KR100367991B1 - 기판 표면 처리장치 - Google Patents

Abstract

처리액의 순환 사용이 가능하며, 또한, 순환을 반복하여도 처리액 자체의 성능을 계속 보지할 수 있는 기판 표면 처리장치를 제공한다.

처리대 위에 배치된 기판에 처리액과 린스 액을 순차로 부여하여 기판 표면을 처리하는 처리 수단; 처리 폐액을 린스 폐액과는 별도로 회수하는 액 회수 수단; 그 처리 폐액을 저류하며, 처리 폐액 중의 적어도 1 개의 성분의 농도를 도전률계 30 및 / 흡광 광도계 32 에 의하여 검출하고, 검출 치에 의하여 처리 조정액을 보급하여, 처리액을 조정하는 폐액 저류 농도 검출 액 보급 수단; 및 조정된 처리액을 상기 처리 수단에 공급하는 처리액 공급 수단; 을 구비한다.

Description

기판 표면 처리장치{APPARATUS FOR TREATING SURFACE OF BOARDS}

본 발명은 기판의 표면을 처리하기 위한 장치에 관한 것이며, 더욱 상세하게는, 기판 표면을 처리한 후의 처리 폐액과 린스 폐액을 완전히 분리하며, 또한, 회수한 처리 폐액을 처리액으로 까지 재조정하여 처리액의 순환 사용을 가능하게 하는, 기판 표면의 처리장치에 관한 것이다.

반도체 소자, 액정 표시소자 등 여러 가지 종류의 전자 소자의 제조에 있어서는, 우선, 기판의 표면에 절연체 층, 반도체 층, 도전체 층 등의 박막이 형성된다. 뒤이어, 형성된 박막 위에 리지스트 층을 도포한 후에, 포토 마스크에 의한 노광(露光) 처리가 시행되며, 현상액 및 에칭 액에 의하여 패터닝 된다. 거기에, 리지스터 박리액을 도포함으로써, 기판 표면에 잔존하는 리지스트가 제거된다. 또, 거기에, 기판 표면에는 린스 액 (예컨대, 이소프로필알코올 등의 알코올 류, 순수 등)이 부여되며, 표면에 아직 잔존하는 미세한 리지스트 입자, 처리액 등이 제거된다. 이와 같이 전자 소자의 제조에 있어서는, 복수의 처리액 및 린스 액을 사용한 습식 처리가 시행된다.

상기 습식 처리에 있어서, 웨이퍼 등의 기판은, (1) 처리액을 함유하는 처리조 내와 린스 액을 함유하는 린스 조 내에 직접 침지되는 수법으로 처리되거나, (2) 회전이 자재한 웨이퍼 척에 고정되어, 기판 표면에 처리액과 린스 액을 스프레이 노즐 또는 스트레이트 노즐로 순차로 부여하고, 웨이퍼 척의 회전을 이용하여 기판 전체를 처리하는 스피너를 이용한 수법, (3) 롤러 컨베이어 위에 기판을 배치하고, 기판의 처리 방향에 처리액과 린스 액을 순차로 도포하는 수법, 또는, (4)카세트에 다수의 기판을 배치하고, 기판 표면에 처리액과 린스 액을 스프레이 노즐로 순차로 부여하는 수법이 이용된다.

그러나, 상기의 침지를 이용한 수법으로는, 다수의 웨이퍼를 처리함에 따라처리액 중의 성분의 농도가 변화하여, 안정된 표면처리를 할 수 없다는 문제가 있었다. 또 한편으로 보면, 스피너 또는 롤러 컨베이어를 사용한 경우는, 처리액의 폐액(처리 폐액)과 린스 액의 폐액(린스 폐액)이 혼합된 방대한 폐액을 발생하는 문제가 있었다. 이와 같은 기판 처리에 의하여 발생하는 폐액을 처리폐액과 린스 폐액으로 분리하기 위한 여러 가지의 스피너가 제안되고 있다.

예컨대, 일본 특개평 5-190442 호 공보에는, 웨이퍼 척의 주위에, 외측 컵과 내측 컵의 2 중 구조의 컵을 설치한 스피너가 개시되어 있다.

이 스피너는, 내측 컵이 승강이 자재이며, 내측 컵의 상하 동에 의하여 복수의 처리액을 분리 회수할 수가 있다. 분리 회수된 처리 폐액은 한결 용이하게 폐액처리 되거나, 또는 재 이용된다.

특개평 8-88168 호 공보에는, 웨이퍼 척의 주위에 승강이 자재한 이너 링을 설치하고, 이너 링이 상부에 위치한 경우에는 그 하단이 칸막이 벽의 안쪽이 되며, 이너 링이 하부에 위치하는 경우에는 그 하단이 칸막이 벽의 바깥쪽이 되도록한 구성의 스피너가 개시되어 있다.

다른 한편으로, 특개평 5-283395 호 공보에는, 회전이 자재한 지지기(支持器) 상에 고정된 기판에, 스톡 용기를 통하여 처리액을 부여하고, 그 처리폐액을 회수하여 스톡 용기에 되 보내는 박재(薄材)의 청정화 장치가 개시되어 있다. 이청정화 장치는 처리액을 순환 사용하게 할 수 있다.

또, 일본 특허 제 2602179 호 공보에는, 처리액에 알카놀아민과 유기 용매를 이용하여, 처리 폐액 (리지스트 박리 폐액) 내의 알카놀아민 농도를 흡광 광도게로 검출하며, 또한, 부족한 성분을 보급하여 처리액을 재생하는 리지스트 박리액 관리 장치가 개시되어 있다. 거기에, 특개평 10 - 22261 호 공보에는, 처리액에 알카놀아민과 유기 용매와 순수를 이용하여, 처리 폐액(리지스트 박리 폐액) 내의 순수 농도를 흡광 광도계로 검출하며, 또한, 부족한 성분을 보급하여 처리액을 재생하는 리지스트 박리액 관리 장치가 개시되어 있다. 이들 관리 장치는, 처리액 내의 특정 성분을 검출하여 보급함으로, 처리액을 열화시킴이 없이, 끊임없이 일정한 처리 성능을 가지는 처리액을 조정할 수 있다.

상술한 특개평 5-190442 호 공보에 기재된 스피너는, 처리 폐액을 분리 회수하는 것뿐이며, 처리액 또는 처리 폐액의 순환을 반복하는 중에 처리액 중의 성분 농도가 변화하여, 기판에 대한 처리 능력이 저하하는 문제가 있다.

또, 특개평 5-283395 호 공보에 기재된 장치는, 단순히 처리 폐액을 스톡 용기에 되 보내기 위하여, 처리액 또는 처리 폐액의 순환을 반복하는 중에 처리액 중의 성분 농도가 변화하여, 기판에 대한 처리 능력이 저하하는 문제가 있다.

마찬가지로, 특개평 8-88168 호 공보에 기재된 스피너는, 처리 폐액을 분리 회수하는 것 뿐이며, 처리액 또는 처리 폐액의 순환을 반복하는 중에 처리액 중의성분 농도가 변화하여, 기판에 대한 처리 능력이 저하하는 문제가 있다.

또, 상술한 특허 제 2602179 호 공보 및 특개평 10-22261 호 공보에 기재된 기재된 관리 장치는, 스피너를 이용한 기판 표면 처리장치에 적용하는 경우, 린스 액은 처리액과 동등 또는 그 이상의 양으로 사용되는 경우가 많고, 처리 폐액이 분리 회수 되지 않으므로, 희석에 의하여 유효 성분의 농도가 대폭으로 저하하여 재생 효율 상의 관점에서 낭비가 많게 되는 문제가 있다.

