CN103943539B - 基板的处理装置以及处理方法 - Google Patents
基板的处理装置以及处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103943539B CN103943539B CN201410185437.7A CN201410185437A CN103943539B CN 103943539 B CN103943539 B CN 103943539B CN 201410185437 A CN201410185437 A CN 201410185437A CN 103943539 B CN103943539 B CN 103943539B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- treatment fluid
- mentioned
- reserve tank
- substrate
- liquid reserve
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 171
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 65
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 48
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 abstract description 7
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 56
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 28
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000002101 nanobubble Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Degasification And Air Bubble Elimination (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
具备：处理部(2)，被供给要通过处理液处理的基板；储液箱(1)，存储有处理液；供液管(3)以及回收管(28)，将储液箱的处理液供给到处理部而处理基板之后返回储液箱；以及除气装置(12)，设于供液管，将处理液中包含的气体除去。
Description
本申请是申请日为2010年2月19日、申请号为201080008906.8、发明创造名称为基板的处理装置以及处理方法的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及通过处理液处理液晶显示板所使用的玻璃基板或半导体晶片等的基板的基板的处理装置以及处理方法。
背景技术
例如，在液晶显示装置或半导体装置的制造工序中，通过对这些作为对象物的玻璃基板或半导体晶片等的基板涂布抗蚀剂，用显影液进行显影处理后进行蚀刻处理，由此在基板的表面精密地形成电路图案。如果在基板上形成了电路图案，则进行通过剥离液除去在该基板的表面上附着残留的抗蚀剂膜或抗蚀剂残渣等有机物的剥离处理。
作为在这样的基板的处理中使用的处理液的上述显影液或剥离液是高价的。因此，考虑通过将处理了上述基板的处理液回收而反复使用，来实现降低基板的处理成本。
在专利文献1中示出有通过剥离液除去在该基板的表面上附着残留的抗蚀剂。但是，却没有示出使剥离液循环而反复使用。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-278509号公报
然而，在对剥离液或显影液等的处理液进行使用后回收而反复使用的情况下，不能避免处理液在循环路径中与大气接触。尤其是，若在处理部将处理液例如从喷嘴向基板喷射供给，则由于与大气的接触比例增大，所以存在此时包含在大气中的气体元素进入、与该气体元素反应而提前劣化的情况。
例如，在显影液的情况下，存在与大气中的二氧化碳(CO2)发生中和反应而劣化的情况，在剥离液的情况下，存在与氧(O2)发生氧化反应而劣化的情况。
