TWI795432B - 處理液供給裝置及基板處理系統 - Google Patents

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TWI795432B
TWI795432B TW107129886A TW107129886A TWI795432B TW I795432 B TWI795432 B TW I795432B TW 107129886 A TW107129886 A TW 107129886A TW 107129886 A TW107129886 A TW 107129886A TW I795432 B TWI795432 B TW I795432B
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中島常長
船越秀朗
松岡伸明
梶原正幸
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

供給異物更少的處理液。

光阻液供給裝置(200)係經由配設有除去 光阻液中之異物的過濾器(206)和送出光阻液之泵浦(207)的供給路徑(202),將光阻液供給至塗佈噴嘴(142)。在管式隔膜泵浦亦即泵浦(207)及過濾器(206)之上游側,配設開關閥(205),在泵浦(207)及過濾器(206)之下游側,配設倒吸閥(208)。控制部U進行停止從泵浦(207)送出光阻液的控制,和於藉由倒吸閥(208)之作動,中斷從塗佈噴嘴(142)吐出光阻液之後,封閉開關閥(205)藉此使上述吐出完全停止的控制。

Description

處理液供給裝置及基板處理系統
本發明係關於對向被處理體吐出光阻液等之處理液的處理液吐出部供給上述處理液之處理液供給裝置及基板處理系統。
在半導體裝置等之製程的光微影工程中,為了在半導體晶圓(以下,稱為「晶圓」)等之被處理體上形成反射防止膜或光阻膜等之塗佈膜,或顯像曝光後之光阻膜,使用光阻液或顯像液之處理液。
有在該處理液中含有異物(微粒)之情形。因此,在處理液供給裝置配設過濾器,藉由該過濾器進行微粒之除去(參照專利文獻1)。
再者,處理液供給裝置具備對處理液塗佈噴嘴送出處理液的送出泵浦。並且,因在使送出泵浦驅動的驅動動作和從處理液塗佈噴嘴的吐出動作有延遲,故以調節從處理液塗佈噴嘴之吐出處理液的時序及提升在處理液塗佈噴嘴之斷液性為目的,在送出泵浦之下游設置分配閥(參照專利文獻1)。
例如,在專利文獻1之處理液供給裝置中, 使用鄰接配置有開關閥和倒吸閥者,作為上述分配閥。另外,在專利文獻1之處理液供給裝置中,過濾器一體地被設置於在下游設置分配閥的送出泵浦,換言之,分配閥被設置在過濾器之下游。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平11-204416號公報
此外,雖然分配閥所含的開關閥確保高的潔淨度,但是因採用開關處理液之流路的構造,故有產生微細之異物的情形。例如,在開關閥中,有在開關流路之開關構件和流路之接觸面,產生上述微細之異物的情形。在開關閥產生之異物如專利文獻1般,在該開關閥被設置在過濾器之下游的構成中,因無法以過濾器去除,故在進一步發展半導體裝置之微細化之情況,有成為問題的情形。
本發明係鑑於如此之問題點,其目的在於提供可以供給異物更少之處理液的處理液供給裝置。
為了達成上述目的,本發明係一種處理液供給裝置,其係經由配設有除去處理液中之異物的過濾器和送出處理液之管式隔膜泵浦之供給路徑,對處理液吐出部供給處理液,該處理液供給裝置之特徵在於,上述供給路徑係在上述管式隔膜泵浦及上述過濾器之上游側,配設開關閥,在上述管式隔膜泵浦及上述過濾器之下游側配設倒吸閥,該處理液供給裝置具備控制部,該控制部至少控制上述管式隔膜泵浦和上述開關閥和上述倒吸閥,該控制部進行停止從上述管式隔膜泵浦送出處理液的控制,和於藉由上述倒吸閥之作動中斷從上述處理液吐出部吐出處理液之後,封閉上述開關閥,藉此使上述吐出停止的控制。
若根據本發明,則因開關閥設置在過濾器之上游側,可以在過濾器捕集在開關閥產生的異物。再者,因控制成於藉由倒吸閥之作動,使從處理液吐出部吐出處理液停止之後,封閉開關閥,藉此處理液之流動停止,故在處理液吐出部之斷液性為佳。
即使上述控制部進行液面保持控制亦可,該液面保持控制係用以將使處理液之吐出停止之時的在上述處理液吐出部之處理液之液面保持在特定位置。
即使上述控制部在上述液面保持控制,控制該管式隔膜泵浦,以使上述管式隔膜泵浦吸液較該管式隔膜泵浦更下游側之上述供給路徑內之處理液亦可。