반도체와 액정 기판의 리지스트 박리 공정에 있어서는, 산소 플라스마에 의한 드라이 애싱(Ashing) 공정과 리지스트 박리액에 의한 습식 박리 공정의병용이 실시되고 있다. 산소 플라스마에 의한 드라이 애싱 공정을 거친 기판에는, 강고한 리지스트 변질물과 실리콘 산화물 등의 금속 산화물이 잔존해 있기 때문에, 그 후의 리지스트 박리 공정에서는, 이들을 완전히 박리하여 제거하는 것이 곤란하게 되어 있다. 이 때문에, 처리액의 온도를 올리고, 처리 시간을 길게 하는 연구도 되고 있으나, 안전상의 문제도 있으며, 또, 생산 효율의 관점에서도 문제로 되고 있다. 또, 물리적인 처리 능력을 높이기 위하여, 스피너를 이용하여, 그 표면상에 0.5∼5kg/㎠ G정도의 압력을 걸어 처리액의 도포를 시행하는 것이 고안되어 있으나, 그것은, 회전이 자재한 스피너와 압력 도포의 상승 효과에 의하여, 처리 능력이 향상한다고 생각되기 때문이다.

또, 복수 대의 스피너를 이용함으로써, 처리액과 린스 액을 각각의 스피너로 따로 처리하는 연구도 하고 있으나, 기판 표면 처리장치의 치수가 크게 되는 문제가 있어서 현실적이지 못하다.

한편, 처리액과 린스 액을 동일 스피너로 처리한 경우, 상술한 바와 같이 관리 장치가 사용될 수 없는 우려가 있으며, 실제 문제로서 제품이 생산될 수 없는 사태로 되고 있다.

이들 사실에서, 기판 표면 처리장치와 관리 장치는 되도록 작게 하고 싶다, 처리액은 충분히 사용하고 싶다, 또한, 그 처리액은 유효하게 재 이용하고 싶다, 린스 액은 처리액에 의한 처리 후 바로 도포하고 싶다, 처리 폐액은 작게 하고 싶다, 라고 하는 요구가 강하게 되고 있다.

본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위하여 된 것이며, 그 목적으로 하는 바는, 기판 표면을 처리한 후의 처리 폐액을 린스 액과는 완전히 분리하여 회수하고, 회수한 처리 폐액에 액 중의 성분 농도의 변화에 응한 처리 조정액을 보급하여 처리액을 재조정함으로써, 처리액의 순환 사용이 가능하며, 또한, 순환을 반복해도 처리액 자체의 성능을 계속 보지할 수 있는 기판 표면 처리장치를 제공함에 있다.

도 1 은 본 발명의 실시의 제 1 형태에 의한 기판 표면 처리장치를 보여주는 계통적 개략 구성도이다.

도 2 는 도 1 에 도시한 기판 표면 처리장치에 있어서의 농도 검출ㆍ액 보급의 상세를 보여주는 계통적 설명도이다.

도 3 은 본 발명의 실시의 제 2 형태에 의한 기판 표면 처리장치를 보여주는 계통적 개략 구성도이다.

도 4 는 본 발명의 실시의 제 3 형태에 의한 기판 표면 처리장치를 보여주는 계통적 개략 구성도이다.

도 5 는 본 발명의 실시의 제 4 형태에 의한 기판 표면 처리장치를 보여주는 계통적 개략 구성도이다.

*부호의 설명*

10 : 롤러 컨베이어 12 : 기판

14 : 처리액 공급 장치 16, 22, 88 : 하우징

18, 24, 44, 76, 78 : 스프레이 노즐

20 : 린스 액 공급장치 26, 52 : 폐액 모임 부

28 : 폐액회수ㆍ액 보급 장치

30 : 도전률계 32 : 흡광 광도계

34, 35 : 처리 조정액 탱크 36 : 히터

38 : 액면 센서 40, 54 : 펌프

42, 56 : 여과 필터 43 : 처리액 반송관

46 : 처리 폐액 탱크 48, 50, 58, 60 : 압력계

62 : 제어기

64, 65, 68, 89, 90, 92 : 제어변

66 : 질소 가스 탱크 70, 70a : 처리장치(스피너)

72 : 구동 모터 74 : 웨이퍼 척

80 : 린스 액 탱크 82 : 컵 (트로프)

84 : 내벽 86 : 외벽

94 : 제 1 린스 폐액 탱크 96 : 제 2 린스 폐액 탱크

98 : 이너 컵 (가이드 부) 100 : 내 스커트 부

102 : 외 스커트 부 104 : 칸막이 벽

106 : 카세트

상기의 과제를 해결하기 위하여, 본발명의 기판 표면 처리장치는, 처리대 위에 배치된 기판에 처리액과 린스 액을 순차로 부여(공급)하여 기판 표면을 처리하는 처리 수단; 처리 폐액을 린스 폐액과는 별도로 회수하는 액 회수 수단; 그 처리 폐액을 저류하는 폐액 저류 수단; 그 처리 폐액 중의 적어도 1 개의 성분의 농도를 도전률계 및 / 또는 흡광 광도계에 의하여 검출하고, 검출치에 의하여 처리 조정액을 보급하여, 처리액을 조정하는 농도 검출ㆍ액 보급 수단; 및 조정된 처리액을 상기 처리 수단에 공급하는 처리액 공급 수단; 을 구비하도록 구성되어 있다.

또, 본 발명의 기판 표면 처리장치는, 처리대 위에 배치된 기판에 처리액과 린스 액을 순차 부여(공급)하여 기판 표면을 처리하는 처리 수단; 처리 폐액을 린스 폐액과는 별도로 회수하는 액 회수 수단; 그 처리 폐액을 저류하고, 처리 폐액 중의 적어도 1 개의 성분의 농도를 도전률계 및 / 또는 흡광 광도계에 의하여 검출하여, 검출치에 의하여 처리 조정액을 보급하며 처리액을 조정하는 폐액 저류ㆍ농도 검출ㆍ액 보급 수단; 및 조정된 처리액을 상기 처리 수단에 공급하는 처리액 공급 수단; 을 구비한 것을 특징으로 하고 있다(도 1∼도 5 참조).

상기 본 발명의 장치에 있어서, 하나의 실시 태양(態樣)에 있어서는, 폐액 저류 수단은, 처리 폐액을 교반하며, 또한 여과하는 교반ㆍ여과 부를 구비한다.

상기의 본 발명의 장치에 있어서, 하나의 실시 태양에서는, 폐액 저류ㆍ농도 검출ㆍ액 보급 수단은, 조정된 처리액을 교반하며, 또한 여과하는 교반ㆍ여과 부를 구비한다.

상기 본 발명의 장치에 있어서, 하나의 실시 태양에서는, 거기에, 상기 린스 페액을 회수하고, 그 린스 폐액의 회수 개시로부터의 시간의 경과에 응하여, 회수 개시 직후의 이물 함유 린스 폐액과 회수 개시로부터 일정 시간 경과 후의(이물을 함유하지 않은) 제 2 린스 폐액으로 분리하는 린스 폐액 분리 수단이 액 회수 수단에 접속된다(도 3, 도 4, 도 5 참조).

상기의 본 발명의 장치에 있어서, 하나의 실시 태양에서는, 상기 기판은, 프린트 기판, 액정 기판, 반도체 기판 또는 플라스마 기판이다.

상기 본 발명의 장치에 있어서, 새로운 실시 태양에서는, 상기 처리대는, 회전이 자재한 웨이퍼 척(도3, 도 4 참조), 롤러 컨베이어(도 1,도 2 참조) 및 카세트(도 5 참조)의 어느 하나이다.

