TWI509682B - Substrate processing apparatus and processing method - Google Patents

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TWI509682B
TWI509682B TW099105158A TW99105158A TWI509682B TW I509682 B TWI509682 B TW I509682B TW 099105158 A TW099105158 A TW 099105158A TW 99105158 A TW99105158 A TW 99105158A TW I509682 B TWI509682 B TW I509682B
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Yukinobu Nishibe
Akinori Iso
Yumi Takano
Tsutomu Makino
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Shibaura Mechatronics Corp
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Description

基板處理裝置及處理方法 發明領域
本發明係有關於以處理液將用於液晶顯示面板之玻璃基板或半導體晶圓等基板處理之基板處理裝置及處理方法。
 發明背景
舉例言之，在液晶顯示裝置或半導體裝置之製程中，藉將抗蝕劑塗佈於為該等對象物之玻璃基板或半導體晶圓等基板，以顯像液進行顯像處理後，進行蝕刻處理，而於基板表面精密地形成電路圖形。當於基板形成電路圖形後，進行以剝離液去除附著殘留於該基板表面之抗蝕膜或抗蝕劑殘渣等有機物的剝離處理。
作為用於此種基板處理之處理液之上述顯像液或剝離液高價。因此，考慮藉回收業經處理上述基板之處理液來反覆使用，而謀求基板之處理成本之減低。
於專利文獻1顯示以剝離液去除附著殘留於基板表面之抗蝕劑。然而，未揭示使剝離液循環來反覆使用。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1　日本專利公開公報2006-278509號
而於將剝離液或顯像液等處理液在使用後回收，反覆使用時，處理液無法避免在循環路徑接觸大氣。特別是當以處理部將處理液從噴嘴朝基板噴射供給時，因與大氣之接觸程度增大，故此時，大氣中所含之氣體元素進入，與該氣體元素反應，而有早期惡化之情形。
舉例言之，為顯像液時，有與大氣中之二氧化碳(CO2 )中和反應而惡化之情形，為剝離液時，有與氧(O2 )氧化反應而惡化之情形。
而且，顯像液含有碳酸氫鉀(KHCO3 )或碳酸氫鈉(NaHCO3 )。然後，當以循環泵將顯像液加壓，使其在循環路徑循環時，有於上述碳酸氫鉀或碳酸氫鈉施加因循環泵或循環路徑之流路阻力等產生之熱能，以該熱能分解，而產生二氧化碳之情形。因此，此情形也成為使處理液早期惡化的原因。
本發明在於提供藉使處理液循環來反覆使用之際，去除處理液所含之氣體，而防止處理液早期惡化之基板處理裝置及處理方法。
為解決上述課題，本發明在於提供一種基板處理裝置，其係以處理液將基板處理者，其特徵在於，該基板處理裝置包含有被供給用於藉上述處理液處理之前述基板之處理部；貯存上述處理液之貯液槽；將該貯液槽之處理液供給至上述處理部，而於處理上述基板後返回上述貯液槽之循環管路；及設於該循環管路，以將上述處理液所含之氣體去除的除氣機構。
本發明在於提供一種基板處理方法，其係以處理液將基板處理者，其特徵在於，該基板處理方法具有以下步驟：將基板供給至處理部；將貯存於貯液槽之處理液供給至上述處理部後，回收至上述貯液槽；及去除從上述貯液槽供給至上述處理部之上述處理液所含之氣體。
