TWI435190B - 光阻剝除組合物及使用該組合物剝除光阻膜之方法 - Google Patents

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Description

光阻剝除組合物及使用該組合物剝除光阻膜之方法
本發明係關於光阻剝除組合物及使用其剝除光阻膜之方法。更具體而言，本發明係關於可重複使用光阻剝除組合物及使用其剝除光阻膜之方法。
液晶顯示器(LCD)裝置使用液晶之光學及電性質(例如各向異性折射率及各向異性介電常數)顯示圖像。與諸如陰極射線管(CRT)、電漿顯示面板(PDP)等顯示器裝置相比，該LCD裝置具有諸如重量輕、較低功率消耗、較低驅動電壓等特性。
通常，LCD裝置包括LCD面板及為該LCD面板提供光之光源。LCD面板包括薄膜電晶體(TFT)基板、濾色器基板及夾於該TFT基板與濾色器基板之間之液晶層。光源之光穿過液晶層，且該液晶層控制光之透射率以顯示圖案。
TFT基板包括複數個TFT。該等TFT及其他元件可藉助光微影方法使用光阻劑形成。形成一個對象之後，為光阻劑提供光阻剝除組合物以去除該光阻劑。可將該光阻剝除組合物收集起來並隨後過濾供重複使用。
然而，當過濾光阻剝除組合物供重複使用時，係以物理方式去除光阻剝除組合物中之雜質粒子。因此，不可能去除溶於該光阻剝除組合物中之雜質。因此，當該光阻剝除組合物重複使用時，該光阻剝除組合物之剝除效率降低。
本發明提供可重複使用之光阻剝除組合物。
本發明亦提供使用上述光阻剝除組合物剝除光阻膜之方法。
在本發明一個態樣中，光阻剝除組合物包括約80%至約98.5重量%γ-丁內酯、約1%至約10重量%胺基甲酸烷基酯、約0.1%至約5重量%烷基磺酸及約0.1%至約5重量%非離子表面活性劑。
胺基甲酸烷基酯之實例可包括胺基甲酸甲酯。
烷基磺酸之實例可包括甲基磺酸、乙基磺酸、丙基磺酸、丁基磺酸等。
非離子表面活性劑之實例可包括環氧乙烷共聚物。具體而言，非離子表面活性劑可包括辛基酚乙氧基化物、壬基酚乙氧基化物等。
在本發明另一態樣中，提供一種剝除光阻膜之方法。在此方法中，為光阻膜提供光阻剝除組合物。回收該光阻剝除組合物。為該光阻剝除組合物提供臭氧氣體以自該光阻剝除組合物去除雜質。
該光阻剝除組合物包括約80%至約98.5重量%γ-丁內酯、約1%至約10重量%胺基甲酸烷基酯、約0.1%至約5重量%烷基磺酸及約0.1%至約5重量%非離子表面活性劑。
將該光阻剝除組合物提供臭氧氣體至之後，可去除溶於該光阻剝除組合物中殘餘量的臭氧氣體。
根據上文，光阻剝除組合物可重複用於自基板剝除光阻膜而不會降低剝除能力及損壞金屬圖案。藉此，可降低光 微影方法之成本。
下文中將參照展示本發明實施例之附圖更全面地闡釋本發明。然而，本發明可實施為許多種不同形式，而不應視為僅限於本文所述之實施例。相反，提供該等實施例旨在使本揭示內容透徹且完整，且將向熟悉此項技術者全面傳達本發明之範圍。在附圖中，為清楚起見，可能會放大各個層及區域之尺寸及相對尺寸。
應瞭解，當稱元件或層係"在"另一元件或層"上"、"連接至"或"耦合至"另一元件或層時，該元件或層可直接於該另一元件或層上、連接或耦合至該另一元件或層，或可存在插入元件或層。反之，當稱一元件"直接在"另一元件或層"上"、"直接連接至"或"直接耦合至"另一元件或層時，則不存在中間元件或層。本文中相同編號係指相同之元件。本文所用措詞"及/或"包括所列舉相關物項中一個或多個物項之任一及全部組合。
應瞭解，儘管本文中可能使用第一、第二、第三等措詞來闡述各種元件、組件、區域、層及/或區段，但該等元件、組件、區域、層及/或區段不應受該等術語限制。該等措詞僅用來使各元件、組件、區域、層或區段相互區分。因此，可將下文所討論之第一元件、組件、區域、層或區段稱作第二元件、組件、區域、層或區段，此並不背離本發明之教示。