即使上述供給路徑係在上述開關閥之上游側配設暫時性地貯留處理液之另外的管式隔膜泵浦,上述控制部係在上述液面保持控制,控制該另外的管式隔膜泵浦以使上述另外的管式隔膜泵浦吸液較該另外的管式隔膜泵浦更下游側之上述供給路徑內之處理液亦可。
即使上述供給路徑係在上述管式隔膜泵浦及上述過濾器之下游側,配設另外的倒吸閥,上述控制部係在上述液面保持控制,控制該另外的倒吸閥,以使上述另外的倒吸閥作動亦可。
即使上述管式隔膜泵浦具備貯留處理液之貯留室,和填充有用以調整該貯留室內之壓力的作動液的作動液填充室,該處理液供給裝置具備調節上述作動液之溫度的溫度調節機構,上述控制部係藉由控制上述溫度調節機構而將上述作動液進行溫度調節,控制上述貯留室內之處理液的溫度亦可。
即使上述管式隔膜泵浦具備用以調整施加於上述作動液之壓力的驅動部,上述處理液供給裝置具備將上述作動液填充室自上述驅動部之熱隔離的隔熱構件亦可。
另外之觀點所得知的本發明係一種具備上述處理液供給裝置之基板處理系統,其特徵在於,具備:塗佈處理裝置,將從上述處理液供給裝置被供給之處理液經由上述處理液吐出部而塗佈在被處理體上,和框體,其係收容該塗佈處理裝置,在該框體內,配設從上述處理液供給裝置之上述管式隔膜泵浦起算下游側的部分。
即使具備調節從上述管式隔膜泵浦起算下游側之上述供給路徑內之處理液之溫度的另外的溫度調節機構亦可。
即使上述框體內係調節成特定溫度亦可。
若依據本發明則可以供給異物更少的處理液。
以下,針對本發明之實施型態進行說明。另外,在本說明書及圖面中,針對實質上具有相同功能構成之要素,藉由賦予相同符號,省略重複說明。
(第1實施型態) 以下,針對本發明之實施型態進行說明。圖1為表示搭載作為與本發明之第1實施型態有關之處理液供給裝置之光阻液供給裝置之基板處理系統1之構成之概略的說明圖。圖2及圖3分別為示意性地表示基板處理系統1之內部構成之概略的前視圖和後視圖。另外,在本說明書及圖面中,在實質上具有相同功能構成之要素,藉由賦予相同符號,省略重複說明。
基板處理系統1如圖1所示般具有一體地連接收容複數片晶圓W之卡匣C被搬入搬出的卡匣站10,和具備對晶圓W施予特定處理之複數各種處理裝置的處理站11,和與處理站11鄰接之在與曝光裝置12之間進行晶圓W之收授的介面站13的構成。
在卡匣站10設置卡匣載置台20。在卡匣載置台20,設置複數於對基板處理系統1之外部搬入搬出卡匣C之時,載置卡匣C之卡匣載置板21。
在卡匣站10如圖1所示般設置有在於X方向延伸之搬運路22上移動自如之晶圓搬運裝置23。晶圓搬運裝置23在上下方向及繞垂直軸(θ方向)皆移動自如,可以在各卡匣載置板21上之卡匣C,和後述處理站11之第3區塊G3之收授裝置之間,搬運晶圓W。
在處理站11設置具備有各種裝置之複數例如4個區塊G1、G2、G3、G4。例如,在處理站11之正面側(圖1之X方向負方向側)設置第1區塊G1,在處理站11之背面側(圖1之X方向正方向側)設置第2區塊G2。再者,在處理站11之卡匣站10側(圖1之Y方向負方向側)設置第3區塊G3,在處理站11之介面站13側(圖1之Y方向正方向側)設置第4區塊G4。
例如在第1區塊G1,如圖2所示般,從下方依序配置複數塗佈處理裝置,例如將晶圓W進行顯像處理之顯像處理裝置30、在晶圓W之光阻膜之下層形成反射防止膜(以下,稱為「下部反射防止膜」)之下部反射防止膜形成裝置31、在晶圓W塗佈光阻液而形成光阻膜之光阻塗佈裝置32、在晶圓W之光阻膜之上層形成反射防止膜(以下,稱為「上部反射防止膜」)之上部反射防止膜形成裝置33。
例如,顯像處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、光阻塗佈裝置32、上部反射防止膜形成裝置33分別在水平方向排列配置3個。另外,該些顯像處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、光阻塗佈裝置32、上部反射防止膜形成裝置33之數量或配置可以任意選擇。
在該些顯像處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、光阻塗佈裝置32、上部反射防止膜形成裝置33之類的塗佈處理裝置中,係進行例如在晶圓W上塗佈特定處理液的旋轉塗佈。在旋轉塗佈中,從例如塗佈噴嘴對晶圓W上吐出處理液,同時使晶圓W旋轉,而使處理液在晶圓W之表面擴散。