本發明在於提供一種基板處理裝置，其係以處理液將基板處理者，其特徵在於，該基板處理裝置包含有被供給用於藉上述處理液處理之上述基板之處理部；貯存上述處理液之貯液槽；將該貯液槽之處理液供給至上述處理部，而於處理上述基板後返回上述貯液槽之第1循環管路；及第2循環管路，該第2循環管路係具有將不對處理液反應之氣體作為細微氣泡而使其混入至處理液之氣泡產生機構，藉將上述貯液槽之處理液供給至上述氣泡產生機構後返回上述貯液槽，而以該處理液所含之細微氣泡使從上述處理部返回上述貯液槽之處理液所含的氣體去除者。
本發明在於提供一種基板處理方法，其係以處理液將基板處理者，其特徵在於，該處理方法具有以下步驟：將基板供給至處理部；將貯存於貯液槽之處理液供給至上述處理部後，回收至上述貯液槽；將不對該處理液反應之氣體作為細微氣泡，使其混入至上述貯液槽之處理液；及藉使混入有細微氣泡之處理液返回上述貯液槽，而以該處理液所含之細微氣泡去除從上述處理部回收至上述貯液槽之處理液所含之氣體。
根據本發明，使貯液槽之處理液循環，而用於基板之處理之際，去除處理液所含之氣體。因此，由於即使大氣中之氣體元素進入處理液，仍可去除該氣體元素，故可防止處理液因大氣中所含之氣體元素，而早期惡化。
圖式簡單說明
第1圖係顯示此發明一實施形態之基板處理裝置之概略結構圖。
第2圖係顯示用於上述處理裝置之除氣裝置之內部構造的截面圖。
第3圖係顯示對純水賦與不同之4個條件時之經過時間與溶氧濃度的關係之圖表。
第4圖係使業經除氣之純水於氣泡產生器反覆循環時，測量純水之溶氧濃度之變化的圖表。
第5圖係顯示此發明第2實施形態之基板處理裝置之概略結構圖。
第6圖係顯示此發明第3實施形態之基板處理裝置之概略結構圖。
第7圖係顯示此發明第4實施形態之基板處理裝置之概略結構圖。
第8圖係顯示在第3實施形態及第4實施形態中將細微氣泡供給至貯液槽內之處理液時之經過時間與溶氧濃度的關係之圖表。
 用以實施發明之形態
以下，一面參照第1圖至第4圖，一面說明此發明之一實施形態。
第1圖顯示此發明之處理裝置之概略結構，此處理裝置包含貯存有顯示液或剝離液等處理液L之貯液槽1。於此貯液槽1之底部連接有構成將處理液L供給至用以處理玻璃基板或半導體晶圓等基板W之處理部2的處理液供給管路之供液管3一端。
於上述供液管3之另一端連接有於設於上述處理部2之噴淋管4。在噴淋管4，複數個噴嘴5以預定間隔、例如等間隔而設。在上述噴淋管4之下方，由作為搬送上述基板W之搬送機構的搬送輥構成之搬送輸送機6橫亙上述處理部2及此處理部2之前後方向而設。此外，搬送機構亦可為鏈條輸送機等。
上述基板W係藉由上述搬送輸送機6而被搬入至上述處理部2。上述噴淋管4係使長向與基板W之搬送方向交叉而配設。藉此，以搬送輸送機6在上述處理部2內搬送上述基板W，而得以將處理液L供給至上面全體而處理。
於連接在上述貯液槽1之上述供液管3一端部設有第1循環泵11，於此第1循環泵11與上述貯液槽1間設有為用以去除處理液L所含之氣體之除氣機構的除氣裝置12。
如第2圖所示，上述除氣裝置12具有一端形成有流入口13，另一端形成有流出口14之液密狀容器15。於此容器15內之一端部與另一端部分別設有分隔板16。該等分隔板16將上述容器15內區隔成連通於上述流入口13之流入室17、連通於上述流出口14之流出室18、位於1對分隔板16間之減壓室19。於此減壓室19配管連接有將內部氣壓減壓之減壓泵21。
於上述減壓室19設有一端液密地保持於其中一分隔板16，另一端液密地保持於另一分隔板16之除氣構件22。此除氣構件22係將以使氣體通過，不使液體通過之材料形成之細微徑之許多筒狀中空線22a捆扎而構成，其一端連通上述流入室17，另一端連通上述流出室18。
藉此，當上述第1循環泵11作動，上述貯液槽1內之處理液L如第2圖箭號所示，從上述容器15之流入口13供給至流入室17時，該處理液L通過除氣構件22之中空線22a內部，流至流出室18，而從流出口14流出。