并且，在显影液中包含有碳酸氢钾(KH CO3)或碳酸氢钠(NaH CO3)。而且，如果通过循环泵对显影液加压而使其在循环路径中循环，则存在上述碳酸氢钾或碳酸氢钠受到因循环泵或循环路径的流路阻力等产生的热能、进而由该热能进行分解而产生二氧化碳的情况。因此，有时该情形也成为使处理液提前劣化的原因。
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明提供一种在使处理液循环而反复使用时，通过除去包含在处理液中的气体来防止处理液提前劣化的基板的处理装置以及处理方法。
用于解决技术问题的技术手段
为了解决上述技术问题，本发明提供一种基板的处理装置，通过处理液处理基板，其特征在于，具备：处理部，被供给要通过上述处理液处理的上述基板；储液箱，存储有上述处理液；循环管路，将该储液箱的处理液供给到上述处理部并处理上述基板之后，返回上述储液箱；以及除气机构，设于该循环管路，将上述处理液中包含的气体除去。
此外，本发明提供一种基板的处理方法，其特征在于，具备：将基板供给到处理部的工序；将储液箱中存储的处理液供给到上述处理部后回收到上述储液箱的工序；以及将从上述储液箱供给到上述处理部的上述处理液中包含的气体除去的工序。
本发明提供一种基板的处理装置，通过处理液处理基板，其特征在于，具备：处理部，被供给要通过上述处理液处理的上述基板；储液箱，存储有上述处理液；第一循环管路，将该储液箱的处理液供给到上述处理部并处理上述基板之后，返回上述储液箱；以及第二循环管路，具有将不与处理液反应的气体形成为微小气泡而混入到处理液中的气泡发生机构，通过将上述储液箱的处理液供给到上述气泡发生机构之后返回到上述储液箱，由该处理液中包含的微小气泡除去从上述处理部返回到上述储液箱的处理 液中包含的气体。
本发明提供一种基板的处理方法，通过处理液处理基板，其特征在于，具备：将基板供给到处理部的工序；将储液箱中存储的处理液供给到上述处理部后回收到上述储液箱的工序；将不与该处理液反应的气体形成为微小气泡而混入到上述储液箱的处理液中的工序；以及通过将混入了微小气泡的处理液返回到上述储液箱，由该处理液中包含的微小气泡除去从上述处理部回收到上述储液箱的处理液中包含的气体的工序。
发明效果
根据本发明，在使储液箱的处理液循环而在基板的处理中使用时，可除去包含在处理液中的气体。因此，即使大气中的气体元素进入处理液中，也能够将该气体元素除去，所以能够防止大气中包含的气体元素使处理液提前劣化的情况。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的基板的处理装置的概略结构图。
图2是表示在上述处理装置中使用的除气装置的内部结构的剖视图。
图3是表示对纯水赋予不同的4个条件时的经过时间与溶解氧浓度的关系的曲线图。
图4是使除气后的纯水在气泡发生器中反复循环时测量的纯水的溶解氧浓度的变化的曲线图。
图5是表示本发明的第二实施方式的基板的处理装置的概略结构图。
图6是表示本发明的第三实施方式的基板的处理装置的概略结构图。
图7是表示本发明的第四实施方式的基板的处理装置的概略结构图。
图8是表示在第三实施方式和第四实施方式中对储液箱内的处理液供给了微小气泡时的经过时间和溶解氧浓度的关系的曲线图。
具体实施方式
下面，参照图1～图4说明本发明的一实施方式。
图1表示该发明的处理装置的概略结构，该处理装置具有储存显影液或剥离液等的处理液L的储液箱1。在该储液箱1的底部连接有供液管3 的一端，该供液管3构成将处理液L供给到用于处理玻璃基板或半导体晶片等的基板W的处理部2的处理液供给管路。
上述供液管3的另一端与设于上述处理部2的喷射管4连接。在喷射管4上以规定间隔、例如等间隔设置有多个喷嘴5。在上述喷射管4的下方，作为输送上述基板W的输送机构的由输送辊构成的输送传送机6跨越上述处理部2以及该处理部2的前后方向地设置。另外，输送机构也可以是链式传送机等。
上述基板W通过上述输送传送机6被搬入上述处理部2。上述喷射管4使长度方向与基板W的输送方向交叉而配设。由此，上述基板W由输送传送机6在上述处理部2内输送，从而上表面整体被供给处理液L而被进行处理。
在与上述储液箱1连接的上述供液管3的一端部设有第一循环泵11，在该第一循环泵11与上述储液箱1之间设有除去包含于处理液L的气体的作为除气机构的除气装置12。
上述除气装置12如图2所示，具有在一端形成有流入口13、在另一端形成有流出口14的液密状的容器15。在该容器15内的一端部和另一端部分别设有分隔板16。这些分隔板16将上述容器15内隔离成位于与上述流入口13连通的位置的流入室17、位于与上述流出口14连通的位置的流出室18以及位于一对分隔板16之间的减压室19。在该减压室19上配管连接有用于对内部气压进行减压的减压泵21。