例如,在第2區塊G2,如圖3所示般,在上下方向和水平方向排列設置進行晶圓W之加熱或冷卻這樣的熱處理的熱處理裝置40,或為了提高光阻液和晶圓W之固定性的黏著裝置41、使晶圓W之外周部曝光之周邊曝光裝置42。針對該些熱處理裝置40、黏著裝置41、周邊曝光裝置42之數量或配置亦可以任意選擇。
例如,在第3區塊G3,從下方依序設置複數之收授裝置50、51、52、53、54、55、56。再者,在第4區塊G4,從下方依序設置複數收授裝置60、61、62。
如圖1所示般,在被第1區塊G1~第4區塊G4包圍之區域形成晶圓搬運區域D。在晶圓搬運區域D配置複數具有例如在Y方向、X方向、θ方向及上下方向移動自如之搬運臂70a的晶圓搬運裝置70。晶圓搬運裝置70係在晶圓搬運區域D內移動,並可以將晶圓W搬運至周圍之第1區塊G1、第2區塊G2、第3區塊G3及第4區塊G4內之特定裝置。
再者,在晶圓搬運區域D,設置在第3區塊G3和第4區塊G4之間直線性地搬運晶圓W之穿梭搬運裝置80。
穿梭搬運裝置80係成為在例如圖3之Y方向直線性地移動自如。穿梭搬運裝置80係在支撐晶圓W之狀態下在Y方向移動,可以在第3區塊G3之收授裝置52和第4區塊G4之收授裝置62之間搬運晶圓W。
如圖1所示般,在第3區塊G3之X方向正方向側之旁,設置晶圓搬運裝置100。晶圓搬運裝置100具有例如在X方向、θ方向及上下方向移動自如之搬運臂100a。晶圓搬運裝置100係在支撐晶圓W之狀態下上下移動,而可以將晶圓W搬運至第3區塊G3內之各收授裝置。
在介面站13設置晶圓搬運裝置110和收授裝置111。晶圓搬運裝置110具有例如在Y方向、θ方向及上下方向移動自如之搬運臂110a。晶圓搬運裝置110係可以在例如搬運臂110a支撐晶圓W,在與第4區塊G4內之各收授裝置、收授裝置111及曝光裝置12之間搬運晶圓W。
在以上之基板處理系統1,如圖1所示般設置控制部U。控制部U係例如電腦,具有程式儲存部(未圖示)。在程式儲存部儲存控制在基板處理系統1之晶圓W之處理的程式。另外,上述程式即使為例如電腦可讀取之被記錄於硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、光磁碟(MO)、記憶卡等之在電腦可讀取之記憶媒體者,亦即自該記憶媒體被存取至控制部U者亦可。
(晶圓處理) 接著,針對使用如上述般被構成之基板處理系統1而進行之晶圓處理進行說明。
首先,收納複數晶圓W之卡匣C被搬入至基板處理系統1之卡匣站10,被載置於卡匣載置板21。之後,藉由晶圓搬運裝置23依序取出卡匣C內之各晶圓W,而搬運至處理站11之第3區塊G3之收授裝置53。
接著,晶圓W係藉由晶圓搬運裝置70而被搬運至第2區塊G2之熱處理裝置40,且被溫度調節處理。之後,晶圓W係藉由晶圓搬運裝置70而被搬運至例如第1區塊G1之下部反射防止膜形成裝置31,在晶圓W上形成下部反射防止膜。之後,晶圓W係被搬運至第2區塊G2之熱處理裝置40,進行加熱處理。之後,晶圓W被返回至第3區塊G3之收授裝置53。
接著,晶圓W藉由晶圓搬運裝置100同樣被搬運至第3區塊G3之收授裝置54。之後,晶圓W係藉由晶圓搬運裝置70而被搬運至第2區塊G2之黏著裝置41,被進行疏水化處理。
之後,晶圓W係藉由晶圓搬運裝置70而被搬運至光阻塗佈裝置32,在晶圓W上形成光阻膜。之後,晶圓W藉由晶圓搬運裝置70被搬運至熱處理裝置40,被預烘烤。之後,晶圓W藉由晶圓搬運裝置70被搬運至第3區塊G3之收授裝置55。
接著,晶圓W藉由晶圓搬運裝置70被搬運至上部反射防止膜形成裝置33,在晶圓W上形成上部反射防止膜。之後,晶圓W藉由晶圓搬運裝置70被搬運至熱處理裝置40,被加熱,被溫度調節。之後,晶圓W被搬運至周邊曝光裝置42,且被周邊曝光處理。
之後,晶圓W藉由晶圓搬運裝置70被搬運至第3區塊G3之收授裝置56。
接著,晶圓W係藉由晶圓搬運裝置100而被搬運至收授裝置52,依據穿梭搬運裝置80而被搬運至第4區塊G4之收授裝置62。之後,晶圓W藉由介面站13之晶圓搬運裝置110被搬運至曝光裝置12,被以特定圖案被曝光處理。
接著,晶圓W藉由晶圓搬運裝置110被搬運至第4區塊G4之收授裝置60。之後,晶圓W藉由晶圓搬運裝置70被搬運至熱處理裝置40,被曝光後烘烤處理。之後,晶圓W藉由晶圓搬運裝置70被搬運至顯像處理裝置30,被顯像。於顯像結束後,晶圓W藉由晶圓搬運裝置70被搬運至熱處理裝置40,被後烘烤處理。之後,晶圓W被搬運至卡匣載置板21上之卡匣C,一連串之光微影工程結束。
接著,針對上述光阻塗佈裝置32之構成進行說明。圖4係表示光阻塗佈裝置32之構成之概略的縱剖面圖,圖5表示光阻塗佈裝置32之構成之概略的橫剖面圖。