새로운 실시 태양에서는, 상기 처리대는 웨이퍼 척이며, 그리고 상기 액 회수 수단은, 내벽과 외벽을 구비한 승강 가능한 컵과, 그 컵을 포위하는 하우징을 가진다. 즉, 이들 본 발명의 장치에 있어서, 상기 처리대는, 기판을 실어놓고 회전이 자재한 웨이퍼 척이며, 상기 액 회수 수단은, 기판의 주위를 차폐하는 위치와 기판의 주위를 노출시키는 위치에서 승강이 가능한 내벽과, 그 내벽의 외주에 일체로 연설(連設)되어 승강이 가능한 컵을 형성하는 외벽과, 내벽과 외벽으로 형성되는 승강 가능한 그 컵을 포위하는 하우징을 가진 구성이다(도 3 참조).

새로운 실시 태양에서는, 상기 처리대는 웨이퍼 척이며, 그리고 상기 액 회수 수단은, 그 웨이퍼 척의 주위에 고정된 칸막이 벽과, 내 스커트 부 및 외 스커트 부를 구비한 이너 컵과, 그 칸막이 벽 및 그 이너 컵을 포위하는 하우징을 가지며, 그 이너 컵이, 그 웨이퍼 척보다도 위쪽에 위치하는 경우, 그 내 스커트 부는 그 칸막이 벽의 내측에 배치되며, 그리고 그 웨이퍼 척보다도 아래쪽에 위치하는 경우, 그 스커트 부는 그 칸막이 벽의 외측에 배치된다. 즉, 이들 본 발명의 장치에 있어서, 상기 처리대는, 기판을 실어놓고 회전이 자재한 웨이퍼 척이며, 상기 액 회수 수단은, 기판을 주회 상(周回狀)으로 포위하도록 설치된 내 스커트 부 및 외 스커트 부를 구비한 승강 가능한 이너 컵과, 그 이너 컵을 포위하는 하우징과, 그 하우징의 밑 면에 고정된 내 스커트 부의 아래쪽과 외 스커트 부의 아래쪽과의사이에 위치하는 칸막이 벽을 가지며, 그 이너 컵이 기판의 위쪽에 위치하는 경우에 기판으로부터의 폐액이내 스커트 부에 의하여 그 칸막이 벽의 내측으로 유도되어, 그 이너 컵이 기판의 아래쪽에 위치하는 경우에 기판으로부터의 폐액이 외 스커트 부에 의하여 그 칸막이 벽의 외측으로 유도되는 구성으로 되어 있다(도 4 참조).

상기 본 발명의 장치에 있어서, 하나의 실시 태양에서는, 상기 처리액은 현상액(現像液)이다.

상기 본 발명의 장치에 있어서, 새로운 실시 태양에서는, 상기 현상액은, 순수와, 그 순수 100 중량 부에 대하여, 0.04 중량 부∼25 중량 부의 알칼리성 물질을 함유하는 액이다.

이 경우, 도전률계 및 / 또는 흡광 광도계로 검출되는 성분은, 현상액 중의 알칼리 성 물질 및 용해 리지스트의 적어도 하나이다.

또, 현상액에 포함되는 알칼리 성 물질로서는, 수산화 칼리움, 수산화 나트륨, 탄산 나트륨, 탄산 수소 나트륨, 인산 나트륨, 규산 나트륨, 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 및 트리메틸모노에타놀암모늄하이드로옥사이드로 된 군에서 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있다.

상기 본 발명의 장치에 있어서, 하나의 실시 태양에서는, 상기 처리액은 투명 도전막 용 에칭 액이다.

상기 본 발명의 장치에 있어서, 새로운 실시 태양에서는, 상기 에칭 액은, 염산과 질산의 혼합 수용액, 염산과 염화 제 2 철의 혼합 수용액, 취화 수소산 수용액, 취화 수소산과 염화 제 2 철의 혼합 수용액, 옥화 수소산과 염화 제2철의 혼합 수용액 및 수산 수용액의 적어도 1 종이다.

이 경우, 도전률계 및 / 또는 흡광 광도계로 검출되는 성분은, 투명 도전막용 에칭 액 중의 산 및 용해 인듐의 적어도 하나이다.

상기 본 발명의 장치에 있어서, 하나의 실시 태양에서는, 상기 처리액은 리지스트 박리액이다.

상기의 본 발명의 장치에 있어서, 새로운 태양에서는, 상기 리지스트 박리액은, 알카놀아민과, 그 알카놀아민 100 중량 부에 대하여 20 중량 부 ∼ 800 중량 부의 유기 용매를 함유하는 액이다.

이 경우, 도전률계 및 / 또는 흡광 광도계로 검출되는 성분은, 리지스트 박리액 중의 용해 리지스트, 알카놀아민 및 순수의 적어도 1 개이다.

또, 상기 본 발명의 장치에 있어서, 새로운 태양에서는, 상기 리지스트 박리액은, 알카놀아민과 그 알카놀아민 100 중량 부에 대하여 20 중량 부∼800 중량 부의 유기 용매와, 5 중량 부∼900 중량 부의 순수와, 1중량 부∼300 중량 부의 하이드록실아민을 함유하는 액이다.

이 경우, 도전률계 및 / 또는 흡광 광도계로 검출되는 성분은, 리지스트 박리액 중의 용해 리지스트, 알카놀아민, 순수 및 하이드록실아민의 적어도 하나이다.

리지스트 박리 액에 함유되는 알카놀아민으로는, 모노에타놀아민, 디에타놀아민, 트리에타놀아민, N, N-디메틸에타놀아민, N, N-디에틸에타놀아민, 아미노에틸에타놀아민, N-메틸-N, N-디에타놀아민, N, N-디부틸에타놀아민, N-메틸에타놀아민 및 3-아미노-1-프로파놀로 된 군에서 선택되는 적어도 1 종의 아민을 들 수 있다.

아래에, 본 발명의 실시형태에 관하여 상세히 설명하지만, 본 발명은 하기 실시 형태에 하등 한정되는 것은 아니며, 적당히 변경하여 실시 할 수 있는 것이다.

도 1 은, 본 발명의 실시의 제 1 형태에 의한 기판 표면 처리장치를 보여주고 있다. 본실시 형태는, 롤러 컨베이어 상에 기판을 배치하고, 기판의 처리 방향에 처리액과 린스 액을 순차로 부여(공급)해 가는 것이다.

도 1 에 도시하는 바와 같이, 롤러 컨베이어 10 위에 배치된 기판 12 는, 그림 안의 화살표의 방향으로 이동하여, 우선 처리액 공급장치 14 에 도입된다. 처리액 공급장치 14 의 하우징 16 내에 도입된 기판 12 에는, 스프레이 노즐 18 에서 처리액이 공급된다.

처리액에 의하여 표면 처리된 기판 12 는, 계속하여 린스 액 공급장치 20 에 도입된다. 린스 액 공급장치 20 의 하우징 22 내로 도입된 기판 12 에는, 스프레이 노즐 24 에서 린스 액이 공급된다. 린스 액으로는, 알코올 류(예컨대, 이소프로필알코올)와 순수 등이 사용된다.

역시, 스프레이 노즐 18, 24 의 대신에 스트레이트 노즐이나 기타의 노즐을 사용해도 좋다. 거기에, 기판 12 가 처리액 공급장치 14 에서 린스 액 공급장치 20에 도입되기 전에, 기판 12 의 표면 및 이면에는, 송풍기(도시 않음) 등에 의하여에어 나이프 또는 질소 나이프에서 공기 또는 질소가스가 내뿜어져서, 기판에 부착되어 있는 처리액이 제거되는 것이 바람직하다. 이로 하여, 기판에 의하여 묻어 나오는 처리액 및 처리액 공급장치 14 에서 발생하는 처리액의 미스트가 린스 액 공급장치 20 내로 진입하는 것을 방지할 수 있다. 본 실시형태에서는, 처리액 공급장치 14 및 린스 액 공급장치 20 이 처리 수단이 된다.