在上述减压室19中设有除气部件22，该除气部件22的一端液密地保持于一个分隔板16，另一端液密地保持于另一个分隔板16。该除气部件22捆扎由气体通过而液体不通过的材料形成的微小直径的大量的筒状中空线22a而构成，其一端与上述流入室17连通，另一端与上述流出室18连通。
由此，若上述第一循环泵11动作而上述储液箱1内的处理液L如图2箭头所示那样从上述容器15的流入口13供给到流入室17，则该处理液L通过除气部件22的中空线22a的内部而流入到流出室18并从流出口14流出。
处理液L在上述除气部件22的中空线22a内流动时，上述减压室19通过减压泵21被减压而成负压，由此只有包含在上述处理液L中的气体通 过中空线22a的周壁膜而被吸引到减压室19中。也就是说，从处理液L将气体分离。而且，被分离的气体通过上述减压泵21被排出到减压室19的外部。
由上述除气装置12除去了气体的处理液L，通过上述第一循环泵11的压力被供给到气泡发生器24。在该气泡发生器24中，除了处理液L还被从气体供给部25加压供给有不与处理液L反应的气体、例如氮或氩等惰性气体。
另外，在处理液L是显影液的情况下，作为不与处理液L反应的气体不仅可以是惰性气体也可以是氧。
供给到上述气泡发生器24的处理液L和惰性气体，在该气泡发生器24的内部以与压力差相对应的不同速度一边旋转运动一边流动。由此，处理液L与惰性气体的旋转速度之差使得惰性气体被处理液L截断，因此惰性气体成为纳米气泡或微纳米气泡等微小气泡而包含于处理液L中。
包含有微小气泡的处理液L，在上述供液管3中流动而被供给到上述喷射管4，从该喷射管4朝向在处理部2内由输送传送机6输送的基板W的上表面进行喷射供给。
由此，基板W的上表面由处理液L进行显影或剥离等处理。并且，处理过基板W的处理液L经过与处理部2连接的、同上述供液管3形成循环管路的回收管28，被回收到上述储液箱1中。也就是说，处理液L在供液管3以及回收管28中流动循环而被反复使用。
接着，对由上述结构的处理装置处理基板W时的作用进行说明。
在处理基板W之前，使第一循环泵11以及减压泵21动作。由此，储液箱1内的处理液L被供给到除气装置12，从该除气装置12的容器15的流入口13流入，经过减压室19的构成除气部件22的中空线22a的内部空间从流出口14流出而向气泡发生器24流动。
处理液L经过减压室19的除气部件22时，减压室19通过减压泵21被减压，由此，包含在处理液L中的氧或二氧化碳等气体被除去。
由此，在从除气装置12流出的处理液L中不包含气体，所以不存在由包含在处理液L中的气体促进处理液L的劣化的情况。例如，在处理液L是显影液的情况下，二氧化碳与显影液发生中和反应而促进显影液的劣化， 在处理液是剥离液的情况下，氧与剥离液发生氧化反应而促进剥离液的劣化，但是因为从处理液中除去了氧或二氧化碳等的气体，所以可防止处理液L由气体造成的提前劣化。
这样除去了促进劣化的气体的处理液L，由上述第一循环泵11被加压而供给到气泡发生器24。也就是说，处理液L不会因氧或二氧化碳等气体劣化而供给到气泡发生器24。在该气泡发生器24中，与处理液L一起被加压供给有气体供给部25的惰性气体。
若对气泡发生器24供给处理液L和惰性气体，则这些处理液L和惰性气体变成旋转流而在内部以不同的旋转速度流动，通过其旋转速度之差，惰性气体被处理液L截断而产生纳米气泡或微纳米气泡等的微小气泡，该微小气泡混入处理液L中。
混入了微小气泡的处理液L通过第一循环泵11的压力在供液管3中流动而到达喷射管4，从设于该喷射管4的多个喷嘴5朝向在处理部2内由输送传送机6输送的基板W的上表面进行喷射。
由此，在处理液L是显影液的情况下，对基板W进行显影处理，在处理液L是剥离液的情况下，进行附着残留在基板W上的抗蚀剂的剥离除去。
在处理液L被从喷射管4的喷嘴5向基板W喷射时，处理液L会与大气接触，所以存在溶解在大气中包含的二氧化碳或氧等气体而导致劣化的可能。
但是，在从喷射管4的喷嘴5向基板W喷射的处理液L中包含有惰性气体的微小气泡。因此，从喷嘴5向基板W喷射的处理液L，通过在该处理液L中含有微小气泡，而使大气中的二氧化碳或氧等气体元素难以溶解。
也就是说，若在处理部2将处理液L从喷嘴5向基板W喷射，则处理液L与大气的接触面积增大而变成容易溶解大气中的二氧化碳或氧等气体元素的状态，但是通过在处理液L中含有微小气泡，而使大气中的二氧化碳或氧难以溶解，所以即使向基板W喷射处理液L也不易使处理液L劣化。