在說明圖中所示的一個元件或特徵相對於另一元件或特 徵之關係時，為易於說明，在本文中可使用諸如"在…之下"、"下方"、"下部"、"上方"、"上部"及類似詞等空間相對性措詞。應瞭解，該等空間相對性措辭亦意欲囊括除該等圖中所繪示定向以外器件在使用或運作中之不同定向。舉例而言，若將圖式中之器件反轉，則描述為位於其他元件或特徵"下方"或"之下"之元件將定向於其他元件或特徵"上方"。因此，實例性措詞"在…下方"可囊括上方及下方兩個定向。器件亦可按其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)且可相應地解釋本文所用空間相對性描述語。
本文中所使用之術語僅係出於闡述特定實施例之目的而並非意欲限定本發明。除非上下文另外明確指明，否則本文中所用單數形式"一(a)"、"一(an)"及"該(the)"同樣意欲包括複數形式。進一步應瞭解，當本說明書中使用措詞"包含(comprise及/或comprising)"時，其係載明存在所述特徵、整數、步驟、作業、元件及/或組件但並不排除存在或添加一個或多個其他特徵、整數、步驟、作業、元件、組件及/或其群組。
本文係參照示意性顯示本發明之理想化實施例(及中間結構)之剖面示意圖來闡述本發明之實施例。因此，預計圖中之形狀會因(例如)製造技術及/或公差等原因而有所變化。因此，本發明之實施例不應視為限於本文所示區域之特定形狀，而是欲包括因(例如)製造而引起之形狀偏差。舉例而言，顯示為矩形之植入區域將通常具有圓形或彎曲特徵及/或在其邊緣處存在植入濃度梯度而非自植入至非 植入區域之二元變化。同樣，藉由植入所形成之隱埋區域可於該隱埋區域與進行該植入之表面之間的區域內產生某種植入。因此，圖中所示區域實質上係示意性的，其形狀並非意欲顯示器件區域之實際形狀且並非意欲限制本發明之範圍。
除非另外界定，否則本文所用之全部措詞(包括技術及科學措詞)具有與熟悉本發明所屬技術領域者所共知之相同含義。進一步應瞭解，應將措詞(諸如彼等常用字典中所定義者)解釋為具有與其在相關技術背境中之含義相一致之含義，而不應以理想化或過分形式化之意義來解釋，除非本文中明確規定如此。
光阻剝除組合物
根據本發明之實例性實施例，光阻剝除組合物包括約80%至約98.5重量%γ-丁內酯、約1%至約10重量%胺基甲酸烷基酯、約0.1%至約5重量%烷基磺酸及約0.1%至約5重量%非離子表面活性劑。
胺基甲酸烷基酯之實例可包括胺基甲酸甲酯、胺基甲酸乙酯、胺基甲酸丙酯、胺基甲酸丁酯等。較佳地，胺基甲酸甲酯可用作該胺基甲酸烷基酯。
烷基磺酸之實例可包括甲基磺酸、乙基磺酸、丙基磺酸、丁基磺酸等。較佳地，甲基磺酸可用作該烷基磺酸。
非離子表面活性劑之實例可包括環氧乙烷共聚物。具體而言，非離子表面活性劑可包括辛基酚乙氧基化物、壬基酚乙氧基化物等。較佳地，辛基酚乙氧基化物可用作非離 子表面活性劑。
該光阻剝除組合物可使光阻劑分解，因此可容易地去除溶於該組合物中之雜質(例如光阻劑分子)。由此，可防止及/或減少組合物剝除能力之降低。因此，該光阻剝除組合物可容易地重複使用。
在下文中，將參照隨附圖更全面地揭示根據本發明實例性實施例剝除光阻膜之方法。
剝除光阻膜之方法
圖1係用於解釋根據本發明實例性實施例剝除光阻膜之方法的流程圖。
根據該方法，將光阻剝除組合物提供至形成於基板上之光阻膜(步驟S10)。回收已提供至該光阻膜之光阻剝除組合物(步驟S20)。將臭氧氣體提供至該光阻剝除組合物以自該光阻剝除組合物去除雜質(步驟S30)。
