JP2013254906A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明では、基板を処理する処理容器と、基板の処理に使用する基板処理流体を所定の圧力で供給する流体供給源と、流体供給源から基板処理流体を昇圧させずに一定の圧力で処理容器に供給する定圧供給流路と、流体供給源から基板処理流体を昇圧機構で所定の圧力に昇圧して処理容器に供給する昇圧供給流路と、定圧供給流路と昇圧供給流路とを切換える制御手段とを有し、制御手段は、定圧供給流路から一定の圧力の基板処理流体を処理容器に供給し、処理容器の内部圧力が所定の圧力となった場合に、昇圧供給流路から昇圧した基板処理流体を処理容器に供給して、処理容器の内部圧力を上昇させるように制御することにした。
【選択図】図3
Description
7 基板
21 制御手段
22 処理容器
33 流体供給源
36 定圧供給流路
37 昇圧供給流路
42 昇圧機構
Claims (13)
- 基板を処理する処理容器と、
前記基板の処理に使用する基板処理流体を所定の圧力で供給する流体供給源と、
前記流体供給源から前記基板処理流体を昇圧させずに一定の圧力で前記処理容器に供給する定圧供給流路と、
前記流体供給源から前記基板処理流体を昇圧機構で所定の圧力に昇圧して前記処理容器に供給する昇圧供給流路と、
前記定圧供給流路と前記昇圧供給流路とを切換える制御手段と、
を有し、
前記制御手段は、前記定圧供給流路から一定の圧力の前記基板処理流体を前記処理容器に供給し、前記処理容器の内部圧力が所定の圧力となった場合に、前記昇圧供給流路から昇圧した前記基板処理流体を前記処理容器に供給して、前記処理容器の内部圧力を上昇させるように制御することを特徴とする基板処理装置。 - 前記処理容器は、前記基板の表面に付着した液体を前記基板処理流体で超臨界状態又は亜臨界状態に加圧した後に除去することによって前記基板の表面を乾燥処理し、
前記制御手段は、前記基板の表面に付着した液体が超臨界状態又は亜臨界状態となる圧力にまで前記処理容器の内部圧力を上昇させるように制御することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記処理容器は、前記基板の表面に付着した液体を超臨界状態又は亜臨界状態の前記基板処理流体に置換した後に除去することによって前記基板の表面を乾燥処理し、
前記制御手段は、前記基板処理流体が超臨界状態又は亜臨界状態となる圧力にまで前記処理容器の内部圧力を上昇させるように制御することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記昇圧機構は、前記基板処理流体を冷却して液体とする冷却器と、液体にした前記基板処理流体を所定の圧力に昇圧して圧送するポンプとを有する構成としたことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記昇圧機構は、前記基板処理流体を冷却して液体とする冷却器と、液体にした前記基板処理流体を密閉した状態で貯留する密閉容器と、前記密閉容器を加熱することで貯留した前記基板処理流体を所定の圧力に昇圧する加熱器とを有する構成としたことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記密閉容器は、内側容器の外周に外側容器を設けた二重構造としたことを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記密閉容器は、内部に酸化触媒を収容したことを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記定圧供給流路又は/及び前記昇圧供給流路に濾過器を設け、前記濾過器の上流側に加熱器を設けるとともに、前記濾過器の下流側の前記処理容器に接続された配管を断熱又は加熱したことを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれかに記載の基板処理装置。
- 所定の圧力で流体供給源から供給される基板処理流体を昇圧させずに一定の圧力で定圧供給流路から処理容器に供給し、前記処理容器の内部圧力が所定の圧力となった後に、前記流体供給源から供給される前記基板処理流体を昇圧機構で所定の圧力に昇圧して昇圧供給流路から前記処理容器に供給することで、前記処理容器の内部圧力を上昇させることを特徴とする基板処理方法。
- 前記処理容器の内部圧力は、前記処理容器に供給した前記基板処理流体の圧力によって前記基板の表面に付着した液体が超臨界状態又は亜臨界状態となる圧力とし、
前記基板の表面に付着した液体を前記基板処理流体で超臨界状態又は亜臨界状態に加圧した後に除去することによって前記基板の表面を乾燥処理することを特徴とする請求項9に記載の基板処理方法。 - 前記処理容器の内部圧力は、前記基板処理流体が超臨界状態又は亜臨界状態となる圧力とし、
前記基板の表面に付着した液体を超臨界状態又は亜臨界状態の前記基板処理流体に置換した後に除去することによって前記基板の表面を乾燥処理することを特徴とする請求項9に記載の基板処理方法。 - 前記昇圧機構は、前記基板処理流体を冷却して液体とした後に密閉容器に密閉した状態で貯留し、貯留した前記基板処理流体を加熱することで所定の圧力に昇圧させることを特徴とする請求項10又は請求項11に記載の基板処理方法。
- 前記定圧供給流路又は/及び前記昇圧供給流路に濾過器を設け、前記濾過器の上流側に加熱器を設けるとともに、前記濾過器の下流側の前記処理容器に接続された配管を断熱又は加熱することを特徴とする請求項9〜請求項12のいずれかに記載の基板処理方法。
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