尤其是，如果使处理液L以饱和状态或与饱和状态接近的状态包含惰性气体的微小气泡，则大气中的二氧化碳或氧更难以溶解于该处理液L中，所以能够更可靠地防止处理液L的劣化。
而且，通过使惰性气体的微小气泡包含于处理液L中，若包含有微小 气泡的处理液L返回储液箱1，则能够通过微小气泡的发泡作用对积存于该储液箱1内的处理液L除去包含于处理液L的大气中的二氧化碳或氧等。
因此，与在被供给到处理部2的处理液L中以饱和状态或与饱和状态接近的状态包含惰性气体的微小气泡相应地，使返回储液箱1的处理液L中难以包含大气中的二氧化碳或氧等。
而且，通过在处理槽2中将包含微小气泡的处理液L供给到基板W，能够使得例如从基板W除去的抗蚀剂等的正电位的尘埃被与基板W相同电位的负电位的微小气泡覆盖。因此，在基板W与尘埃之间产生反作用力而将尘埃从基板W除去，所以能够防止被除去的尘埃再次附着于基板W。
在处理液L是显影液的情况下，不仅通过与大气中包含的二氧化碳的接触而劣化，而且若处理液L在供液管3中循环时从第一循环泵11受到热能、或因在供液管3中流动时的流路阻力而产生热能，则该热能使得最初就包含于显影液中的碳酸氢钾或碳酸氢钠热分解而产生二氧化碳，因该二氧化碳促进处理液L的劣化。
但是，包含于显影液的二氧化碳会被除气装置12除去，所以即使包含于显影液中的碳酸氢钾或碳酸氢钠热分解而产生二氧化碳，也能够防止显影液提前劣化。
这样处理过基板W的处理液L反复进行如下循环：经过回收管28而被回收到储液箱1之后，通过第一循环泵11而在供液管3中流动而被供给到处理部2。
即，根据上述结构的处理装置，处理液L中包含的气体被除气装置12除去，所以能够可靠地防止处理液L由于二氧化碳或氧等的气体而提前劣化的情况。
若被进行了除气的处理液L从喷射管4的喷嘴5向基板W喷射，则该处理液L与大气接触，所以有可能溶解大气中所包含的气体而劣化。但是，在从喷嘴5喷射的处理液L中包含有通过气泡发生器24利用与处理液L不反应的惰性气体等气体制作出的微小气泡。
因此，即使处理液L与大气接触，在已经包含有微小气泡的处理液L中也难以溶解大气中的二氧化碳或氧等气体，所以也正因此能够防止处理液L提前劣化。
图3的曲线图A～D是伴随时间经过而测量的除气后的纯水中包含的氧浓度的变化的曲线图。在该图中，曲线图A是测量将纯水除气、不循环而在该状态下放置时的氧浓度的变化的情况，曲线图B是测量将循环进行了15分钟后，混入N2气泡，之后放置时的氧浓度变化的情况。
曲线图C是测量将循环进行15分钟，混入CO2气泡，之后放置时的氧浓度变化的情况，曲线图D是测量将循环进行15分钟，不混入气泡，之后放置时的氧浓度变化的情况。
从以上实验可知，如曲线图C、D所示，即使对包含于纯水的氧进行除气，通过使纯水循环而纯水中的氧浓度也会增加，以及如曲线图B所示，即使使纯水循环也可通过混入N2气泡来抑制氧浓度的增加。而且可知，如曲线图A所示，如果除气后不使纯水循环，则氧浓度不会大幅度增加。
图4是通过上述一实施方式示出的处理装置使处理液L循环时、测量处理液L的氧浓度的变化的曲线图。在该曲线图中，横轴的X1-X2的范围是测量在纯水中没有混入气泡而循环时的氧浓度的变化，X2-X3、X3-X4以及X4-X5的范围是分别测量使N2气泡混入而循环时的氧浓度的变化。也就是说，在循环时使N2气泡混入纯水中。
从上述可知，通过使N2气泡混入纯水中而循环，能够使溶解氧浓度减少。作为溶解氧浓度减少的理由，可以想到是因为通过使纯水反复循环而包含于纯水中的N2气泡量逐渐增加的缘故。也就是说，可以想到是由于纯水中包含的N2气泡量增加而导致大气中的氧变得难以进入的缘故。
图5是表示本发明的第二实施方式的基板的处理装置的结构图。另外，对与图1所示的处理装置相同的部分赋予同一标记而省略详细说明。
在该实施方式中，存储于储液箱1中的处理液L，由除气装置12将气体除气后被供给至气泡发生器24。如果通过该气泡发生器24使微小气泡混入了处理液L中，则该处理液L通过供液管3返回储液箱1而被储存。被储存于储液箱1中的处理液L反复进行如下循环：从该储液箱1经过除气装置12以及气泡发生器24而返回储液箱1。
另一方面，储液箱1和喷射管4通过在中途部设置有第二循环泵31的构成循环管路的供液管3a而被连接。在处理基板W时，使上述第二循环泵31动作，从而包含有微小气泡的处理液L从储液箱1被供给到上述喷射 管4，进而从该喷射管4的喷嘴5向基板W喷射。