該光阻剝除組合物包括約80%至約98.5重量%γ-丁內酯、約1%至約10重量%胺基甲酸烷基酯、約0.1%至約5重量%烷基磺酸及約0.1%至約5重量%非離子表面活性劑。
胺基甲酸烷基酯之實例可包括胺基甲酸甲酯、胺基甲酸乙酯、胺基甲酸丙酯、胺基甲酸丁酯等。較佳地，胺基甲酸甲酯可用作該胺基甲酸烷基酯。
烷基磺酸之實例可包括甲基磺酸、乙基磺酸、丙基磺酸、丁基磺酸等。較佳地，甲基磺酸可用作該烷基磺酸。
非離子表面活性劑之實例可包括環氧乙烷共聚物。具體而言，非離子表面活性劑可包括辛基酚乙氧基化物、壬 基酚乙氧基化物等。較佳地，辛基酚乙氧基化物可用作該非離子表面活性劑。
圖2係繪示光阻剝除裝置之示意性剖面圖。具體而言，該光阻剝除裝置係一個根據本發明實例性實施例可適用於剝除光阻膜之方法的例示性裝置。該光阻剝除裝置大體上與闡述於韓國專利申請案第2006-103036號中之光阻剝除裝置相同。
參考圖2，光阻剝除裝置10可包括室100、輸送器17、第一槽110、第二槽120、第三槽130、臭氧反應器140、氣體去除單元150及未使用溶液之槽160。
可藉由輸送器17將帶有光阻劑之基板P傳送至室100中。室100可由至少一個隔壁以形成複數個浴。舉例而言，室100可由第一隔壁107及第二隔壁108分成第一浴102、第二浴104及第三浴106。此外，室100可包括第一噴嘴115、第二噴嘴116、第三噴嘴124、第四噴嘴126、第五噴嘴132及第六噴嘴134。
輸送器17將基板P傳送至室100中。較佳地，輸送器17可以使基板P在以預定角度傾斜的同時穿過室100之方式傳送基板P。首先將基板P放置於裝載部分20上，且可依次穿過各個浴自裝載部分20到達卸載部分30，基板P自室100排出至卸載部分30。基板P可連續穿過該等浴。或者，當在每一浴中皆為基板P提供光阻剝除組合物時，基板P可在各個浴中停留固定的時間量，且然後可傳送至下一浴。提供至基板P之光阻剝除組合物因重力流下至各個浴之底部。
當基板P在以預定角度傾斜的同時穿過室100時，可使光阻剝除組合物與基板P均勻地接觸以有助於製程控制。此外，可藉由(例如)使基板P下垂來防止光阻剝除組合物殘留於基板P上。
室100包括複數個浴。因此，可容易地去除基板P之光阻劑，且該光阻剝除組合物可端視該光阻剝除組合物中光阻劑雜質之濃度進行分離並回收。
輸送器17可包括輥筒以便光阻剝除組合物容易地穿過輸送器17。或者，輸送器17可使用各種能夠在室100中傳送基板P之傳送單元。
輸送器17可相對於水平面傾斜預定角度以便基板P在傾斜的同時穿過室100。或者，可將以預定角度傾斜之支撐構件(未圖示)設置於輸送器17上。舉例而言，可使該支撐構件之下表面與輸送器17接觸，且可使基板P與該支撐構件之上表面接觸。該支撐構件可具有楔形形狀以便該支撐構件之上表面相對於水平面傾斜。
具體而言，基板P可藉由裝載部分20傳送至室100之第一浴102。第一浴102係由室100之壁及第一隔壁107界定。第一及第二噴嘴115及116係設置於第一浴102之上以噴射光阻剝除組合物。
第一噴嘴115將該光阻剝除組合物噴射於基板P上以自基板P去除光阻劑。具體而言，第一噴嘴115之噴射方向可相對於基板P之上表面垂直或傾斜。第二噴嘴116將光阻剝除組合物噴射於基板P之下表面以去除黏著於基板P下表面之 光阻劑。第二噴嘴116之噴射量可小於第一噴嘴115之噴射量。
第一及第二噴嘴115及116噴射之光阻剝除組合物溶解基板P之光阻劑並流下至第一浴102之底部。然後，該光阻剝除組合物穿過第一出口管線112並進入第一槽110。
