KR20190029426A - 처리액 공급 장치 - Google Patents

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가츠노리 이치노
츠네나가 나카시마
히데오 후나코시
노부아키 마츠오카
마사유키 가지와라
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 보다 이물이 적은 처리액을 공급한다.
레지스트액 공급 장치(200)는 레지스트액 중의 이물을 제거하는 필터(206)와 레지스트액을 송출하는 펌프(207)가 배치 마련된 공급 경로(202)를 통해, 도포 노즐(142)에 레지스트액을 공급한다. 튜브프램 펌프인 펌프(207) 및 필터(206)의 상류측에 개폐 밸브(205)가 배치 마련되고, 펌프(207) 및 필터(206)의 하류측에 석백 밸브(208)가 배치 마련되어 있다. 제어부(U)는, 펌프(207)로부터의 레지스트액의 송출을 정지시키는 제어와, 석백 밸브(208)의 작동에 의해 도포 노즐(142)로부터의 레지스트액의 토출을 중단시킨 후에, 개폐 밸브(205)를 폐지함으로써 상기 토출을 완전히 정지시키는 제어를 행한다.

Description

처리액 공급 장치{APPARATUS FOR SUPPLYING TREATMENT LIQUID}
본 발명은 피처리체에 레지스트액 등의 처리액을 토출하는 처리액 토출부에 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스 등의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함) 등의 피처리체 상에 반사 방지막이나 레지스트막 등의 도포막을 형성하거나, 노광 후의 레지스트막을 현상하거나 하기 위하여, 레지스트액이나 현상액 등의 처리액이 사용된다.
이 처리액 중에는 이물(파티클)이 포함되어 있는 경우가 있다. 그 때문에, 처리액 공급 장치에는 필터가 배설 마련되어, 당해 필터에 의해 파티클의 제거가 행해지고 있다(특허문헌 1 참조).
또한, 처리액 공급 장치는, 처리액 도포 노즐에 처리액을 송출하는 송출 펌프를 구비한다. 또한, 송출 펌프를 구동시키는 구동 동작과 처리액 도포 노즐로부터의 토출 동작에는 지연이 있기 때문에, 처리액 도포 노즐로부터의 처리액의 토출 타이밍의 조절 및 처리액 도포 노즐에 있어서의 액 끊김성 향상을 목적으로 하고, 디스펜스 밸브가, 송출 펌프의 하류에 설치되어 있다(특허문헌 1 참조).
예를 들어, 특허문헌 1의 처리액 공급 장치에서는, 상기 디스펜스 밸브로서, 개폐 밸브와 석백 밸브(sack back valve)가 인접 배치된 것이 사용되고 있다. 또한, 특허문헌 1의 처리액 공급 장치에서는, 디스펜스 밸브가 하류에 설치된 송출 펌프에 필터가 일체로 설치되어 있고, 바꾸어 말하면, 디스펜스 밸브가 필터의 하류에 설치되어 있다.
일본 특허 공개(평)11-204416호 공보
그런데, 디스펜스 밸브에 포함되는 개폐 밸브는, 높은 청정도가 확보되어 있기는 하지만, 처리액의 유로를 개폐하는 구조를 채용하고 있으므로, 미세한 이물이 발생되는 경우가 있다. 예를 들어, 개폐 밸브에서는, 유로를 개폐하는 개폐 부재와 유로의 접촉면에 있어서 상술한 미세한 이물이 발생하는 경우가 있다. 개폐 밸브에서 발생된 이물은, 특허문헌 1과 같이 당해 개폐 밸브가 필터의 하류에 설치되어 있는 구성에서는, 필터로 제거할 수 없기 때문에, 반도체 디바이스의 미세화가 더 진행된 경우에 문제가 되는 경우가 있다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 보다 이물이 적은 처리액을 공급할 수 있는 처리액 공급 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 처리액 중의 이물을 제거하는 필터와 처리액을 송출하는 튜브프램 펌프가 배치 마련된 공급 경로를 통해, 처리액 토출부에 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치이며, 상기 공급 경로는, 상기 튜브프램 펌프 및 상기 필터의 상류측에 개폐 밸브가 배치 마련되어, 상기 튜브프램 펌프 및 상기 필터의 하류측에 석백 밸브가 배치 마련되어, 당해 처리액 공급 장치는, 적어도 상기 튜브프램 펌프, 상기 개폐 밸브와 상기 석백 밸브를 제어하는 제어부를 구비하고, 해당 제어부는, 상기 튜브프램 펌프로부터의 처리액의 송출을 정지시키는 제어와, 상기 석백 밸브의 작동에 의해 상기 처리액 토출부로부터의 처리액의 토출을 중단시킨 후에, 상기 개폐 밸브를 폐지함으로써 상기 토출을 정지시키는 제어를 행하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 따르면, 개폐 밸브가 필터의 상류측에 설치되어 있기 때문에, 개폐 밸브에서 발생된 이물은 필터에 있어서 포집할 수 있다. 또한, 석백 밸브의 작동에 의해 처리액 토출부로부터의 처리액의 토출을 정지시킨 후에, 개폐 밸브를 폐지함으로써 처리액의 흐름이 멈추도록 제어하기 때문에, 처리액 토출부에 있어서의 액 끊김성이 좋다.
상기 제어부는, 처리액의 토출을 정지시키고 있을 때의 상기 처리액 토출부에 있어서의 처리액의 액면을 소정의 위치에 유지하기 위한 액면 유지 제어를 행해도 된다.
상기 제어부는, 상기 액면 유지 제어에 있어서, 상기 튜브프램 펌프가 당해 튜브프램 펌프보다 하류측의 상기 공급 경로 내의 처리액을 흡액하도록 당해 튜브프램 펌프를 제어해도 된다.
상기 공급 경로는, 처리액을 일시적으로 저류하는 별도의 튜브프램 펌프가 상기 개폐 밸브의 상류측에 배치 마련되고, 상기 제어부는, 상기 액면 유지 제어에 있어서, 상기 별도의 튜브프램 펌프가 당해 별도의 튜브프램 펌프보다 하류측의 상기 공급 경로 내의 처리액을 흡액하도록 당해 별도의 튜브프램 펌프를 제어해도 된다.
상기 공급 경로는, 상기 튜브프램 펌프 및 상기 필터의 하류측에 별도의 석백 밸브가 배치 마련되고, 상기 제어부는, 상기 액면 유지 제어에 있어서, 상기 별도의 석백 밸브가 작동하도록 당해 별도의 석백 밸브를 제어해도 된다.
상기 튜브프램 펌프는, 처리액을 저류하는 저류실과, 해당 저류실 내의 압력을 조정하기 위한 작동액이 충전된 작동액 충전실을 구비하고, 당해 처리액 공급 장치는, 상기 작동액의 온도를 조절하는 온도 조절 기구를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 온도 조절 기구를 제어하여, 상기 작동액을 온도 조절함으로써, 상기 저류실 내의 처리액의 온도를 제어해도 된다.