并且，被供给到基板W的处理液L通过回收管28被回收到储液箱1，反复进行从该储液箱1经过除气装置12和气泡发生器24而返回储液箱1的循环。
根据这样的结构，即使在处理部2中不处理基板W时，也能够使储液箱1内的处理液L在气泡发生器24、储液箱1以及除气装置12之间循环，将被充分除气了的处理液L预先存储到处理箱1内。因此，在处理基板W时，能够将被除气、并且混入了微小气泡而存储于储液箱1中的处理液L迅速供给到基板W。
而且，将处理液L供给到基板W之前，反复进行将处理液L从储液箱1经过除气装置12和气泡发生器24而返回储液箱1的循环，由此能够使处理液L中包含的溶解氧浓度降低。
另外，在要使处理液L中包含的溶解氧浓度降低的情况下，通过气泡发生器24使N2气泡混入处理液L中。
图6是表示本发明的第三实施方式的处理装置的结构图。另外，对与图1所示的处理装置相同的部分赋予同一标记而省略详细说明。
该第三实施方式是图5所示的第二实施方式的变形例，存储于储液箱1中的处理液L由第一循环泵11被直接供给到气泡发生器24。也就是说，在该第三实施方式中，与上述第二实施方式相比除去了设于供液管3的除气装置12，这一点是不同的。
另外，在第三实施方式中，将储液箱1的处理液L的一部分被供给到处理部2后而返回储液箱1的路径作为第一循环管路，将储液箱1的处理液L的一部分被供给到气泡发生器24后而返回储液箱1的路径作为第二循环管路。
根据这样的结构，在处理部2被从喷射管4供给到基板W的处理液L，通过第一循环管路进行溶解二氧化碳或氧等气体并通过回收管28返回到储液箱1这样的循环。
另一方面，储液箱1的处理液L通过第二循环管路进行与来自气体供给部25的惰性气体一起被供给到气泡发生器24、混入纳米气泡或微纳米气泡等微小气泡后返回储液箱1的循环。
通过气泡发生器24而包含有微小气泡的处理液L若返回到储液箱1，则与从处理部2返回到该储液箱1的包含有氧或二氧化碳等的溶解气体的处理液L混合。
由此，在从处理部2返回的溶解有二氧化碳或氧等气体的处理液L中，混合有通过气泡发生器24而含有微小气泡的、通过第二循环管路而在储液箱1与气泡发生器24之间循环的处理液L，所以通过来自气泡发生器24的处理液L中所包含的微小气泡的发泡作用，来除去来自处理部2的处理液L中所溶解的二氧化碳或氧等的气体。
也就是说，使通过气泡发生器24而混入了微小气泡的处理液L，通过第二循环管路循环到储液箱1，由此，即使不使用第一、第二实施方式中示出除气装置12，也能够除去通过第一循环管路从处理部2返回储液箱1的处理液L中原本就包含的二氧化碳或氧等的气体、或者通过将处理液L供给到基板W而包含的二氧化碳或氧等的气体。
此外，即使在处理部2中不处理基板W时，也使储液箱1内的处理液L在气泡发生器24和储液箱1之间循环，在处理基板W时，能够将混入有微小气泡而存储于储液箱1中的处理液L迅速地供给到基板W。
图7是表示在图6中示出的第三实施方式的变形例的第四实施方式，在该第四实施方式中，将储液箱1中存储的处理液L的供液管3与对来自气体供给部25的惰性气体进行供给的供气管25b在第一循环泵11的吸入侧连接。而且，通过上述第一循环泵11将处理液L与惰性气体预先混合后供给到气泡发生器24。
由此，预先混合的处理液L和惰性气体在气泡发生器24内部一边旋转一边流动而被搅拌，由此惰性气体变成微小气泡，所以能够使微小气泡高效地混合于处理液L中。
另外，在第四实施方式中，也与第三实施方式同样，将储液箱1的处理液L的一部分被供给到处理部2后而返回储液箱的路径作为第一循环管路，将储液箱1的处理液L的一部分被供给到气泡发生器24后而返回储液箱1的路径作为第二循环管路。
在这样的结构中，也与图6示出的第三实施方式同样，能够在通过第一循环管路而从处理部2返回到储液箱1的溶解有二氧化碳或氧等的气体的处理液L中，混合通过第二循环管路而在气泡发生器24与储液箱1之间循环的处理液L中包含的微小气泡。
由此，即使在处理部2中二氧化碳或氧等的气体溶解于处理液L，该气体也会由在第二循环管路中循环并返回到储液箱1的处理液中包含的微小气泡的发泡作用而被良好地除去。
图8是表示对处理液供给了微小气泡时的经过时间与处理液中包含的溶氧量之间的关系的曲线图。该曲线图确认出，在第三、第四实施方式中，通过第一循环管路使氧溶解于处理液中，在溶解开始后，在氧量变成大约35mg/l的大约14分钟后，开始对通过第二循环管路进行循环的处理液供给微小气泡，在微小气泡的供给开始后大约6分钟后即经过时间为大约20分钟后，储液箱1的处理液中的溶氧量大幅下降。