처리액 공급장치 14 에 있어서, 기판 표면에 부여된 후의 처리액(처리 폐액)은, 폐액 모임 부 26 의 밑 부에서 배출되어 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28로 이송된다. 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 에 저류된 처리 폐액은, 도전률계 30 및 / 또는 흡광 광도계 32 에 의하여 도전률 및 / 또는 흡광도가 측정되어, 그 측정치가 제어기 62 에 입력되어, 처리 폐액 중의 1 개 또는 그 이상의 성분의 농도가 검출된다. 그 검출 농도에 응하여 제어기 62 로부터의 신호에 의하여 제어변 64 및 / 또는 제어변 65 가 개도가 조절되어, 처리 폐액에 처리 조정액 탱크 34 / 또는 처리 조정액 탱크 35 에서 조정이 필요한 성분을 함유하는 소정량의 처리 조정액이 보급되어 처리액이 조정된다. 36 은 온도 조절 용 히터이며 처리액의 온도를 일정하게 보지하기 위하여 설비되어 있다. 38 은 액면 센서이며, 처리액의 액면 레벨을 제어하기 위하여 설비되어 있다.

조정된 처리액은, 펌프 40 에 의하여 여과 필터 42 에 이송되고, 여과 필터 42 에 의하여 여과된 후, 스프레이 노즐 18 에 공급되어 처리액 공급장치 14 에서 기판 표면에 부여하도록 순환 사용된다. 이 경우, 도 1에 도시하는 바와 같이, 여과 필터 42 에서 여과된 처리액의 일부를 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 에 돌려보내는 것이 바람직하며, 처리액 조정 시의 교반 효과를 높이기 위하여, 예를 들면, 스프레이 노즐 44 를 이용하여 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 로 돌려보내는 구성으로 할 수 있다. 역시, 보급된 처리 조정액의 양에 대응하여, 혹은 오버 플로에 의하여 처리액의 일부는 처리액 탱크 46 으로 배출된다. 48, 50 은 압력계이다.

본 실시형태에 있어서, 처리 폐액을 저류하는 폐액 저류조를 폐액 모임 부 26 과 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 과의 사이에 설치하는 경우도 있다.

한편, 린스 액 공급장치 20 에 있어서, 린스 액의 폐액(린스 폐액)은, 폐액 모임 부 52의 밑 부에서 배출되며, 처리 폐액과는 별도로 회수 되거나, 또는 폐기된다(도시 않음). 54 는 펌프, 56 은 린스 액을 여과하기 위한 여과 필터, 58, 60 은 압력계이다.

다음으로, 도 2 에 근거하여 폐액 회수ㆍ액 보급 자치 28 에 있어서의 농도 검출ㆍ액 보급의 구체 예에 대하여 설명한다. 폐액 회수ㆍ액 보급 자치 28 에 저류된 처리 폐액은, 도전률계 30 및 / 또는 흡광 광도계 32 에 의하여 도전률 및 / 또는 흡 광도가 측정되고, 그 측정치가 제어기 62 에 입력되어, 처리 폐액 중의 1 개 또는 그 이상의 성분의 농도가 검출된다. 그 검출 농도에 응하여 제어기 62 로부터의 나온 신호에 의하여 제어변 64 및 / 또는 제어변 65 가 개도가 조절되며, 처리 폐액에 처리 조정액 탱크 34/ 또는 처리 조정액 탱크 35 에서 조정이 필요한 성분을 함유하는 소정량의 처리 조정액이 보급되어 처리액이 조정된다. 이 경우, 처리 조정기판에 대한 처리 능력이 저하하는 문제가 있다. 액 탱크 34로부터의 처리 조정액은, 예컨대, 질소 가스 탱크 66 으로부터의 가압 질소 가스에 의하여 압송되어처리 폐액에 보급된다. 68 은 제어변이다. 역시, 처리 조정액 탱크 35 에 관하여도, 상세한 도시를 생략하고 있으나, 처리 조정액 탱크 34 의 경우와 마찬가지이다.

여기서, 처리 폐액 중의 성분 농도의 검출 방법 및 조정 방법에 관하여, 구체 예를 말한다.

알칼리 계 현상액에 있어서는, 알칼리 농도와 도전률의 관계를 실험에 의하여 검토하고, 도전률에 대하여 알칼리 농도가 지배적으로 고도한 직선 상관으로써 측정할 수 있음을 확인하였으므로, 알칼리 농도가 감소한 것을 도전률계에 의하여 검출하고, 처리액 보다도 알칼리 농도가 큰 알칼리 계 현상 원액이 보급되어 조정된다.

또, 리지스트 농도와 흡 광도의 관계를 실험에 의하여 검토하고, 가시(可視) 부의 파장(예컨대, 480 nm)의 흡 광도에 대하여 리지스트 농도가 지배적으로 직선 상관으로써 측정할 수 있음을 확인하였으므로, 리지스트 농도가 증가한 것을 흡광 광도계에 의하여 검출하여, 리지스트가 함유되지 않은 알칼리 계 현상 신액이 보급되어 조정된다.

투명 도전막 용 에칭 액에 있어서는, 취화수소산 농도와 도전률의 관계를 실험에 의하여 검토하고, 도전률에 대하여 취화수소산 농도가 지배적으로 직선 상관으로써 측정할 수 있는 것을 확인했으므로, 취화수소산 농도가 감소한 것을 도전률계에 의하여 검출하고, 처리액 보다도 취화수소산 농도가 큰 에칭 원액이 보급되어 조정된다.

또, 용해 인듐 농도와 흡 광도의 관계를 실험에 의하여 검토하고, 자외 부 또는 가시 부의 파장(예컨대, 342 nm)의 흡광도에 대하여 용해 인듐 농도가 지배적으로 직선 관계로써 측정 할 수 있는 것을 확인하였으므로, 용해 인듐 농도가 증대한 것을 흡광 광도계에 의하여 검출하고, 인듐이 함유되지 않은 에칭 신액이 보급되어 조정된다.

알카놀아민과 유기 용제를 함유하는 리지스트 박리액에 있어서는, 모노 에타놀 아민 농도와 흡광도의 관계를 실험에 의하여 검토하고, 근 적외부의 파장(예컨대, 1048 nm)의 흡 광도에 대하여 모노에타놀아민 농도가 지배적으로 고도한 직선 관계로써 측정할 수 있는 것을 확인하였으므로, 모노에타놀아민 농도가 감소한 것을 흡광 광도계에 의하여 검출하고, 처리액보다도 모노에타놀아민 농도가 큰 리지스트 박리 원액이 보급되어 조정된다.

또, 리지스트 농도와 흡광도의 관계를 실험에 의하여 검토하고, 가시 부의 파장(예컨대, 550 nm)의 흡 광도에 대하여 리지스트 농도가 지배적으로 직선 관계로써 측정할 수 있는 것을 확인하였으므로, 리지스트 농도가 증대한 것을 확인하였으므로, 리지스트 농도가 증대한 것을 흡광 광도계에 의하여 검출하고, 리지스트가 함유되지 않은 리지스트 박리 신액이 보급되어 조정된다.

알카놀아민과 유기 용매와 순수를 함유하는 리지스트 박리액에 있어서는, 수분 농도와 흡 광도의 관계를 실험에 의하여 검토하고, 근 적외 부의 파장(예컨대, 976 nm)의 흡 광도에 대하여 수분 농도가 지배적으로 고도한 직선 관계로써 측정할 수 있는 것을 확인하였으므로, 수분 농도가 감소한 것을 흡광 광도계에 의하여 검출하고, 순수가 보급되어 조정된다.