상기 튜브프램 펌프는, 상기 작동액에 첨가하는 압력을 조정하기 위한 구동부를 구비하고, 상기 처리액 공급 장치는, 상기 구동부의 열로부터 상기 작동액 충전실을 단열하는 단열 부재를 구비해도 된다.
다른 관점에 의한 본 발명은, 상기 처리액 공급 장치를 구비하는 기판 처리 시스템이며, 상기 처리액 공급 장치로부터 공급된 처리액을 상기 처리액 토출부를 통해 피처리체 상에 도포하는 도포 처리 장치와, 해당 도포 처리 장치를 수용하는 하우징을 구비하고, 해당 하우징 내에, 상기 처리액 공급 장치의 상기 튜브프램 펌프보다 하류측의 부분이 배치 마련되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 튜브프램 펌프보다 하류측의 상기 공급 경로 내의 처리액의 온도를 조절하는 별도의 온도 조절 기구를 구비해도 된다.
상기 하우징 내는, 소정의 온도로 조절되어 있어도 된다.
본 발명에 따르면, 보다 이물이 적은 처리액을 공급할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 정면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 배면도이다.
도 4는 레지스트 도포 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.
도 5는 레지스트 도포 장치의 구성의 개략을 나타내는 횡단면도이다.
도 6은 제1 실시 형태에 관한 레지스트액 공급 장치의 구성의 개략을 나타내는 설명도이다.
도 7은 석백 밸브의 구성을 간략화하여 나타내는 단면도이다.
도 8은 제1 실시 형태에 관한 레지스트액 공급 장치에 의한 레지스트액 공급 처리에 대해 설명한다.
도 9는 제2 실시 형태에 관한 레지스트액 공급 장치의 주요부를 나타내는 도면이다.
도 10은 제3 실시 형태에 관한 레지스트액 공급 장치의 구성의 개략을 나타내는 설명도이다.
도 11은 제3 실시 형태에 관한 레지스트액 공급 장치에 있어서의 펌프의 주위의 구조를 모식적으로 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에는, 동일한 번호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
(제1 실시 형태)
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다. 도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 처리액 공급 장치로서의 레지스트액 공급 장치를 탑재한 기판 처리 시스템(1)의 구성의 개략을 나타내는 설명도이다. 도 2 및 도 3은, 각각 기판 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 정면도와 배면도이다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 있어서는, 동일한 번호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
기판 처리 시스템(1)은, 도 1에 도시된 바와 같이 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 반출입되는 카세트 스테이션(10)과, 웨이퍼(W)에 소정의 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(11)과, 처리 스테이션(11)에 인접하는 노광 장치(12) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(13)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.
카세트 스테이션(10)에는, 카세트 적재대(20)가 설치되어 있다. 카세트 적재대(20)에는, 기판 처리 시스템(1)의 외부에 대해 카세트(C)를 반출입할 때에, 카세트(C)를 적재하는 카세트 적재판(21)이 복수 설치되어 있다.
카세트 스테이션(10)에는, 도 1에 도시된 바와 같이 X 방향으로 연장되는 반송로(22) 위를 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(23)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(23)는, 상하 방향 및 연직축 주위(θ 방향)에도 이동 가능하며, 각 카세트 적재판(21) 위의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(11)의 제3 블록(G3)의 전달 장치 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
처리 스테이션(11)에는, 각종 장치를 구비한 복수, 예를 들어 4개의 블록(G1, G2, G3, G4)이 설치되어 있다. 예를 들어 처리 스테이션(11)의 정면측(도 1의 X 방향 부방향측)에는, 제1 블록(G1)이 설치되고, 처리 스테이션(11)의 배면측(도 1의 X 방향 정방향측)에는, 제2 블록(G2)이 설치되어 있다. 또한, 처리 스테이션(11)의 카세트 스테이션(10)측(도 1의 Y 방향 부방향측)에는, 제3 블록(G3)이 설치되고, 처리 스테이션(11)의 인터페이스 스테이션(13)측(도 1의 Y 방향 정방향측)에는, 제4 블록(G4)이 설치되어 있다.
예를 들어 제1 블록(G1)에는, 도 2에 도시된 바와 같이 복수의 도포 처리 장치, 예를 들어 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 처리 장치(30), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하 「하부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 장치(32), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하 「상부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 장치(33)가 아래부터 이 순서대로 배치되어 있다.
예를 들어 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)는, 각각 수평 방향으로 3개 배열하여 배치되어 있다. 또한, 이들 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다.
이들 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)와 같은 도포 처리 장치에서는, 예를 들어 웨이퍼(W) 상에 소정의 처리액을 도포하는 스핀코팅이 행해진다. 스핀코팅에서는, 예를 들어 도포 노즐로부터 웨이퍼(W) 위에 처리액을 토출함과 함께, 웨이퍼(W)를 회전시켜, 처리액을 웨이퍼(W)의 표면에 확산시킨다.
예를 들어 제2 블록(G2)에는, 도 3에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 가열이나 냉각과 같은 열처리를 행하는 열처리 장치(40)나, 레지스트액과 웨이퍼(W)의 정착성을 높이기 위한 접착 장치(41), 웨이퍼(W)의 외주부를 노광하는 주변 노광 장치(42)가 상하 방향과 수평 방향으로 배열하여 설치되어 있다. 이들 열처리 장치(40), 접착 장치(41), 주변 노광 장치(42)의 수나 배치에 대해서도, 임의로 선택할 수 있다.
예를 들어 제3 블록(G3)에는, 복수의 전달 장치(50, 51, 52, 53, 54, 55, 56)가 아래부터 순서대로 설치되어 있다. 또한, 제4 블록(G4)에는, 복수의 전달 장치(60, 61, 62)가 아래부터 순서대로 설치되어 있다.
도 1에 도시된 바와 같이 제1 블록(G1) 내지 제4 블록(G4)으로 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역(D)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 예를 들어 Y 방향, X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암(70a)을 갖는 웨이퍼 반송 장치(70)가 복수 배치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는 웨이퍼 반송 영역(D) 내를 이동하고, 주위의 제1 블록(G1), 제2 블록(G2), 제3 블록(G3) 및 제4 블록(G4) 내의 소정의 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
또한, 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 제3 블록(G3)과 제4 블록(G4) 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 셔틀 반송 장치(80)가 설치되어 있다.
