JP6685754B2 - ポンプ装置および基板処理装置 - Google Patents

ポンプ装置および基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6685754B2
JP6685754B2 JP2016026852A JP2016026852A JP6685754B2 JP 6685754 B2 JP6685754 B2 JP 6685754B2 JP 2016026852 A JP2016026852 A JP 2016026852A JP 2016026852 A JP2016026852 A JP 2016026852A JP 6685754 B2 JP6685754 B2 JP 6685754B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pump
processing liquid
downstream
upstream
outlet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016026852A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017144372A (ja
Inventor
真人 柏山
真人 柏山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2016026852A priority Critical patent/JP6685754B2/ja
Priority to KR1020160183202A priority patent/KR101991159B1/ko
Priority to US15/429,610 priority patent/US10507484B2/en
Priority to TW106104616A priority patent/TWI675398B/zh
Publication of JP2017144372A publication Critical patent/JP2017144372A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6685754B2 publication Critical patent/JP6685754B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00—Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/40—Filters located upstream of the spraying outlets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B9/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour
    • B05B9/03—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour characterised by means for supplying liquid or other fluent material
    • B05B9/04—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour characterised by means for supplying liquid or other fluent material with pressurised or compressible container; with pump
    • B05B9/0403—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour characterised by means for supplying liquid or other fluent material with pressurised or compressible container; with pump with pumps for liquids or other fluent material
    • B05B9/0413—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour characterised by means for supplying liquid or other fluent material with pressurised or compressible container; with pump with pumps for liquids or other fluent material with reciprocating pumps, e.g. membrane pump, piston pump, bellow pump
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B17/00—Pumps characterised by combination with, or adaptation to, specific driving engines or motors
    • F04B17/03—Pumps characterised by combination with, or adaptation to, specific driving engines or motors driven by electric motors
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B53/00—Component parts, details or accessories not provided for in, or of interest apart from, groups F04B1/00 - F04B23/00 or F04B39/00 - F04B47/00
    • F04B53/06—Venting
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B53/00—Component parts, details or accessories not provided for in, or of interest apart from, groups F04B1/00 - F04B23/00 or F04B39/00 - F04B47/00
