JP2008084890A - 超臨界流体処理方法及び処理装置 - Google Patents
超臨界流体処理方法及び処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008084890A JP2008084890A JP2006259730A JP2006259730A JP2008084890A JP 2008084890 A JP2008084890 A JP 2008084890A JP 2006259730 A JP2006259730 A JP 2006259730A JP 2006259730 A JP2006259730 A JP 2006259730A JP 2008084890 A JP2008084890 A JP 2008084890A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing chamber
- supercritical fluid
- chamber
- internal processing
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
【課題】二重構造の基板処理チャンバーを利用して、内部チャンバーの内と外に圧力バランスの制御が容易に行えるようにした、超臨界流体処理方法、及び超臨界流体処理装置を提供するものである。
【解決手段】内部処理チャンバー42と外部チャンバー43とからなる二重構造の基板処理チャンバー141の、該内部処理チャンバー42内に被処理ウェーハ47を配置し、内部処理チャンバー42と外部チャンバー43との間の空間部53に循環用液体を供給し、内部処理チャンバー42に超臨界流体70を供給して、被処理ウェーハ47に対する処理を行う
【選択図】図2
【解決手段】内部処理チャンバー42と外部チャンバー43とからなる二重構造の基板処理チャンバー141の、該内部処理チャンバー42内に被処理ウェーハ47を配置し、内部処理チャンバー42と外部チャンバー43との間の空間部53に循環用液体を供給し、内部処理チャンバー42に超臨界流体70を供給して、被処理ウェーハ47に対する処理を行う
【選択図】図2
Description
本発明は、超臨界流体を媒体として用いて、洗浄処理、エッチング、レジスト剥離、抽出などの処理を行う超臨界流体処理方法、及びその処理方法を実施する処理装置に関し、更に詳細には、超臨界流体を処理媒体として用いて、電子基板に付着している微粒子、フォトレジスト膜、金属膜、絶縁膜を効率よく除去できる処理方法、及び処理装置に関する。
近年、従来のウェットプロセスや真空ドライプロセスに代わり、超臨界流体を用いて半導体基板を処理することが提案されている。超臨界流体とは、臨界温度及び臨界圧力と呼ばれるそれぞれの物質に固有の値以上の温度と圧力のもとで各物質が存在する状態相の流体である。超臨界状態では、物質は、他の液体や固体に対する溶解力がその物質の液体状態とほぼ同等であるにもかかわらず、その粘度や密度がその物質の液体状態に比べて著しく小さく、拡散係数が極めて大きいという特異な性質を有している。つまり、気体の性質を持った液体と言える。
使用される超臨界流体は一般に、超臨界流体としては、二酸化炭素(CO2)、アンモニア、水、アルコール類、低分子量の脂肪族飽和炭化水素類、ベンゼン、ジエチルエーテルなど超臨界状態となることが確認されている多くの物質を利用することができる。これらの中で、超臨界温度が31.3℃と室温に近いCO2は、取り扱いが容易であること、また、被処理体を高温に曝すことなく処理できることなどの理由から、最も使用されている物質である。
前述したように、常温近くで超臨界状態となるCO2であるが、その臨界圧力は非常に高く約7.3[MPa](約74気圧)であり、これを利用し処理を行うためのチャンバーは高圧に耐え得るものが必要であった。
一般に超臨界流体は高圧状態で形成されるため、前述したように、一般的に高圧に耐え得る装置設計、部品、材質の選定が必要となる。具体的には、例えば基板洗浄チャンバーであれば、材質は厚みのある金属を使用することになり、図8で示されたような構造となるのが一般的である。この超臨界洗浄装置では、基板洗浄チャンバー1が厚い金属部材により堅牢に形成され、内部にヒータ2が埋め込まれて構成される。チャンバー1内には、回転軸3に取り付けられたターンテーブル4が配置され、このターンテーブル4上に処理される基板5が載置、固定される。超臨界CO2はチャンバー1の上面を貫通する配管6を通してチャンバー1内に導入さ、回転軸3の中心孔を通して気液分離槽へ排出されるようになされる。
また、特許文献1には二重構造を有する超臨界洗浄チャンバーが提案されている。この超臨界洗浄装置は、半導体基板を洗浄するチャンバーが外槽と内槽の二重構造となっており、半導体基板が金属汚染することを防止するために内槽のチャンバーが非金属製となっている。この二重構造のチャンバーは、非金属性の内槽と外槽との間に形成される隙間に、内槽の内部に供給する超臨界流体と同じ圧力の超臨界流体を圧力調整して流す事により圧力の均衡を保ち内槽の破損を防ぐようにしている。
特許文献2には、同じく二重構造を有する超臨界洗浄チャンバーが提案されている。このチャンバーは、外槽と内槽から成り、内槽内部と、外槽及び内槽間で形成される隙間との圧力差制御を、内槽の下流に超臨界流体の通過口(流路)を設けて行っている。上記内槽内と隙間に流れる超臨界流体に圧力差が生じるときは、通過口を通って超臨界流体が自由に出入りし、上記内槽内と隙間との間の圧力差を緩和するようにしている。
ところで基板を超臨界流体で処理する場合は、前記基板に付着している、洗浄・除去対象物がプロセスに応じてレジスト、パーティクル、酸化膜エッチングなど物質が異なってくるため、目的に応じてチャンバー本体、超臨界流体の細かな温度、圧力調整が必要となる。しかしながら、図8で述べたような厚みのある金属部材で構成した洗浄チャンバーを使用すると、高圧力には耐えるものの、熱容量が非常に大きくヒータによる加熱の温度追従性や、冷却器による温度低下にかかる所要時間が非常に大きくなってしまう。
特許文献1のチャンバーは、この問題を解決するために提案された。しかしながら、この方法は、前述した両者の超臨界流体の圧力を正確に調節する必要があるため、温度が変化することによって急激に大きく体積を変える超臨界流体では高度な圧力検出方法が必要となる。特許文献2のチャンバーは、二重構造の圧力調整の欠点を解決するために提案された。しかし圧力制御に異常が生じ、例えば内槽内部を流れる超臨界流体の圧力が、内槽及び外槽間の隙間を流れる超臨界流体圧力よりも著しく低下した場合には、超臨界流体が被処理基板まで逆流してしまう可能性がある。
特許文献1,2は、いずれも内槽の内部と、内槽と外槽との間に形成された隙間に流す超臨界流体の圧力調整を行う必要があるが、プロセス中に圧力変化が起きるため独立した2つの槽の圧力を同じ値に制御する事は困難である。
本発明は、上述に点に鑑み、二重構造の基板処理チャンバーを利用して、内部チャンバーの内と外を流れる流体の経路を独立させ、さらに先述の2つの流路の流体の圧力差によって発生する内部チャンバーの破損を防ぐ事を目的とした超臨界流体処理方法、及び超臨界流体処理装置を提供するものである。