셔틀 반송 장치(80)는, 예를 들어 도 3의 Y 방향에 직선적으로 이동 가능하게 되어 있다. 셔틀 반송 장치(80)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 Y 방향으로 이동하여, 제3 블록(G3)의 전달 장치(52)와 제4 블록(G4)의 전달 장치(62) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이 제3 블록(G3)의 X 방향 정방향측의 옆에는, 웨이퍼 반송 장치(100)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예를 들어 X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암(100a)을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 상하로 이동하여, 제3 블록(G3) 내의 각 전달 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
인터페이스 스테이션(13)에는, 웨이퍼 반송 장치(110)와 전달 장치(111)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(110)는, 예를 들어 Y 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암(110a)을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(110)는, 예를 들어 반송 아암(110a)에 웨이퍼(W)를 지지하여, 제4 블록(G4) 내의 각 전달 장치, 전달 장치(111) 및 노광 장치(12) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
이상의 기판 처리 시스템(1)에는, 도 1에 도시된 바와 같이 제어부(U)가 설치되어 있다. 제어부(U)는, 예를 들어 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시되지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예를 들어 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그네토 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터가 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어부(U)에 인스톨된 것이어도 된다.
<웨이퍼 처리>
이어서, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)을 사용하여 행하여지는 웨이퍼 처리에 대해 설명한다.
먼저, 복수의 웨이퍼(W)를 수납한 카세트(C)가, 기판 처리 시스템(1)의 카세트 스테이션(10)에 반입되어, 카세트 적재판(21)에 적재된다. 그 후, 웨이퍼 반송 장치(23)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차 취출되어, 처리 스테이션(11)의 제3 블록(G3)의 전달 장치(53)에 반송된다.
다음에, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제2 블록(G2)의 열처리 장치(40)에 반송되어 온도 조절 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 예를 들어 제1 블록(G1)의 하부 반사 방지막 형성 장치(31)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 제2 블록(G2)의 열처리 장치(40)에 반송되어, 가열 처리가 행해진다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 제3 블록(G3)의 전달 장치(53)로 복귀된다.
이어서, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 동일한 제3 블록(G3)의 전달 장치(54)에 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제2 블록(G2)의 접착 장치(41)에 반송되어, 소수화 처리가 행해진다.
그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 레지스트 도포 장치(32)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)에 반송되어, 프리베이크 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제3 블록(G3)의 전달 장치(55)에 반송된다.
이어서, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 상부 반사 방지막 형성 장치(33)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)에 반송되어, 가열되고, 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 주변 노광 장치(42)에 반송되어, 주변 노광 처리된다.
그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제3 블록(G3)의 전달 장치(56)에 반송된다.
이어서, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 전달 장치(52)에 반송되고, 셔틀 반송 장치(80)에 의해 제4 블록(G4)의 전달 장치(62)에 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 인터페이스 스테이션(13)의 웨이퍼 반송 장치(110)에 의해 노광 장치(12)에 반송되어, 소정의 패턴으로 노광 처리된다.
이어서, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(110)에 의해 제4 블록(G4)의 전달 장치(60)에 반송된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)에 반송되어, 노광 후 베이크 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 현상 처리 장치(30)에 반송되어, 현상된다. 현상 종료 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)에 반송되어, 포스트베이크 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 카세트 적재판(21) 위의 카세트(C)에 반송되어, 일련의 포토리소그래피 공정이 완료된다.
계속해서, 상술한 레지스트 도포 장치(32)의 구성에 대해 설명한다. 도 4는, 레지스트 도포 장치(32)의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이며, 도 5는, 레지스트 도포 장치(32)의 구성의 개략을 나타내는 횡단면도이다.
레지스트 도포 장치(32)는, 도 4에 도시된 바와 같이 내부를 폐쇄 가능한 처리 용기(120)를 갖고 있다. 처리 용기(120)의 측면에는, 도 5에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 반출입구(121)가 형성되고, 반출입구(121)에는, 개폐 셔터(122)가 설치되어 있다.
처리 용기(120) 내의 중앙부에는, 도 4에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)를 보유 지지하여 회전시키는 스핀 척(130)이 설치되어 있다. 스핀 척(130)은, 수평인 상면을 갖고, 당해 상면에는, 예를 들어 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인구(도시되지 않음)가 설치되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해, 웨이퍼(W)를 스핀 척(130) 상에 흡착 보유 지지할 수 있다.
스핀 척(130)은, 예를 들어 모터 등을 구비한 척 구동 기구(131)를 갖고, 그 척 구동 기구(131)에 의해 소정의 속도로 회전할 수 있다. 또한, 척 구동 기구(131)에는, 실린더 등의 승강 구동원이 설치되어 있어, 스핀 척(130)은 상하 이동 가능하다.
스핀 척(130)의 주위에는, 웨이퍼(W)로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아 모아, 회수하는 컵(132)이 설치되어 있다. 컵(132)의 하면에는, 회수된 액체를 배출하는 배출관(133)과, 컵(132) 내의 분위기를 배기하는 배기관(134)이 접속되어 있다.
도 5에 도시된 바와 같이 컵(132)의 X 방향 부방향(도 5의 하측 방향)측에는, Y 방향(도 5의 좌우 방향)에 따라 연신하는 레일(140)이 형성되어 있다. 레일(140)은, 예를 들어 컵(132)의 Y 방향 부방향(도 5의 좌측 방향)측의 외측으로부터 Y 방향 정방향(도 5의 우측 방향)측의 외측까지 형성되어 있다. 레일(140)에는 아암(141)이 장착되어 있다.
아암(141)에는, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 레지스트액을 토출하는 도포 노즐(142)이 지지되어 있다. 아암(141)은, 도 5에 나타내는 노즐 구동부(143)에 의해, 레일(140) 위를 이동 가능하다. 이에 의해, 도포 노즐(142)은, 컵(132)의 Y 방향 정방향측의 외측에 설치된 대기부(144)로부터 컵(132) 내의 웨이퍼(W)의 중심부 상방까지 이동할 수 있고, 또한 당해 웨이퍼(W)의 표면 위를 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 아암(141)은, 노즐 구동부(143)에 의해 승강 가능하며, 도포 노즐(142)의 높이를 조절할 수 있다. 도포 노즐(142)은, 도 4에 도시된 바와 같이 레지스트액을 공급하는 레지스트액 공급 장치(200)에 접속되어 있다.
다음에, 레지스트 도포 장치(32) 내의 처리액 토출부로서의 도포 노즐(142)에 대해 레지스트액을 공급하는 레지스트액 공급 장치(200)의 구성에 대해 설명한다. 도 6은, 레지스트액 공급 장치(200)의 구성의 개략을 나타내는 설명도이다. 또한, 레지스트액 공급 장치(200)는, 예를 들어 후술하는 레지스트액 공급원(201)으로부터 펌프(207)까지의 부분이, 도시되지 않은 케미컬실 내에 설치되어 있다. 케미컬실이란, 각종 처리액을 도포 처리 장치에 공급하기 위한 것이다.
레지스트액 공급 장치(200)는, 처리액으로서의 레지스트액을 내부에 저류하는 레지스트액 공급원(이하, 공급원)(201)과, 공급원(201)과 도포 노즐(142)을 접속하는 공급 경로(202)를 구비한다.