處理液L在上述除氣構件22之中空線22a流動時，上述減壓室19以減壓泵21減壓至負壓，僅上述處理液L所含之氣體通過中空線22a之周壁膜，而吸引至減壓室19。亦即，氣體可從處理液L分離。然後，所分離之氣體得以以上述減壓泵21排出至減壓室19之外部。
業經以上述除氣裝置12去除氣體之處理液L以上述第1循環泵11之壓力供給至氣泡產生器24。從氣體供給部25將不與處理液L反應之氣體、例如氮或氬等惰性氣體與處理液L一同加壓而供給至此氣泡產生器24。
此外，處理液L為顯像液時，不與處理液L反應之氣體不為惰性氣體，而為氧亦可。
供給至上述氣泡產生器24之處理液L及惰性氣體以按壓力差之不同速度一面在此氣泡產生器24之內部旋繞運動，一面流動。藉此，由於因處理液L及惰性氣體之旋繞速度之差，惰性氣體以處理液L而切變，故惰性氣體形成奈米氣泡或微泡等細微氣泡，而含在處理液L中。
含有細微氣泡之處理液L在上述供液管3流動，而供給至上述噴淋管4，從該噴淋管4朝以搬送輸送機6在處理部2搬送之基板W上面噴射供給。
藉此，基板W之上面以處理液L，進行顯像或剝離等處理。然後，業經處理基板W之處理液L經由與連接於處理部2之上述供液管3形成循環管路之回收管28，回收至上述貯液槽1。亦即，處理液L在供液管3及回收管28流動循環，而反覆使用。
接著，就以上述結構之處理裝置處理基板W時之作用作說明。
在處理基板W前，使第1循環泵11及減壓泵21作動。藉此，將貯液槽1內之處理液供給至除氣裝置12，從此除氣裝置12之容器15之流入口13流入，通過構成減壓室19之除氣構件22之中空線22a的內部空間，從流出口14流出，而流往氣泡產生器24。
處理液L通過減壓室19之除氣構件22時，此減壓室19以減壓泵21減壓，而可去除處理液L所含之氧或二氧化碳等氣體。
藉此，由於從脫氣裝置12流出之處理液L未含有氣體，故不致因處理液L所含之氣體，促進處理液L之惡化。舉例言之，處理液L為顯像液時，二氧化碳與顯像液中和反應，而促進顯像液之惡化，處理液為剝離液時，氧與剝離液氧化反應，而促進剝離液之惡化，但由於已從處理液去除氧或二氧化碳等氣體，故可防止處理液L因氣體而早期惡化。
如此進行，業經去除促進惡化之氣體之處理液L以上述第1循環泵11加壓，而供給至氣泡產生器24。亦即，處理液L不致因氧或二氧化碳等氣體而惡化，而供給至氣泡產生器24。將氣體供給部25之惰性氣體與處理液L一同加壓而供給至此氣泡產生器24。
當將處理液L及惰性氣體供給至氣泡產生器24時，該等形成旋繞流，而以不同之旋繞速度在內部流動，因該旋繞速度之差，惰性氣體以處理液L切變，而產生奈米氣泡或微泡等細微氣泡，該細微氣泡混入至處理液L。
細微氣泡混入之處理液L因第1循環泵11之壓力，在供液管3流動，而到達噴淋管4，從設於此噴淋管4之複數個噴嘴5朝以搬送輸送機6在處理部2內搬送之基板W上面噴射。
藉此，基板W於處理液L為顯像液時，進行顯像處理，為剝離液時，則剝離去除附著殘留於基板W之抗蝕劑。
處理液L從噴淋管4之噴嘴5朝基板W噴射時，由於處理液L接觸大氣，故大氣中所含之二氧化碳或氧等氣體溶解，而有導致惡化之虞。
然而，從噴淋管4之噴嘴5朝基板W噴射之處理液L含有惰性氣體之細微氣泡。因此，從噴嘴5朝基板W噴射之處理液L因該處理液L含有細微氣泡，大氣中之二氧化碳或氧等氣體元素不易溶解。
亦即，當以處理部2，將處理液L從噴嘴5朝基板W噴射時，處理液L與大氣之接觸面積增大，而形成易溶解大氣中之二氧化碳或氧等氣體元素之狀態，因處理液L含有細微氣泡，大氣中之二氧化碳或氧不易溶解，故即使將處理液L朝基板W噴射，亦不致惡化。
特別是使處理液L含有惰性氣體之細微氣泡至成飽和狀態或接近飽和狀態為止時，由於大氣中之二氧化碳或氧更不易溶解於該處理液L，故可更確實地防止處理液L之惡化。