光阻塗佈裝置32係如第4圖所示般,具有能夠密閉內部之處理容器120。在處理容器120之側面,如圖5所示般,形成晶圓W之搬入搬出口121,在搬入搬出口121設置開關閘門122。
在處理容器120內之中央部如圖4所示般設置保持晶圓W而使旋轉之旋轉挾盤130。旋轉挾盤130具有水平之上面,在該上面設置例如吸引晶圓W之吸引口(未圖示)。藉由來自該吸引口之吸引,可以在旋轉挾盤130上吸附保持晶圓W。
旋轉挾盤130具有具備例如馬達等之挾具驅動機構131,藉由其挾具驅動機構131可以以特定速度旋轉。再者,在挾具驅動機構131設置例如汽缸等之升降驅動源,旋轉挾盤130成為能夠上下移動。
在旋轉挾盤130之周圍設置用以接取、回收從晶圓W飛散或落下之液體的杯體132。在杯體132之下面連接有排出回收之液體的排出管133,和將杯體132內之氛圍進行排氣的排氣管134。
如圖5所示般,在杯體132之X方向負方向(圖5之下方向)側,形成沿著Y方向(圖5之左右方向)延伸的軌道140。軌道140係例如從杯體132之Y方向負方向(圖5之左方向)側之外方形成至Y方向正方向(圖5之右方向)側之外方。在軌道140安裝機械臂141。
在機械臂141係如圖4及圖5所示般,吐出光阻液之塗佈噴嘴142被支持。機械臂141係藉由圖5所示之噴嘴驅動部143在軌道140上移動自如。依此,塗佈噴嘴142可以從被設置在杯體132之Y方向正方向側之外方的待機部144移動至杯體132內之晶圓W之中心部上方,並且可以在該晶圓W之表面上朝該晶圓W之徑向移動。再者,機械臂141係藉由噴嘴驅動部143升降自如,可以調節塗佈噴嘴142之高度。塗佈噴嘴142如圖4所示般被連接於供給光阻液之光阻液供給裝置200。
接著,針對對作為光阻塗佈裝置32內之處理液吐出部的塗佈噴嘴142,供給光阻液之光阻液供給裝置200之構成進行說明。圖6為表示光阻液供給裝置200之構成之概略的說明圖。另外,光阻液供給裝置200係例如從後述之光阻液供給源201至泵浦207之部分被設置在未圖示之化學室內。化學室係用以將各種處理液供給至塗佈處理裝置者。
光阻液供給裝置200具備在內部貯留作為處理液的光阻液的光阻液供給源(以下,供給源)201,和連接供給源201和塗佈噴嘴142之供給路徑202。
在供給路徑202,作為構造體,從上游側依序配設供給閥203、緩衝槽204、開關閥205、過濾器206、泵浦207、倒吸閥208。再者,在供給路徑202中,供給源201和供給閥203之間、倒吸閥208和塗佈噴嘴142之間,及各構造體間分別藉由供給管209被連接。
供給閥203係開關連接供給源201和緩衝槽204之流路者。
緩衝槽204係在未圖示之貯留室暫時性地貯留從能夠更換之供給源201被移送的光阻液者,由例如管式隔膜泵浦所構成。該緩衝槽204即使於在供給源201內之光阻液消失之情況更換供給源201途中,亦可以將貯留在該緩衝槽204內之光阻液供給至塗佈噴嘴142。在緩衝槽204之上部設置於排出緩衝槽204內之光阻液之時所使用的排放管210。另外,在排放管210設置未圖示之排出閥。
開關閥205被設置在過濾器206之上游側,開關連接緩衝槽204和過濾器206之間的流路者,由例如氣動閥(Air Operated Valve)。
過濾器206係補集並除去光阻液中之異物者。在過濾器206之上部,設置將產生在光阻液中之氣體(氣泡)進行排氣之排放管211。
泵浦207係將光阻液送出至塗佈噴嘴142者,由管式隔膜泵浦所構成。泵浦207送出之光阻液被貯留在未圖示之貯留室。該貯留室連接供給源201和塗佈噴嘴142,構成被填充光阻液之流路的一部分。另外,在連接泵浦207和過濾器206之供給管209,設置壓力感測器212。連接泵浦207和過濾器206之供給管209與泵浦207之貯留室連通,可以藉由壓力感測器212測定上述供給管209之壓力亦即泵浦207之貯留室內之壓力。
倒吸閥208係使泵浦207和塗佈噴嘴142之間的流路引起體積變動者。進行從塗佈噴嘴142吐出光阻液之時,使倒吸閥208動作,藉此可以中斷來自塗佈噴嘴142之上述吐出。
圖7為簡化表示倒吸閥208之構成的剖面圖。 圖7之倒吸閥208連接供給源201和塗佈噴嘴142,設置構成被填充光阻液之光阻液流路之一部分的流路220。再者,倒吸閥208設置能夠在圖中上下方向移動的桿件221。桿件221之下面221相對於流路220露出。倒吸閥208被構成為若使該倒吸閥208動作,則桿件221上升,流路220之體積增加。
返回至圖6之說明。 在光阻液供給裝置200,供給閥203或緩衝槽204、開關閥205、泵浦207、倒吸閥208等藉由控制部U被控制。再者,在壓力感測器212之測定結果被輸出至控制部U。