    • F04B53/20—Filtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02343—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Details Of Reciprocating Pumps (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示器用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板を処理するための処理液を送るポンプ装置および基板処理装置に関する。
基板処理装置は、保持回転部、ノズル、およびポンプ装置を備えている（例えば、特許文献１参照）。保持回転部は、基板を略水平姿勢で保持し、保持した基板を回転させるものである。ノズルは、保持回転部に支持された基板に対して処理液を吐出するものである。ポンプ装置は、ノズルに処理液を送るものである。
また、ポンプ装置１００は、図４のように、上流ポンプ１０１と、下流ポンプ１０２と、それらの間の処理液配管１０３に介在して設けられたフィルタ１０４とを備えている。上流ポンプ１０１と下流ポンプ１０２は、互いに横方向に並んで配置されている（例えば、特許文献２〜４参照）。なお、図４の矢印ＡＲは、上下（垂直）方向を示す。
特許第５４５１５１５号公報 特許第５３６６５５５号公報 特許第５０７９５１６号公報 米国特許第６２５１２９３号
しかしながら、図４のように、上流ポンプ１０１と下流ポンプ１０２とが互いに横方向に並んで配置されている場合、処理液に含まれる気泡（気体）がポンプ装置１００から抜けにくい。また、例えば、図４において二点鎖線で示すように、処理液配管１０３が下向きになる部分ＢＢでも、気泡が抜けにくい。気泡が抜けにくいと、例えば、基板処理中に、基板上に気泡を含む処理液が供給されることがあるが、これは好ましくない。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、処理液の供給経路において、気泡を抜きやすくしたポンプ装置および基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明に係る、処理液を送るポンプ装置は、処理液を流通させる処理液流路に介在して設けられたフィルタと、前記フィルタの上流であって前記処理液流路に介在して設けられた上流ポンプと、前記フィルタの下流であって前記処理液流路に介在して設けられた下流ポンプと、を備え、前記下流ポンプの入口は、前記上流ポンプの出口よりも高い位置に配置されていると共に、前記フィルタの出口よりも高い位置に配置されており、前記下流ポンプと、前記上流ポンプまたはこれよりも前段との間には、前記下流ポンプの戻り出口から前記上流ポンプまたはこれよりも前段に処理液を戻すための戻り流路が接続されており、前記戻り出口は、前記下流ポンプの供給出口よりも高い位置に配置されていることを特徴とするものである。
本発明に係るポンプ装置によれば、上流ポンプ、フィルタ、下流ポンプは、その順番で処理液流路に介在して設けられている。下流ポンプの入口は、上流ポンプの出口よりも高い位置に配置されていると共に、フィルタの出口よりも高い位置に配置されている。すなわち、下流ポンプは、上流ポンプおよびフィルタよりも高い位置に配置されている。そのため、下から上に向けて処理液を流すことができる。仮に処理液中に気泡が発生しても、その気泡は浮力によって処理液流路内を下から上に向かって移動して下流側に集めることができるので、処理液流路内から気泡を抜きやすくできる。
また、下流ポンプの戻り出口から気泡を上流ポンプまたはこれよりも前段に戻すことができる。すなわち、上流ポンプ、フィルタおよび下流ポンプの間で処理液を循環させることができる。そのため、下流ポンプに送られた気泡を含む処理液を上流ポンプに戻し、再度フィルタに処理液を通過させて、気泡を取り除くことができる。
また、上述のポンプ装置において、前記処理液流路は、前記フィルタの出口から水平方向および上方向の少なくともいずれかの方向に延びるが、下方向に延びることなく前記下流ポンプの入口に接続されていることが好ましい。これにより、フィルタと下流ポンプとの間で、気泡が留まりにくい。これにより、処理液流路内から気泡を抜きやすくできる。
また、本発明に係る、処理液を送るポンプ装置は、処理液を流通させる処理液流路に介在して設けられたフィルタと、前記フィルタの上流であって前記処理液流路に介在して設けられた上流ポンプと、前記フィルタの下流であって前記処理液流路に介在して設けられた下流ポンプと、を備え、前記下流ポンプの入口は、前記上流ポンプの出口よりも高い位置に配置されていると共に、前記フィルタの出口よりも高い位置に配置されており、前記下流ポンプは、前記処理液流路が接続される供給出口を有しており、前記供給出口は、前記下流ポンプのポンプ内流路の上端よりも低い位置に配置されていることを特徴とするものである。
本発明に係るポンプ装置によれば、上流ポンプ、フィルタ、下流ポンプは、その順番で処理液流路に介在して設けられている。下流ポンプの入口は、上流ポンプの出口よりも高い位置に配置されていると共に、フィルタの出口よりも高い位置に配置されている。すなわち、下流ポンプは、上流ポンプおよびフィルタよりも高い位置に配置されている。そのため、下から上に向けて処理液を流すことができる。仮に処理液中に気泡が発生しても、その気泡は浮力によって処理液流路内を下から上に向かって移動して下流側に集めることができるので、処理液流路内から気泡を抜きやすくできる。
また、処理液に含まれる気泡が上端付近に上昇するので、ポンプ内流路の上端よりも低い位置に配置される供給出口から気泡が流れ出ることを防止できる。
また、上述のポンプ装置において、前記フィルタは、気泡を排出するベント部を備えていることが好ましい。これにより、処理液の供給経路の途中で、処理液に含まれる気泡を排出することができる。
また、上述のポンプ装置において、前記戻り出口は、更に、前記下流ポンプのポンプ内流路の上端と接する高さに配置されていることが好ましい。下流ポンプの戻り出口が、ポンプ内流路の上端と接する高さに配置されているので、ポンプ内流路の上端付近に上昇して集まった処理液に含まれる気泡を、戻り流路に送ることができる。
また、上述のポンプ装置において、前記上流ポンプの出口は、前記上流ポンプの入口よりも高い位置に配置されていることが好ましい。上流ポンプ内の気泡が抜けやすくなる。