공급 경로(202)에는, 구조체로서, 상류 측으로부터 순서대로, 공급 밸브(203), 버퍼 탱크(204), 개폐 밸브(205), 필터(206), 펌프(207), 석백 밸브(208)가 배치 마련되어 있다. 또한, 공급 경로(202)에 있어서, 공급원(201)과 공급 밸브(203)의 사이, 석백 밸브(208)와 도포 노즐(142)의 사이, 및 각 구조체간은 각각 공급관(209)에 의해 접속되어 있다.
공급 밸브(203)는, 공급원(201)과 버퍼 탱크(204)를 접속하는 유로를 개폐하는 것이다.
버퍼 탱크(204)는, 교체 가능한 공급원(201)으로부터 이송된 레지스트액을 도시되지 않은 저류실에 일시적으로 저류하는 것이며, 예를 들어 튜브프램 펌프로 구성된다. 이 버퍼 탱크(204)는, 공급원(201) 내의 레지스트액이 없어졌을 경우에 있어서의 공급원(201)의 교환 중에도, 해당 버퍼 탱크(204) 내에 저류되어 있는 레지스트액을 도포 노즐(142)에 공급할 수 있다. 버퍼 탱크(204)의 상부에는, 버퍼 탱크(204) 내의 레지스트액을 배출할 때에 사용되는 드레인 관(210)이 설치되어 있다. 또한, 드레인 관(210)에는 도시되지 않은 배출 밸브가 설치되어 있다.
개폐 밸브(205)는, 필터(206)의 상류측에 설치되고, 버퍼 탱크(204)와 필터(206) 사이를 접속하는 유로를 개폐하는 것이며, 예를 들어 에어 오퍼레이트 밸브(Air Operated Valve)를 포함한다.
필터(206)는, 레지스트액 중의 이물을 포집하여 제거하는 것이다. 필터(206)의 상부에는, 레지스트액 중에 발생된 기체(기포)를 배기하는 드레인 관(211)이 설치되어 있다.
펌프(207)는, 도포 노즐(142)에 레지스트액을 송출하는 것이며, 튜브프램 펌프를 포함한다. 펌프(207)가 송출하는 레지스트액은, 도시되지 않은 저류실에 저류된다. 해당 저류실은, 공급원(201)과 도포 노즐(142)을 접속해 레지스트액이 충전되는 유로의 일부를 구성한다. 또한. 펌프(207)와 필터(206)를 접속하는 공급관(209)에는, 압력 센서(212)가 설치되어 있다. 펌프(207)와 필터(206)를 접속하는 공급관(209)은 펌프(207)의 저류실과 연통되어 있어, 압력 센서(212)에 의해 상기 공급관(209)의 압력, 즉 펌프(207)의 저류실 내의 압력을 측정할 수 있다.
석백 밸브(208)는, 펌프(207)와 도포 노즐(142) 사이의 유로에 체적 변동을 일으키게 하는 것이다. 도포 노즐(142)로부터의 레지스트액의 토출이 행해지고 있을 때 석백 밸브(208)을 동작시킴으로써, 도포 노즐(142)로부터의 상기 토출을 중단시킬 수 있다.
도 7은, 석백 밸브(208)의 구성을 간략화하여 나타내는 단면도이다.
도 7의 석백 밸브(208)는, 공급원(201)과 도포 노즐(142)을 접속해 레지스트액이 충전되는 레지스트액 유로의 일부를 구성하는 유로(220)가 설치되어 있다. 또한, 석백 밸브(208)는, 도면 중 상하 방향으로 이동 가능하게 로드(221)가 설치되어 있다. 로드(221)의 하면(221)은, 유로(220)에 대해 노출되어 있다. 이 석백 밸브(208)를 동작시키면, 로드(221)가 상승하여, 유로(220)의 체적이 증가하도록, 석백 밸브(208)는 구성되어 있다.
도 6의 설명으로 되돌아간다.
레지스트액 공급 장치(200)에 있어서, 공급 밸브(203)나 버퍼 탱크(204), 개폐 밸브(205), 펌프(207), 석백 밸브(208) 등은, 전술한 제어부(U)에 의해 제어된다. 또한, 압력 센서(212)에 의한 측정 결과는, 제어부(U)에 출력된다.
이어서, 도 8을 사용하여, 레지스트액 공급 장치(200)에 의한 레지스트액 공급 처리에 대해 설명한다. 도 8은, 레지스트액 공급 처리에 포함되는 토출 중단 처리의 설명도이다. 도 8의 (A) 및 도 8의 (B)는, 레지스트액의 토출 중단 전후의 석백 밸브(208)의 움직임을 나타내며, 도 8의 (C) 및 (D)는 상기 토출 중단 전후의 도포 노즐(142)로부터의 토출의 모습을 나타내는 도면이다.
(버퍼 탱크(204)에 대한 보충)
레지스트액 공급 처리에서는, 먼저, 제어부(U)로부터의 제어 신호에 기초하여, 공급 밸브(203)를 개방 상태로 함과 함께, 버퍼 탱크(204)의 저류실을 감압하고, 이에 의해 공급원(201)으로부터 버퍼 탱크(204)의 저류실 내에 레지스트액을 공급하고, 보충한다.
(펌프(207)에 대한 보충)
버퍼 탱크(204)의 저류실 내에 소정량의 레지스트액이 보충되면, 공급 밸브(203)를 폐쇄 상태로 하고, 개폐 밸브(205)를 개방 상태로 한다. 그와 더불어, 펌프(207)의 저류실 내의 압력을 대기압으로 한 채 버퍼 탱크(204)의 저류실을 대기압에 대해 가압함으로써, 버퍼 탱크(204)의 저류실 내의 레지스트액을 펌프(207)를 향하여 압송한다. 압송된 레지스트액은, 필터(206)를 통과한 후, 펌프(207)의 저류실로 이동된다. 또한, 이후, 제어부(U)는, 버퍼 탱크(204)의 저류실을 상시 정압 유지 제어한다. 즉, 제어부(U)는, 압력 센서(212)에 의한 측정 결과에 기초하여, 버퍼 탱크(204)의 저류실 내의 압력이 펌프(207)의 저류실 내의 압력보다 높아지도록 제어를 행한다.
펌프(207)의 저류실 내에 소정량의 레지스트액이 보충되면, 개폐 밸브(205)를 폐쇄 상태로 하여, 펌프(207)에 대한 레지스트액의 보충을 종료한다. 또한, 버퍼 탱크(204)로부터 압송되는 레지스트액의 양은 미리 정해져 있고, 펌프(207)에 대한 레지스트액의 보충 시에, 압송된 레지스트액이 펌프(207)를 거쳐 도포 노즐(142)로부터 누출되는 경우가 없도록 하고 있다.
(토출 개시)
도포 노즐(142)로부터의 토출 시는, 개폐 밸브(205)를 개방 상태로 한 채, 펌프(207)의 저류실을 대기압에 대해 가압 상태로 한다. 이에 따라, 펌프(207) 내의 레지스트액이 당해 펌프(207)로부터 도포 노즐(142)을 향하여 압송되어, 도포 노즐(142)로부터 웨이퍼(W)에 대한 레지스트액의 토출이 개시된다. 또한, 이때, 버퍼 탱크(204)의 저류실의 압력은, 압력 센서(212)에 의한 측정 결과에 기초하여, 펌프(207)의 저류실의 압력보다 높아지도록 제어된다. 이에 따라, 펌프(207)로부터 토출된 만큼의 레지스트액을 버퍼 탱크(204)로부터 보충할 수 있다.