또, 리지스터 농도와 흡 강도의 관계를 실험에 의하여 검토하고, 가시 부의 파장(예컨대, 550 nm)의 흡 광도에 대하여 리지스트 농도가 지배적으로 직선 관계로써 측정할 수 있는 것을 확인하였으므로, 리지스트 농도가 증대한 것을 확인하였으므로, 리지스트 농도가 증대한 것을 흡광 광도계에 의하여 검출하고, 리지스트가 함유되지 않은 리지스트 박리 신액이 보급되어 조정된다.

알카놀아민과 유기 용매와 순수와 하이드록실아민을 함유하는 리지스트 박리액에 있어서는, 수분 농도와 흡 강도의 관계를 실험에 의하여 검토하고, 근 적외 부의 파장(예컨대, 976 nm)의 흡 광도에 대하여 수분 농도가 지배적으로 고도한 직선 관계로써 측정할 수 있는 것을 확인하였으므로, 수분 농도가 감소한 것을 흡광 광도계에 의하여 검출하고, 순수가 보급되어 조정된다.

또, 하이드록실아민 농도와 흡 광도의 관계를 실험에 의하여 검토하고, 근 적외 부의 파장 (예컨대, 1074 nm)의 흡 광도에 대하여 하이도록실아민 농도가 지배적으로 고도한 직선 관계로써 측정할 수 있는 것을 확인하였으므로, 하이드록실아민 농도가 감소한 것을 흡광 광도계에 의하여 검출하고, 하이드록실아민 용액이 보급되어 조정된다.

그 위에, 리지스터 농도와 흡 강도의 관계를 실험에 의하여 검토하고, 가시 부의 파장(예컨대, 550 nm)의 흡 광도에 대하여 리지스트 농도가 지배적으로 직선 관계로써 측정할 수 있는 것을 확인하였으므로, 리지스트 농도가 증대한 것을 흡광 광도계에 의하여 검출하고, 리지스트가 함유되지 않은 리지스트 박리 신액이 보급되어 조정된다.

또, 처리 폐액 중의 주성분의 농도와 용해 리지스트 농도(또는 용해 인듐 농도)가 일정하게 되도록 동시에 정도(精度) 좋게 제어하는 것은, 처리액이 일정한 처리 성능을 유지하기 위하여 극히 중요하다.

도 3 은, 본 발명의 실시의 제 2 형태에 의한 기판 표면 처리장치를 보여주고 있다. 본 실시형태는, 기판을 회전이 자재한 웨이퍼 척에 고정하고, 기판 표면에 처리액과 린스 액을 순차로 부여하는 것이며, 외벽과 내벽을 구비한 승강 가능한 컵에 의하여, 처리 폐액을 린스 폐액과는 별도로 회수하는 것이다.

도 3 에 도시하는 바와 같이, 처리 장치 (스피너) 70 에 있어서, 구동 모터 72 에 의하여 회전이 자재한 웨이퍼 척 74 의 위에 기판 12 가, 예컨대, 공지의 정전적(靜電的) 수단 또는 흡인적 수단에 의하여 고정(실어 놓음)되고, 기판 12 가 회전하고 있는 상태에서, 스프레이 노즐 76 에서 처리액이 공급되어 기판 표면에 처리액이 부여되며, 잇따라, 스프레이 노즐 78 에서 린스 액이 기판 표면에 부여된다. 80 은 린스 액 탱크이다. 또, 스프레이 노즐 76, 78 대신에 스트레이트 노즐이나 기타 노즐 등을 사용해도 좋다. 본 실시형태에서는, 처리 장치(스피너) 70 이 처리수단이 된다.

웨이퍼 척 74 의 주위에는, 고정(실어 놓음)된 기판 12 를 주회하는 것 같은 슈트 형 컵(트로프) 82 가 설치되어 있으며, 이 컵(트로프) 82 는 승강 장치(도시 않음)에 의하여 하우징 88 의 밑 부에 대하여 연직 방향으로 승강이 가능하게 구성되어 있다. 구체적으로는, 컵 82 의 내벽 84 가, 기판 12 의 주위를 차폐하는 위치와 기판 12 의 주위를 노출시키는 위치와의 사이에서 상하로 이동하며, 컵 82 의 외벽 86 이, 내벽 84 보다 높은 위치에서 하강 시에도 기판 12 의 높이보다 낮게 되지 않도록 설치되어 있다. 즉, 컵 82 의 외벽 86 의 상부는, 컵(트로프) 82 가 가장 하강한 경우에도, 항상 기판 12 의 처리 표면보다도 위쪽에 위치하도록 설비되어 있다. 88 은, 컵(트로프) 82 를 포위하는 하우징이다.

도 3 에 있어서, 스프레이 노즐 76 에서 처리액이 공급될 때, 컵(트로프) 82는 하우징 88 내에 있어서 가장 하강한 상태에 위치한다. 공급된 처리액은, 웨이퍼 척 74 와 함께 회전하는 기판 12 의 표면에 부여된다. 표면에 부여된 처리액은, 기판 12 의 회전(원심력)에 의하여, 외주를 향하여 균일하게 퍼진다. 그리고, 기판 12 에서 튀어나간 처리 폐액은, 내벽 84 와 외벽 86 의 사이, 즉, 컵(트로프) 82 의 안으로 배출된다. 한편, 스프레이 노즐 78 에서 린스 액이 공급될 때에, 컵(트로프) 82 는 하우징 88 내에 있어서 가장 상승한 상태에 위치한다. 공급된 린스 액은, 웨이퍼 척 74 와 함께 회전하는 기판 12 의 표면에 부여된다. 표면에 부여된 린스 액은, 기판 12 의 회전(원심력)에 의하여, 외주를 향하여 균일하게 퍼진다. 그리고, 기판 12 에서 튀어나간 린스 폐액은, 내벽 84 의 내측, 즉, 하우징 88 내로 배출된다.

컵(트로프) 82 내의 처리 폐액은, 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 에 보내어진다. 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 에 저류된 처리 폐액은, 도전률계 30 및 / 또는 흡광 광도계 32 에 의하여 도전률 및 / 또는 흡 광도가 측정되어, 그 측정치가 제어기 62 에 입력되어, 처리 폐액 중의 1 개 또는 그 이상의 성분의 농도가 검출된다. 그 검출 농도에 응하여 제어기 62 로부터의 신호에 의하여 제어변 64 및 / 또는 제어변 65 가 개도가 조절되어, 처리 폐액에 처리 조정액 탱크 34 및 / 또는 처리 조정액 탱크 35 에서 조정이 필요한 성분을 함유하는 소정량의 처리 조정액이 보급되어 처리액이 조정된다. 도면 중의 1 점 쇄선으로 둘러싸인 도전률계 30 및 / 또는 흡광 광도계 32 를 포함하는 구성이 농도 검출 부이다.

조정된 처리액은, 펌프 40 에 의하여 여과 필터 42 에 보내어지고, 여과 필터 42에 의하여 여과된 후, 스프레이 노즐 76 에 공급되어 처리장치(스피너) 70 에서 기판 표면에 부여되기 위하여 순환 사용되다. 이 경우, 도 3 에 도시하는 바와 같이, 여과 필터 42 로 여과된 처리액의 일부를 처리액 반송관 43 을 거쳐 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 로 돌려보내는 것이 바람직하며, 처리액 조정 시의 교반 효과를 높이기 위하여, 예컨대, 스프레이 노즐 44 를 이용하여 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 에 돌려보내는 구성으로 할 수 있다. 도면 중의 1 점 쇄선으로 둘러싸인 펌프 40, 여과 필터 42 및 처리액 반송관 43 을 포함하는 구성이 교반ㆍ여과 부이다.

한편, 하우징 88 내의 린스 폐액은, 하우징 88의 밑 부에서 빼내어져, 처리 폐액과는 별도로 회수된다. 이 경우, 린스 폐액의 회수 개시에서 너무 시간이 경과되지 않은 때에( 예컨대, 최초의 15초간 정도)는 린스 페액에 처리 폐액과 기타 이물이 혼입되어 있는 일이 있으므로, 제어변 90 을 열고 제어변 92 를 닫아, 이물 함유 린스 폐액을 회수하기 위한 제 1 린스 폐액 탱크 94 에 린스 폐액을 배출한다. 또, 린스 폐액의 회수 개시에서 일정시간이 경과한 후(예컨대, 약 15 초간 경과 후)는, 린스 폐액에 처리 폐액과 기타 이물이 혼입되어 있지 않거나, 또는 혼입되어 있더라도 그것들이 극히 미량이므로, 거꾸로 제어변 92 를 열고 제어변 90 을 닫아서, 제 2 린스 폐액 탱크 96 에 린스 폐액을 배출한다. 제 2 린스 폐액 탱크 96 에서 회수된 린스 폐액은 별도로 재조정되지 않고 재이용할 수 있다.

더욱이, 본 실시형태에 있어서는, 처리 폐액을 하우징 88 의 밑 부에서 회수하고, 린스 폐액을 컵 82 에서 회수해도 좋다. 이때, 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28은, 하우징 88 의 밑 부와 접속된다.

다른 구성 및 작용은, 실시의 제 1 형태의 경우와 마찬가지이다.

도 4 는, 본 발명의 실시의 제 3 형태에 의한 기판 표면 처리장치를 보여주고 있다. 본 실시의 형태는, 기판을 회전이 자재한 웨이퍼 척에 고정하고, 기판 표면에 처리액과 린스 액을 순차로 부여하는 것이며, 내 스커트 부 및 외 스커트 부를 구비한 승강이 가능한 이너 컵과 하우징 밑 부에 설치된 칸막이 벽에 의하여, 처리 폐액을 린스 폐액과는 별도로 회수하는 것이다.

도 4 에 도시하는 바와 같이, 처리 장치(스피너) 70a 에 있어서, 구동 모터 72 에 의하여 회전이 자재한 웨이퍼 척 74 의 위에 기판 12 가, 예컨대, 공지의 정전적 수단 또는 흡인적 수단에 의하여 고정(실어 놓음)되어, 기판 12 가 회전하고 있는 상태에서, 스프레이 노즐 76 에서 처리액이 공급되어 기판 표면에 처리액이 부여되며, 뒤이어, 스프레이 노즐 78 에서 린스 액이 기판 표면에 부여된다. 본 실시형태의 처리장치 70a 에 있어서도, 스프레이 노즐 76, 78 의 대신에, 스트레이트 노즐, 기타 노즐 등이 사용되어도 좋다.

웨이퍼 척 74 의 주위에는, 실어 놓은 기판 12 를 주회하는 것 같은 스커트형상의 이너 컵(가이드 부)98 이 설치되어 있고, 이 이너 컵(가이드 부) 98 은 승강장치(도시 않음)에 의하여 하우징 88 의 밑 부에 대하여 연직 방향으로 승강이 가능하게 구성되어 있다. 그리고, 이 이너 컵( 가이드 부) 98 은 내 스커트 부 100 과 외 스커트 부 102 로 구성되어 있으며, 하우징 88 의 밑 부에 설치된 칸막이 벽 104 가 내 스커트 부 100 의 아래쪽과 외 스커트 부 102 의 아래쪽과의 사이에 위치하도록 주회 상으로 설치되어 있다. 구체적으로는, 이너 컵(가이드) 98 이 기판 12 의 위쪽에 위치하는 경우( 도면 중의 2 점 쇄선)에, 내 스커트 부 100 이 기판 12 로부터의 폐액 (린스 폐액)을 칸막이 벽 104 의 내측으로 유도하도록 되어 있으며, 이너 컵(가이드 부) 98 이 기판 12 의 아래쪽에 위치하는 경우(도면 중의 실선)에, 외 스커트 부 102 가 기판 12 로부터의 폐액(처리 폐액)을 칸막이 벽 104의 외측에 유도하도록 되어 있다.

도 4 에 있어서, 스프레이 노즐 76 에서 처리액이 공급될 때에, 이너 컵(가이드 부) 98 은 하우징 88 내에 있어서 가장 하강한 상태에 위치한다. 공급된 처리액은, 웨이퍼 척 74 와 함께 회전하는 기판 12 의 표면에 부여된다. 표면에 부여한 처리액은, 기판 12 의 회전(원심력)에 의하여, 외주를 향하여 균일하게 퍼진다. 그리고, 기판 12 에서 튀어나간 처리 폐액은, 외 스커트 부 102 의 상면(외면)에 의하여 칸막이 벽 104 의 외측에 배출된다. 한편, 스프레이 노즐 78 에서 린스 액이 공급될 때에, 이너 컵(가이드 부) 98 은 하우징 88 내에 있어서 가장 상승한 상태에 위치한다. 공급된 린스 액은, 웨이퍼 척 74 와 함께 회전하는 기판 12 의 표면에 부여된다. 표면에 부여한 린스 액은, 기판 12 의 회전(원심력)에 의하여, 외주를 향하여 균일하게 퍼진다. 그리고, 기판 12 에서 튀어나간 린스 폐액은, 내 스커트 부 100 의 하면(내면)에 의하여 칸막이 벽 104 의 내측에 배출된다.

칸막이 벽 104 의 외측 의 처리 폐액은, 하우징 88 의 밑 부에서 빼내어, 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 에 이송된다. 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 에 저류된 처리 폐액은, 도전률계 30 및 / 또는 흡광 광도계 32 에 의하여 도전률 및 / 또는 흡 광도가 측정되고, 그 측정치가 제어기 62 에 입력되어, 처리 폐액 중의 1 개 또는 그 이상의 성분의 농도가 검출된다. 그 검출 농도에 응하여 제어기 62 로부터의 신호에 의하여 제어변 64 및 / 또는 제어변 65 가 개도가 조절되어, 처리 폐액에 처리 조정액 탱크 34 및 / 또는 처리 조정액 탱크 35 에서 조정이 필요한 성분을 함유하는 소정량의 처리 조정액이 보급되어 처리액이 조정된다. 도면 중의 1 점 쇄선으로 둘러싸인 도전률계 30 및 / 또는 흡광 광도계 32 를 포함하는 구성이 농도 검출부이다.

조정된 처리액은, 펌프 40 에 의하여 여과 필터 42 에 이송되고, 여과 필터 42 에 의하여 여과된 후, 스프레이 노즐 76 에 공급되어 처리장치(스피너) 70a 에서 기판 표면에 부여하기 위하여 순환 사용된다. 이 경우, 도 4 에 도시하는 바와 같이, 필터 42 에서 여과된 처리액의 일부를 처리액 반송관 43 을 거쳐서 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 에 반송하는 것이 바람직하며, 처리액 조정 시의 교반 효과를 높이기 위하여, 예컨대, 스프레이 노즐 44 를 이용하여 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 로 반송하는 구성으로 할 수있다. 도면 중의 1 점 쇄선으로 둘러 싸인 펌프 40, 필터 42, 및 처리액 반송관 43 을 포함하는 구성이 교반 여과 부이다.

한편, 칸막이 벽 104 의 내측의 린스 폐액은, 하우징 88 의 밑 부에서 빼내어져, 처리 폐액과는 별도로 회수된다. 이 경우, 린스 폐액의 회수 개시로부터 너무 시간이 경과하지 않았을 때에( 예컨대, 최초의 15 초간 정도)는, 린스 폐액에 처리 폐액과 기타 이물이 혼입되어 있는 일이 있으므로, 제아판 90 을 열고 제어변 92를 닫아서, 이물 함유 린스 폐액을 회수하기 위한 제 1 린스 폐액 탱크 94 에 린스 폐액을 배출한다. 또, 린스 폐액의 회수 개시에서 일정 시간이 경과한 후(예컨대, 약 15 초간 경과후)에는, 린스 폐액에 처리 폐액과 기타 이물이 혼입되어 있지 않거나, 또는 혼입되어 있더라도 그것들이 극히 미량이므로, 거꾸로 제어변 92 를 열고 제어변 90 을 닫아서, 제 2 린스 폐액 탱크 96 에 린스 폐액을 배출한다. 제 2 린스 폐액 탱크 96 에서 회수된 린스 폐액은 별도로 재조정됨이 없이 재이용할 수 있다.

역시, 본 실시형태에 있어서는, 처리 폐액을 하우징 88 밑 부에 있어서의 칸막이 벽 104 의 내측에서 회수하며, 린스 폐액을 하우징 88 의 밑 부에 있어서의 칸막이 벽 104 의 외측에서 회수해도 좋다. 이때, 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28은, 칸막이 벽 104 의 내측의 하우징 88 의 밑 부와 접속된다.

다른 구성 및 작용은, 실시의 제 1 형태의 경우와 마찬가지이다.

도 5 는 본 발명의 실시의 제 4 형태에 의한 기판 표면 처리장치를 보여 주고 있다. 본 실시의 형태는, 카세트 처리 방식이며, 로더에 의하여 카세트 106 의 반입ㆍ반출을 행하며, 카세트 106 에는 기판 12(예컨대, 반도체 제조 용 실리콘웨이퍼가 20 매)가 배열되어 있다.

도 5 에 도시하는 바와 같이, 하우징 88 내에 반입된 기판 12 에, 스프레이 노즐 76 에서 처리액이 공급되어 기판 표면에 처리액이 부여되며, 뒤이어, 스프레이 노즐 78 에서 린스 액이 부여된다.

처리 폐액은, 하우징 88 의 밑 부에서 빼내어져, 제어변 89 를 열고 제어변 90, 92 를 닫아, 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 로 이송된다. 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 에 저류된 처리 폐액은, 도전률계 30 및 / 또는 흡광 광도계 32 에 의하여 도전률 및 / 또는 흡광도가 측정되고, 그 측정치가 제어기 62 에 입력되어, 처리 폐액 중의 1 개 또는 그 이상의 성분의 농도가 검출된다. 그 검출 농도에 응하여, 제어기 62 로부터의 신호에 의하여 제어변 64 및 / 또는 제어변 65가 개도가 조절되고, 처리 폐액에 처리 조정액 탱크 34 및 / 또는 처리 조정액 탱크 35 에서 조정이 필요한 성분을 함유하는 소정량의 처리 조정액이 보급되어 처리액이 조정된다. 도면 중의 1 점 쇄선으로 둘러싸인 도전률계 30 및 / 또는 흡광 광도계 32 를 포함하는 구성이 농도 검출 부이다.

조정된 처리액은, 펌프 40 에 의하여 여과 필터 42 에 이송되고, 여과 필터 42 에 의하여 여과된 후, 스프레이 노즐 76 에 공급되어 하우징 88 내에서 기판 표면에 부여하기 위하여 순환 사용된다. 이 경우, 도 5 에 도시하는 바와 같이, 여과 필터 42 에서 여과된 처리액의 일부를 처리액 반송관 43 을 거쳐 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 로 반송하는 것이 바람직하며, 처리액 조정 시의 교반 효과를 높이기 위하여, 예컨대, 스프레이 노즐 44 를 이용하여, 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 로 반송하는 구성으로 할 수 있다. 도면 중의 1 점 쇄선으로 둘러싸인 펌프 40, 여과필터 42 및 처리액 반송관 43 을 포함하는 구성이 교반ㆍ여과 부이다.

한편, 린스 폐액은, 하우징 88 의 밑 부에서 빼내어져, 제어변 89 를 닫어서 처리 폐액과는 별도로 회수된다. 이 경우, 린스 폐액의 회수 개시에서 너무 시간이 경과하지 않았을 때(예컨대, 최초의 15 초간 정도)에는, 린스 폐액에 처리 폐액과 기타 이물이 혼입되어 있는 일이 있으므로, 제어변 90 을 열고 제어변 92 를 닫아서, 이물 함유 린스 폐액을 회수하기 위한 제 1 린스 폐액 탱크 94 에 린스 폐액을 배출한다. 또, 린스 폐액의 회수 개시에서 일정 시간이 경과한 후(예컨대, 약 15 초간 경과 후)에는, 린스 폐액에 처리 폐액과 기타 이물이 혼입되어 있지 않거나, 또는 혼입되어 있더라도 그것들이 극히 미량이므로, 거꾸로 제어변 92 를 열고 제어변 90 을 닫아서, 제 2 린스 폐액 탱크 96에 린스 폐액을 배출한다. 제 2 린스 폐액 탱크 96 으로 회수된 린스 폐액은 별도로 재조정됨이 없이 재이용할 수 있다.

다른 구성 및 작용은 실시의 제 1 형태의 경우와 마찬가지이다.

본 발명은, 상기와 같이 구성되어 있으므로, 다음과 같은 효과를 이룬다.

(1) 처리액의 순환 사용이 효율이 좋고 가능하게 되었으며, 또한, 순환을 반복하여도 처리액 자체의 성능을 계속하여 보지할 수 있는 기판 표면 처리장치를 제공할 수 있다.

(2) 처리액의 폐액(처리 폐액)을 린스 액의 폐액(린스 폐액)과는 별도로 회수할 수 있으며 동시에, 회수한 처리 폐액에 처리 조정액을 보급하여 처리액의 처리 성능을 유지할 수 있으므로, 기판 처리의 일련의 공정에 있어서 필요로 하는 처리액의 양을 저감시키며, 또한, 그 처리액을 유효하게 재이용 한다고 하는 목적이 달성된다. 또, 폐기하는 처리 폐액의 양이 적게 된다.

(3) 처리액과 린스 액으로 따로 따로 스피너를 설치할 필요가 없으므로, 기판 처리장치의 소형화가 된다. 또, 린스 액을 처리액에 의한 처리 후 즉시 도포할 수가 있다.

Claims (24)

1. 처리 대 위에 배치된 기판에 처리액과 린스 액을 순차로 부여하여 기판 표면을 처리하는 처리 수단;

   처리 폐액을 린스 폐액과는 별도로 회수하는 액 회수 수단;

   그 처리 폐액을 저류하는 폐액 저류 수단;

   그 처리 폐액 중의 적어도 1 개의 성분의 농도를 도전률계 및 /또는 흡광 광도계에 의하여 검출하고, 검출치에 의하여 처리 조정액을 보급하며, 처리액을 조정하는 농도 검출ㆍ액 보급 수단; 및

   조정된 처리액을 상기 처리 수단에 공급하는 처리액 공급 수단; 을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리장치.
2. 처리 대 위에 배치된 기판에 처리액과 린스액을 순차로 부여하여 기판 표면을 처리하는 처리수단;

   처리 폐액을 린스 액과는 별도로 회수하는 액 회수 수단;

   그 처리 폐액을 저류하고, 처리액 중의 적어도 1 개의 성분의 농도를 도전률계 및 / 또는 흡광 광도계에 의하여 검출하고, 검출 치에 의하여 처리 조정액을 보급하며, 처리액을 조정하는 폐액 저류ㆍ농도 검출ㆍ액 보급 수단; 및

   조정된 처리액을 상기 처리 수단에 공급하는 처리액 공급 수단; 을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 표면 처리장치.
3. 폐액 저류 수단이, 처리 폐액을 교반하며, 또한 여과하는 교반ㆍ여과부를 구비한 구성인 청구항 1에 기재된 기판 표면 처리장치.
4. 폐액 저류ㆍ농도 검출ㆍ액 보급 수단이, 조정된 처리액을 교반하며, 또한 여과하는 교반 여과부를 구비한 구성인 청구항 2에 기재된 기판 표면 처리장치.
5. 린스 폐액을 회수하고, 그 린스 폐액의 회수 개시로부터의 시간 경과에 응하여, 회수 개시 직후의 이물 함유 린스 폐액과 회수 개시로부터 일정 시간 경과 후의 제 2 린스 폐액으로 분리하는 린스 폐액 분리 수단이 액 회수 수단에 접속된 구성인 청구항 1∼4 의 어느 한 항에 기재된 기판 표면 처리장치.
6. 처리 수단으로 처리된 기판이, 프린트 기판, 액정 기판, 반도체 기판 및 플라스마 디스플레이 기판의 어느 하나인 청구항 1∼5 의 어느 한 항에 기재된 기판 표면 처리장치.
7. 처리 수단에 있어서의 처리대가, 회전이 자재한 웨이퍼 척, 롤러 컨베이어 및 카세트의 어느 하나인 청구항 1∼6 의 어느 한 항에 기재된 기판 표면 처리장치.
8. 처리 수단에 있어서의 처리대가, 기판을 실어놓고 회전이 자재한 웨이퍼 척이며, 액 회수 수단이, 기판의 주위를 차폐하는 위치와 기판의 주위를 노출시키는 위치에서 승강이 가능한 내벽과, 그 내벽의 외주에 일체로 연설되어 승강이 가능한 컵을 형성하는 외벽과, 내벽과 외벽으로 형성되는 승강이 가능한 그 컵을 형성하는 외벽과, 내벽으로 형성되는 승강이 가능한 그 컵을 포위하는 하우징을 가진 구성인 청구항 7 에 기재된 기판 표면 처리장치.
9. 처리 수단에 있어서의 처리대가, 기판을 실어놓고 회전이 자재한 웨이퍼 척이며, 액 회수 수단이, 기판을 주회 상으로 포위하도록 설치된 내 스커트 부 및 외 스커트 부를 구비한 승강이 가능한 이너 컵과, 그 이너 컵을 포위하는 하우징과, 그 하우징의 밑면에 고정된 내 스커트 부의 아래쪽과 외 스커트 부의 아래쪽과의 사이에 위치하는 칸막이 벽을 가지며, 그 이너 컵이 기판의 위쪽에 위치하는 경우에 기판에서의 폐액이 내 스커트 부에 의하여 그 칸막이 벽의 안쪽에 유도되며, 그 이너 컵이 기판의 아래쪽에 위치하는 경우에 기판에서의 폐액이 외 스커트 부에 의하여 그 칸막이 벽의 바깥쪽으로 유도되는 구성인 청구항 7 에 기재된 기판 표면 처리장치.
10. 처리 수단에 부여되는 처리액이 현상액인 청구항 1∼5 의 어느 한 항에 기재된 기판 표면 처리장치.
11. 처리 수단에 부여되는 현상액이, 순수와, 그 순수 100 중량 부에 대하여, 0.04 중량 부∼ 25 중량 부의 알칼리성 물질을 함유하는 액인 청구항 10에 기재된 기판 표면 처리장치.
12. 도전률계 및 / 또는 흡광 광도계로 검출되는 성분이, 현상액 중의 알칼리 성 물질 및 용해 리지스트의 적어도 하나인 청구항 10 또는 11 에 기재된 기판 표면 처리장치.
13. 현상액에 포함되는 알칼리성 물질이, 수산화 칼리움, 수산화 나트륨, 산화 나트륨, 탄산 수소 나트륨, 인산 나트륨, 규산 나트륨, 테트라 메틸암모늄 하이드로 옥사이드 및 트리메틸모노에타놀암모니움하이드로옥사이드로 된 군에서 선택되는 적어도 1 종인 청구항 10, 11 또는 12 에 기재된 기판 표면 처리장치.
14. 처리 수단에서 부여되는 처리액이 투명 도전막 용 에칭 액인 청구항 1∼5 의 어느 한 항에 기재된 기판 표면 처리장치.
15. 처리 수단으로 부여되는 투명 도전막 용 에칭 액이, 염산과 질산의 혼합 수용액, 염산과 염화 제 2 철의 혼합 수용액, 취화수소산 수용액, 취화수소산과 염화 제 2 철의 혼합 수용액, 옥화수소산과 염화 제 2 철의 혼합 수용액 및 수산 수용액의 적어도 일종인 청구항 14 에 기재된 기판 표면 처리장치.
16. 도전률계 및 / 또는 흡광 광도계로 검출되는 성분이, 투명 도전막 용 에칭 액 중의 산 및 용해 인듐의 적어도 하나인 청구항 14 또는 15 에 기재된 기판 표면 처리장치.
17. 처리 수단에서 부여되는 처리액이 리지스트 박리액인 청구항 1∼5 의 어느 한 항에 기재된 기판 표면 처리장치.
18. 처리 수단에서 부여되는 리지스트 박리액이, 알카놀아민과, 그 알카놀아민 100 중량 부에 대하여 20∼800 중량 부의 유기 용매를 함유하는 액인 청구항 17 에 기재된 기판 표면 처리장치.
19. 도전률계 및 / 또는 흡광 광도계로 검출되는 성분이, 리지스트 박리액 중의 용해 리지스트 및 알카놀아민의 적어도 하나인 청구항 17 또는 18 에 기재된 기판 표면 처리장치.
20. 처리 수단에서 부여되는 리지스트 박리액이, 알카놀아민과, 그 알카놀아민 100 중량 부에 대하여 20 중량 부∼800 중량 부의 유기 용매와, 5 중량 부∼900 중량 부의 순수를 함유하는 액인 청구항 17 에 기재된 기판 표면 처리장치.
21. 도전률계 및 / 또는 흡광 광도계로 검출되는 성분이, 리지스트 박리액 중의 용해 리지스트, 알카놀아민 및 순수의 적어도 하나인 청구항 17 또는 20 에 기재된 기판 표면 처리장치.
22. 처리 수단에서 부여되는 리지스트 박리액이, 알카놀아민과, 그 알카놀아민 100 중량 부에 대하여 20 중량 부∼800 중량 부의 유기 용매와, 5 중량 부∼900 중량 부의 순수와, 1 중량 부∼300 중량 부의 하이드록실아민을 함유하는 액인 청구항 17에 기재된 기판 표면 처리장치.
23. 도전률계 및 / 또는 흡광 광도계로 검출되는 성분이, 리지스트 박리액 중의 용해 리지스트, 알카놀아민, 순수 및 하이드록실아민의 적어도 하나인 청구항 17 또는 22 에 기재된 기판 표면 처리장치.
24. 리지스트 박리 액에 함유되는 알카놀아민이, 모노에타놀아민, 디에타놀아민, 트리에타놀아민, N, N-디메틸에타놀아민, N, N-디에틸에타놀아민, 아미노에틸에타놀아민, N-메틸-N, N-디에타놀아민, N, N-디부틸에타놀아민, N-메틸에타놀아민 및 3-아미노-1-프로파놀로 된 군에서 선택되는 적어도 1종의 아민인 청구항 17∼23의 어느 한항에 기재된 기판 표면 처리장치.