本発明に係る超臨界流体処理方法は、内部処理チャンバーと外部チャンバーとからなる二重構造の基板処理チャンバーの、内部処理チャンバー内に被処理ウェーハを配置し、内部処理チャンバーと前記外部チャンバーとの間の空間部に温度、圧力の変化に対して体積変化が少ない循環用液体を供給し、内部処理チャンバーに超臨界流体を供給して、前記被処理ウェーハに対する処理を行うことを特徴とする。
本発明の超臨界流体処理方法では、被処理ウェーハに対する処理時に、内部処理チャンバーと前記外部チャンバーとの間の空間部に循環用液体を供給して行うようにしている。循環用液体は圧力変化に対して体積変化が極めて小さいので、内部処理チャンバー内の超臨界流体の圧力で循環用液体が体積変化することがなく、内部処理チャンバーはその体積、形状を維持する。二重構造の基板処理チャンバーを用いるので、被処理ウェーハに対する金属汚染が回避される。
本発明に係る超臨界流体処理装置は、被処理ウェーハを配置する内部処理チャンバーと、外部チャンバーとからなる二重構造の基板処理チャンバーを有し、内部処理チャンバーと外部チャンバーとの間の空間部に循環用液体を供給し、内部処理チャンバーに超臨界流体を供給して成ることを特徴とする。
本発明の超臨界流体処理装置では、被処理ウェーハに対する処理時に、内部処理チャンバーと前記外部チャンバーとの間の空間部に循環用液体が供給されるので、上記と同じ循環用液体の作用で、内部処理チャンバーの内と外の圧力バランスの制御が容易になる。二重構造の基板処理チャンバーを用いるので、被処理ウェーハに対する金属汚染が回避される。
本発明に係る超臨界流体処理方法、及び超臨界流体処理装置によれば、二重構造の基板処理チャンバーにおける内部処理チャンバーの内と外の圧力バランスの制御を容易にすることができ、内部処理チャンバーの変形、破損を容易に回避することができる。また、二重構造の基板処理チャンバーを用いることにより、被処理ウェーハに対する金属汚染を回避することができる。
本発明に係る超臨界流体処理方法及び処理装置の実施の形態は、特に基板処理チャンバーの構成に特徴を有する。本実施の形態に係わる基板処理チャンバー、すなわち基板処理複合チャンバーは、処理時に被処理ウェーハ、例えば半導体基板を設置する内部処理チャンバーと、この内部処理チャンバーを取り囲むように設置され、かつ超臨界流体による処理時の圧力にも耐え得る堅牢な部材で製作された外部チャンバー(耐圧容器)とからなる二重構造に構成される。また内部処理チャンバーは、熱伝導性の良くかつ熱容量の小さい部材で製作されたチャンバー壁、その外部を取り囲むように貼り付けられたヒータ、さらにヒータを取り囲むように貼り付けられたヒータ容器の3つの部品から構成される。外部チャンバーには圧縮性の低い物質からなる循環用液体を流入するための循環経路が外部チャンバーを貫く形状で設けられている。循環用配管を通して流入した循環用液体は、外部チャンバーと内部処理チャンバーとの間に形成した空間部、いわゆるチャンバー内液体流路を通り、外部チャンバーを貫く形状で循環用配管に排出して循環するようになされる。
ここで、循環経路は、送液ポンプ、チャンバー内液体流路、温度調節器を通り、さらにそれらを接続する配管を含めたものである。循環用液体は、圧縮性の低い液体を使用し、かつそれは脱気装置を通過させて、内部に含まれる空気やその他ガスを取り除かれたものを使用する。さらに循環用液体は、循環経路内と、充填用バルブから循環経路、循環経路から排水バルブの配管内に気泡が一切に残らない状態で充填することを特徴としている。また充填終了後は充填用バルブ、排水バルブの両方を閉じ、循環用液体は循環経路内で完全に密閉され循環経路の外部には一切排出されない。なお、循環用液体は、常圧で循環経路内に封入し加圧・減圧などの圧力制御は一切行わない。
上記の方法で循環経路内に循環用液体を完全に満たした状態で、被処理ウェーハが設置された内部処理チャンバー内に超臨界流体が導入される。超臨界流体が内部処理チャンバー内に導入されると、内部処理チャンバーは超臨界流体の圧力によってその体積を膨張させようとする。しかしながら、内部処理チャンバーはその周辺を取り囲んでいる圧縮性の低い液体のため、体積膨張や変形、破裂などをすること無くその形状を維持する。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細説明する。
本発明の実施の形態に係る超臨界流体処理方法及び超臨界流体処理装置は、例えばバッチ式、枚葉式、その他のあらゆる形態で利用できる。以下の本実施の形態では、枚葉式の処理方法及び処理装置について説明する。
図1に、本発明に係る超臨界流体処理装置の実施の形態の概略構成を示す。本実施の形態に係る超臨界流体処理装置11は、超臨界流体の原料を供給する原料供給システム12と、必要に応じて超臨界流体に溶解させる溶質(いわゆる薬液など)を供給する溶質供給ユニット13と、被処理基板を処理する基板処理チャンバ−14とを備えて成る。超臨界流体としては、二酸化炭素、水、アルコール類、低分子量の脂肪族飽和炭化水素類、ベンゼン、ジエチルエーテルなど、多くの物質を利用することができる。
本例では超臨界流体として超臨界二酸化炭素を用いる。従って、原料供給システム12では、例えば液化二酸化炭素を供給するCO2供給システムとする。溶質供給ユニット13は、本例では第1の溶質(薬液)を収容した第1溶質タンク15と、第2の溶質(薬液)を収容した第2溶質タンク16を有して構成される。
CO2供給システム12から基板処理チャンバー14へは、超臨界流体、すなわち超臨界CO2を供給するための主配管17が設けられる。この配管17の途上には、CO2供給システム12側から順に、バルブ21、冷却器22、昇圧ポンプ23、バルブ24及び加熱器25が配設される。
また、溶質供給ユニット13では、第1溶質タンク15から溶質用配管18が設けられ、この配管18は上記加熱器25の後段側の主配管17に合流される。溶質用配管18の途上には、タンク15側から順に昇圧ポンプ26、バルブ27が配設される。また、第2溶質タンク16から溶質用配管19が設けられ、この配管19は上記バルブ27の後段の溶質用配管18に合流される。溶質用配管19の途上には、タンク16側から順に昇圧ポンプ28、バルブ29が配設される。
一方、基板処理チャンバー14の排出側には排出用配管31が設けられる。排出用配管31は圧力調整弁32、加熱器33を介して気液分離・溶質回収ユニット34に連結される。この気液分離・溶質回収ユニット34は気液分離槽35、バルブ37及び溶質回収タンク36を有して構成される。さらに、気液分離槽35は、配管38を介してCO2ガスを回収するCO2回収システム39に連結される。なお、図示しないが、基板処理チャンバー14へ被処理基板を搬送する搬送機構が備えられている。
この超臨界流体処理装置11では、CO2供給システム12から供給された二酸化炭素がバルブ21を通して冷却器22で冷却され液体CO2となり、昇圧ポンプ23に到達し臨界圧力以上に加圧される。その後、バルブ24を通り加熱器25を通過する差異に超臨界温度以上に加熱され超臨界流体、いわゆる超臨界CO2となる。一方、処理に応じた溶質(薬液)が超臨界CO2に混合される。すなわち、第1溶質タンク15の第1溶質、及び第2溶質タンク16の第2溶質がそれぞれ昇圧ポンプ26、28に昇圧され、それぞれバルブ27、29を通って主配管17の超臨界CO2に混合される。この溶質が混合され溶解された超臨界CO2が基板処理チャンバー14に供給され、基板処理チャンバー14内に配置された被処理基板を処理する。