另外，在上述各实施方式中，作为处理部列举了对基板一边由输送传送机输送一边进行处理的例子进行了说明，但是作为处理部也可以是使基板一边旋转一边供给处理液的所谓的旋转处理装置。
此外，作为气泡发生器，不限于在上述各实施方式中举出的结构的装置，例如也可以是通过对气体加压而使其经过过滤器而在液体中产生气泡的所谓加压方式等的其他结构。
附图标记说明
1…储液箱、2…处理部、3…供液管(循环管路)、4…喷射管、5…喷嘴、6…输送传送机、11…循环泵、12…除气装置、19…减压室、22…除气部件、24…气泡发生器、28…回收管(循环管路)。
Claims (4)
1.一种基板的处理装置，通过作为剥离液或显影液的处理液处理基板，其特征在于，具备：
处理部，被供给要通过上述处理液处理的上述基板；
储液箱，存储有上述处理液；
第一循环管路，将该储液箱的处理液供给到上述处理部并处理上述基板之后，返回上述储液箱；以及
第二循环管路，不同于上述第一循环管路，设有：气泡发生机构，将不与上述处理液反应的气体形成微小气泡，混入到上述处理液中；和泵，将上述储液箱的处理液向上述气泡发生机构供给，该第二循环管路使上述储液箱的处理液由上述泵供给到上述气泡发生机构后返回上述储液箱，
上述气泡发生机构是通过上述气体被上述处理液截断来产生微小气泡的截断方式。
2.如权利要求1所述的基板的处理装置，其特征在于，
上述气体在上述第二循环管路的上述泵的吸引侧被供给。
3.如权利要求1或2所述的基板的处理装置，其特征在于，
在上述处理液是剥离液时，上述气体是惰性气体，在上述处理液是显影液时，上述气体是氧。
4.一种基板的处理方法，通过作为剥离液或显影液的处理液处理基板，其特征在于，具备：
将基板供给到处理部的工序；
将储液箱中存储的上述处理液经由第一循环管路供给到上述处理部之后回收到上述储液箱的工序；以及
经由不同于上述第一循环管路的第二循环管路，将上述储液箱的处理液由泵供给到气泡发生机构，在该气泡发生机构中，将不与所供给的上述处理液反应的气体通过上述处理液截断来形成微小气泡，混入到上述处理液中后返回上述储液箱的工序。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009-042498 | 2009-02-25 | ||
| JP2009042498 | 2009-02-25 | ||
| CN201080008906.8A CN102326234B (zh) | 2009-02-25 | 2010-02-19 | 基板的处理装置以及处理方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201080008906.8A Division CN102326234B (zh) | 2009-02-25 | 2010-02-19 | 基板的处理装置以及处理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103943539A CN103943539A (zh) | 2014-07-23 |
| CN103943539B true CN103943539B (zh) | 2017-09-19 |
Family
ID=42665470
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201080008906.8A Active CN102326234B (zh) | 2009-02-25 | 2010-02-19 | 基板的处理装置以及处理方法 |
| CN201410185437.7A Active CN103943539B (zh) | 2009-02-25 | 2010-02-19 | 基板的处理装置以及处理方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201080008906.8A Active CN102326234B (zh) | 2009-02-25 | 2010-02-19 | 基板的处理装置以及处理方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5501340B2 (zh) |
| KR (1) | KR101286373B1 (zh) |
| CN (2) | CN102326234B (zh) |
| TW (2) | TW201601213A (zh) |