接著,使用圖8,針對光阻液供給裝置200所致之光阻液供給處理進行說明。圖8為光阻液供給處理所含的吐出中斷處理之說明圖。圖8(A)及圖8(C)表示光阻液之吐出中斷前後之倒吸閥208之動作,圖8(B)及(D)係表示上述吐出中斷前後之從塗佈噴嘴142吐出之樣子的圖示。
(朝緩衝槽204之補充) 光阻液供給處理中,首先,根據來自控制部U之控制訊號,使供給閥203成為開狀態,並且對緩衝槽204之貯留室進行減壓,依此從供給源201對緩衝槽204之貯留室內供給、補充光阻液。
(對泵浦207的補充) 若緩衝槽204之貯留室內被補充特定量之光阻液,則使供給閥203成為關閉狀態,使開關閥205成為開啟狀態。於此同時,藉由在將泵浦207之貯留室內之壓力設為大氣壓之狀態,將緩衝槽204之貯留室相對於大氣壓進行加壓,朝向泵浦207壓送緩衝槽204之貯留室內之光阻液。被壓送之光阻液通過過濾器206之後,被移至泵浦207之貯留室。另外,之後,控制部U隨時將緩衝槽204之貯留室進行正壓保持控制。亦即,控制部U係根據在壓力感測器212之測定結果,進行控制以使緩衝槽204之貯留室內之壓力高於泵浦207之貯留室內之壓力。 若在泵浦207之貯留室內被補充特定量之光阻液,則使開關閥205成為關閉狀態,結束對泵浦207補充光阻液。再者,從緩衝槽204被壓送的光阻液之量被事先設定,使得在對泵浦207補充光阻液時,被壓送的光阻液不會經由泵浦207而從塗佈噴嘴142漏出。
(吐出開始) 於從塗佈噴嘴142吐出之時,在開關閥205成為開啟狀態之狀態,使泵浦207之貯留室相對於大氣壓成為加壓狀態。依此,泵浦207內之光阻液從該泵浦207朝向塗佈噴嘴142被壓送,開始從塗佈噴嘴142對晶圓W吐出光阻液。另外,此時,緩衝槽204之貯留室之壓力根據在壓力感測器212之測定結果,控制成變得較泵浦207之貯留室之壓力更高。依此,可以從緩衝槽204補充從泵浦207被吐出之份量的光阻液。
(吐出中斷) 若從塗佈噴嘴142吐出特定量之光阻液,亦即若特定量之光阻液從泵浦207被壓送,則在光阻液供給裝置200中,控制倒吸閥208而使該倒吸閥208作動。具體而言,例如圖8(A)所示般,使位於下側之倒吸閥208之桿件221如圖8(C)般上升,增加以光阻液L被填充的流路220(參照圖7)之體積。依此,使從塗佈噴嘴142吐出處理液中斷。換言之,從如圖8(B)般從塗佈噴嘴142吐出處理液之狀態,瞬間切換成如圖8(D)般處理液不被吐出之狀態。 再者,如上述般使倒吸閥作動,並且從控制部U將用以停止從泵浦207壓送光阻液之控制訊號(以下,稱為停止控制訊號)送至泵浦207,控制成泵浦207之貯留室內之壓力成為大氣壓。另外,停止控制訊號之送出時序和使倒吸閥208作動之時序係任一個比較早亦可,相同亦可。但是,以後者的時序比較早或相同為佳。
(光阻液之吐出之停止) 在光阻液供給裝置200中,在停止控制訊號之送出後,亦即藉由倒吸閥208之作動,中斷從塗佈噴嘴142的吐出之期間,控制開關閥205,使開關閥205成為關閉狀態。依此,使從塗佈噴嘴之吐出完全停止。
若藉由本實施型態時,因開關閥205被設置在過濾器206之上游側,故即使在開關閥205產生微量的異物,亦可以藉由過濾器206除去其異物。因此,可以對塗佈噴嘴142供給異物更少的處理液。
另外,在具有從上述光阻液供給裝置200之構成刪除倒吸閥208之構成的光阻液供給裝置中,可考慮例如以下之(1)、(2)之方法作為停止從塗佈噴嘴142吐出的方法。 (1)在使開關閥205成為開啟狀態之狀態,停止從泵浦207及緩衝槽204壓送的方法(亦即,在使開關閥205成為開啟狀態之狀態,使泵浦207及緩衝槽204之貯留室之壓力成為大氣壓之方法)。 (2)停止從泵浦207壓送,並且使開關閥205成為關閉狀態的方法。
但是,在上述(1)之方法中,從發送用以停止壓送之停止控制訊號,至停止從泵浦207及緩衝槽204送出光阻液結束為止需要時間。因此,在塗佈噴嘴142之斷液性差。另外,「斷液性差」係指液體之流動無法在期望的時序完全停止,「斷液性佳」係指液體之流動可以在期望的時序完全停止。若在塗佈噴嘴142之斷液性差,則無法在光阻塗佈裝置32取得期望的光阻膜。
再者,在上述(2)之方法中,與上述(1)之情況相同,從發送用以停止壓送之停止控制訊號,至停止從泵浦207送出光阻液結束為止需要時間。再者,假設發送上述停止控制訊號後立即停止光阻液之送液結束,因從開關閥205至塗佈噴嘴之流路之體積/容積大,故施加來自緩衝槽204之壓力的該流路中之光阻液之流動,在關閉開關閥205之後,由於施加於該光阻液之慣性力亦無法立即停止。因此,在塗佈噴嘴142之斷液性差。