第一槽110連接至第二槽120且由第二槽120供應光阻剝除組合物。由此，第一槽110中之光阻剝除組合物與第二槽120提供之光阻剝除組合物混合，並藉助第一浴102中之第一及第二噴嘴115及116再一次噴射於基板P上。
在第一浴102中第一次自基板P去除光阻劑之後，基板P傳送至第二浴104。將第二槽120所提供之光阻剝除組合物藉助第二浴104中之第三及第四噴嘴124及126噴射至基板P上。第三噴嘴124之噴射方法實質上與第一噴嘴115之噴射方法相同，且第四噴嘴126之噴射方法實質上與第二噴嘴116之噴射方法相同。由第二槽120所提供光阻剝除組合物中之雜質含量低於由第一槽110所提供光阻剝除組合物中之雜質含量。
在第二浴104中噴射至基板P上之光阻剝除組合物流下至第二浴104之底部，且然後穿過第二出口管線114進入第一槽110。
在第二浴104中第二次自基板P去除光阻劑後，將基板P傳送至第三浴106。將由第三槽130所提供之光阻剝除組合物藉助第三浴106中之第五及第六噴嘴132及134噴射於基板P上。第五噴嘴132之噴射方法實質上與第一噴嘴115之 噴射方法相同，且第六噴嘴134之噴射方法實質上與第二噴嘴116之噴射方法相同。由第三槽130所提供光阻剝除組合物中之雜質含量低於由第一槽110、第二槽120所提供光阻剝除組合物中之雜質含量，此乃因第三槽130提供經臭氧氣體處理之光阻剝除組合物及由未使用溶液之槽160提供之未使用光阻剝除組合物。
在此實施例中，室100包括三個浴。或者，浴之數量可視需要增加或減少。此外，該等浴之排列可視需要而改變。
在第一浴102中噴射於基板P上之光阻剝除組合物穿過第一出口管線112進入第一槽110，且在第二浴103中噴射於基板P上之光阻剝除組合物穿過第二出口管線114進入第一槽110。因此，第一槽110中光阻剝除組合物之雜質含量較大。將第一槽110中之一部分光阻剝除組合物藉助第一浴102中之第一及第二噴嘴115及116噴射至第一基板P上。第一槽110中之一部分光阻剝除組合物進入臭氧反應器140。當第一槽110中光阻剝除組合物之雜質含量大於預定值時，將第一槽110中之光阻剝除組合物藉助收回出口管線147排出。
臭氧反應器140去除已用光阻剝除組合物中之雜質(例如光阻劑粒子)以便該已用光阻剝除組合物可重複使用。該光阻劑係有機膜且係由該光阻剝除組合物以化學方式去除，因此已用光阻剝除組合物包括溶於其中之光阻劑。該包括溶於其中之光阻劑的已用光阻剝除組合物可用於自基 板P去除光阻劑；然而，該光阻剝除組合物之去除效率降低。
在此實施例中，臭氧氣體用於自該已用光阻剝除組合物去除雜質。臭氧氣體係較過氧化氫為強之氧化劑且實質上不產生可損害光阻剝除組合物去除效能之副產物。
臭氧反應器140包括用以接納已用光阻剝除組合物之接納空間及為該已用光阻剝除組合物提供臭氧氣體之臭氧氣體入口145。
當將已用光阻剝除組合物提供至臭氧氣體時，溶解或分散於已用光阻剝除組合物中之光阻劑殘餘物可分解成有機酸等，且可產生諸如二氧化碳、氧化氫等副產物。臭氧氣體之溶解度遠大於氧氣之溶解度，因此臭氧氣體可容易地與光阻劑殘餘物反應。此外，當該光阻剝除組合物重複用於剝除時，保留於該光阻剝除組合物中之有機酸可起到增加光阻剝除組合物剝除效能之作用。
氣體去除單元150可用於去除已與臭氧氣體反應之光阻剝除組合物中保留之臭氧氣體。由於臭氧氣體係強氧化劑，故該光阻剝除組合物中保留之臭氧氣體可能損壞基板P。因此，較佳係藉由氣體去除單元150去除該光阻剝除組合物中保留之臭氧氣體。
氣體去除單元150包括用於接納已與臭氧氣體反應之光阻剝除組合物之接納空間及用以將該光阻剝除組合物提供至氮氣之氮氣入口155。氮氣可使光阻剝除組合物中之臭氧氣體分解成氧氣及水。