処理後の混合された超臨界CO2は、排出用配管31から排出され、圧力調整弁32、加熱器33を通して気液分離・溶質回収ユニット34に送られる。気液分離槽35で気液分離され、分離された一方の溶質はバルブを通して溶質回収タンク36に回収される。分離された他方のCO2ガスは配管38を通してCO2回収システム39に回収される。
本実施の形態の超臨界流体処理装置11を洗浄装置として用いるときは、溶質供給ユニット13からはエッチング剤、相溶剤、洗浄剤等(これらを総称して洗浄剤という)が供給される。この洗浄剤が混合された超臨界CO2が基板処理チャンバー14に供給され、被処理基板に対する洗浄処理が行われる。気液分離・溶質回収ユニット34は気液分離・洗浄液回収ユニットとなり、回収タンク36に洗浄剤が回収されることになる。
本実施の形態では、基板処理チャンバー14の構成に特徴がある。次に、この基板処理チャンバーの実施の形態を説明する。
図2に、本発明に係る基板処理チャンバー、すなわち基板処理複合チャンバーの第1実施の形態を示す。同図は基板処理チャンバーとその周辺部を示す模式的構成図である。本実施の形態に係る基板処理チャンバー141は、図1の基板処理チャンバー14の位置に設置される。本実施の形態の基板処理チャンバー141は、処理時に被処理ウェーハ、例えば半導体基板を設置する内部処理チャンバー42と、この内部処理チャンバー42を取り囲むように設置した耐圧容器、すなわち外部チャンバー43とからなる二重構造で構成される。外部チャンバー43は、超臨界流体処理時の圧力にも耐え得る堅牢な部材、例えば金属等の堅牢部材で形成される。内部処理チャンバー42は、熱伝導性が良くかつ熱容量の少ない部材で形成されたチャンバー壁44と、チャンバー壁44の外面を取り囲むように設置されたヒータ45と、ヒータ45の外面を取り囲むように設置したヒータカバー46とから構成される。
ヒータ45は、内部処理チャンバー42の内部に熱を伝え易くするためにチャンバー壁44の外周に貼り付けられる。ヒータカバー46は、ヒータ45が後述する循環用液体によって劣化されないことを目的にヒータ45の外周に貼り付けられる。チャンバー壁44は、被処理ウェーハの処理時に超臨界流体70を介して被処理ウェーハと接触するため、金属汚染を避けることを目的として、内部を保護部材例えばテフロン(登録商標)等でコーティングして保護膜を形成して置くことが好ましい。内部処理チャンバー42としては、例えば樹脂系材料、例えば薬液に強いテフロン(登録商標)系のPFA,PTFEなどで形成することができる。
内部処理チャンバー42の内部には、処理すべきウェーハ、すなわち被処理ウェーハ47を載置するステージ(いわゆるターンテーブル)48が配置される。このステージ48は、回転軸49を中心に回転可能に配置される。超臨界流体70を供給する主配管17は、外部チャンバー43及び内部処理チャンバー42の上側壁を貫通して内部処理チャンバー42の内部に導入される。ステージ48の回転軸49は、その軸カバー50と共に、内部処理チャンバー42及び外部チャンバー43の下側壁を貫通して外部に導出される。回転軸49は、回転駆動部例えばモータに連結される。回転軸49は中心孔51を有し、この中心孔51が超臨界流体の排出用配管31(図1参照)に連通するようになされる。従って、主配管17を通して内部処理チャンバー42に供給された超臨界流体70は、回転軸49の中心孔51を通して排出用配管31から排出される。
一方、外部チャンバー43と内部処理チャンバー42との間の密閉された空間部53に連通して、空間部53内に後述する循環用液体60を供給するための液体循環用配管54が設置される。液体循環用配管54は、外部チャンバー43の相対向する両側壁を貫通して空間部53内に連通するように配置される。配管54の途上には、送液ポンプ55、必要に応じて空間部53内に供給する液体の温度を調節するための温度調節器56が配置される。さらに、配管54から第1分岐配管57、第2分岐配管58が分岐される。第1分岐配管57は、液体60を供給する液体供給用配管となり、充填バルブ61、脱気装置62が設置されている。第2分岐配管58は、液体60の排出用配管となり、排水バルブ63が設置されている。なお、図示しないが循環用配管54の一部に気泡抜き配管が備えられる。なお、配管54、57、58の断面形状は、材料調達などを考慮すると、円形が好ましいが、楕円系、多角形などでも良い。
チャンバーの空間部53に供給する循環用液体60は、温度、圧力変化による体積変化が少ない液体を使用する。この液体60としては、例えば水、油等を用いることができる。
内部処理チャンバー42の内側面、つまりチャンバー壁44の被処理ウェーハ47及びステージ48に対面する内壁面は、ラウンド形状に形成される。すなわち、チャンバー壁44は、上下側内面が中央部から左右両端に向ってなだらかな凸状曲面をなし、左右両端付近で流線型となるように形成される。チャンバー壁44の内面をラウンド形状とすることにより、処理時に超臨界流体70が回転する被処理ウェーハ47の中心部から周囲部に向って加速されても一様な圧力と流れを保ことができる。さらに、内部処理チャンバー42の外側面も循環用液体60が滑らかに流れるように内側面のラウンド形状に沿うようにラウンド形状に形成される。内部処理チャンバー42の外側面をラウンド形状とすることにより、チャンバーの空間部53に循環用液体60を導入して流したとき、内部処理チャンバー42の表面全体を滑らかに正常に液体60を流すことができる。
内部処理チャンバー42の内側面と外側面とは同じ曲率で形成してよく、あるいは上記したように目的が異なるため曲率を異ならしてもよい。内部処理チャンバー42は、立方体や直方体、その他の形状であっても構わない。被処理ウェーハ47を保持するステージ48は、所要回転数、例えば400rpm以上、好ましくは500rpm以上で回転させる。超臨界流体は、所要の流量、例えば液体換算で1/min以上の流量で流入して基板処理するようになされる。
第1実施の形態に係る基板処理チャンバー141では、内部処理チャンバー42内のターンテーブル48上に配置された被処理ウェーハ47に対する処理時には、基板処理チャンバー42の空間部53内に配管54を通して液体60が導入され循環され、その状態で主配管17を通して内部処理チャンバー42内に超臨界流体70が供給される。本例では、液体60は常温、常圧(1気圧)で供給される。液体60を常温、常圧で供給するときは、温度調節器56の設置を省略するか、設置されている場合は常温に調節される。内部処理チャンバー42内に供給された超臨界流体70は、被処理ウェーハ47表面の中心付近の上部から被処理ウェーハ47表面に供給され、回転する被処理ウェーハ47の遠心力によって周辺方向に一様な流れを保ちながら被処理ウェーハ47の表面を処理し、被処理ウェーハ47の裏面に回り込み、回転軸49の中心孔51を通して基板処理チャンバー141の外に排出される。
循環用液体60は、循環用配管54への導入時に、脱気装置62により液体60の内部に取り込まれている溶存ガスを取り除いて充填用バルブ61を通して循環用配管54へ供給される。液体60の供給時は、配管54内への液体60の充填を迅速に行うことを目的として、気泡抜き配管(図示せず)に備えられたバルブを開放する。液体60の供給が完了した液体60は、温度調節器56、送液ポンプ、基板処理チャンバー141の空間部53の順に循環する。循環用液体60は、空間部53及び循環用配管54内を完全に満たした状態で循環される。液体60の循環時には、第1分岐配管57の充填バルブ61、第2分岐配管58の排水バルブ63、さらに図示しない気泡抜き配管のバルブは閉じられる。