(토출 중단)
도포 노즐(142)로부터 소정량의 레지스트액이 토출되면, 즉, 펌프(207)로부터 소정량의 레지스트액이 압송되면, 레지스트액 공급 장치(200)에서는, 석백 밸브(208)를 제어하여 당해 석백 밸브(208)를 작동시킨다. 구체적으로는, 예를 들어 도 8의 (A)와 같이 하측에 위치하고 있던 석백 밸브(208)의 로드(221)를 도 8의 (C)와 같이 상승시켜, 레지스트액(L)으로 충전되어 있는 유로(220)(도 7 참조)의 체적을 증가시킨다. 이에 따라, 도포 노즐(142)로부터의 처리액의 토출을 중단시킨다. 바꾸어 말하면, 도 8의 (B)와 같이 도포 노즐(142)로부터 처리액을 토출하고 있던 상태로부터, 도 8의 (D)와 같이 처리액이 토출되지 않는 상태로 순식간에 전환한다.
또한, 상술한 바와 같이 석백 밸브를 작동시킴과 함께, 펌프(207)로부터의 레지스트액의 압송을 정지하기 위한 제어 신호(이하, 정지 제어 신호)를 제어부(U)로부터 펌프(207)로 보내어, 펌프(207)의 저류실 내의 압력이 대기압으로 되도록 제어한다. 또한, 정지 제어 신호의 송출 타이밍과 석백 밸브(208)를 작동시키는 타이밍은, 어느 쪽이 빨라도 되고, 동일해도 된다. 단, 후자의 타이밍의 쪽이 빠르거나 동일한 것이 바람직하다.
(레지스트액의 토출의 정지)
레지스트액 공급 장치(200)에서는, 정지 제어 신호의 송출 후이며 석백 밸브(208)의 작동에 의해 도포 노즐(142)로부터의 토출이 중단되어 있는 동안에, 개폐 밸브(205)를 제어하여, 개폐 밸브(205)를 폐쇄 상태로 한다. 이에 의해, 도포 노즐로부터의 토출을 완전히 정지시킨다.
본 실시 형태에 따르면, 개폐 밸브(205)가 필터(206)의 상류측에 설치되어 있기 때문에, 개폐 밸브(205)에서 미량의 이물이 발생했다고 해도, 그 이물을 필터(206)에 의해 제거할 수 있다. 따라서, 보다 이물이 적은 처리액을 도포 노즐(142)에 공급할 수 있다.
또한, 상술한 레지스트액 공급 장치(200)의 구성으로부터 석백 밸브(208)를 삭제한 구성을 갖는 레지스트액 공급 장치에 있어서, 도포 노즐(142)로부터의 토출을 정지시키는 방법으로서는 예를 들어 이하의 (1), (2)의 방법을 생각할 수 있다.
(1) 개폐 밸브(205)를 개방 상태로 한 채, 펌프(207) 및 버퍼 탱크(204)로부터의 압송을 정지하는 방법(즉, 개폐 밸브(205)를 개방 상태로 한 채, 펌프(207) 및 버퍼 탱크(204)의 저류실의 압력을 대기압으로 하는 방법).
(2) 펌프(207)로부터의 압송을 정지함과 함께, 개폐 밸브(205)를 폐쇄 상태로 하는 방법.
그러나, 상기 (1)의 방법에서는, 압송을 정지하기 위한 정지 제어 신호를 송신하고 나서, 펌프(207) 및 버퍼 탱크(204)로부터의 레지스트액의 송액의 정지가 완료될 때까지는 시간이 걸린다. 따라서, 도포 노즐(142)에 있어서의 액 끊김성이 나쁘다. 또한, 「액 끊김성이 나쁜다」는 것은, 원하는 타이밍에 액체의 흐름을 완전히 멈출 수 없다는 것을 말하며, 「액 끊김성이 좋다」는 것은, 원하는 타이밍에 액체의 흐름을 완전히 멈출 수 있음을 의미한다. 도포 노즐(142)에 있어서의 액 끊김성이 나쁘면, 레지스트 도포 장치(32)로 원하는 레지스트막을 얻을 수 없다.
또한, 상기 (2)의 방법에서는, 상기 (1)의 경우와 동일하게, 압송을 정지하기 위한 정지 제어 신호를 송신하고 나서 펌프(207)로부터의 레지스트액의 송액의 정지가 완료될 때까지 시간이 걸린다. 또한, 가령, 상기 정지 제어 신호를 송신하고 나서 바로 레지스트액의 송액의 정지가 완료되었다고 해도, 개폐 밸브(205)에서부터 도포 노즐까지의 유로의 체적/용적이 크기 때문에, 버퍼 탱크(204)로부터의 압력이 가해지는 당해 유로 중의 레지스트액의 흐름은, 개폐 밸브(205)를 폐쇄한 후에도, 해당 레지스트액에 가해지는 관성력에 의해 바로 멈출 수 없다. 따라서, 도포 노즐(142)에 있어서의 액 끊김성이 나쁘다.
그에 비해, 본 실시 형태의 레지스트액 공급 장치(200)에서는, 펌프(207)로부터의 레지스트의 압송을 정지시키는 제어, 즉 압송을 정지시키기 위한 정지 제어 신호를 송신하는 제어와 함께, 이하의 제어를 행한다. 즉, 석백 밸브(208)의 작동에 의해 도포 노즐(142)로부터의 레지스트액의 토출을 중단시킨 후에, 개폐 밸브(205)를 폐쇄 상태로 하여 도포 노즐(142)로부터의 레지스트액의 토출을 완전히 정지시키는 제어를 행한다.
따라서, 상기 정지 제어 신호를 송신하고 나서 펌프(207)로부터의 레지스트액의 송액이 정지할 때까지는 당해 펌프(207)로부터 흘러 나간 레지스트액은, 석백 밸브(208)의 작동에 의해 체적이 증가되는 유로에 수용할 수 있다. 또한, 개폐 밸브(205)를 폐쇄한 후에 관성력에 의해 펌프(207)로부터 상류측으로 이동된 레지스트액도, 석백 밸브(208)의 작동에 의해 체적이 증가되는 유로에 수용할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태의 레지스트액 공급 장치(200)는, 도포 노즐(142)에 있어서의 액 끊김성이 좋다.
이어서, 레지스트액 공급 장치(200)의 레지스트액 공급 처리에 포함되는 경우가 있는 액면 유지 처리에 대해 설명한다.