對此,在本實施型態之光阻液供給裝置200中,進行使從泵浦207壓送光阻液停止之控制,亦即發送使壓力停止的停止控制訊號,並且進行以下之控制。亦即,進行藉由倒吸閥208之作動,使從塗佈噴嘴142吐出光阻液中斷之後,將開關閥205成為關閉狀態。使從塗佈噴嘴142吐出光阻液完全停止的控制。 因此,發送上述停止控制訊號之後至從泵浦207送出光阻液停止為止,從該泵浦207流出之光阻液可以藉由倒吸閥208之作動,收容於體積增加之流路。再者,關閉開關閥205之後,藉由慣性力移動至較泵浦207更上游側之光阻液,也藉由倒吸閥208之作動,可以收容於體積增加之流路。依此,本實施型態之光阻液供給裝置200係在塗佈噴嘴142之斷液性佳。
接著,針對具有光阻液供給裝置200之光阻液供給處理所含之情況的液面保持處理進行說明。
如本實施型態之光阻液供給裝置200般,即使進行使從塗佈噴嘴142吐出光阻液停止之控制,例如若從發送用以停止壓送之停止控制訊號至泵浦207至停止從該泵浦207送出光阻液結束為止之時間長,則有以下問題。亦即,有無法完全將在上述時間中從泵浦207流出之光阻液,收容在因倒吸閥208之作動,體積增加的流路之情況。再者,即使可完全收容,亦有光阻液之吐出停止之時之在塗佈噴嘴142之光阻液之液面被保持在偏離期望的位置/特定位置的位置之情況。以在上述塗佈噴嘴142之光阻液之液面位於例如噴嘴142之從前端起算2~3mm內側為佳。 因此,在光阻液供給裝置200之光阻液供給處理有包含液面保持處理,亦即用以將光阻液之吐出停止之時的在塗佈噴嘴142之光阻液之液面保持在特定位置之處理的情況。
(液面保持處理之一例) 在液面保持處理中,以泵浦207吸液特定量之光阻液之方式,控制該泵浦207。具體而言,例如在控制成為了停止從塗佈噴嘴142吐出光阻液,而對泵浦207發送停止控制訊號,並且使倒吸閥208作動之後,作為液面保持處理,以泵浦207之貯留室在特定時間之內成為減壓狀態之方式,進行控制該泵浦207的處理。依此,較泵浦207更下游側之供給路徑202中之光阻液特定量返回至泵浦207。因此,可以將光阻液之吐出停止之時的在塗佈噴嘴142之光阻液之液面保持在特定位置。 另外,在本例之液面保持處理被進行的液面保持控制若為使倒吸閥208作動之控制之後,則在使開關閥205成為關閉狀態之控制之前後任一者進行皆可。
(液面保持處理之其他例) 在液面保持處理之其他例中,以由管式隔膜泵浦所構成之緩衝槽204吸液特定量之光阻液之方式,控制該緩衝槽204。具體而言,例如在控制成為了停止從塗佈噴嘴142吐出光阻液,而對泵浦207發送停止控制訊號,並且使倒吸閥208作動之後,作為液面保持處理,在使開關閥205成為開啟狀態之狀態,以緩衝槽204之貯留室在特定時間之內成為減壓狀態之方式,進行控制緩衝槽204的處理。依此,較緩衝槽204更下游側之供給路徑202中之光阻液特定量返回至緩衝槽204。因此,可以將光阻液之吐出停止之時的在塗佈噴嘴142之光阻液之液面保持在特定位置。 另外,在本例之液面保持處理被進行的液面保持控制係在使倒吸閥208作動之控制之後,亦即使開關閥205成為關閉狀態之控制之前被進行。
(第2實施型態) 圖9為表示與第2實施型態有關之光阻液供給裝置之重要部位的圖示。 圖9之光阻液供給裝置與圖6之光阻液供給裝置200不同,在泵浦207之下游側配設與倒吸閥208不同的倒吸閥300。另外,倒吸閥300之構造與倒吸閥208相同。再者,因本實施型態之光阻液供給裝置,較泵浦207更上游側之構成係與圖6者相同,故省略圖示等。
在本實施型態之光阻液供給裝置之液面保持處理中,在以倒吸閥208作動之方式進行控制之後,以倒吸閥300作動之方式進行控制。依此,可以在較泵浦207更下游側之流路中收容特定量之光阻液。因此,可以將光阻液之吐出停止之時的在塗佈噴嘴142之光阻液之液面保持在特定位置。 另外,在本例之液面保持處理被進行的液面保持控制若為使倒吸閥208作動之控制之後,則在使開關閥205成為關閉狀態之控制之前後任一者進行皆可。
另外的倒吸閥300若為1個以上則即使為複數亦可。再者,在本例中,雖然另外的倒吸閥300與倒吸閥208串聯連接,但是即使並聯連接亦可。 倒吸閥300作動所致的流路之體積之變化量,即使與倒吸閥208者相同亦可,即使比倒吸閥208者大或小亦可。但是,以倒吸閥208、300之中最先作動者的上述變化量最大為佳。