將去除臭氧氣體之光阻剝除組合物提供至第三槽130。該光阻剝除組合物可與未使用溶液之槽160提供之未用光阻剝除組合物混合，且可在第三浴106中噴射於基板P上。在將基板P抽取至卸載部分30之前，其在第三槽130中由雜質含量極小之光阻剝除組合物清洗乾淨。
根據本發明實例性實施例剝除光阻膜之方法將已用光阻剝除組合物提供至臭氧氣體以分解該已用光阻剝除組合物中之雜質。因此，該光阻剝除組合物可重複用於剝除光阻膜，由此可減少電子器件(例如液晶顯示器裝置)之製造成本。該已用光阻剝除組合物之剝除效率與未用光阻剝除組合物相比實質上可能不會降低，且該光阻剝除組合物實質上不會損壞與該光阻剝除組合物接觸之金屬圖案。
根據本發明實例性實施例剝除光阻膜之方法可用於製造記憶體半導體基板以及平板顯示器(例如液晶顯示器(LCD)裝置)。此外，該方法可用於使用光微影方法來製造電子器件。
在下文，將參照實例及試驗更全面闡述本發明實例性實施例光阻剝除組合物。
實例1
將約93重量%γ-丁內酯、約5重量%胺基甲酸甲酯、約1重量%甲基磺酸、及約1重量%OP-10作為非離子表面活性劑混合以製備光阻剝除組合物。
試驗1-評價分解能力
將實例1之光阻剝除組合物及光阻劑粉末混合並攪拌以 製得第一溶液，該第一溶液以第一溶液之總重量計具有約72重量%光阻劑。將該第一溶液引入反應器並提供至臭氧氣體。當自將該第一溶液提供至臭氧氣體開始經過約3小時時及當自將該第一溶液提供至臭氧氣體開始經過約5小時時量測第一溶液中之光阻劑含量。此後，將該第一溶液與光阻劑分娩混合並攪拌以製備第二溶液，該第二溶液以第二溶液之總重量計具有約90重量%的光阻劑。將該第二溶液引入反應器並提供至臭氧氣體。當自將該第二溶液提供至臭氧氣體開始經過約3小時時及當自將該第二溶液提供至臭氧氣體開始經過約5小時時量測第二溶液中之光阻劑含量。第一及第二溶液各自之分解速率及所得結果繪示於以下表1中。分解速率係藉由自初始光阻劑含量減去經過5小時後光阻劑含量且然後所得值除以初始光阻劑含量來獲得。
參考表1，當將對應於已用光阻剝除組合物之第一溶液提供至臭氧氣體時，第一溶液中之光阻劑迅速分解。此外，將對應於重複使用之光阻剝除組合物之第二溶液提供至臭氧氣體，第二溶液中之光阻劑迅速分解。
初始光阻劑含量係設定為大於實際剝除方法中所用光阻 剝除組合物之光阻劑含量以便評價根據本發明實例性實施例之光阻剝除組合物的分解能力。因此，可注意到該光阻剝除組合物可有效分解光阻劑且可重複用於剝除製程。
試驗2-評價剝除能力
圖3及4係掃描電子顯微鏡(SEM)圖片，其展示已提供有根據本發明實例性實施例之光阻剝除組合物之基板的源電極邊緣。具體而言，圖3展示已提供有實例1第一溶液之基板的源電極邊緣，該溶液已提供至臭氧氣體約5小時。圖4展示已提供有實例1第二溶液之基板的源電極邊緣，該溶液已提供至臭氧氣體約5小時。
具體而言，製備具有金屬層之基板。在該金屬層上形成厚度約2微米之光阻膜。將該光阻膜暴露於光並顯影以去除一部分光阻膜。使用該光阻膜作為遮罩形成薄膜電晶體(TFT)之汲電極及源電極。
去除已提供至臭氧氣體約5小時之實例1第一溶液中之氣體後，將該第一溶液噴射於具有光阻膜之基板上約30秒。此外，去除已提供至臭氧氣體約5小時之實例1第二溶液中之氣體後，將該第二溶液噴射於具有光阻膜之基板上約30秒。
參考圖3及4，可注意到當根據本發明實例性實施例之光阻剝除組合物重複使用時該光阻剝除組合物可有效剝除光阻膜。
試驗3-評價穩定性
圖5及6係SEM圖片，其展示已提供有根據本發明實例性 實施例光阻剝除組合物之基板的閘線邊緣。具體而言，圖5展示展示已提供有實例1第一溶液之基板的閘線邊緣，該溶液已提供至臭氧氣體約5小時。圖6展示已提供有實例1第二溶液之基板的閘線邊緣，該溶液已提供至臭氧氣體約5小時。