본 실시 형태의 레지스트액 공급 장치(200)와 같이 도포 노즐(142)로부터의 레지스트액의 토출을 정지시키는 제어를 했다고 해도, 예를 들어 압송을 정지하기 위한 정지 제어 신호를 펌프(207)에 송신하고 나서 당해 펌프(207)로부터의 레지스트액의 송액의 정지가 완료할 때까지의 시간이 길면 이하의 문제가 있다. 즉, 상기 시간 중에 펌프(207)로부터 흘러 나간 레지스트액을, 석백 밸브(208)의 작동에 의해 체적이 증가한 유로에 전부 수용하지 못하는 경우가 있다. 또한, 전부 수용할 수 있다고 해도, 레지스트액의 토출이 정지하고 있을 때의 도포 노즐(142)에 있어서의 레지스트액의 액면이 원하는 위치/소정의 위치에서 어긋난 위치에 유지되는 경우가 있다. 상기 도포 노즐(142)에 있어서의 레지스트액의 액면은 예를 들어 노즐(142)의 선단으로부터 2 내지 3㎜ 내측에 위치하는 것이 바람직하다.
따라서, 레지스트액 공급 장치(200)의 레지스트액 공급 처리에는, 액면 유지 처리, 즉, 레지스트액의 토출이 정지하고 있을 때의 도포 노즐(142)에 있어서의 레지스트액의 액면을 소정의 위치에 유지하기 위한 처리가 포함되는 경우가 있다.
(액면 유지 처리의 일례)
액면 유지 처리에서는, 펌프(207)가 소정량의 레지스트액을 흡액하도록 해당 펌프(207)를 제어한다. 구체적으로는, 예를 들어 도포 노즐(142)로부터의 레지스트액의 토출을 정지하기 위하여, 펌프(207)에 대해 정지 제어 신호를 송신함과 함께, 석백 밸브(208)가 작동하도록 제어한 후, 액면 유지 처리로서, 펌프(207)의 저류실이 소정 시간에 걸쳐 감압 상태가 되도록 당해 펌프(207)를 제어하는 처리를 행한다. 이에 의해, 펌프(207)보다 하류측의 공급 경로(202) 중의 레지스트액이 펌프(207)에 소정량 복귀된다. 그 때문에, 레지스트액의 토출이 정지하고 있을 때의 도포 노즐(142)에 있어서의 레지스트액의 액면을 소정의 위치에 유지할 수 있다.
또한, 본 예의 액면 유지 처리에서 행하여지는 액면 유지 제어는, 석백 밸브(208)를 작동시키는 제어 이후이면, 개폐 밸브(205)를 폐쇄 상태로 하는 제어의 전후의 어느 때에 행해도 된다.
(액면 유지 처리의 다른 예)
액면 유지 처리의 다른 예에서는, 튜브프램 펌프를 포함하는 버퍼 탱크(204)가 소정량의 레지스트액을 흡액하도록 당해 버퍼 탱크(204)를 제어한다. 구체적으로는, 예를 들어 도포 노즐(142)로부터의 레지스트액의 토출을 정지하기 위하여, 펌프(207)에 대해 정지 제어 신호를 송신함과 함께, 석백 밸브(208)가 작동하도록 제어한 후, 액면 유지 처리로서, 개폐 밸브(205)를 개방 상태로 한 채, 버퍼 탱크(204)의 저류실이 소정 시간에 걸쳐 감압 상태가 되도록 당해 버퍼 탱크(204)를 제어하는 처리를 행한다. 이에 의해, 버퍼 탱크(204)보다 하류측의 공급 경로(202) 중의 레지스트액이 버퍼 탱크(204)에 소정량 복귀된다. 그 때문에, 레지스트액의 토출이 정지하고 있을 때의 도포 노즐(142)에 있어서의 레지스트액의 액면을 소정의 위치에 유지할 수 있다.
또한, 본 예의 액면 유지 처리에서 행하여지는 액면 유지 제어는, 석백 밸브(208)를 작동시키는 제어 이후이며, 개폐 밸브(205)를 폐쇄 상태로 하는 제어 전에 행해진다.
(제2 실시 형태)
도 9는, 제2 실시 형태에 관한 레지스트액 공급 장치의 주요부를 나타내는 도면이다.
도 9의 레지스트액 공급 장치는, 도 6의 레지스트액 공급 장치(200)와 상이하고, 펌프(207)의 하류측에 석백 밸브(208)와는 별도로 석백 밸브(300)가 배치 마련되어 있다. 또한, 석백 밸브(300)의 구조는 석백 밸브(208)와 동일하다. 또한, 본 실시 형태의 레지스트액 공급 장치는, 펌프(207)보다 상류측의 구성은 도 6의 것과 동일하기 때문에, 도시 등은 생략한다.
본 실시 형태의 레지스트액 공급 장치에 있어서의 액면 유지 처리에서는, 석백 밸브(208)가 작동하도록 제어를 행한 이후에, 석백 밸브(300)가 작동하도록 제어를 행한다. 이에 의해, 펌프(207)보다 하류측의 유로 중에 소정량의 레지스트액을 수용할 수 있다. 그 때문에, 레지스트액의 토출이 정지하고 있을 때의 도포 노즐(142)에 있어서의 레지스트액의 액면을 소정의 위치에 유지할 수 있다.
또한, 본 예의 액면 유지 처리에서 행하여지는 액면 유지 제어는, 석백 밸브(208)를 작동시키는 제어 이후라면, 개폐 밸브(205)를 폐쇄 상태로 하는 제어의 전후의 어느 것에 행해도 된다.
별도의 석백 밸브(300)는 하나 이상이기만 하면 복수여도 된다. 또한, 본 예에서는, 별도의 석백 밸브(300)는, 석백 밸브(208)와 직렬로 접속되어 있지만, 병렬로 접속되어 있어도 된다.
석백 밸브(300)가 작동하는 것에 의한 유로의 체적 변화량은, 석백 밸브(208)의 것과 동일해도 되고, 석백 밸브(208)의 것과 비교하여 커도, 작아도 된다. 단, 석백 밸브(208, 300) 중 최초로 작동하는 것의 상기 변화량이 가장 큰 것이 바람직하다.
또한, 본 실시 형태와 같이, 석백 밸브를 복수 구비하는 경우, 예를 들어 석백 밸브(208)가 작동하도록 제어를 행한 후, 버퍼 탱크(204)나 펌프(207)가 소정량의 레지스트액을 흡액하도록 제어하고, 또한 그 후에, 별도의 석백 밸브(300)가 작동하도록 제어해도 된다.
(제3 실시 형태)
도 10은, 제3 실시 형태에 관한 레지스트액 공급 장치의 구성의 개략을 나타내는 설명도이다. 도 11은, 도 10의 레지스트액 공급 장치에 있어서의 펌프(207)의 주위의 구조를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 10의 레지스트액 공급 장치(200)는, 그 일부가, 구체적으로는, 펌프(207)를 포함하는 필터(206)보다 상류측의 부분이, 레지스트 도포 장치(32)를 수용하는 하우징(400) 내에 배치 마련되어 있다.