再者,如本實施型態般,具備複數倒吸閥之情況,例如以倒吸閥208作動之方式進行控制之後,即使以緩衝槽204或泵浦207吸液特定量之光阻液之方式進行控制,並且之後,以另外的倒吸閥300作動之方式進行控制亦可。
(第3實施型態) 圖10為表示與第3實施型態有關之光阻液供給裝置之構成之概略的說明圖。圖11為示意性地表示在圖10之光阻液供給裝置之泵浦207之周圍之構造的圖示。 圖10之光阻液供給裝置200其一部分具體而言係包含泵浦207之較過濾器206更上游側之部分被配設在收容光阻塗佈裝置32之框體400內。
在框體400內以覆蓋該框體400之上面之方式設置過濾器401。從過濾器401供給溫度及濕度被調整之潔淨氣體,依此,框體400內被管理/調節成特定溫度(例如,23℃)及特定濕度。
再者,在框體400,以泵浦207之後述之馬達510之熱不會對光阻塗佈裝置32造成影響之方式,在泵浦207和光阻塗佈裝置32之間設置隔熱構件410。並且,在框體400內,設置進行較泵浦207更下游側之供給路徑202內之光阻液之溫度調節的管路溫度調節機構420。
再者,在本實施型態中,泵浦207係如圖11所示般,具有光阻液之容器500和作為驅動部之馬達510。 在容器500內,藉由具有可撓性之隔膜501,形成暫時性地貯留光阻液之貯留室502。再者,在容器500內,於貯留室502之周圍形成填充有作為用以調整貯留室502內之光阻液之壓力的作動液之作動油的作動液填充室503。 馬達510係用以調整作動液填充室503內之作動油之壓力者,具體而言,為驅動調整作動液填充室503內之作動油之壓力的未圖示之調整手段者。
並且,在本實施型態中,光阻液供給裝置200在泵浦207之容器500和馬達510之間具有隔熱構件600。依此,可以防止在馬達510產生之熱對容器500內之作動軸,進而光阻液造成影響。 再者,光阻液供給裝置200在容器500之外部亦即與馬達510相反側,具有進行作動油之溫度調節的溫度調節機構601。光阻液供給裝置200係藉由控制部U控制溫度調節機構601而對容器500內之作動油進行溫度調節,依此可以控制貯留室502內之光阻液之溫度。
另外,溫度調整機構所致之容器500內之溫度調節,可以使用例如被溫度調整之水(以下,調溫水),或帕耳帖元件來進行,再者,亦可以藉由將容器500收容在被調溫之箱型之裝置內來進行。作為使用調溫水而進行溫度調節之方法,有在載置有容器500之調溫用板之內部循環調溫水之方法,或直接將容器500浸漬於調溫水內之方法等。
在本實施型態中,較光阻液供給裝置200之過濾器206更上游側之部分被配設在內部被溫度調節之框體400內。因此,比起將光阻液供給裝置200之全體配設在框體400外之情況,僅在泵浦207之馬達510和容器500之間設置隔熱構件600,以不受到外部之影響的形式,可以進行將作動液進行溫度調節所致之調節光阻液之溫度。
再者,若不進行泵浦207內之光阻液之溫度調節,則可獲得作為被溫度調節的光阻液者僅有連接泵浦207和塗佈噴嘴142之供給管209內的光阻液。因供給管209之直徑不大,故為了確保特定量以上之被溫度調節的光阻液,不得不使供給管209之被溫度調節的部分的長度變長。但是,供給管209之被溫度調節的部分的長度因規格等無法成為特定持長度以上。對此,在本實施型態中,因將泵浦207內之光阻液進行溫度調節,故可以縮短供給管209之被溫度調節的部分的長度。再者,光阻液之溫度調節之目標溫度接近於框體400內之被管理的溫度之情況,可以省略在供給管209的溫度調節。
在與以上的各實施型態有關之光阻液供給裝置,設成設置進行過濾器206之溫度調節之過濾器用溫度調節機構亦可。依此,可以提升在過濾器206之補集異物的效率。
另外,在上述中,雖然作為與本發明有關之處理液供給裝置所供給的處理液,以光阻液為例進行說明,但是設為供給例如顯像液亦可。
以上,雖然針對本發明之實施型態進行說明,但是本發明並不限定於此例。若為本業者則在記載於申請專利範圍之技術性思想之範疇內能夠思及各種變更例或是修正例係不言自明,針對該些變更例或修正例也當然被了解為屬於本發明之技術範圍。 [產業上之利用可行性]
本發明對在被處理體塗佈處理液的技術有效。
1‧‧‧基板處理系統 32‧‧‧光阻塗佈裝置 142‧‧‧塗佈噴嘴 200‧‧‧光阻液供給裝置 201‧‧‧處理液供給源(供給源) 201‧‧‧液體供給源 202‧‧‧供給路徑 203‧‧‧供給閥 204‧‧‧緩衝槽 205‧‧‧開關閥 206‧‧‧過濾器 207‧‧‧泵浦 208‧‧‧倒吸閥 208、300‧‧‧倒吸閥 209‧‧‧供給管 212‧‧‧壓力感測器 400‧‧‧框體 401‧‧‧過濾器 410‧‧‧隔熱構件 420‧‧‧管路溫度調節機構 500‧‧‧容器 501‧‧‧隔膜 502‧‧‧貯留室 503‧‧‧作動液填充室 510‧‧‧馬達 600‧‧‧隔熱構件 601‧‧‧溫度調節機構 U‧‧‧控制部 W‧‧‧晶圓
