過してしまう虞がある。
そこで、図11に示すように、フィルタFFが設けられた部位の断面積A2が、他の部位の断面積A1に比べて大きくなる(つまりA2>A1)ように、高圧配管26を構成すると、フィルタFFにおけるSCFの流速の増大を抑制することができる。すなわち、上述したように、高圧配管26におけるSCFの流量Qは一定であるため、
Q=ρ1×v1×A1=ρ2×v2×A2
になる。したがって、SCFの密度が、
ρ2<ρ1
と低下した場合でも、高圧配管26の断面積が、
A2>A1
になっているため、他の部位におけるSCFの流速v1に対して、フィルタFFが設けられた部位におけるSCFの流速V2の増大を抑制することができる。
Q=ρ1×v1×A1=ρ2×v2×A2
になる。したがって、SCFの密度が、
ρ2<ρ1
と低下した場合でも、高圧配管26の断面積が、
A2>A1
になっているため、他の部位におけるSCFの流速v1に対して、フィルタFFが設けられた部位におけるSCFの流速V2の増大を抑制することができる。
特に、断面積の比(A2/A1)と密度の比(ρ1/ρ2)とが、
(A2/A1)=(ρ1/ρ2)
となるように、温度T1,T2の設定および高圧配管26の構成を行うと、フィルタFFにおけるSCFの流速v2を、
v2=v1
と、他の部位におけるSCFの流速v1と同一にすることができる。
(A2/A1)=(ρ1/ρ2)
となるように、温度T1,T2の設定および高圧配管26の構成を行うと、フィルタFFにおけるSCFの流速v2を、
v2=v1
と、他の部位におけるSCFの流速v1と同一にすることができる。
なお、図11では、フィルタFFが設けられた部位のみ断面積を増大しているが、これに限られず、少なくともフィルタFFが設けられた部位の断面積を増大すればよい。例えば図12に示すように、温度調節部TC1の配置位置から温度調節部TC2の配置位置までの部位の断面積を増大するようにしてもよい。図12に示すように、SCFの温度が上昇している部位、すなわちSCFの密度が低下している部位の全体に亘って断面積を増大すると、フィルタFFが設けられている部位を含むSCFの密度が低くなっている部位全体に亘って、SCFの流速の増大を抑制することができる。また、図11では、高圧配管26の断面積をステップ状に不連続に増大しているが、これに限られない。例えば図13に示すように、傾斜を持たせて、連続的に高圧配管26の断面積を増大するようにしてもよい。
また、上記各実施形態では、基板Wを1枚ずつ処理する枚葉方式の処理装置に対して本発明を適用しているが、複数枚の基板を同時に処理する、いわゆるバッチ方式の処理装置に対しても本発明を適用することができる。
本発明は、フィルタで濾過された高圧流体を用いて基板などの被処理体に表面処理を施す高圧処理装置および高圧処理方法に適用される。
1…圧力容器、2…高圧流体供給部(高圧流体供給手段)、3…薬液供給部(薬液供給手段)、11…処理チャンバー、13…圧力調整弁、26…高圧配管(メイン配管)、31…分岐配管(薬液用分岐配管)、41…分岐配管(洗浄用分岐配管)、100…コントローラ(洗浄制御手段)、A1…高圧配管の断面積(配管面積)、A2…高圧配管の断面積(濾過面積)、BP…分岐位置(薬液用分岐位置)、CP…分岐位置(洗浄用分岐位置)、FF…フィルタ、T1…処理温度、T2…濾過温度、TC1…温度調節部(加熱手段)、TC2…温度調節部(温度調節手段)、TC3…温度調節部、V2…開閉弁(分岐バルブ)、V3…開閉弁(メインバルブ)、v1,v2…SCFの流速、W…基板(被処理体)、ρ1…SCFの密度(処理密度)、ρ2…SCFの密度(濾過密度)
Claims (7)
- 高圧流体を用いて被処理体の表面に対して所定の表面処理を施すための処理チャンバーを内部に有する圧力容器と、
前記処理チャンバーに連通するメイン配管を介して前記処理チャンバーに前記高圧流体を供給する高圧流体供給手段と、
前記メイン配管の前記高圧流体供給手段と前記処理チャンバーとの間に介装され、前記高圧流体供給手段から前記処理チャンバーに供給される前記高圧流体を濾過するフィルタと、
前記フィルタの周囲または前記フィルタより前記高圧流体供給手段側に配置され、前記フィルタを通過する前記高圧流体の温度を前記表面処理実行時の前記処理チャンバー内の処理温度より高い濾過温度に保持する加熱手段と、
前記フィルタと前記処理チャンバーとの間に配置され、前記処理チャンバーに流入する前記高圧流体の温度を前記処理温度に低下させる温度調節手段と
を備えたことを特徴とする高圧処理装置。 - 前記温度調節手段と前記処理チャンバーとの間に設けられた薬液用分岐位置で前記メイン配管から分岐する薬液用分岐配管と、
前記薬液用分岐配管から前記薬液用分岐位置で前記メイン配管に流入し、前記処理チャンバーに所定の薬液を供給する薬液供給手段と
をさらに備え、
前記高圧流体供給手段から供給される前記高圧流体と前記薬液供給手段から供給される前記薬液とを混合した処理流体により、前記被処理体の表面に対して前記表面処理が施される請求項1記載の高圧処理装置。 - 前記フィルタと前記処理チャンバーとの間に設けられた洗浄用分岐位置で前記メイン配管から分岐する洗浄用分岐配管と、
前記洗浄用分岐配管に設けられた分岐バルブと、
前記メイン配管の前記洗浄用分岐位置と前記処理チャンバーとの間に介装されたメインバルブと、
前記加熱手段の動作を停止し、前記分岐バルブを開き、かつ、前記メインバルブを閉じた状態で、前記高圧流体供給手段から前記高圧流体を供給させて前記フィルタの洗浄を行う洗浄制御手段と
をさらに備えている請求項1または2記載の高圧処理装置。 - 前記メイン配管は、少なくとも前記フィルタが設けられている部位の断面積が他の部位の断面積に比べて大きくなるように、構成されている請求項1ないし3のいずれかに記載の高圧処理装置。
- 前記メイン配管は、前記加熱手段の配置位置から前記温度調節手段の配置位置までの断面積がそれ以外の部位の断面積に比べて大きくなるように、構成されている請求項4記載の高圧処理装置。
- 前記少なくともフィルタが設けられている部位の断面積を濾過面積とし、前記他の部位の断面積を配管面積とし、前記濾過温度における前記高圧流体の密度を濾過密度とし、前記処理温度における前記高圧流体の密度を処理密度としたとき、前記配管面積に対する前記濾過面積の比は、前記濾過密度に対する前記処理密度の比に対応している請求項4または5記載の高圧処理装置。
- フィルタにより濾過された高圧流体を圧力容器内に設けられた処理チャンバーに供給し、前記処理チャンバー内の被処理体の表面に対して所定の表面処理を施す高圧処理方法において、
前記フィルタを通過する前記高圧流体の温度を、前記表面処理実行時の前記処理チャンバー内の処理温度より高い濾過温度に一時的に保持するようにしたことを特徴とする高圧処理方法。
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- 2006-09-07 JP JP2006242281A patent/JP2008066495A/ja not_active Withdrawn
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