また、上述のポンプ装置において、前記フィルタの入口は、前記上流ポンプの出口よりも高い位置に配置されていることが好ましい。これにより、フィルタは、上流ポンプよりも高い位置に配置されるので、上流ポンプからフィルタに気泡が抜けやすくなる。そのため、処理液流路の途中で気泡が留まることを抑制できる。
また、本発明に係る、基板を処理する基板処理装置は、前記基板に対して処理液を吐出するノズルと、上述のポンプ装置であって、前記ノズルに処理液を送る前記ポンプ装置と、を備えていることを特徴とするものである。
本発明に係る基板処理装置によれば、ポンプ装置は、上流ポンプ、フィルタ、下流ポンプの順番で処理液流路に介在して設けられている。下流ポンプの入口は、上流ポンプの出口よりも高い位置に配置されていると共に、フィルタの出口よりも高い位置に配置されている。すなわち、下流ポンプは、上流ポンプおよびフィルタよりも高い位置に配置されている。そのため、下から上に向けて処理液を流すことができる。仮に処理液中に気泡が発生しても、その気泡は浮力によって処理液流路内を下から上に向かって移動して下流側に集めることができるので、処理液流路内から気泡を抜きやすくできる。
本発明に係るポンプ装置および基板処理装置によれば、下から上に向けて処理液を流すことができ、供給経路の途中で気泡が留まることを抑制できる。そのため、処理液の供給経路において、気泡を抜きやすくできる。
実施例に係る基板処理装置の概略構成図である。 ポンプ装置の高さ関係を示す図である。 ポンプ装置の開閉弁等の動作の一例を示す図である。 従来のポンプ装置とこの装置の課題を説明するための図である。
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。図１は、基板処理装置の概略構成図である。
＜基板処理装置の構成＞
図１を参照する。基板処理装置１は、ノズル２と保持回転部３とを備えている。ノズル２は、基板Ｗに対して処理液を吐出するものである。処理液は、例えば、フォトレジスト液、反射防止膜形成用の薬液、現像液、溶剤や純水（ＤＩＷ）などのリンス液が用いられる。保持回転部３は、基板Ｗを略水平姿勢で保持して回転させるものである。
保持回転部３は、スピンチャック４と回転駆動部５とを備えている。スピンチャック４は、回転軸ＡＸ周りに回転可能に基板Ｗを保持する。スピンチャック４は、例えば、基板Ｗの裏面を真空吸着することにより基板Ｗを略水平姿勢で保持する。一方、回転駆動部５は、スピンチャック４を回転軸ＡＸ周りに回転させる駆動を行う。回転駆動部５は、電動モータ等で構成されている。
また、基板処理装置１は、処理液供給源７、処理液配管９、トラップタンク１１、ポンプ装置１３を備えている。処理液供給源７は、例えば、処理液を貯留するタンクで構成されている。処理液供給源７からの処理液は、処理液配管９を通じてノズル２に送られる。処理液配管９には、処理液供給源７側から順番に、トラップタンク１１、ポンプ装置１３が介在して設けられている。
トラップタンク１１は、一時的に処理液を貯留して処理液供給源７の処理液の残量を検知するものである。トラップタンク１１には、光学式の残量検知センサ（図示しない）が設けられている。また、トラップタンク１１には、ドレイン１５が設けられている。ドレイン１５は、気泡または気泡を含む処理液を排出するための廃液ラインである。なお、ドレイン１５には、図示しない開閉弁が介在して設けられている。
ポンプ装置１３は、ノズル２に処理液を送るものである。ポンプ装置１３内では、処理液は処理液流路１７ａ〜１７ｄを流れる。ポンプ装置１３は、後述する開閉弁Ｖ６により、処理液の供給およびその停止を行う。ポンプ装置１３の詳細は、後述する。
また、基板処理装置１は、制御部１９と操作部２１とを備えている。制御部１９は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）などで構成されている。制御部１９は、基板処理装置１の各構成を制御する。操作部２１は、表示部、記憶部および入力部等で構成されている。表示部は、液晶モニタなどで構成されている。記憶部は、ＲＯＭ（Read-only Memory）、ＲＡＭ（Random-Access Memory）、およびハードディスク等で構成されている。入力部は、キーボード、マウス、および各種ボタン等で構成されている。記憶部には、基板処理の各種条件等が記憶されている。
＜ポンプ装置の構成＞
次に、図２を参照して、ポンプ装置１３について説明する。図２は、ポンプ装置１３の高さ関係を示す図である。矢印ＡＲは、上下方向を示している。ポンプ装置１３は、フィルタ２３、上流ポンプ（フィルポンプとも呼ばれる）２５、および下流ポンプ（ディスペンスポンプとも呼ばれる）２７を備えている。ポンプ装置１３は、下から上に処理液を流すように構成されている。
フィルタ２３は、処理液を流通させる処理液流路１７ｂ，１７ｃに介在して設けられている。上流ポンプ２５は、フィルタ２３の上流であって処理液流路１７ａ，１７ｂに介在して設けられている。そして、下流ポンプ２７は、フィルタ２３の下流であって処理液流路１７ｃ，１７ｄに介在して設けられている。すなわち、フィルタ２３は、上流ポンプ２５と下流ポンプ２７との間に挟まれている。
上流ポンプ２５および下流ポンプ２７は、開閉弁Ｖ１〜Ｖ６の動作と組み合わせて処理液を送っている。処理液流路１７ａには、開閉弁Ｖ１が介在して設けられている。処理液流路１７ｂには、開閉弁Ｖ２が介在して設けられている。処理液流路１７ｃには、開閉弁Ｖ３が介在して設けられている。後述する排出流路２９には、開閉弁Ｖ４が介在して設けられている。後述する戻り流路３１には、開閉弁Ｖ５が介在して設けられている。処理液流路１７ｄには、開閉弁Ｖ６が介在して設けられている。なお、開閉弁Ｖ１〜Ｖ６は、ノーマルクローズ式に限定されず、既知の弁で構成される。
まず、上流ポンプ２５について説明する。上流ポンプ２５は、処理液を送るものである。上流ポンプ２５は、筐体２５ａ、上流ポンプ内流路２５ｂ、ダイアフラム２５ｃ、ピストン２５ｄ、および電動モータ２５ｅを備えている。
ダイアフラム２５ｃの中央部は、ピストン２５ｄに固定されている一方、ダイアフラム２５ｃの外縁部は、筐体２５ａの内壁に固定されている。図２において、上流ポンプ内流路２５ｂを流れる処理液は、ダイアフラム２５ｃよりも右側に流れないようなっている（後述するダイアフラム２７ｃも同様である）。ピストン２５ｄは、図２の横方向に往復移動可能に構成されている。ピストン２５ｄは、電動モータ２５ｅにより駆動される。電動モータ２５ｅで発生させた回転は、例えば、ネジ軸やナットなどの変換機構により、ピストン２５ｄの横方向の直線移動に変換する。ピストン２５ｄの横方向の直線移動により、ダイアフラム２５ｃは、実線や二点鎖線のように変形する。そのため、上流ポンプ内流路２５ｂ内に処理液が吸引され、また、上流ポンプ内流路２５ｂから処理液が送り出される。なお、電動モータ２５ｅは、例えばステッピングモータで構成される。
また、上流ポンプ２５は、入口２５ｇ、戻り入口２５ｈ、および出口２５ｊを備えている。入口２５ｇには、処理液流路１７ａが接続される。処理液流路１７ａで送られた処理液は、入口２５ｇを通じて上流ポンプ内流路２５ｂに流入される。戻り入口２５ｈには、後述する戻り流路３１が接続される。戻り流路３１で送られた処理液は、戻り入口２５ｈを通じて、上流ポンプ内流路２５ｂに流入される。そして、出口２５ｊには、処理液流路１７ｂが接続される。上流ポンプ内流路２５ｂで送られた処理液は、出口２５ｊを通じて処理液流路１７ｂに送られる。
図２おいて、入口２５ｇは、上流ポンプ内流路２５ｂの下面に設けられており、出口２５ｊは、上流ポンプ内流路２５ｂの上面に設けられている。この点、入口２５ｇおよび出口２５ｊは、上流ポンプ内流路２５ｂの側面（例えば戻り入口２５ｈが設けられている側面）に設けられていてもよい。また、戻り入口２５ｈは、上流ポンプ内流路２５ｂの側面に設けられているが、上流ポンプ内流路２５ｂの下面に設けられていてもよい。
また、上流ポンプ２５の出口２５ｊは、入口２５ｇおよび戻り入口２５ｈよりも高い位置に配置されている。これにより、上流ポンプ２５内の気泡が抜けやすくなる。すなわち、上流ポンプ２５の出口２５ｊに気泡を移動しやすくできる。なお、入口２５ｇと戻り入口２５ｈは、同じ高さに配置されてもよい。
次に、フィルタ２３について説明する。フィルタ２３は、ポンプ装置１３に対して着脱自在で、交換可能である。フィルタ２３は、その上面２３ａに、入口２３ｂ、出口２３ｃおよびベント部２３ｄを備えている。入口２３ｂには、処理液流路１７ｂが接続されている。出口２３ｃには、処理液流路１７ｃが接続されている。ベント部２３ｄには、気泡を排出する排出流路２９が接続されている。ベント部２３ｄは、フィルタ２３内の気泡を排出するための出口である。これにより、処理液の供給経路の途中で、気泡を排出することができる。なお、ベント部２３ｄは、気泡を処理液ごと排出してもよい。
また、フィルタ２３の入口２３ｂは、上流ポンプ２５の出口２５ｊよりも高い位置に配置されている。フィルタ２３の入口２３ｂは、フィルタ２３の上面２３ａに設けられているので、処理液流路１７ｂが途中で下向きになる。この下向きになる部分では、気泡が溜まりやすい。しかしながら、フィルタ２３は、上流ポンプ２５よりも高い位置に配置されるので、上流ポンプ２５からフィルタ２３に気泡が比較的抜けやすくなる。そのため、処理液流路１７ｂの途中で気泡が留まることを抑制できる。
また、フィルタ２３は、フィルタ本体２３ｅを備えている。フィルタ本体２３ｅは、フィルタ２３内において処理液を実際に濾過するものである。
次に、下流ポンプ２７について説明する。下流ポンプ２７は、上流ポンプ２５と同様に、処理液を送るものである。下流ポンプ２７は、筐体２７ａ、下流ポンプ内流路２７ｂ、ダイアフラム２７ｃ、ピストン２７ｄ、および電動モータ２７ｅを備えている。下流ポンプ内流路２７ｂは、本発明のポンプ内流路に相当する。
ダイアフラム２７ｃの中央部は、ピストン２７ｄに固定されている一方、ダイアフラム２７ｃの外縁部は、筐体２７ａの内壁に固定されている。ピストン２７ｄは、図２の横方向に往復移動可能に構成されている。ピストン２７ｄは、電動モータ２７ｅにより駆動される。電動モータ２７ｅで発生させた回転は、例えば、ネジ軸やナットなどの変換機構により、ピストン２７ｄの横方向の直線移動に変換する。ピストン２７ｄの横方向の直線移動により、ダイアフラム２７ｃは、実線や二点鎖線のように変形する。そのため、下流ポンプ内流路２７ｂ内に処理液が吸引され、また、下流ポンプ内流路２７ｂから処理液が送り出される。なお、電動モータ２７ｅは、サーボモータで構成される。電動モータ２５ｅ，２７ｅは、その他の電動モータであってもよい。
なお、気泡を集めやすくするために、例えば、ダイアフラム２７ｃよりも高い位置に処理液を収める空間ＳＰが設けられてもよい。
また、下流ポンプ２７は、入口２７ｇ、供給出口２７ｊ、および戻り出口２７ｋを備えている。入口２７ｇには、処理液流路１７ｃが接続される。処理液流路１７ｃで送られた処理液は、入口２７ｇを通じて下流ポンプ内流路２７ｂに流入される。
下流ポンプ２７の入口２７ｇは、上流ポンプ２５の出口２５ｊよりも高い位置に配置されている。また、入口２７ｇは、フィルタ２３の出口２３ｃよりも高い位置に配置されている。すなわち、下流ポンプ２７は、上流ポンプ２５およびフィルタ２３よりも高い位置に配置されている。そのため、下から上に向けて処理液を流すことができ、供給経路の途中で処理液が留まることを抑制できる。更に、処理液流路１７ｃは、フィルタ２３の出口２３ｃから水平方向および上方向の少なくともいずれかの方向に延びるが、下方向に延びることなく下流ポンプ２７の入口２７ｇに接続されている。これにより、処理液の処理液流路１７ｃにおいて、気泡を抜きやすくできる。
供給出口２７ｊには、処理液流路１７ｄが接続されている。処理液流路１７ｄも、供給出口２７ｊから水平方向および上方向の少なくともいずれかの方向に延びるが、下方向に延びることなく処理液配管９（図１参照）と接続する。また、供給出口２７ｊは、下流ポンプ内流路２７ｂの上端（または上面）ＵＰよりも低い位置に配置されている。図２では、供給出口２７ｊは、下流ポンプ内流路２７ｂの側面に設けられている。これにより、処理液に含まれる気泡が上端ＵＰ付近に上昇するので、下流ポンプ内流路２７ｂの上端ＵＰよりも低い位置に配置される供給出口２７ｊから気泡が流れ出ることを防止できる。
戻り出口２７ｋは、戻り流路３１と接続されている。すなわち、下流ポンプ２７と上流ポンプ２５との間には、下流ポンプ２７の戻り出口２７ｋから上流ポンプ２５に処理液を戻すための戻り流路３１が接続されている。戻り出口２７ｋは、供給出口２７ｊよりも高い位置に配置されている。これにより、下流ポンプ２７の戻り出口２７ｋから気泡を上流ポンプ２５に戻すことができる。すなわち、上流ポンプ２５、フィルタ２３および下流ポンプ２７の間で処理液を循環させることができる。そのため、下流ポンプ２７に送られた気泡を含む処理液を上流ポンプ２５に戻し、再度フィルタ２３に処理液を通過させて、気泡を取り除くことができる。
また、戻り出口２７ｋは、下流ポンプ２７の下流ポンプ内流路２７ｂの上端（または上面）ＵＰに配置されている。これにより、下流ポンプ内流路２７ｂの上端ＵＰ付近に上昇して集まった処理液に含まれる気泡を、戻り流路３１に送ることができる。なお、図２では、戻り出口２７ｋは、下流ポンプ内流路２７ｂの上端ＵＰに設けられているが、戻り出口２７ｋは、供給出口２７ｊが設けられる、下流ポンプ内流路２７ｂの側面に設けられてもよい。この場合、戻り出口２７ｋは、上端ＵＰと接する高さ（上端ＵＰとほぼ同じ高さ）に配置されてもよい。
また、戻り出口２７ｋは、入口２７ｇよりも高い位置に配置されている。これにより、下流ポンプ２７において、戻り出口２７ｋに気泡を送るやすくできる。
電動モータ２７ｅによりダイアフラム２７ｃを移動させる。これにより、下流ポンプ内流路２７ｂで送られた処理液は、供給出口２７ｊを通じて処理液流路１７ｄに送られ、または、戻り出口２７ｋを通じて戻り流路３１に送られる。
＜基板処理装置の動作＞
次に、基板処理装置１の動作について説明する。図１において、図示しない基板搬送機構は、保持回転部３上に基板Ｗを搬送する。保持回転部３は、基板Ｗの裏面を吸着して保持する。そして、図示しないノズル搬送機構は、基板Ｗ外の待機位置から基板Ｗ上方の所定の吐出位置にノズル２を移動させる。
ノズル２を移動させた後、制御部１９は、開閉弁Ｖ６を開くことにより、基板Ｗに対してノズル２から処理液を吐出する。なお、制御部１９は、処理条件に基づき、基板Ｗの回転および処理液の吐出を行う。処理液供給源７の処理液は、処理液配管９を通じて、ノズル２に処理液が送られる。その途中、トラップタンク１１、ポンプ装置１３、そして、基板Ｗに対してノズル２から処理液が吐出される。基板処理が終了した後、ノズル移動機構は、基板Ｗ上方の吐出位置から待機位置にノズル２を移動させる。その後、保持回転部３は、基板Ｗの回転を停止した状態で、基板Ｗの保持を解除する。基板搬送機構は、保持回転部３上の基板Ｗを次の装置等に移動させる。
次に、ポンプ装置１３の動作について説明する。ポンプ装置１３は、図２のように、下から上に処理液を流すように構成される。これにより、処理液に気泡が含まれても、供給経路の途中で気泡が留まりにくく、気泡を排出しやすい構成になっている。図３は、ポンプ装置１３の開閉弁等の動作の一例を示す図である。
図３のステップＳ０１において、図２の右側にダイアフラム２５ｃを移動させる。この際、開閉弁Ｖ１は開かれ（ＯＮ）、開閉弁Ｖ２，Ｖ５等は閉じられている（ＯＦＦ）。これにより、処理液流路１７ａから上流ポンプ内流路２５ｂに、入口２５ｇを通じて処理液を吸引する。
ステップＳ０２において、図２の左側にダイアフラム２５ｃを移動させる。この際、開閉弁Ｖ２，Ｖ３は開かれ、開閉弁Ｖ１，Ｖ４〜Ｖ６は閉じられる。上流ポンプ内流路２５ｂから処理液流路１７ｂに、出口２５ｊを通じて処理液を送り出す。処理液流路１７ｂに送られた処理液は、フィルタ２３の入口２３ｂ、フィルタ本体２３ｅ、出口２３ｃに順番に送られて、処理液流路１７ｃに送られる。フィルタ本体２３ｅでは、気泡等の不純物が取り除かれる。処理液流路１７ｃに送られた処理液は、下流ポンプ２７の入口２７ｇを通じて、下流ポンプ内流路２７ｂに送られる。ステップＳ０２において、下流ポンプ２７の電動モータ２７ｅは、逆回転し、図２の右側にダイアフラム２７ｃを移動させる。
ステップＳ０３では、引き続き、上流ポンプ２５から下流ポンプ２７に処理液が送られる。また、ステップＳ０３において、開閉弁Ｖ４が開かれる。そのため、ベント部２３ｄを通じて、排出流路２９に処理液が流れる。排出流路２９に流れる処理液は、フィルタ本体２３ｅを通過する前の処理液である。そのため、気泡を含む処理液は、気泡と共に処理液ごと排出流路２９に排出される。なお、ステップＳ０３において、下流ポンプ２７の電動モータ２７ｅは、回転を停止する。
ステップＳ０４において、下流ポンプ２７の戻り出口２７ｋから処理液が送り出される。この際、上端ＵＰ付近に集まった気泡も送り出される。下流ポンプ２７の電動モータ２７ｅは、所定量で正回転して、図２の左側にダイアフラム２７ｃを移動させる。この際、開閉弁Ｖ５は開かれ、その他の開閉弁Ｖ１〜Ｖ４，Ｖ６は閉じられる。戻り出口２７ｋから送り出された処理液は順番に、戻り流路３１、上流ポンプ２５の戻り入口２５ｈを通り、上流ポンプ内流路２５ｂに戻される。なお、上流ポンプ２５に戻された処理液は、その後の動作により、再びフィルタ２３に送られて、気泡が取り除かれる。
ステップＳ０５において、引き続き、下流ポンプ２７の戻り出口２７ｋから処理液が送り出される。この際、開閉弁Ｖ５は、開いた状態のままである。一方、下流ポンプ２７の電動モータ２７ｅは、回転を停止する。
ステップＳ０６において、下流ポンプ２７から供給出口２７ｊを通じて処理液を送り出す。下流ポンプ２７の電動モータ２７ｅは、更に、正回転し、図２の左側にダイアフラム２７ｃを移動させる。この際、開閉弁Ｖ６は開かれ、その他の開閉弁Ｖ１〜Ｖ５は閉じられる。下流ポンプ２７から送り出された処理液は、処理液配管９ｂを通じ、図１に示すノズル２から吐出される。
ステップＳ０６の後は、ステップＳ０１に戻り、ステップＳ０１〜Ｓ０６が繰り返される。
本実施例によれば、ポンプ装置１３は、上流ポンプ２５、フィルタ２３、下流ポンプ２７の順番で処理液流路１７ａ〜１７ｄに介在して設けられている。下流ポンプ２７の入口２７ｇは、上流ポンプ２５の出口２５ｊよりも高い位置に配置されていると共に、フィルタ２３の出口２３ｃよりも高い位置に配置されている。すなわち、下流ポンプ２７は、上流ポンプ２５およびフィルタ２３よりも高い位置に配置されている。そのため、下から上に向けて処理液を流すことができる。仮に処理液中に気泡が発生しても、その気泡は浮力によって処理液流路１７ｂ，１７ｃ内を下から上に向かって移動して下流側に集めることができるので、処理液流路１７ｂ，１７ｃ内から気泡を抜きやすくできる。そのため、処理液の供給経路において、気泡を抜きやすくできる。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
（１）上述した実施例では、戻り流路３１の一端は、下流ポンプ２７の戻り出口２７ｋに接続されていた。また、戻り流路３１の他端は、上流ポンプ２５の戻り入口２５ｈに接続されていた。この点、戻り流路３１の他端は、上流ポンプ２５よりも前段（上流）に接続されていてもよい。例えば、処理液流路１７ａ、処理液配管９ａおよびトラップタンク１１のいずれかに接続されていてもよい。トラップタンク１１に接続される場合は、ドレイン１５を通じて、気泡を排出することができる。
（２）上述した実施例および変形例（１）では、ポンプ装置１３は、図３のように、動作したが、その動作に限定されない。例えば、上流ポンプ２５および下流ポンプ２７は、処理液が逆流しないように、逆止弁を備えて、下記のように動作してもよい。
具体的に説明する。ポンプ装置１３において、例えば、上流ポンプ２５の入口２５ｇ、戻り入口２５ｈ、および出口２５ｊには各々、処理液が逆流しないように、逆止弁が設けられている。また、下流ポンプ２７の入口２７ｇ、供給出口２７ｊ、および戻り出口２７ｋには各々、逆止弁が設けられている。
処理液供給源７からノズル２に処理液を送る場合、まず、開閉弁Ｖ１〜Ｖ３が開かれ、開閉弁Ｖ４〜Ｖ６が閉じられる。この際、上流ポンプ２５の電動モータ２５ｅおよび下流ポンプ２７の電動モータ２７ｅを稼働しており、ダイアフラム２５ｃ，２７ｃは往復移動している。そして、この状態から開閉弁Ｖ６を開くと、ノズル２に向けて処理液が流れる。
上流ポンプ２５、フィルタ２３および下流ポンプ２７で処理液を循環させる場合、開閉弁Ｖ２，Ｖ３，Ｖ５は開かれ、開閉弁Ｖ１，Ｖ４，Ｖ６は閉じられる。これにより、下流ポンプ内流路２７ｂから順番に、戻り出口２７ｋ、戻り流路３１、戻り入口２５ｈを通り、上流ポンプ内流路２５ｂに処理液が戻される。この循環動作において、上流ポンプ２５と下流ポンプ２７との間の処理液を送り出す圧力の調整も行われる。
フィルタ２３から気泡を排出する場合、開閉弁Ｖ４が開けられる。この際、例えば、開閉弁Ｖ１，Ｖ２は開かれ、開閉弁Ｖ３，Ｖ５，Ｖ６は閉じられる。更に、電動モータ２５ｅを稼働させることにより、フィルタ２３内からベント部２３ｄおよび排出流路２９を通って処理液と共に気泡が排出される。
（３）上述した実施例および各変形例では、上流ポンプ２５および下流ポンプ２７は、ダイアフラム式で構成されるが、その他の既知の形式で構成されてもよい。例えば、上流ポンプ２５および下流ポンプ２７は、ピストン式で構成されてもよい。この場合、例えば、下流ポンプ２７において、ピストン２７ｄは、例えば、Ｏリング（図示しない）を介在させて、筐体２７ａの内壁に沿ってスライドするように構成されてもよい。上流ポンプ２５も同様である。
（４）上述した実施例および各変形例において、上流ポンプ２５の筐体２５ａ、下流ポンプ２７の筐体２７ａ、および処理液流路１７ａ〜１７ｄ等を同じブロックに形成せずに、配置の自由度を向上させるために、個別のブロックに形成することが好ましい。なお、処理液流路１７ａ〜１７ｄは、配管であってもよい。また、各ブロックは、例えばＰＦＡ（パーフルオロアルコキシアルカン）等のフッ素樹脂で構成されてもよい。
（５）上述した実施例および各変形例では、基板Ｗを保持して、ノズル２に対して基板Ｗを移動させる保持移動部として、保持回転部３を例示した。保持移動部は、基板Ｗの表面に沿った１次元または２次元方向に基板Ｗを移動させるものであってもよい。
（６）上述した実施例および各変形例では、フィルタ２３は、その上面２３ａに、入口２３ｂ、出口２３ｃおよびベント部２３ｄを備えていた。例えば、入口２３ｂは、フィルタ２３の側面などに設けられてもよい。これにより、図２に示す処理液流路１７ｂが入口２３ｂ付近で下向きになるのを防止できる。そのため、下向きになることで、気泡が抜けにくくなることを抑制できる。この場合、処理液流路１７ｂは、上流ポンプ２５の出口２５ｊから水平方向および上方向の少なくともいずれかの方向に延びるが、下方向に延びることなくフィルタ２３の入口２３ｂに接続される。
１ … 基板処理装置
２ … ノズル
１１ … トラップタンク
１３ … ポンプ装置
１７ａ〜１７ｄ … 処理液流路
１９ … 制御部
２３ … フィルタ
２３ｂ … 入口
２３ｃ … 出口
２３ｄ … ベント部
２５ … 上流ポンプ
２５ｂ … 上流ポンプ内流路
２５ｇ … 入口
２５ｈ … 戻り入口
２５ｊ … 出口
２７ … 下流ポンプ
２７ｂ … 上流ポンプ内流路
２７ｇ … 入口
２７ｊ … 供給出口
２７ｋ … 戻り出口
２９ … 排出流路
３１ … 戻り流路
ＵＰ … 上端（上面）

Claims (8)

  1. 処理液を送るポンプ装置において、
    処理液を流通させる処理液流路に介在して設けられたフィルタと、
    前記フィルタの上流であって前記処理液流路に介在して設けられた上流ポンプと、
    前記フィルタの下流であって前記処理液流路に介在して設けられた下流ポンプと、を備え、
    前記下流ポンプの入口は、前記上流ポンプの出口よりも高い位置に配置されていると共に、前記フィルタの出口よりも高い位置に配置されており、
    前記下流ポンプと、前記上流ポンプまたはこれよりも前段との間には、前記下流ポンプの戻り出口から前記上流ポンプまたはこれよりも前段に処理液を戻すための戻り流路が接続されており、
    前記戻り出口は、前記下流ポンプの供給出口よりも高い位置に配置されていることを特徴とするポンプ装置。
  2. 請求項１に記載のポンプ装置において、
    前記処理液流路は、前記フィルタの出口から水平方向および上方向の少なくともいずれかの方向に延びるが、下方向に延びることなく前記下流ポンプの入口に接続されていることを特徴とするポンプ装置。
  3. 処理液を送るポンプ装置において、
    処理液を流通させる処理液流路に介在して設けられたフィルタと、
    前記フィルタの上流であって前記処理液流路に介在して設けられた上流ポンプと、
    前記フィルタの下流であって前記処理液流路に介在して設けられた下流ポンプと、を備え、
    前記下流ポンプの入口は、前記上流ポンプの出口よりも高い位置に配置されていると共に、前記フィルタの出口よりも高い位置に配置されており、
    前記下流ポンプは、前記処理液流路が接続される供給出口を有しており、
    前記供給出口は、前記下流ポンプのポンプ内流路の上端よりも低い位置に配置されていることを特徴とするポンプ装置。
  4. 請求項１から３のいずれかに記載のポンプ装置において、
    前記フィルタは、気泡を排出するベント部を備えていることを特徴とするポンプ装置。
  5. 請求項１に記載のポンプ装置において、
    前記戻り出口は、更に、前記下流ポンプのポンプ内流路の上端と接する高さに配置されていることを特徴とするポンプ装置。
  6. 請求項１から５のいずれかに記載のポンプ装置において、
    前記上流ポンプの出口は、前記上流ポンプの入口よりも高い位置に配置されていることを特徴とするポンプ装置。
  7. 請求項１から６のいずれかに記載のポンプ装置において、
    前記フィルタの入口は、前記上流ポンプの出口よりも高い位置に配置されていることを特徴とするポンプ装置。
  8. 基板を処理する基板処理装置において、
    前記基板に対して処理液を吐出するノズルと、
    請求項１から７のいずれかに記載のポンプ装置であって、前記ノズルに処理液を送る前記ポンプ装置と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
JP2016026852A 2016-02-16 2016-02-16 ポンプ装置および基板処理装置 Active JP6685754B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016026852A JP6685754B2 (ja) 2016-02-16 2016-02-16 ポンプ装置および基板処理装置
KR1020160183202A KR101991159B1 (ko) 2016-02-16 2016-12-30 펌프 장치 및 기판 처리 장치
US15/429,610 US10507484B2 (en) 2016-02-16 2017-02-10 Pump apparatus and substrate treating apparatus
TW106104616A TWI675398B (zh) 2016-02-16 2017-02-13 泵裝置及基板處理裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016026852A JP6685754B2 (ja) 2016-02-16 2016-02-16 ポンプ装置および基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017144372A JP2017144372A (ja) 2017-08-24
JP6685754B2 true JP6685754B2 (ja) 2020-04-22

Family

ID=59559523

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016026852A Active JP6685754B2 (ja) 2016-02-16 2016-02-16 ポンプ装置および基板処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10507484B2 (ja)
JP (1) JP6685754B2 (ja)
KR (1) KR101991159B1 (ja)
TW (1) TWI675398B (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6920133B2 (ja) * 2017-08-23 2021-08-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置
JP6966260B2 (ja) * 2017-08-30 2021-11-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス ポンプ装置、処理液供給装置および基板処理装置
JP6966265B2 (ja) * 2017-08-31 2021-11-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス ポンプ装置、処理液供給装置、基板処理装置、液抜き方法および液置換方法
CN107574423A (zh) * 2017-09-11 2018-01-12 德淮半导体有限公司 可结晶液体雾化装置及方法
CN110875212B (zh) * 2018-08-31 2022-07-01 辛耘企业股份有限公司 基板处理装置
TWI702675B (zh) * 2018-08-31 2020-08-21 辛耘企業股份有限公司 基板處理裝置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5167837A (en) 1989-03-28 1992-12-01 Fas-Technologies, Inc. Filtering and dispensing system with independently activated pumps in series
JPH06267837A (ja) * 1993-03-16 1994-09-22 Oki Electric Ind Co Ltd 処理液塗布装置及びその方法
US6171367B1 (en) * 1997-06-05 2001-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method and apparatus for delivering and recycling a bubble-free liquid chemical
JP2003181364A (ja) 2001-12-21 2003-07-02 Tokyo Electron Ltd 塗布処理装置
JP3890229B2 (ja) * 2001-12-27 2007-03-07 株式会社コガネイ 薬液供給装置および薬液供給装置の脱気方法
CN1265246C (zh) * 2003-07-11 2006-07-19 友达光电股份有限公司 一种光刻胶涂敷装置
JP4511868B2 (ja) 2004-04-26 2010-07-28 株式会社コガネイ 可撓性タンクとこれを用いた薬液供給装置
KR101231945B1 (ko) 2004-11-23 2013-02-08 엔테그리스, 아이엔씨. 가변 홈 위치 토출 장치용 시스템 및 방법
KR101243509B1 (ko) 2005-12-02 2013-03-20 엔테그리스, 아이엔씨. 펌프에서의 압력 보상을 위한 시스템 및 방법
US20080169230A1 (en) * 2007-01-12 2008-07-17 Toshiba America Electronic Components, Inc. Pumping and Dispensing System for Coating Semiconductor Wafers
CN103943539B (zh) 2009-02-25 2017-09-19 芝浦机械电子株式会社 基板的处理装置以及处理方法
JP5038378B2 (ja) 2009-11-11 2012-10-03 株式会社コガネイ 薬液供給装置および薬液供給方法
JP5451515B2 (ja) * 2010-05-06 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 薬液供給システム、これを備える基板処理装置、およびこの基板処理装置を備える塗布現像システム
US10399018B2 (en) 2013-08-16 2019-09-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Liquid supply system and method
WO2015037678A1 (ja) 2013-09-12 2015-03-19 Hattori Mitsuharu 相溶性透明含水油の製造方法及び相溶性透明含水油製造装置
JP6020405B2 (ja) 2013-10-02 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
JP5967045B2 (ja) * 2013-10-02 2016-08-10 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
JP3189821U (ja) 2014-01-20 2014-04-03 東京エレクトロン株式会社 処理液供給配管回路
JP3191304U (ja) 2014-02-19 2014-06-19 株式会社クラレ 遠心分離機
KR20180033594A (ko) 2014-03-10 2018-04-03 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 시스템 및 배관 세정 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170096578A (ko) 2017-08-24
TW201735112A (zh) 2017-10-01
JP2017144372A (ja) 2017-08-24
US20170232460A1 (en) 2017-08-17
US10507484B2 (en) 2019-12-17
TWI675398B (zh) 2019-10-21
KR101991159B1 (ko) 2019-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6685754B2 (ja) ポンプ装置および基板処理装置
TWI601576B (zh) A process liquid supply device, a process liquid supply method, and a storage medium
JP6512894B2 (ja) 処理液供給装置および処理液供給装置の制御方法
US10121685B2 (en) Treatment solution supply method, non-transitory computer-readable storage medium, and treatment solution supply apparatus
JP2011101851A (ja) 薬液供給装置および薬液供給方法
US9649577B2 (en) Bubble removing method, bubble removing apparatus, degassing apparatus, and computer-readable recording medium
JP2006528835A (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置および浸漬液体を浸漬空間へ導入する方法
JP5018255B2 (ja) 薬液供給システム及び薬液供給方法並びに記憶媒体
KR102408661B1 (ko) 처리액 공급 장치
JP7175122B2 (ja) 基板処理装置、および基板処理方法
KR102426267B1 (ko) 펌프, 펌프 장치 및 액 공급 시스템
JP5524154B2 (ja) 液処理装置及び液処理方法
KR20190029426A (ko) 처리액 공급 장치
KR102098450B1 (ko) 펌프 장치 및 기판 처리 장치
JP6685759B2 (ja) 基板処理装置
JP6576217B2 (ja) 処理液供給装置および処理液供給装置の制御方法
JP6159651B2 (ja) フィルタ洗浄方法、液処理装置及び記憶媒体
JP6425669B2 (ja) 処理液供給方法、読み取り可能なコンピュータ記憶媒体及び処理液供給装置
US11000783B2 (en) Pumping apparatus, treatment solution supplying device, and substrate treating apparatus
US20190063415A1 (en) Pumping apparatus, treatment solution supplying device, substrate treating apparatus, liquid draining method, and liquid replacing method
JP6576770B2 (ja) 基板処理装置におけるフィルタ交換方法
JP2008193094A (ja) 液体シーリングユニット及びそれを有するイマージョンフォトリソグラフィ装置
US20230131562A1 (en) Liquid supply unit, substrate treating apparatus, and bottle replacing method
JP7202817B2 (ja) 送液システム
KR20230084041A (ko) 처리액 공급 장치 및 처리액 배출 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191001

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190927

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191111

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200310

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200401

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6685754

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250