圖1為表示與本發明之實施型態有關之基板處理系統之構成之概略的俯視圖。 圖2為表示與本發明之實施型態有關之基板處理系統之構成之概略的前視圖。 圖3為表示與本發明之實施型態有關之基板處理系統之構成之概略的後視圖。 圖4為表示光阻塗佈裝置之構成之概略的縱剖面圖。 圖5為表示光阻塗佈裝置之構成之概略的橫剖面圖。 圖6為表示與第1實施型態有關之光阻液供給裝置之構成之概略的說明圖。 圖7為簡化表示倒吸閥之構成的剖面圖。 圖8係針對與第1實施型態有關之光阻液供給裝置所致的光阻液供給處理進行說明。 圖9為表示與第2實施型態有關之光阻液供給裝置之重要部位的圖示。 圖10為表示與第3實施型態有關之光阻液供給裝置之構成之概略的說明圖。 圖11為示意性地表示與第3實施型態有關之光阻液供給裝置之泵浦之周圍之構造的圖示。
130:旋轉挾盤
142:塗佈噴嘴
200:光阻液供給裝置
201:供給源
202:供給路徑
203:供給閥
204:緩衝槽
205:開關閥
206:過濾器
207:泵浦
208:倒吸閥
209:供給管
210:排放管
211:排放管
212:壓力感測器
U:控制部

Claims (10)

  1. 一種處理液供給裝置,其係經由配設有除去處理液中之異物的過濾器和送出處理液之管式隔膜泵浦之供給路徑,對塗佈噴嘴供給處理液,該處理液供給裝置之特徵在於,上述供給路徑係在上述管式隔膜泵浦及上述過濾器之上游側配設開關閥,在上述管式隔膜泵浦及上述過濾器之下游側配設倒吸閥,其被建構來造成上述供給路徑內的體積變動,該處理液供給裝置具備控制部,該控制部包括電腦及程式儲存部,該電腦被建構來至少控制上述管式隔膜泵浦和上述開關閥和上述倒吸閥,該電腦被進一步建構來進行停止從上述管式隔膜泵浦送出處理液的控制,和於上述倒吸閥之作動中斷從上述塗佈噴嘴吐出處理液之後藉由增加上述供給路徑的體積,封閉上述開關閥,藉此使上述吐出停止的控制。
  2. 如請求項1所載之處理液供給裝置,其中上述電腦被進一步建構來進行液面保持控制,該液面保持控制係用以將使處理液之吐出停止之時的在上述塗佈噴嘴之處理液之液面保持在特定位置。
  3. 如請求項2所載之處理液供給裝置,其中上述電腦被進一步建構來在上述液面保持控制,控制該管式隔膜泵浦,以使上述管式隔膜泵浦吸液較該管式隔膜泵浦更下游側之上述供給路徑內之處理液。
  4. 如請求項2所載之處理液供給裝置,其中上述供給路徑係在上述開關閥之上游側配設暫時性地貯留處理液之另外的管式隔膜泵浦,上述電腦被進一步建構來在上述液面保持控制,控制該另外的管式隔膜泵浦,以使上述另外的管式隔膜泵浦吸液較該另外的管式隔膜泵浦更下游側之上述供給路徑內之處理液。
  5. 如請求項2所載之處理液供給裝置,其中上述供給路徑係在上述管式隔膜泵浦及上述過濾器之下游側,配設另外的倒吸閥,上述電腦被進一步建構來在上述液面保持控制,控制該另外的倒吸閥,以使上述另外的倒吸閥作動。
  6. 如請求項1至5中之任一項所載之處理液供給裝置,其中上述管式隔膜泵浦具備貯留處理液之貯留室,和填充有用以調整該貯留室內之壓力的作動液的作動液填充室,該處理液供給裝置具備調節上述作動液之溫度的溫度 調節機構,上述電腦被進一步建構來藉由控制上述溫度調節機構而將上述作動液進行溫度調節,控制上述貯留室內之處理液的溫度。
  7. 如請求項6所載之處理液供給裝置,其中上述管式隔膜泵浦具備用以調整施加於上述作動液之壓力的驅動部,上述處理液供給裝置具備將上述作動液填充室自上述驅動部之熱隔離的隔熱構件。
  8. 一種基板處理系統,其具備請求項1至7中之任一項所載之處理液供給裝置,該基板處理系統之特徵在於,具備塗佈處理裝置,將從上述處理液供給裝置被供給之處理液經由上述塗佈噴嘴而塗佈在被處理體上,和框體,其係收容該塗佈處理裝置,在該框體內,配設從上述處理液供給裝置之上述管式隔膜泵浦起算下游側的部分。
  9. 如請求項8所載之基板處理系統,其中具備調節從上述管式隔膜泵浦起算下游側之上述供給路徑內之處理液之溫度的另外的溫度調節機構。
  10. 如請求項8或9所載之基板處理系統,其中 上述框體內係被調節成特定溫度。
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