ここで、循環用配管54内を流れる液体60の温度は、温度調節器56により一定に保たれる。被処理ウェーハ47の処理後、ウェーハ47の取出しの際は、第2分岐配管58の排水バルブ63を開放し、循環用配管54に封入された液体60を排出する。
液体60は、常温、常圧で空間部53及び循環用配管54内に気泡の無い状態で封入され循環される。このとき、この液体60との内部処理チャンバー42内の内部温度との温度差で、超臨界流体の温度が影響されないように、ヒータ45により内部処理チャンバー42の内部温度が制御され、超臨界流体の温度が補償される。すなわち、超臨界流体の温度が維持される。
第1実施の形態に係る基板処理チャンバー141を備えた超臨界流体処理装置、及びこの超臨界流体処理装置を用いた処理方法によれば、基板処理チャンバーが二重構造をなし、堅牢な外部チャンバー43により高圧に耐えると共に、内部処理チャンバー42が金属汚染を与えない材料にて形成されているために、金属汚染されることなく、被処理ウェーハ47に対して良好に超臨界流体処理を行うことができる。
そして、外部チャンバー43と内部処理チャンバー42との間の空間部53に循環用配管54を介して圧力が変化しても体積変化が極めて少ない液体60を循環させることにより、超臨界流体の高圧力(超臨界圧力)によっても密封された液体60が体積変化することがなく、変化したとしても無視できる程度であり、内部処理チャンバー42の内と外の圧力が均衡し、内部処理チャンバー42の形状、大きさを維持できる。すなわち、液体60を流すことで、圧力調整機構を設けることなく、圧力制御がなされ、内部処理チャンバー42の内と外の圧力均衡が得られ、内部チャンバー42の変形、あるいは破壊に至ることを回避することができる。
また、内部処理チャンバー42にヒータ45が設けられ、このヒータ45でチャンバー壁44の温度を制御することにより、常温の循環用液体60によるチャンバー壁44の温度低下による内部処理チャンバー42内の超臨界流体の温度変化を防ぐことができる。すなわち、ヒータ45を備えることにより、超臨界流体の超臨界温度を維持することができる。
ここで、内部処理チャンバー42の形状をラウンド形状とした理由を説明する。図6は、断面形状が四角形状であって、被処理ウェーハ102とチャンバーの天井部101が平行である処理チャンバー100を示す。被処理ウェーハ102の中央部に上部から超臨界流体を供給し、被処理ウェーハ102を回転しながら処理する場合を、シミュレーションにより解析する。なお、被処理ウェーハとして半導体基板のサイズ8インチ、基板回転数1000rpm,半導体基板102と処理チャンバーの天井101との間の空隙0.5nm、超臨界流体の圧力150気圧、超臨界流体流量3L/min、温度323Kとする。基板中心付近では、超臨界流体について、エッジ部に向かう流れのみが存在する。基板エッジ部では、超臨界流体について、基板付近のエッジ部に向かう流れとチャンバー天井101付近の基板中心の方向に向かう流れが発生する。この現象が発生する原因は、次のように考えられる。基板回転中心に供給される超臨界流体は、回転する基板表面によって引きずられるため、円周方向に向かって進につれて徐々に速度を増す。従って、エッジ部に達したときに速度は最も速くなり、更に、この現象はエッジ部全てで発生する。
ここで、処理チャンバー100へ供給される超臨界流体流量をA、エッジ部を基板回転中心から円周方向に向かって流れる超臨界流体流量をBとした場合、B>Aの状態となったときに、チャンバー天井101付近に負圧の領域が発生し、負圧部を補正するために逆流が発生する。基板が回転していない場合、逆流現象は発生しない。また、基板の回転数が高くなるほど逆流は顕著になり、基板表面に近い部分ほど流れが速くなる。
この考えに基づけば、エッジ部の流速を高速に保ったまま、例えば、洗浄処理におけるパーティクル除去効果を低下させないようにするためには、流量がA>Bになれば良いことになる。これを達成するためには、基板エッジ部とチャンバー天井との間の空隙103が形成する超臨界流路の断面積を小さくすることが理想的な形状となる。
ところで、図6の処理チャンバー100で、基板102とチャンバー天井101が平行な形状でエッジ部の断面積を小さくするには、単に空隙103を狭める方法も考えられるが、超臨界流体供給配管から排出された流体は断面積の小さい部分で直角に曲がることになり流体抵抗が非常に大きくなり好ましくない。このような理由で、内部処理チャンバー42の最適形状は、チャンバーへの流体供給部分は空隙103を大きくとり(断面積を大きくし)、かつ基板エッジ部の断面積が狭くなる形状である。図7に示す本実施の形態の内部処理チャンバー42のラウンド形状はこの最適形状に合った形状である。
次に、図1及び図2の第1実施の形態に係る基板処理チャンバー141を備えた超臨界流体処理装置11を用いて、本発明に係る超臨界流体処理方法の実施の形態を説明する。本例では、処理装置11を用いて被処理ウェーハとして、例えば半導体基板を洗浄する洗浄方法について説明する。
先ず、洗浄処理(あるいは乾燥処理)を施す半導体基板37を内部処理チャンバー(本例では洗浄チャンバーとなる)42内のステージ48上に固定した後、蓋を閉めて内部処理チャンバー42を密閉状態とし、次いで耐圧容器である外部チャンバー43を取付ける。
次に、充填用バルブ61を開き、脱気された循環用液体60、本例では水を循環用配管54及び基板処理チャンバー141の空間部53に完全に満たす。このとき、図示しない気泡抜き配管から、循環用配管54内に存在する気体(例えば空気等)を排出し、循環用配管54内を気泡の存在しない状態とする。
次に、充填用バルブ61を閉めて送液ポンプ55を稼働し循環用液体60の循環を始める。
CO2供給システム12から供給したCO2を昇圧ポンプ23により7.3MPa以上に加圧し、加熱器25で31.1℃以上に加熱し、超臨界CO2に移行する。
次に、溶質供給ユニット13を洗浄供給ユニットとして、この洗浄供給ユニット13の第1溶質タンク15、第2溶質タンク16から必要に応じて洗浄剤を供給し、昇圧ポンプ26、28により7.3MPa以上に加圧して主配管17に圧入し、超臨界CO2に混合する。例えば、超臨界CO2に洗浄剤を0.5〜20重量%の割合で混合する。これらの洗浄剤は、一般に、CO2より臨界温度及び臨界圧力が高いため、超臨界CO2との混合流体の臨界温度及び臨界圧力は、CO2の臨界温度及び臨界圧力より高くなる。このため、洗浄剤が超臨界CO2に良く溶解するように、内部処理チャンバー42の温度、圧力を高い所要の温度、圧力に保持することが望ましい。例えば40℃、10MPa以上に、高く保持することが望ましい。
洗浄剤が混合された超臨界CO2は、図2に示すように、内部処理チャンバー42に上部から半導体基板37の中心部に供給され、半導体基板37の下部から回転軸49の中心孔51を通して排出される。この洗浄工程時の処理流体、すなわち超臨界CO2の温度制御は温度制御装置付き加熱手段(図1の加熱器25)により行われる。この時内部処理チャンバー42の内部圧力が所定圧力以上になると、圧力調整弁32が開き(すなわち弁32の開度が大きくなり)、洗浄剤を含む超臨界CO2が加熱器33を経由して気液分離・溶質回収ユニット、本例では気液分離・洗浄剤回収ユニット34に排出される。