再者，藉使處理液L含有惰性氣體之細微氣泡，當含有細微氣泡之處理液L返回貯液槽1時，可對積留於此貯液槽1內之處理液以細微氣泡之起泡作用去除處理液L所含之大氣中之二氧化碳或氧等。
因而，與惰性氣體之細微氣泡以飽和狀態或接觸飽和狀態之狀態含在供給至處理部2之處理液L相配合，返回至貯液槽1之處理液L不易含有大氣中之二氧化碳或氧等。
而且，藉以處理槽2將含有細微氣泡之處理液L供給至基板W，從基板W去除之抗蝕劑等之電漿電位的塵埃以為與基板W相同之電位之負電位的細微氣泡覆蓋。因此，於基板W與塵埃間產生斥力，而可從基板W去除塵埃，故可防止業經去除之塵埃再附著於基板W。
處理液L為顯像液時，不僅因大氣中所含之二氧化碳之接觸而惡化，於在供液管3循環之際，從第1循環泵11承受熱能，或以在供液管3流動時之流路阻力產生熱能時，因該熱能，顯像液從最初所含之碳酸氫鉀或碳酸氫鈉熱分解，而產生二氧化碳，而有因該二氧化碳促進處理液L之惡化之情形。
然而，由於顯像液所含之二氧化碳以除氣裝置12去除，故即使顯像液所含之碳酸氫鉀或碳酸氫鈉熱分解，而產生二氧化碳，仍可防止顯像液早期惡化。
如此進行，業經處理基板W之處理液L反覆進行經由回收管28，回收至貯液槽1後，以第1循環泵11在供液管3流動而供給至處理部2之循環。
即，根據上述結構之處理裝置，由於處理液L所含之氣體可以除氣裝置12去除，故可確實地防止處理液L因二氧化碳或氧等氣體而早期惡化。
當業經除氣之處理液L從噴淋管4之噴嘴5噴射至基板W時，該處理液L接觸大氣，故有將大氣所含之氣體溶解而惡化之虞。然而，從噴嘴5噴射之處理液L含有藉氣泡產生器24以不與處理液L反應之惰性氣體等氣體而製作之細微氣泡。
因此，即使處理液L與大氣接觸，大氣中之二氧化碳或氧等氣體不易溶解於已含有細微氣泡之處理液L，故藉此，亦可防止處理液L早期惡化。
第3圖之曲線A~D係將除氣後之純水所含之氧濃度變化隨著時間經過測量之曲線。在第3圖中，曲線A係測量將純水除氣，不循環，在此狀態下放置時之氧濃度變化的情形，曲線B係測量進行循環15分後，混入N2 氣泡，之後放置時之氧濃度變化的情形。
曲線C係測量進行循環15分，混入Co2 氣泡，之後放置時之氧濃度的變化之情形。曲線D係測量進行循環15分，不混入氣泡，之後放置時之氧濃度變化的情形。
從以上實驗可知，即使將純水所含之氧除氣，藉如曲線C、D般循環，純水中之氧濃度增加，及如曲線B，即使使純水循環，藉混入N2 氣泡，仍可抑制氧濃度之增加。又，亦可知如曲線A，除氣後，不循環，氧濃度便不致大幅增加。
第4圖係使以上述一實施形態所示之處理裝置使處理液L循環時，測量處理液L之氧濃度變化的圖表。在此圖表，橫軸X1-X2之範圍係測量不於純水混入氣泡而循環時之氧濃度變化，X2-X3、X3-X4及X4-X5之範圍係測量分別混入N2 氣泡而循環時之氧濃度之變化。亦即，使純水每次循環時混入N2 氣泡。
從此可知，藉於純水混入N2 氣泡而循環，可使溶氧濃度減少。認為溶氧濃度減少之理由係因藉使純水反覆循環，純水所含之N2 氣泡量逐漸增加。亦即，認為係因藉純水所含之N2 氣泡量增加，大氣之氧不易進入之故。
第5圖係顯示此發明第2實施形態之處理裝置之結構圖。此外，與第1圖所示之處理裝置相同之部份附上相同記號，而省略詳細說明。
在此實施形態中，貯存於貯液槽1之處理液L以除氣裝置12將氣體除氣後，供給至氣泡產生器24。當以此氣泡產生器24於處理液L混入細微氣泡後，該處理液L以供液管3返回至貯液槽1貯存。貯存於貯液槽1之處理液L反覆進行從此貯液槽1過過除氣裝置12及氣泡產生器24，而返回貯液槽1之循環。
另一方面，貯液槽1及噴淋管4以構成於中途部設有第2循環泵31之循環管路之供液管3a連接。於處理基板W時，藉使上述第2循環泵31作動，而從貯液槽1將含有細微氣泡之處理液L供給至上述噴淋管4，而從此噴淋管4之噴嘴5噴射至基板W。
然後，供給至基板W之處理液L反覆進行以回收管28回收至貯液槽1，從此貯液槽1通過除氣裝置12及氣泡產生器24，而返回至貯液槽1之循環。
根據此種結構，即使不以處理部2處理基板W時，仍可使貯液槽1內之處理液L在氣泡產生器24、貯液槽1及除氣裝置12間循環，將業經充分在處理槽1內除氣之處理液L預先貯存。因此，於處理基板W之際，可將業經除氣、且混入細微氣泡，貯存於貯液槽1之處理液L迅速地供給至基板W。
而且，供給至基板W前，反覆進行將處理液L從貯液槽1通過除氣裝置12及氣泡產生器24，返回至貯液槽1之循環，而可使處理液L所含之溶氧濃度降低。
此外，於使處理液L所含之溶氧濃度降低時，以氣泡產生器24使N2 氣泡混入至處理液L。
第6圖係顯示此發明第3實施形態之處理裝置之結構圖。此外，與第1圖所示之處理裝置相同之部份附上同一標號，而省略詳細說明。
此第3實施形態係第5圖所示之第2實施形態之變形例，貯存於貯液槽1之處理液L可以第1循環泵11直接供給至氣泡產生器24。亦即，在第3實施形態中，相對於上述第2實施形態，在去除了設於供液管3之除氣裝置12之點不同。
此外，在第3實施形態中，將貯液槽1之處理液L之一部份供給至處理部2後，返回至貯液槽1之路徑作為第1循環管路，將貯液槽1之處理液L之一部份供給至氣泡產生器24後，返回貯液槽1之路徑作為第2循環管路。
根據此種結構，以處理部2從噴淋管4供給至基板W之處理液L進行以第1循環管路溶解二氧化碳或氧等氣體，以回收管28返回貯液槽1之循環。
另一方面，貯液槽1之處理液L進行以第2循環管路與氣體供給部25之惰性氣體一同供給至氣泡產生器24，混入奈米氣泡或微泡等細微氣泡，而返回貯液槽1之循環。
當以氣泡產生器24含有細微氣泡之處理液L返回至貯液槽1時，與於此貯液槽1含有從處理部2返回之氧或二氧化碳等溶氣之處理液L混合。
藉此，由於於溶解有從處理部2返回之二氧化碳或氧等氣體之處理液L混合以氣泡產生器24含有細微氣泡，並以第2循環管路在貯液槽1與氣泡產生器24間循環之處理液L，故可以氣泡產生器24之處理液L所含之細微氣泡之起泡作用，去除溶解於來自處理部2之處理液L之二氧化碳或氧等氣體。
亦即，藉使以氣泡產生器24混入有細微氣泡之處理液L以第2循環管路循環至貯液槽1，即使不使用第1、第2實施形態所含之除氣裝置12，亦可去除原本含在以第1循環管路 從處理部2返回至貯液槽1之處理液L，或藉將處理液L供給至基板W而含有之二氧化碳或氧等氣體。
又，即使不以處理部2處理基板W時，亦可使貯液槽1內之處理液L在氣泡產生器24與貯液槽1間循環，而可於處理槽1內預先貯存已充分除氣之處理液L。因此，處理基板W之際，可將業經除氣，且混入細微氣泡，而貯存於貯液槽1之處理液L迅速地供給至基板W。
第7圖係顯示第6圖所示之第3實施形態之變形例的第4實施形態，在此第4實施形態中，將貯存於貯液槽1之處理液L之供液管3、及供給氣體供給部25之惰性氣體之供氣管25b連接於第1循環泵11之吸引側。然後，以上述第1循環泵1將處理液L及惰性氣體預先混合後，供給至氣泡產生器24。
藉此，將預先混合之處理液L及惰性氣體一面在氣泡產生器24內部旋繞，一面流動而攪拌，惰性氣體形成細微氣泡，故可以良好效率使細微氣泡混合於處理液L。
此外，在第4實施形態中，亦與第3實施形態同樣地，將貯液槽1之處理液L之一部份供給至處理部2後，返回至貯液槽1之路徑作為第1循環管路，將貯液槽1之處理液L之一部份供給至氣泡產生器24後，返回貯液槽1之路徑作為第2循環管路。
此種結構亦與第6圖所示之第3實施形態同樣地，可於溶解有以第1循環管路從處理部2返回至貯液槽1之二氧化碳或氧等氣體之處理液L混合以第2循環管路在氣泡產生器24與貯液槽1循環之處理液L所含之細微氣泡。
藉此，即使以處理部2將二氧化碳或氧等氣體溶解於處理液L，該氣體可以在第2循環管路循環，返回至貯液槽1之處理液所含之細微氣泡的起泡作用有效地去除。
第8圖係顯示將細微氣泡供給至處理液時之經過時間與處理液所含之溶氧量的關係之圖表。此圖表在第3、第4實施形態中，以第1循環管路使氧溶解於處理液，液解開始後，在氧量達約35mg/l之約14分後，於以第2循環管路循環之處理液開始細微氣泡之供給時，確認了在開始細微氣泡之供給後約6分之後的經過時間、約20分後，貯液槽1之處理液中之溶氧量大幅降低。
此外，在上述各實施形態，處理部係舉了將基板一面以搬送輸送機搬送，一面處理之例來說明，處理部亦可為使基板一面旋轉，一面供給處理液之所謂旋轉處理裝置。
又，氣泡產生器不限於上述各實施形態所舉之結構者，舉例言之，亦可為藉將氣體加壓而通過過濾器，而使液體中產生氣泡之所謂加壓方式等其他結構。
1‧‧‧貯液槽
2‧‧‧處理部
3,3a‧‧‧供液管
4‧‧‧噴淋管
5‧‧‧噴嘴
6‧‧‧搬送輸送機
11‧‧‧第1循環泵
12‧‧‧除氣裝置
13‧‧‧流入口
14‧‧‧流出口
15‧‧‧容器
16‧‧‧分隔板
17‧‧‧流入室
18‧‧‧流出室
19‧‧‧減壓室
21‧‧‧減壓泵
22‧‧‧除氣構件
22a‧‧‧中空線
24‧‧‧氣泡產生器
25‧‧‧氣體供給部
25b‧‧‧供氣管
28‧‧‧回收管
31‧‧‧第2循環泵
A-D‧‧‧曲線
L‧‧‧處理液
W‧‧‧基板
第1圖係顯示此發明一實施形態之基板處理裝置之概略結構圖。
第2圖係顯示用於上述處理裝置之除氣裝置之內部構造的截面圖。
第3圖係顯示對純水賦與不同之4個條件時之經過時間與溶氧濃度的關係之圖表。
第4圖係使業經除氣之純水於氣泡產生器反覆循環 時，測量純水之溶氧濃度之變化的圖表。
第5圖係顯示此發明第2實施形態之基板處理裝置之概略結構圖。
第6圖係顯示此發明第3實施形態之基板處理裝置之概略結構圖。
第7圖係顯示此發明第4實施形態之基板處理裝置之概略結構圖。
第8圖係顯示在第3實施形態及第4實施形態中將細微氣泡供給至貯液槽內之處理液時之經過時間與溶氧濃度的關係之圖表。
1．．．貯液槽
2．．．處理部
3．．．供液管
4．．．噴淋管
5．．．噴嘴
6．．．搬送輸送機
11．．．第1循環泵
12．．．除氣裝置
21．．．減壓泵
24．．．氣泡產生器
25．．．氣體供給部
28．．．回收管
L．．．處理液
W．．．基板

Claims (4)

  1. 一種基板處理裝置，是以處理液將基板處理，其特徵在於，該基板處理裝置包含有：處理部，被供給藉由前述處理液處理之前述基板；貯液槽，貯存前述處理液；第1循環管路，將該貯液槽之處理液供給至前述處理部，且於處理前述基板後返回前述貯液槽；及第2循環管路，與前述第1循環管路為不同之循環管路，設有除氣機構及氣泡產生機構，可使處理液進行由前述貯液槽通過前述除氣機構與前述氣泡產生機構再返回前述貯液槽的循環，且該除氣機構是將前述處理液所含之氣體去除，而氣泡產生機構將不與經前述除氣機構除氣之前述處理液反應之氣體成為細微氣泡，並使其混入經前述除氣機構除氣之前述處理液。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中前述處理液為剝離液，且前述除氣機構是去除前述處理液所含之氧氣。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中前述處理液為顯像液，前述除氣機構去除前述處理液所含之二氧化碳。
  4. 一種基板處理方法，是以處理液將基板處理，其特徵在於，該基板處理方法具有以下步驟：將基板供給至處理部；將貯存於貯液槽之處理液經由第1循環管路供給至 前述處理部後，回收至前述貯液槽；及經由與前述第1循環管路為不同循環管路之第2循環管路，將貯存於前述貯存槽之前述處理液所含之氣體去除後，使不與前述處理液反應之氣體成為細微氣泡且使其混入前述處理液並返回前述貯液槽。
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