具體而言，製備具有金屬層之基板。在該金屬層上形成厚度約2微米之光阻膜。將該光阻膜暴露於光並顯影以去除一部分光阻膜。使用該光阻膜作為遮罩形成包括閘電極之閘線。
去除已提供至臭氧氣體約5小時之實例1第一溶液中之氣體後，將該第一溶液噴射於具有光阻膜之基板上約30秒。此外，去除已提供至臭氧氣體約5小時之實例1第二溶液中之氣體後，將該第二溶液噴射於具有光阻膜之基板上約30秒。
參考圖5及6，可注意到根據本發明實例性實施例之光阻剝除組合物實質上不會損壞閘線。
根據以上，光阻剝除組合物可重複用於自基板剝除光阻膜而不會降低剝除能力及損壞金屬圖案。因此，可減少光微影方法之成本。
儘管已闡述了本發明之實例性實施例，但應瞭解，不應將本發明限於該等例示性實施例，熟悉此項技術者可在下文所主張之本發明精神及範圍內做各種改變及修改。
P‧‧‧基板
10‧‧‧光阻剝除裝置
17‧‧‧輸送器
20‧‧‧裝載部分
30‧‧‧卸載部分
100‧‧‧室
102‧‧‧第一浴
104‧‧‧第二浴
106‧‧‧第三浴
107‧‧‧第一隔壁
108‧‧‧第二隔壁
110‧‧‧第一槽
112‧‧‧第一出口管線
114‧‧‧第二出口管線
115‧‧‧第一噴嘴
116‧‧‧第二噴嘴
120‧‧‧第二槽
124‧‧‧第三噴嘴
126‧‧‧第四噴嘴
130‧‧‧第三槽
132‧‧‧第五噴嘴
134‧‧‧第六噴嘴
140‧‧‧臭氧反應器
145‧‧‧臭氧氣體入口
147‧‧‧收回出口管線
150‧‧‧氣體去除單元
155‧‧‧氮氣入口
160‧‧‧未使用溶液之槽
當結合隨附圖考量時，參考以下詳細說明將更容易地明 瞭本發明之上述及其他優點，其中：圖1係解釋根據本發明實例性實施例剝除光阻膜之方法的流程圖；圖2係繪示光阻剝除裝置之示意性剖面圖；圖3及4係掃描電子顯微鏡(SEM)圖片，其展示已提供有本發明實例性實施例光阻剝除組合物之基板的源電極邊緣；且圖5及6係SEM圖片，其展示已提供有本發明實例性實施例光阻剝除組合物之基板的閘線邊緣。
(無元件符號說明)

Claims (9)

  1. 一種光阻剝除組合物，其包含：約80%至約98.5重量%γ-丁內酯；約1%至約10重量%胺基甲酸烷基酯；約0.1%至約5重量%烷基磺酸；及約0.1%至約5重量%非離子表面活性劑。
  2. 如請求項1之光阻剝除組合物，其中該胺基甲酸烷基酯包含胺基甲酸甲酯。
  3. 如請求項1之光阻剝除組合物，其中該烷基磺酸包含至少一種選自由甲基磺酸、乙基磺酸、丙基磺酸及丁基磺酸組成之群者。
  4. 如請求項1之光阻剝除組合物，其中該非離子表面活性劑包含至少一個選自由辛基酚乙氧基化物及壬基酚乙氧基化物組成之群者。
  5. 一種剝除光阻膜之方法，該方法包含：為光阻膜提供光阻剝除組合物，該光阻剝除組合物包含約80%至約98.5重量%γ-丁內酯、約1%至約10重量%胺基甲酸烷基酯、約0.1%至約5重量%烷基磺酸及約0.1%至約5重量%非離子表面活性劑；回收該光阻剝除組合物；及為該光阻剝除組合物提供臭氧氣體以自該光阻剝除組合物去除雜質。
  6. 如請求項5之方法，其進一步包含去除溶於該光阻剝除組合物中殘留量之臭氧氣體。
  7. 如請求項5之方法，其中該胺基甲酸烷基酯包含胺基甲酸甲酯。
  8. 如請求項5之方法，其中該烷基磺酸包含至少一種選自由甲基磺酸、乙基磺酸、丙基磺酸及丁基磺酸組成之群者。
  9. 如請求項5之方法，其中該非離子表面活性劑包含至少一種選自由辛基酚乙氧基化物及壬基酚乙氧基化物組成之群者。
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