このように、内部処理チャンバー42内に充填された超臨界CO2を適宜排出することにより、内部処理チャンバー42内の圧力、温度を一定に保つ。圧力調整弁32で断熱膨張した超臨界CO2は、圧力が気液分離槽35内で大気圧に戻ることにより、洗浄液が排出液として回収される。また、除去されたパーティクルは、洗浄液に溶解して、又は同伴されて、溶質回収タンク、本例では洗浄剤回収タンク36に蓄積される。
一方、気体として外出されたCO2ガスは、CO2回収システム39で回収される。回収された排出液やCO2ガスは、利用できる状態に再生して再利用することもできる。内部処理チャンバー42内では、超臨界CO2の流れによりパーティクルなどのチャンバー内壁表面に付着した不純物を除去する。また、この時、内部処理チャンバー42に備えられたヒータ45を適宜制御してチャンバー壁44の温度調節を行う。さらにヒータ45の使用によって加熱された循環用液体60を冷却するために、温度調節器56を稼働し循環液体60の温度変化を防止することもできる。
洗浄処理が終了したら、超臨界CO2に半導体基板37を浸漬したままで、洗浄剤を含まない超臨界CO2を供給してリンス処理を行う。
リンス用の超臨界CO2を排出しながら常圧まで減圧する。
減圧終了後、半導体基板37を取出す。これで、半導体基板37に対する洗浄処理を完了する。
次に、本発明に係る基板処理チャンバー、すなわち基板処理複合チャンバーの第2実施の形態を説明する。本発明実施の形態に係る基板処理チャンバーは、図3に示したヒータ45を省略し、内部処理チャンバー42をチャンバー壁44のみで構成する。この場合、処理時の内部処理チャンバー42の温度制御は、空間部53(いわゆる液体流路)内を流れる循環用液体60によって行うようになす。なお、液体60の温度制御は、循環用配管54に図2の温度調節器56を設置してこの温度調節器56で行う。このとき、温度調節器56からチャンバーの空間部53まで送液される間に液体60に温度変化が発生しないように、循環用配管54の外部に保温材を巻回することが好ましい。また、温度調節効果を高めるために、温度調節器56は基板処理チャンバーに近接する位置でかつ送液方向の上流に設置しても良い。
また、循環用液体60の流量は、10〜20L/min程度が好ましい。その理由としては、耐圧容器である外部チャンバー43は、熱容量が大きい構造となっているため、流量が少なすぎると温度調節器56により温度変化させた液体60が、外部チャンバー43との温度差により温度変化してしまい、それが内部処理チャンバー42のチャンバー壁44に伝わってしまうからである。また、液体60の温度変化の影響をさらに低減するために外部チャンバー43の内面側(液体流路側)の面に熱伝導性が低い材質(例えば樹脂材など)を取付けても良い。さらに、循環用配管54全体の温度調節を素早く行う目的として循環用液体60の総量を少なくすることが好ましい。
第2実施の形態に係る基板処理チャンバーを備えた超臨界流体処理装置、及びこの基板処理チャンバーを用いた超臨界流体処理方法によれば、温度調整器56により循環用液体60の温度を制御し、この循環用液体60の温度で内部処理チャンバー42の温度を制御することにより、内部処理チャンバー42内の超臨界流体の温度を維持することができる。これにより、循環用液体60による内部処理チャンバー42内の超臨界流体の温度変化を防ぎ、良好な処理を行うことができる。その他の、内部処理チャンバー42により金属汚染を防止できること、循環用液体60により、内部処理チャンバー42の内と外の圧力均衡を維持して、超臨界流体による処理時の超臨界流体圧力による内部処理チャンバー42の変形、破損を防止できること等、第1実施の形態と同様の効果を奏する。
図3に、本発明に係る基板処理チャンバー、すなわち基板処理複合チャンバーの第3実施の形態を示す。図3Aは図2と同様の側面図、図3B、図3Cは図3AのA−A断面図である。本実施の形態に係る基板処理チャンバー142は、図3Bに示すように、内部処理チャンバー44に、これから空間部(液体流路)53に向って空間部53内の液体60の流れを妨げない状態で、1つ、あるいは複数、本例では複数のフィン73を一体に形成して構成される。すなわち、フィン73は、液体60の流れの方向になるべく平行になるように配置される。この例では、複数のフィン73はその先端が外部チャンバー43に接触しないように形成される。
このフィン73は、温度調節器56によって温度調節された循環用液体60をより大きな面積で接触させるために備えられる。フィン73の材質は、熱伝導率の高い材料、例えば金属等とすることができる。
図3Cの例では、フィン73がさらに大きく形成され、その大きさは外部チャンバー43の内面に接触される大きさである。なお、外部チャンバー43は温度追従性が悪く、チャンバー壁44の温度調整効果を低下させてしまうため、外部チャンバー43とフィン73との接触部分に断熱部材を設けるようにしても良い。さらに、隣り合うフィン73間を連結する連結フィン74を設けても良い。連結フィン74は隣り合うフィン73間に1つ、あるいは複数設けても良い。
図3の内部処理チャンバー421は、ヒータ45、ヒータカバー46(図2参照)が省略され、チャンバー壁44のみで形成される。その他の構成は、図2で説明したと同様であるので、詳細説明は省略する。
第3実施の形態に係る基板処理チャンバー142を備えた超臨界流体処理装置、及びこの超臨界流体処理装置を用いた超臨界流体処理方法によれば、温度調節器56によって循環用液体60の温度が制御され、その液体60の温度をフィン73が受けることにより、内部処理チャンバー42すなわちそのチャンバー壁44の温度制御が行われる。このように、チャンバー壁44の温度制御がフィン73により行われるので、内部処理チャンバー42内の超臨界流体の温度を維持することができる。また、ヒータ45を省略することができる。その他の、内部処理チャンバー42により金属汚染を防止できること、循環用液体60により、内部処理チャンバー42の内と外の圧力バランス(圧力均衡)を維持して、超臨界流体による処理時の超臨界流体圧力による内部処理チャンバー42の変形、破損を防止できること等、第1実施の形態と同様の効果を奏する。
図4に、本発明に係る基板処理チャンバー、すなわち基板処理複合チャンバーの第4実施の形態を示す。本実施の形態は、循環用液体60の圧力変化による体積変化が大きい物質を使用した際に必要となる機構を備えて成る。この機構の意図するところは、圧力により循環用液体60が圧縮され体積収縮する際に体積補正を行うものである。この機構は、液体60の体積補正により内部処理チャンバー42を変形しないように内部処理チャンバー42の内と外との圧力均衡を維持するための圧力調整機構にもなる。
内部処理チャンバー42内に高圧状態の超臨界流体を供給する場合、内部処理チャンバー42内の体積は膨張し、やがては破損してしまう。本実施の形態では、これを避けるために循環用液体60に圧縮性の低い物質を使用することを前提としているが、循環用液体の粘性や比熱などの特性を優先する場合には圧力による圧縮性のある物質の使用が避けられないことがある。その場合に本実施の形態が必要になる。
また、循環用液体として例えば水を使用した場合、本発明者は、100気圧程度以上の高圧を受けると循環用液体の水が内部チャンバーの破損を引き起こす程の体積変化を生じることを検証した。超臨界流体処理においては、その処理に応じて超臨界流体の圧力をより高圧にする必要がある。例えば、超臨界CO2を用いたレジスト膜の剥離処理では超臨界流体の圧力が250気圧以上で処理を行う事がある。このような処理では、本実施の形態の基板処理チャンバーが適する。