| WO (1) | WO2010098263A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102651430B (zh) * | 2011-03-24 | 2015-01-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板的化学处理方法 |
| JP2013183080A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | レジスト剥離液の劣化抑制方法、レジスト剥離方法及びシステム |
| CN104570625A (zh) * | 2013-10-17 | 2015-04-29 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种带有液体去泡功能的供给装置 |
| US10486202B2 (en) * | 2015-03-19 | 2019-11-26 | Mitsubishi Electric Corporaion | Cleaning device |
| JP6685754B2 (ja) * | 2016-02-16 | 2020-04-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | ポンプ装置および基板処理装置 |
| CN107282498A (zh) * | 2017-07-11 | 2017-10-24 | 河南师范大学 | 一种动物标本制作清洗装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2611183B2 (ja) * | 1994-06-07 | 1997-05-21 | 工業技術院長 | 流体循環脱気装置 |
| KR100265286B1 (ko) * | 1998-04-20 | 2000-10-02 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 케미컬 순환공급장치 및 이의 구동방법 |
| TWI298826B (en) * | 2001-02-06 | 2008-07-11 | Hirama Lab Co Ltd | Purified developer producing equipment and method |
| JP3782374B2 (ja) * | 2002-07-19 | 2006-06-07 | 株式会社平間理化研究所 | レジスト剥離装置 |
| JP2008098439A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 洗浄水供給ユニットおよび基板洗浄装置 |
-
2010
- 2010-02-19 WO PCT/JP2010/052554 patent/WO2010098263A1/ja active Application Filing
- 2010-02-19 KR KR1020117021962A patent/KR101286373B1/ko active IP Right Grant
- 2010-02-19 CN CN201080008906.8A patent/CN102326234B/zh active Active
- 2010-02-19 CN CN201410185437.7A patent/CN103943539B/zh active Active
- 2010-02-19 JP JP2011501570A patent/JP5501340B2/ja active Active
- 2010-02-23 TW TW104131280A patent/TW201601213A/zh unknown
- 2010-02-23 TW TW099105158A patent/TWI509682B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2010098263A1 (ja) | 2010-09-02 |
| KR20110122854A (ko) | 2011-11-11 |
| CN102326234B (zh) | 2014-05-07 |
| JPWO2010098263A1 (ja) | 2012-08-30 |