하우징(400) 내에는, 해당 하우징(400)의 상면을 덮도록 필터(401)가 설치되어 있다. 필터(401)로부터는, 온도 및 습도가 조정된 청정한 에어가 공급되고 있고, 이에 따라 하우징(400) 내는 소정의 온도(예를 들어 23℃) 및 소정의 습도로 관리/조절되고 있다.
또한, 하우징(400)에 있어서, 펌프(207)의 후술하는 모터(510)의 열이 레지스트 도포 장치(32)에 영향을 미치지 않도록, 펌프(207)와 레지스트 도포 장치(32) 사이에는, 단열 부재(410)가 설치되어 있다. 또한, 하우징(400) 내에는, 펌프(207)보다 하류측의 공급 경로(202) 내의 레지스트액의 온도 조절을 행하는 관로 온도 조절 기구(420)가 설치되어 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 펌프(207)는, 도 11에 도시된 바와 같이, 레지스트액의 용기(500)와, 구동부로서의 모터(510)를 갖는다.
용기(500) 내에는, 가요성을 갖는 다이어프램(501)에 의해, 레지스트액을 일시적으로 저류하는 저류실(502)이 형성되어 있다. 또한, 용기(500) 내에는, 저류실(502) 내의 레지스트액의 압력을 조정하기 위한 작동액으로서의 작동유가 충전된 작동액 충전실(503)이 저류실(502)의 주위에 형성되어 있다.
모터(510)는, 작동액 충전실(503) 내의 작동유의 압력을 조정하기 위한 것이고, 구체적으로는, 작동액 충전실(503) 내의 작동유의 압력을 조정하는 도시되지 않은 조정 수단을 구동하는 것이다.
또한, 본 실시 형태에서는, 레지스트액 공급 장치(200)가, 펌프(207)의 용기(500)와 모터(510) 사이에 단열 부재(600)를 갖는다. 이에 따라, 모터(510)에서 발생된 열이 용기(500) 내의 작동유, 나아가 레지스트액에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
또한, 레지스트액 공급 장치(200)는, 작동유의 온도 조절을 행하는 온도 조절 기구(601)를, 용기(500)의 외부이며 모터(510)와는 반대측에 갖는다. 레지스트액 공급 장치(200)는, 제어부(U)에 의해 온도 조절 기구(601)를 제어하여 용기(500) 내의 작동유를 온도 조절함으로써, 저류실(502) 내의 레지스트액의 온도를 제어할 수 있다.
또한, 온도 조정 기구에 의한 용기(500) 내의 온도 조절은, 예를 들어 온도 조정된 물(이하, 온도 조절수)이나, 펠티에 소자를 사용하여 행할 수 있고, 또한, 온도 조절된 상자형 장치 내에 용기(500)를 수용함으로써 행할 수도 있다. 온도 조절수를 사용하여 온도 조절을 행하는 방법으로는, 용기(500)가 적재된 온도 조절용 플레이트의 내부에 온도 조절수를 순환시키는 방법이나, 온도 조절수 내에 용기(500)를 직접 침지하는 방법 등이 있다.
본 실시 형태에서는, 레지스트액 공급 장치(200)의 필터(206)보다 상류측의 부분이, 내부가 온도 조절된 하우징(400) 내에 배치 마련되어 있다. 따라서, 레지스트액 공급 장치(200)의 전체를 하우징(400) 외부에 배치 마련하는 경우에 비하여, 펌프(207)의 모터(510)와 용기(500) 사이에 단열 부재(600)를 설치하는 것만으로, 외부의 영향을 받지 않는 형태로, 작동액을 온도 조절하는 것에 의한 레지스트액의 온도 조절을 행할 수 있다.
또한, 펌프(207) 내의 레지스트액의 온도 조절을 하지 않는다고 하면, 온도 조절된 레지스트액으로서 얻어지는 것은, 펌프(207)와 도포 노즐(142)을 접속하는 공급관(209) 내의 레지스트액뿐이다. 공급관(209)의 직경은 크지 않기 때문에, 소정량 이상의 온도 조절된 레지스트액을 확보하기 위해서는, 공급관(209)의 온도 조절되는 부분의 길이를 길게 해야만 한다. 그러나, 공급관(209)의 온도 조절되는 부분의 길이는 규격 등에 의해 소정의 길이 이상으로 할 수 없다. 이에 비해, 본 실시 형태에서는, 펌프(207) 내의 레지스트액을 온도 조절하기 위하여, 공급관(209)의 온도 조절되는 부분의 길이를 짧게 할 수 있다. 또한, 레지스트액의 온도 조절의 목표 온도가, 하우징(400) 내의 관리된 온도에 가까운 경우는, 공급관(209)에서의 온도 조절을 생략할 수 있다.
이상의 각 실시 형태에 관한 레지스트액 공급 장치에는, 필터(206)의 온도 조절을 행하는 필터용 온도 조절 기구를 설치하도록 해도 된다. 이에 따라, 필터(206)에서의 이물의 포집 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 이상에서는, 본 발명에 관한 처리액 공급 장치가 공급하는 처리액으로서 레지스트액을 예로 들어 설명했지만, 예를 들어 현상액을 공급하도록 해도 된다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면 특허청구범위에 기재된 기술적 사상의 범주 내에서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하고, 그것들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것이라고 이해된다.
본 발명은 피처리체에 처리액을 도포하는 기술에 유용하다.