第4本実施の形態に係る基板処理チャンバー143は、図4Aに示すように、図2の第1実施の形態における主配管17を基板処理チャンバー143の手前で分岐し、その分岐配管76を循環用液体60を供給するチャンバーの空間部53内に導き、空間部53内において分岐配管76に連結した体積補正機構(いわゆる内部処理チャンバーに対する圧力バランスの調整機構)77を配置して構成される。
体積補正機構77の詳細を、図4Bの拡大図に示す。体積補正機構77は、ピストン匣体81と、ピストン匣体81内を上下動するピストン82とからなるいわゆるピストン構造により構成される。ピストン匣体81の上側壁は貫通されて分岐配管76に気密的に連結され、ピストン匣体81の下側壁は一部開口83が形成される。このピストン匣体81の開口83を通してピストン匣体81内には循環用液体60の出入りが可能とされる。ピストン82は、分岐配管76を通して導入された超臨界流体の圧力により押し出され、循環用液体60が超臨界流体の圧力により収縮を受けたときに、その収縮力に対応してピストン匣体81内に逃げ込む循環用液体60の圧力(膨張力)により押し戻されるように、ピストン匣体81内に配置される。ピストン匣体81の内面には、シール材84が巻かれており、超臨界流体がピストン82とピストン匣体81の内面間を通して空間部53に漏れ出ないように成されている。
シール部84とピストン82はスライド式である。シール部84に対してピストン81とがスライドするので、発塵の可能性があるときは、ピストン機構77と分岐配管76との間にフィルタ(図示せず)を設けても良い。ピストン機構77は圧力で制御されるもので、電気的に制御されない。その他の構成は、前述の図2の第1実施の形態と同様であるので、図4において図2と対応する部分には同一符号を付して、重複説明を省略する。
このピストン機構77の動作は次の通りである。処理時に、内部処理チャンバー42内に供給される超臨界流体の圧力により内部処理チャンバー42が変形、膨張して循環用液体60が圧縮されるのに伴って、その圧縮に対応した量の液体60がピストン匣体81内に逃げ込み、ピストン82を押し上げようとしたとき、分岐配管76を通じて供給された超臨界流体がピストン82を押し戻して、内部処理チャンバー42の状態を元の変形しない状態にする。
さらに、具体的に上記ピストン機構77を備えた基板処理チャンバー143の動作を説明する。チャンバーの空間部53に循環用液体60を満たした状態で、主配管17を通じて内部処理チャンバー42内に超臨界流体を供給する。このとき、分岐配管76を通じて超臨界流体がピストン機構77内にも供給される。内部処理チャンバー42は、被処理ウェーハ47の処理を行うために徐々に内部圧力を高めて行くと変形して体積膨張を生じようとする。このときに、ピストン機構77としては、内部処理チャンバー42を変形もしくは破壊させない耐圧能力(内部処理チャンバー42の耐圧能力)よりも小さな圧力でピストン駆動するようなピストン機構77を使用する。これにより、内部処理チャンバー42が変形、膨張する前にピストン82が駆動して体積補正を行う。
例えば、超臨界流体の供給圧力を100気圧とし、このとき内部処理チャンバー42の耐圧能力が2気圧とすると、循環用液体60に加わる圧力は98気圧(=100気圧−2気圧)である。ここで、内部処理チャンバー42の耐圧能力2気圧より低い圧力である、動作圧力2気圧以下(<超臨界流体の圧力100気圧−循環用液体の圧力98気圧)で駆動するピストン82が駆動する機構77を使用すれば良い。ところで、循環用液体に使用する物質はその体積組成が判明していれば、温度、圧力による体積変化が求められるので、超臨界流体による処理条件(温度、圧力)を勘案し使用するピストン機構77のサイズを決定すれば良い。
なお、上述理由で循環用液体60の体積変化が分かるので、ピストン機構77は図4で例示した差圧動作式の他、機械的、電気的制御を用いてピストン機構を駆動する方式でも良い。また、図4ではピストン機構77は循環用液体60が供給されるチャンバーの空間部53内に設置したが、ピストン機構77の一部、もしくは全てが耐圧容器である外部チャンバー43内に設置しても良い。
さらに、ピストン機構77は、図5に示すように、内部処理チャンバー42に直接接続するように、空間部53内にピストン機構77を設置するようにしても良い。すなわち、この場合は、分岐配管76を省き、ピストン匣体81の上側壁を内部処理チャンバー42に接続し、空間部53内に設置されたピストン匣体81内と内部処理チャンバー42内とを連通するように、それぞれに貫通孔を設ける。そして、前述と同様に、ピストン匣体81内にはピストン82を摺動可能に配置し、ピストン匣体81の下側壁に開口83を設けて、開口83と循環用液体が供給される空間部53を連通させる。
図5の構成では、内部処理チャンバー42内に超臨界流体を供給して被処理ウェーハに対して所要の処理を行うと同時に、超臨界流体の一部がピストン機構77に供給されて、内部処理チャンバー42の体積補正が行われる。
第4実施の形態に係る基板処理チャンバー142を備えた超臨界流体処理装置、及びこの超臨界流体処理装置を用いた超臨界流体処理方法によれば、内部処理チャンバー42内の圧力変化で循環用液体の体積変化が生じようとしたときに、その体積変化を補正する体積補正機構を設けることにより、内部処理チャンバーの変形、破損を回避することができる。その他の、内部処理チャンバー42により金属汚染を防止できること、ヒータにより内部処理チャンバー42内の温度を維持することができる等、第1実施の形態と同様の効果を奏する。
超臨界流体に使用する物質は、二酸化炭素(CO2)の他、H2 O、メタノール、アタノールなどのアルコール類、アンモニア、低分子量の脂肪族飽和炭化水素類、ベンゼン、ジエチルエーテルなどの物質を使用することもできる。他の物質を使用するときは、その物質に適した圧力、温度にて所要の処理を行えばよい。
上述した本実施の形態に係る超臨界流体処理装置、及びこの装置を用いた超臨界流体処理方法は、被処理ウェーハ、例えば半導体基板の洗浄、乾燥処理、レジスト剥離処理、エッチング処理、抽出処理などの処理に適用することができる。
上述したように本実施の形態によれば、二重構造の基板処理チャンバーを構成するも、内部処理チャンバー内にのみ超臨界流体を流し、内部処理チャンバーと外部チャンバーとの間の空間部には液体を流すようにしたことにより、超臨界物質の使用量を低減することができる。因みに、従来の二重構造の基板処理チャンバーでは、内部チャンバー内に供給する例えば洗浄に寄与する超臨界流体と、内部チャンバーと外部チャンバーとの間の空間部内に供給する洗浄に寄与しない超臨界流体とを必要としていたため、多量の超臨界物質の使用を必要としていた。本実施の形態では、この点が改善される。
本実施の形態によれば、温度、圧力による体積変化の少ない液体を使用するために、チャンバーの空間部に流れる液体の圧力制御を必要とせずに、内部処理チャンバーの変形、破損を回避することができる。従って、内部処理チャンバーの内部に流れる処理に寄与する超臨界流体のみの圧力制御を行うだけで良い。このため、温度、圧力を変化させることが容易となる。
内部処理チャンバーの一部をラウンド形状、もしくは角のない曲面形状とすることにより、循環用液体が内部処理チャンバーの外部壁面に沿ってスムーズに流れ、液体の流れに淀みが生じない。これにより、例えば内部処理チャンバーの一部がヒータにより以上加熱することがなく、常に安定した状態で内部処理チャンバー全体を温度調節することができる。
チャンバーの空間部に流れる循環用液体に比熱に高い流体(例えば水)などを使用するときは(第2実施の形態)、内部処理チャンバーにヒータを備えずとも、循環用液体を温度調節するのみで内部処理チャンバーのチャンバー壁の温度制御が可能になる。
チャンバー壁に熱伝導性の高い材質を用いたフィンを設けるときは(第3実施の形態)、温度調節された循環用液体がチャンバー部材と接触する面積が大きくなるため、温度調節に要する時間が更に短くなる。
循環用液体の体積補正機構を備えるときは(第4実施の形態)、温度、圧力による体積変化の大きな液体を用いることも可能であり、さらに液体の圧力制御を行うことなく体積補正することができる。
11・・超臨界流体処理装置、12・・CO2供給システム、13・・溶質供給ユニット、14・・基板処理チャンバー、17・・主配管、31・・排出用配管、34・・気液分離・溶質回収ユニット、39・・CO2回収システム、141、142、143・・基板処理チャンバー、42・・内部処理チャンバー、43・・外部チャンバー、44・・チャンバー壁、45・・ヒータ、46・・ヒータカバー、47・・被処理ウェーハ、48・・ステージ、49・・回転軸、53・・空間部、54・・循環用配管、55・・送液ポンプ、56・・温度調節器、60・・循環用液体、70・・超臨界流体、73・・フィン、77・・ピストン機構
Claims (12)
- 内部処理チャンバーと外部チャンバーとからなる二重構造の基板処理チャンバーの、該内部処理チャンバー内に被処理ウェーハを配置し、
前記内部処理チャンバーと前記外部チャンバーとの間の空間部に循環用液体を供給し、
前記内部処理チャンバーに超臨界流体を供給して、前記被処理ウェーハに対する処理を行う
ことを特徴とする超臨界流体処理方法。 - 内蔵した体積補正機構により、前記内部処理チャンバー内の圧力に基づく前記循環用液体の体積変化を補正し、前記内部処理チャンバーの形状を維持する
ことを特徴とする請求項1記載の超臨界流体処理方法。 - 前記内部処理チャンバーに設置したヒータにより、前記内部処理チャンバー内の超臨界流体の温度を補償する
ことを特徴とする請求項1記載の超臨界流体処理方法。 - 前記循環用液体の循環用配管に設置した温度調節器により、前記循環用液体の温度を調節する
ことを特徴とする請求項1記載の超臨界流体処理方法。 - 前記循環用液体の熱を、前記空間部に延在するフィンで受けて前記内部処理チャンバーに伝達し、
前記内部処理チャンバー内の超臨界流体の温度を補償する
ことを特徴とする請求項4記載の超臨界流体処理方法。 - 前記内部処理チャンバーの形状をラウンド形状にして、超臨界流体の流れ及び循環用液体の流れを正常化する
ことを特徴とする請求項1記載の超臨界流体処理方法。 - 被処理ウェーハを配置する内部処理チャンバーと、外部チャンバーとからなる二重構造の基板処理チャンバーを有し、
前記内部処理チャンバーと前記外部チャンバーとの間の空間部に循環用液体を供給し、
前記内部処理チャンバーに超臨界流体を供給して成る
ことを特徴とする超臨界流体処理装置。 - 前記基板処理チャンバーに、前記内部処理チャンバー内の圧力に基づく前記循環用液体の体積変化を補正する体積補正機構が内蔵されて成る
ことを特徴とする請求項7記載の超臨界流体処理装置。 - 前記内部処理チャンバーに、前記内部処理チャンバー内の超臨界流体の温度を補償するヒータが設置されて成る
ことを特徴とする請求項7記載の超臨界流体処理装置。 - 前記循環用液体を循環させる循環用配管に、前記循環用液体の温度を調節する温度調節器が設置されて成る
ことを特徴とする請求項7記載の超臨界流体処理装置。 - 前記空間部に、前記循環用液体の熱を受けるフィンが延在して成る
ことを特徴とする請求項10記載の超臨界流体処理装置。 - 前記内部処理チャンバーの形状がラウンド形状である
ことを特徴とする超臨界流体処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006259730A JP2008084890A (ja) | 2006-09-25 | 2006-09-25 | 超臨界流体処理方法及び処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006259730A JP2008084890A (ja) | 2006-09-25 | 2006-09-25 | 超臨界流体処理方法及び処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008084890A true JP2008084890A (ja) | 2008-04-10 |
Family
ID=39355476
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006259730A Pending JP2008084890A (ja) | 2006-09-25 | 2006-09-25 | 超臨界流体処理方法及び処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008084890A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011009583A1 (de) * | 2009-07-21 | 2011-01-27 | Huber Albert M | Stabilisierungs- und sicherheitssystem für flüssigkeitstransportbehälter |
JP2013016797A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-24 | Semes Co Ltd | 基板処理装置及び超臨界流体排出方法 |
JP2013105777A (ja) * | 2011-11-10 | 2013-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP2013163846A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Denso Corp | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2013254906A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US9027576B2 (en) | 2013-03-12 | 2015-05-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate treatment systems using supercritical fluid |
JP2017157714A (ja) * | 2016-03-02 | 2017-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法並びに記録媒体 |
CN109801841A (zh) * | 2017-11-16 | 2019-05-24 | 中华映管股份有限公司 | 衬底的处理方法 |
KR20200014883A (ko) * | 2017-08-13 | 2020-02-11 | 가부시키가이샤 후지킨 | 유체공급 장치 및 이 장치에 있어서의 액체배출 방법 |
US10566182B2 (en) | 2016-03-02 | 2020-02-18 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
KR20200142673A (ko) * | 2019-06-13 | 2020-12-23 | 주식회사 테스 | 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법 |
-
2006
- 2006-09-25 JP JP2006259730A patent/JP2008084890A/ja active Pending
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011009583A1 (de) * | 2009-07-21 | 2011-01-27 | Huber Albert M | Stabilisierungs- und sicherheitssystem für flüssigkeitstransportbehälter |
JP2013016797A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-24 | Semes Co Ltd | 基板処理装置及び超臨界流体排出方法 |
JP2013105777A (ja) * | 2011-11-10 | 2013-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP2013163846A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Denso Corp | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2013254906A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US9027576B2 (en) | 2013-03-12 | 2015-05-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate treatment systems using supercritical fluid |
JP2017157714A (ja) * | 2016-03-02 | 2017-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法並びに記録媒体 |
US10566182B2 (en) | 2016-03-02 | 2020-02-18 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
US10998186B2 (en) | 2016-03-02 | 2021-05-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
KR20200014883A (ko) * | 2017-08-13 | 2020-02-11 | 가부시키가이샤 후지킨 | 유체공급 장치 및 이 장치에 있어서의 액체배출 방법 |
KR102227726B1 (ko) | 2017-08-13 | 2021-03-15 | 가부시키가이샤 후지킨 | 유체공급 장치 및 이 장치에 있어서의 액체배출 방법 |
CN109801841A (zh) * | 2017-11-16 | 2019-05-24 | 中华映管股份有限公司 | 衬底的处理方法 |
US10373819B2 (en) * | 2017-11-16 | 2019-08-06 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Method for processing substrate |
KR20200142673A (ko) * | 2019-06-13 | 2020-12-23 | 주식회사 테스 | 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법 |
KR102228517B1 (ko) | 2019-06-13 | 2021-03-16 | 주식회사 테스 | 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008084890A (ja) | 超臨界流体処理方法及び処理装置 | |
JP4173781B2 (ja) | 高圧処理方法 | |
US9570286B2 (en) | Supercritical drying method for semiconductor substrate | |
US6619304B2 (en) | Pressure chamber assembly including non-mechanical drive means | |
CN102751173B (zh) | 处理装置 | |
US8007263B2 (en) | Water-lubricated compressor | |
JP2009152395A (ja) | 基板処理装置 | |
US8661704B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP6685754B2 (ja) | ポンプ装置および基板処理装置 | |
JP2018530157A (ja) | 液体二酸化炭素を使用して半導体基板を乾燥させるための方法及び装置 | |
JP2007127334A (ja) | 熱媒加熱冷却装置 | |
JP6015738B2 (ja) | 処理装置、処理方法及び記憶媒体 | |
JP5703952B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 | |
JP2013062417A (ja) | 半導体基板の超臨界乾燥方法及び装置 | |
US20070107748A1 (en) | Vacuum cavitational streaming | |
JP2003062403A (ja) | 膜脱気装置の運転方法 | |
JP4420737B2 (ja) | 直接加圧型ヒートポンプ式処理装置 | |
JP4019245B2 (ja) | オゾン水製造装置 | |
US20240102191A1 (en) | Process for operating an electrolysis apparatus and electrolysis apparatus | |
JP2005331210A5 (ja) | ||
JP2007330841A (ja) | 洗浄システムおよび流体密度制御方法 | |
US20040096210A1 (en) | Method of developing a resist film and a resist development processor | |
JPH08100778A (ja) | 容積式逆流冷却形多段真空ポンプ装置 | |
KR100689723B1 (ko) | 온도조절 장치 | |
JP2002367943A (ja) | 高圧処理方法および高圧処理装置 |