| TW201601213A (zh) | 2016-01-01 |
| TWI509682B (zh) | 2015-11-21 |
| KR101286373B1 (ko) | 2013-07-15 |
| TW201041030A (en) | 2010-11-16 |
| JP5501340B2 (ja) | 2014-05-21 |
| CN102326234A (zh) | 2012-01-18 |
| TWI562223B (zh) | 2016-12-11 |
| CN103943539A (zh) | 2014-07-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103943539B (zh) | 基板的处理装置以及处理方法 | |
| CN102007579B (zh) | 电子材料用清洗水、电子材料的清洗方法及溶气水的供给系统 | |
| TWI250136B (en) | Glass plate surface etching method, glass plate etching apparatus, glass plate for flat panel display, and flat panel display | |
| WO2009113682A1 (ja) | ガス溶解水供給システム | |
| TWI402901B (zh) | Liquid mixture method and liquid medicine mixing device | |
| KR20040080980A (ko) | 기판 처리방법 및 기판 처리장치 | |
| US20080092925A1 (en) | Removing photoresist from substrates by means of treatment liquid, and processing treatement liquid with ozone | |
| US4931072A (en) | Method of breaking foam, and arrangement for the same | |
| US7914624B2 (en) | Systems and methods for charging a cleaning solution used for cleaning integrated circuit substrates | |
| KR20170020741A (ko) | 산화제로서 산소 및/또는 공기를 사용함으로써 구리 에칭 용액에서 구리를 산화시키는 방법 | |
| KR20060050162A (ko) | 세정 방법 및 그것을 실시하기 위한 세정 장치 | |
| WO2011142060A1 (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 | |
| CN100593841C (zh) | 药液处理装置及电路基板的制造方法 | |
| CN101424888B (zh) | 光致抗蚀剂剥离用组合物和剥离方法以及显示装置的制法 | |
| JP2003086560A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2004352454A (ja) | 搬送装置、洗浄装置、薬液処理装置および回路基板の製造方法 | |
| JPH0363809B2 (zh) | ||
| EP4338825A1 (en) | Gas solution supply apparatus and method | |
| KR101404236B1 (ko) | 글라스 기판 식각장치 및 방법 | |
| WO2024181433A1 (ja) | 基板処理方法 | |
| JP4206372B2 (ja) | 剥離装置 | |
| JP2006128246A (ja) | 半導体製造装置、液体容器および半導体装置の製造方法 | |
| JPH10204664A (ja) | アルミ黄銅管の防食皮膜形成方法 | |
| CN102651430B (zh) | 一种基板的化学处理方法 | |
| TWI435190B (zh) | 光阻剝除組合物及使用該組合物剝除光阻膜之方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |