JP5501340B2 - 基板の処理装置及び処理方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 252
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 91
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 288
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 61
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 47
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 27
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 26
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 19
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000002101 nanobubble Substances 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 239000012510 hollow fiber Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 4
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 235000015497 potassium bicarbonate Nutrition 0.000 description 3
- 229910000028 potassium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011736 potassium bicarbonate Substances 0.000 description 3
- TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogencarbonate Chemical compound [K+].OC([O-])=O TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229940086066 potassium hydrogencarbonate Drugs 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011181 potassium carbonates Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
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Description
上記処理液によって処理される上記基板が供給される処理部と、
上記処理液が貯えられる貯液タンクと、
この貯液タンクの処理液を上記処理部に供給して上記基板を処理してから上記貯液タンクに戻す第1の循環管路と、
上記処理液に含まれる気体を除去する脱気手段と、この脱気手段によって脱気された上記処理液に対して反応しない気体を微細バブルにして上記処理液に混入させるバブル発生手段が設けられ、上記貯液タンクと微細バブル発生手段との間で処理液を循環させる、上記第1の循環管路とは別の第2の循環管路と
を具備することを特徴とする基板の処理装置を提供することにある。
基板を処理部に供給する工程と、
貯液タンクに貯えられた処理液を第1の循環管路を経由して上記処理部に供給してから上記貯液タンクに回収する工程と、
上記第1の循環管路とは別の第2の循環管路を経由して、上記貯液タンクに貯えられた上記処理液に、この処理液に対して反応しない気体を微細バブルにして混入させてから上記貯液タンクに戻すことで、この処理液に含まれた微細バブルによって上記処理部から上記貯液タンクに回収された処理液に含まれる気体を除去する工程と、
を具備したことを特徴とする基板の処理方法を提供することにある。
上記処理液によって処理される上記基板が供給される処理部と、
上記処理液が貯えられる貯液タンクと、
この貯液タンクの処理液を上記処理部に供給して上記基板を処理してから上記貯液タンクに戻す第1の循環管路と、
上記処理液に対して反応しない気体を微細バブルにして処理液に混入させるバブル発生手段を有し、上記貯液タンクの処理液を上記バブル発生手段に供給してから上記貯液タンクに戻すことで、この処理液に含まれた微細バブルによって上記処理部から上記貯液タンクに戻った処理液に含まれる気体を除去させる、上記第1の循環管路とは別の第2の循環管路と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置を提供することにある。
基板を処理部に供給する工程と、
貯液タンクに貯えられた処理液を第1の循環管路を経由して上記処理部に供給してから上記貯液タンクに回収する工程と、
上記第1の循環管路とは別の第2の循環管路を経由して、上記貯液タンクに貯えられた上記処理液に、この処理液に対して反応しない気体を微細バブルにして混入させてから上記貯液タンクに戻すことで、この処理液に含まれた微細バブルによって上記処理部から上記貯液タンクに回収された処理液に含まれる気体を除去する工程と、
を具備したことを特徴とする基板の処理方法を提供することにある。
図1はこの発明の処理装置の概略的構成を示し、この処理装置は現像液や剥離液などの処理液Lが貯えられた貯液タンク1を備えている。この貯液タンク1の底部には処理液Lをガラス基板や半導体ウエーハなどの基板Wを処理するための処理部2に供給する処理液供給管路を構成する給液管3の一端が接続されている。
なお、処理液Lが現像液の場合、処理液Lと反応しない気体としては不活性ガスでなく、酸素であってもよい。
それによって、基板Wは処理液Lが現像液であれば現像処理が行われ、剥離液であれば基板Wに付着残留しているレジストが剥離除去されることになる。
この実施の形態では、貯液タンク1に貯えられた処理液Lは、脱気装置12で気体が脱気されてからバブル発生器24に供給される。このバブル発生器24よって処理液Lに微細バブルが混入されたならば、その処理液Lは給液管3によって貯液タンク1に戻されて貯えられる。貯液タンク1に貯えられた処理液Lは、この貯液タンク1から脱気装置12及びバブル発生器24を通って貯液タンク1に戻る、という循環を繰り返すことになる。
この第3の実施の形態は、図5に示す第2の実施の形態の変形例であって、貯液タンク1に貯えられた処理液Lは第1の循環ポンプ11によってバブル発生器24に直接、供給されるようになっている。つまり、この第3の実施の形態では、上記第2の実施の形態に対して給液管3に設けられた脱気装置12が除去されているという点で相違している。
Claims (6)
- 基板を処理液によって処理する処理装置であって、
上記処理液によって処理される上記基板が供給される処理部と、
上記処理液が貯えられる貯液タンクと、
この貯液タンクの処理液を上記処理部に供給して上記基板を処理してから上記貯液タンクに戻す第1の循環管路と、
上記処理液に含まれる気体を除去する脱気手段と、この脱気手段によって脱気された上記処理液に対して反応しない気体を微細バブルにして上記処理液に混入させるバブル発生手段が設けられ、上記貯液タンクと微細バブル発生手段との間で処理液を循環させる、上記第1の循環管路とは別の第2の循環管路と
を具備することを特徴とする基板の処理装置。 - 上記処理液は剥離液であって、上記脱気手段は上記処理液に含まれる酸素を除去し、上記バブル発生手段は上記処理液と反応しない気体を微細バブルにして上記処理液に混入させることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 上記処理液は現像液であって、上記脱気手段は上記処理液に含まれる二酸化炭素を除去し、上記バブル発生手段は上記処理液と反応しない気体を微細バブルにして上記処理液に混入させることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 基板を処理液によって処理する処理方法であって、
基板を処理部に供給する工程と、
貯液タンクに貯えられた処理液を第1の循環管路を経由して上記処理部に供給してから上記貯液タンクに回収する工程と、
上記第1の循環管路とは別の第2の循環管路を経由して、上記貯液タンクに貯えられた上記処理液に含まれた気体を除去した後、上記処理液に対して反応しない気体を微細バブルにして上記処理液に混入させて上記貯液タンクに戻す工程と、
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。 - 基板を処理液によって処理する処理装置であって、
上記処理液によって処理される上記基板が供給される処理部と、
上記処理液が貯えられる貯液タンクと、
この貯液タンクの処理液を上記処理部に供給して上記基板を処理してから上記貯液タンクに戻す第1の循環管路と、
上記処理液に対して反応しない気体を微細バブルにして処理液に混入させるバブル発生手段を有し、上記貯液タンクの処理液を上記バブル発生手段に供給してから上記貯液タンクに戻すことで、この処理液に含まれた微細バブルによって上記処理部から上記貯液タンクに戻った処理液に含まれる気体を除去させる、上記第1の循環管路とは別の第2の循環管路と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。 - 基板を処理液によって処理する処理方法であって、
基板を処理部に供給する工程と、
貯液タンクに貯えられた処理液を第1の循環管路を経由して上記処理部に供給してから上記貯液タンクに回収する工程と、
上記第1の循環管路とは別の第2の循環管路を経由して、上記貯液タンクに貯えられた上記処理液に、この処理液に対して反応しない気体を微細バブルにして混入させてから上記貯液タンクに戻すことで、この処理液に含まれた微細バブルによって上記処理部から上記貯液タンクに回収された処理液に含まれる気体を除去する工程と、
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011501570A JP5501340B2 (ja) | 2009-02-25 | 2010-02-19 | 基板の処理装置及び処理方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009042498 | 2009-02-25 | ||
JP2009042498 | 2009-02-25 | ||
PCT/JP2010/052554 WO2010098263A1 (ja) | 2009-02-25 | 2010-02-19 | 基板の処理装置及び処理方法 |
JP2011501570A JP5501340B2 (ja) | 2009-02-25 | 2010-02-19 | 基板の処理装置及び処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010098263A1 JPWO2010098263A1 (ja) | 2012-08-30 |
JP5501340B2 true JP5501340B2 (ja) | 2014-05-21 |
Family
ID=42665470
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011501570A Active JP5501340B2 (ja) | 2009-02-25 | 2010-02-19 | 基板の処理装置及び処理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5501340B2 (ja) |
KR (1) | KR101286373B1 (ja) |
CN (2) | CN103943539B (ja) |
TW (2) | TW201601213A (ja) |
WO (1) | WO2010098263A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102651430B (zh) * | 2011-03-24 | 2015-01-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板的化学处理方法 |
JP2013183080A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | レジスト剥離液の劣化抑制方法、レジスト剥離方法及びシステム |
CN104570625A (zh) * | 2013-10-17 | 2015-04-29 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种带有液体去泡功能的供给装置 |
US10486202B2 (en) * | 2015-03-19 | 2019-11-26 | Mitsubishi Electric Corporaion | Cleaning device |
JP6685754B2 (ja) | 2016-02-16 | 2020-04-22 | 株式会社Screenホールディングス | ポンプ装置および基板処理装置 |
CN107282498A (zh) * | 2017-07-11 | 2017-10-24 | 河南师范大学 | 一种动物标本制作清洗装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2611183B2 (ja) * | 1994-06-07 | 1997-05-21 | 工業技術院長 | 流体循環脱気装置 |
KR100265286B1 (ko) * | 1998-04-20 | 2000-10-02 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 케미컬 순환공급장치 및 이의 구동방법 |
TWI298826B (en) * | 2001-02-06 | 2008-07-11 | Hirama Lab Co Ltd | Purified developer producing equipment and method |
JP3782374B2 (ja) * | 2002-07-19 | 2006-06-07 | 株式会社平間理化研究所 | レジスト剥離装置 |
JP2008098439A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 洗浄水供給ユニットおよび基板洗浄装置 |
-
2010
- 2010-02-19 CN CN201410185437.7A patent/CN103943539B/zh active Active
- 2010-02-19 JP JP2011501570A patent/JP5501340B2/ja active Active
- 2010-02-19 CN CN201080008906.8A patent/CN102326234B/zh active Active
- 2010-02-19 KR KR1020117021962A patent/KR101286373B1/ko active IP Right Grant
- 2010-02-19 WO PCT/JP2010/052554 patent/WO2010098263A1/ja active Application Filing
- 2010-02-23 TW TW104131280A patent/TW201601213A/zh unknown
- 2010-02-23 TW TW099105158A patent/TWI509682B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102326234A (zh) | 2012-01-18 |
WO2010098263A1 (ja) | 2010-09-02 |
KR20110122854A (ko) | 2011-11-11 |
TWI509682B (zh) | 2015-11-21 |
CN103943539B (zh) | 2017-09-19 |
JPWO2010098263A1 (ja) | 2012-08-30 |
KR101286373B1 (ko) | 2013-07-15 |
TW201601213A (zh) | 2016-01-01 |
CN102326234B (zh) | 2014-05-07 |
TWI562223B (ja) | 2016-12-11 |
TW201041030A (en) | 2010-11-16 |
CN103943539A (zh) | 2014-07-23 |
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