1: 기판 처리 시스템
32: 레지스트 도포 장치
142: 도포 노즐
200: 레지스트액 공급 장치
201: 처리액 공급원(공급원)
201: 액체 공급원
202: 공급 경로
203: 공급 밸브
204: 버퍼 탱크
205: 개폐 밸브
206: 필터
207: 펌프
208: 석백 밸브
208, 300: 석백 밸브
209: 공급관
212: 압력 센서
400: 하우징
401: 필터
410: 단열 부재
420: 관로의 온도 조절 기구
500: 용기
501: 다이어프램
502: 저류실
503: 작동액 충전실
510: 모터
600: 단열 부재
601: 온도 조절 기구
U: 제어부
W: 웨이퍼

Claims (10)

  1. 처리액 중의 이물을 제거하는 필터와 처리액을 송출하는 튜브프램 펌프가 배치 마련된 공급 경로를 통해, 처리액 토출부에 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치이며,
    상기 공급 경로는, 상기 튜브프램 펌프 및 상기 필터의 상류측에 개폐 밸브가 배치 마련되고, 상기 튜브프램 펌프 및 상기 필터의 하류측에 석백 밸브가 배치 마련되고,
    당해 처리액 공급 장치는, 적어도 상기 튜브프램 펌프, 상기 개폐 밸브와 상기 석백 밸브를 제어하는 제어부를 구비하고,
    해당 제어부는,
    상기 튜브프램 펌프로부터의 처리액의 송출을 정지시키는 제어와,
    상기 석백 밸브의 작동에 의해 상기 처리액 토출부로부터의 처리액의 토출을 중단시킨 후에, 상기 개폐 밸브를 폐지함으로써 상기 토출을 정지시키는 제어를 행하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 처리액의 토출을 정지시키고 있을 때의 상기 처리액 토출부에 있어서의 처리액의 액면을 소정의 위치에 유지하기 위한 액면 유지 제어를 행하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 액면 유지 제어에 있어서, 상기 튜브프램 펌프가 해당 튜브프램 펌프보다 하류측의 상기 공급 경로 내의 처리액을 흡액하도록 해당 튜브프램 펌프를 제어하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 공급 경로는, 처리액을 일시적으로 저류하는 별도의 튜브프램 펌프가 상기 개폐 밸브의 상류측에 배치 마련되고,
    상기 제어부는, 상기 액면 유지 제어에 있어서, 상기 별도의 튜브프램 펌프가 당해 별도의 튜브프램 펌프보다 하류측의 상기 공급 경로 내의 처리액을 흡액하도록 당해 별도의 튜브프램 펌프를 제어하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 공급 경로는, 상기 튜브프램 펌프 및 상기 필터의 하류측에 별도의 석백 밸브가 배치 마련되고,
    상기 제어부는, 상기 액면 유지 제어에 있어서, 상기 별도의 석백 밸브가 작동하도록 당해 별도의 석백 밸브를 제어하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 튜브프램 펌프는, 처리액을 저류하는 저류실과, 해당 저류실 내의 압력을 조정하기 위한 작동액이 충전된 작동액 충전실을 구비하고,
    당해 처리액 공급 장치는, 상기 작동액의 온도를 조절하는 온도 조절 기구를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 온도 조절 기구를 제어하여, 상기 작동액을 온도 조절함으로써, 상기 저류실 내의 처리액의 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 튜브프램 펌프는, 상기 작동액에 가하는 압력을 조정하기 위한 구동부를 구비하고,
    상기 처리액 공급 장치는, 상기 구동부의 열로부터 상기 작동액 충전실을 단열하는 단열 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.
  8. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 처리액 공급 장치를 구비하는 기판 처리 시스템이며,
    상기 처리액 공급 장치로부터 공급된 처리액을 상기 처리액 토출부를 통해 피처리체 상에 도포하는 도포 처리 장치와,
    해당 도포 처리 장치를 수용하는 하우징을 구비하고,
    해당 하우징 내에, 상기 처리액 공급 장치의 상기 튜브프램 펌프보다 하류측의 부분이 배치 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  9. 제8항에 있어서, 상기 튜브프램 펌프보다 하류측의 상기 공급 경로 내의 처리액의 온도를 조절하는 별도의 온도 조절 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  10. 제8항에 있어서, 상기 하우징 내는, 소정의 온도로 조절되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021006557A1 (ko) * 2019-07-09 2021-01-14 (주)에스티글로벌 케미컬 용액의 파티클 모니터링 장치 및 방법
KR20220011866A (ko) * 2020-07-22 2022-02-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110787967A (zh) * 2019-11-12 2020-02-14 江西沃格光电股份有限公司 光刻胶涂布系统及涂布方法
CN113976371B (zh) * 2021-09-16 2022-12-27 长鑫存储技术有限公司 光阻喷涂装置及喷嘴防结晶方法
KR20230051888A (ko) * 2021-10-12 2023-04-19 삼성전자주식회사 감광액 공급 시스템 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11204416A (ja) 1998-01-19 1999-07-30 Tokyo Electron Ltd 塗布装置
KR20010090572A (ko) * 2000-03-27 2001-10-18 히가시 데쓰로 처리액 공급장치 및 처리액 공급방법
KR20030032427A (ko) * 2001-10-18 2003-04-26 삼성전자주식회사 반도체장치 제조설비의 케미컬 공급시스템
KR20040060851A (ko) * 2001-12-28 2004-07-06 코가네이 코포레이션 약액 공급 장치 및 약액 공급 방법
KR20080045783A (ko) * 2006-11-21 2008-05-26 (주)이노맥스 반도체 제조용 용액의 공급 제어장치

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2803859B2 (ja) * 1989-09-29 1998-09-24 株式会社日立製作所 流動体供給装置およびその制御方法
JP2865753B2 (ja) * 1989-12-25 1999-03-08 株式会社日立製作所 薬液供給方法および薬液供給装置
JP2722848B2 (ja) * 1991-04-25 1998-03-09 日本電気株式会社 レジスト塗布装置
TW535216B (en) * 1996-09-13 2003-06-01 Tokyo Electron Ltd Photoresist processing method and photoresist processing system
JPH11128817A (ja) * 1997-10-30 1999-05-18 Toppan Printing Co Ltd 薬液塗布装置
JP3913869B2 (ja) * 1997-11-21 2007-05-09 沖電気工業株式会社 基板処理装置
US20030045098A1 (en) * 2001-08-31 2003-03-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing a wafer
JP2003347206A (ja) * 2002-03-19 2003-12-05 Tokyo Electron Ltd 塗布処理方法および塗布処理装置
JP4046628B2 (ja) * 2002-03-19 2008-02-13 東京エレクトロン株式会社 処理液供給機構および処理液供給方法
KR100610023B1 (ko) * 2005-07-19 2006-08-08 삼성전자주식회사 포토스피너설비의 분사불량 제어장치
US20070272327A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-29 Applied Materials, Inc. Chemical dispense system
KR20090059691A (ko) * 2007-12-07 2009-06-11 세메스 주식회사 약액 공급 장치
JP5453561B1 (ja) * 2012-12-20 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び液処理用記憶媒体
JP5967045B2 (ja) * 2013-10-02 2016-08-10 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
JP6420604B2 (ja) * 2014-09-22 2018-11-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 塗布装置
JP6330624B2 (ja) * 2014-11-04 2018-05-30 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給装置の洗浄方法
JP2017067287A (ja) * 2015-09-29 2017-04-06 株式会社キッツマイクロフィルター フィルタ付バルブユニットと薬液供給装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11204416A (ja) 1998-01-19 1999-07-30 Tokyo Electron Ltd 塗布装置
KR20010090572A (ko) * 2000-03-27 2001-10-18 히가시 데쓰로 처리액 공급장치 및 처리액 공급방법
KR20030032427A (ko) * 2001-10-18 2003-04-26 삼성전자주식회사 반도체장치 제조설비의 케미컬 공급시스템
KR20040060851A (ko) * 2001-12-28 2004-07-06 코가네이 코포레이션 약액 공급 장치 및 약액 공급 방법
KR20080045783A (ko) * 2006-11-21 2008-05-26 (주)이노맥스 반도체 제조용 용액의 공급 제어장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021006557A1 (ko) * 2019-07-09 2021-01-14 (주)에스티글로벌 케미컬 용액의 파티클 모니터링 장치 및 방법
KR20220011866A (ko) * 2020-07-22 2022-02-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법

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