JPH01248528A - Ｓｏｇ膜の硬化方法 - Google Patents
Ｓｏｇ膜の硬化方法Info
- Publication number
- JPH01248528A JPH01248528A JP7464788A JP7464788A JPH01248528A JP H01248528 A JPH01248528 A JP H01248528A JP 7464788 A JP7464788 A JP 7464788A JP 7464788 A JP7464788 A JP 7464788A JP H01248528 A JPH01248528 A JP H01248528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sog film
- ozone
- ultraviolet rays
- hardening
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 7
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造工程で利用されるＳＯＧＭ
の硬化方法に関するものである。
の硬化方法に関するものである。
（従来技術とその問題点〕
ＳＯａ膜（Ｓｐｉｎ −Ｏｎ −Ｇｌａｓｓ膜）は、Ｉ
ＣやＬＳＩの製造工程で、ウェハ表面の平坦化、ステッ
プカバレッジの改善などの目的のために利用され、Ｓ
ｉｏ、膜やＰ、０．の入ったＰ ｈｏｓｐｈｓｉｌｉｃ
ａｔｅＧｌａｓｓｌｌ！Ｊ （以下ＰＳＧ膜と云う、）
、更にはＢ。
ＣやＬＳＩの製造工程で、ウェハ表面の平坦化、ステッ
プカバレッジの改善などの目的のために利用され、Ｓ
ｉｏ、膜やＰ、０．の入ったＰ ｈｏｓｐｈｓｉｌｉｃ
ａｔｅＧｌａｓｓｌｌ！Ｊ （以下ＰＳＧ膜と云う、）
、更にはＢ。
０、の入ったＢ ｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇ １ａｓ
ｓ膜（以下ＢＳＧ膜と云う、）などが知られている。
ｓ膜（以下ＢＳＧ膜と云う、）などが知られている。
５ＯＧｆｉの内、Ｓｉｎ、膜の従来の硬化方法の一例を
述べると、先ず、シラノール（一般分子式はＲｎ Ｓ
ｉ（ＯＨＬ−ｅ ）をアルコール、ケトンなどの有機溶
媒に溶かしておき、この溶液をウェハの表面に塗布する
。この塗布方法は、多くの場合はスピンコーターと呼ば
れる塗布機で行わ九る。そして、真空中で約１００℃の
温度でベーキングして溶剤を蒸発させて半硬化もしくは
仮硬化させ１次に、第２ベーキングとして２５０℃ない
し３５０℃の温度で再度加熱し、最後の第３ベーキング
は４００℃ないし７００℃の温度で加熱するが、それぞ
れのベーキング時間は３０分ないし６０分を要する。つ
まり５硬化のために非常に長時間を要する。しかも、＠
厚が例えば０．５μｍ以上の厚い暎形成を行うときに、
前記の塗布と各ベーキングをそれぞれ一度の操作で行お
うとすると、膜にクラックが入ってしまう事故があり、
従って、このクラックを避けるために、−度に塗布する
溶液の厚さを薄くして各ベーキングを行い、この操作を
二度、三度と繰り返す必要がある。従って、硬化時間が
ますます長くなる欠点がある。また、ＬＳＩでは、多層
配線が通常用いられているが、この配線材料はアルミニ
ウムである。ところが、アルミニウムの軟化温度は約４
５０℃程度であるため、４００℃以上の昇温は避けなけ
ればならない、このため、最後の第３ベーキングを行え
ず、それに代えて中間の第２ベーキングを更に長時間か
けて硬化するプロセスが行われている。そして、ＰＳＧ
膜やＢＳＧ膜の場合も事情は同様であり、いずれにせよ
、５ＯＧＩＩ！ｉの硬化工程は非常に長時間必要であり
、ＩＣやＬＳＩの製造において、大きな問題となってい
る。
述べると、先ず、シラノール（一般分子式はＲｎ Ｓ
ｉ（ＯＨＬ−ｅ ）をアルコール、ケトンなどの有機溶
媒に溶かしておき、この溶液をウェハの表面に塗布する
。この塗布方法は、多くの場合はスピンコーターと呼ば
れる塗布機で行わ九る。そして、真空中で約１００℃の
温度でベーキングして溶剤を蒸発させて半硬化もしくは
仮硬化させ１次に、第２ベーキングとして２５０℃ない
し３５０℃の温度で再度加熱し、最後の第３ベーキング
は４００℃ないし７００℃の温度で加熱するが、それぞ
れのベーキング時間は３０分ないし６０分を要する。つ
まり５硬化のために非常に長時間を要する。しかも、＠
厚が例えば０．５μｍ以上の厚い暎形成を行うときに、
前記の塗布と各ベーキングをそれぞれ一度の操作で行お
うとすると、膜にクラックが入ってしまう事故があり、
従って、このクラックを避けるために、−度に塗布する
溶液の厚さを薄くして各ベーキングを行い、この操作を
二度、三度と繰り返す必要がある。従って、硬化時間が
ますます長くなる欠点がある。また、ＬＳＩでは、多層
配線が通常用いられているが、この配線材料はアルミニ
ウムである。ところが、アルミニウムの軟化温度は約４
５０℃程度であるため、４００℃以上の昇温は避けなけ
ればならない、このため、最後の第３ベーキングを行え
ず、それに代えて中間の第２ベーキングを更に長時間か
けて硬化するプロセスが行われている。そして、ＰＳＧ
膜やＢＳＧ膜の場合も事情は同様であり、いずれにせよ
、５ＯＧＩＩ！ｉの硬化工程は非常に長時間必要であり
、ＩＣやＬＳＩの製造において、大きな問題となってい
る。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その
目的とするところは、ＳＯＧ膜を短時間で、かつ比較的
低温加熱で硬化させることが可能な硬化方法を提供する
ことにある。
目的とするところは、ＳＯＧ膜を短時間で、かつ比較的
低温加熱で硬化させることが可能な硬化方法を提供する
ことにある。
上記目的を達成するために、本発明においては、ウェハ
に塗布されたＳＯＧ膜に、オゾンの存在下で波長が４０
０ｎｍ以下の紫外線を照射する工程を含むことを特徴と
する。
に塗布されたＳＯＧ膜に、オゾンの存在下で波長が４０
０ｎｍ以下の紫外線を照射する工程を含むことを特徴と
する。
この場合、未硬化のＳＯＧ膜は、紫外線とオゾンの協働
作用によって、４００℃以下の温度で３０分間も加熱す
れば完全に硬化する。
作用によって、４００℃以下の温度で３０分間も加熱す
れば完全に硬化する。
図面は、本発明を実行するための処理装置の要部の概略
説明図である。１は装置の外壁で、ｌａ。
説明図である。１は装置の外壁で、ｌａ。
ｌｂ、ｌｃに示すごとく、３分割され、ボルトとナツト
などの固定手段２で連結される。３は、ロングアーク型
の高圧水銀灯であって、波長が４００ｎｍ以下の紫外線
を放射するが、これを２〜４本平行に平面状態で配置し
、ラシプホルダー４で保持する。このように、外壁１を
分割形式にしであるので、外壁１の一部１ａをはずすと
、高圧水銀灯３の交換や保守を容易に行うことができる
。ウェハ６は保持台Ｓ上に載置されるが、この保持台５
には、必要に応じて、温度制御手段、例えばヒーター９
や水冷パイプなどが埋設される。なお、ウェハ６上に塗
布されたＳＯＧ膜は図示から省略しである。ここにおい
ても、外壁１の一部１ａと１ｂを一緒にしてはずすと、
保持台５の保守などは便利である。７ａと７ｂは、高周
波電源１０から電気エネルギーが供給される一対の放電
用電極であり、電極７ａと７ｂの間隙８に向けて酸素ガ
スを供給する。オゾンは１間隙８における放電によって
生成し、ウェハ６近傍へ移動してくるので、結局、ウェ
ハ６に塗布されたＳＯＧ膜はオゾンと紫外線に露呈され
る。なお、オゾンは、放電によらなくても、波長が２０
０ｎｍ以下の遠紫外線を放射する放電灯を高圧放電灯３
と併設しておけば、ウェハ６の周辺に十分なオゾンが生
成される。あるいは、オゾンを含有する酸素ガスを最初
から供給してもよい。
などの固定手段２で連結される。３は、ロングアーク型
の高圧水銀灯であって、波長が４００ｎｍ以下の紫外線
を放射するが、これを２〜４本平行に平面状態で配置し
、ラシプホルダー４で保持する。このように、外壁１を
分割形式にしであるので、外壁１の一部１ａをはずすと
、高圧水銀灯３の交換や保守を容易に行うことができる
。ウェハ６は保持台Ｓ上に載置されるが、この保持台５
には、必要に応じて、温度制御手段、例えばヒーター９
や水冷パイプなどが埋設される。なお、ウェハ６上に塗
布されたＳＯＧ膜は図示から省略しである。ここにおい
ても、外壁１の一部１ａと１ｂを一緒にしてはずすと、
保持台５の保守などは便利である。７ａと７ｂは、高周
波電源１０から電気エネルギーが供給される一対の放電
用電極であり、電極７ａと７ｂの間隙８に向けて酸素ガ
スを供給する。オゾンは１間隙８における放電によって
生成し、ウェハ６近傍へ移動してくるので、結局、ウェ
ハ６に塗布されたＳＯＧ膜はオゾンと紫外線に露呈され
る。なお、オゾンは、放電によらなくても、波長が２０
０ｎｍ以下の遠紫外線を放射する放電灯を高圧放電灯３
と併設しておけば、ウェハ６の周辺に十分なオゾンが生
成される。あるいは、オゾンを含有する酸素ガスを最初
から供給してもよい。
図面において、高圧水銀灯３などのための電源系とその
制御系およびウェハ搬送システムは省略しであるが、こ
れら個々の電源回路、制御回路などは、従来から実施さ
れている技術や多数の文献に開示されている技術などが
利用できる１例えば、図示はしていないが、ウェハ６の
搬送をカセット・ツウ・カセットにする場合、保持台５
より少し高い位置に対応した装置の外壁１にゲートバル
ブを設け、アームによる自動搬送によるウェハ着脱機構
を設けることで容易に実現できる。
制御系およびウェハ搬送システムは省略しであるが、こ
れら個々の電源回路、制御回路などは、従来から実施さ
れている技術や多数の文献に開示されている技術などが
利用できる１例えば、図示はしていないが、ウェハ６の
搬送をカセット・ツウ・カセットにする場合、保持台５
より少し高い位置に対応した装置の外壁１にゲートバル
ブを設け、アームによる自動搬送によるウェハ着脱機構
を設けることで容易に実現できる。
次に、実験例を説明すると、５インチのシリコンウェハ
の表面に、ＳＯＧ膜として、０ＣＤ−Ｔｙｐｅ２（東京
応化工業（株）製品、昭和５６年１２月１日、’８７東
京応化セミナー講演集第７１頁参照〕をスピンコーター
で塗布し、３００℃に保持された保持台５上に載置する
。装置内は大気圧のま−とし、１％のオゾンを含む酸素
ガスを５０ｍＱ／ｗｉｎの割合で供給するとともに、５
ＯＧｉ上での紫外線の強度を、２２０ｎｍないし３２０
ｎ−の波長域で６０Ｑ ｍ Ｗ ／ ａＪになるように
、高圧水銀灯３の投入電力を調整する。かかる状態でＳ
ＯＧ膜を硬化させると、１０分間で０．５μｍの厚さの
Ｓ ｉｏ、膜が形成される。硬化が完全であるかどうか
の判定は、前記の文献にも紹介されているように、赤外
線分光装置を使って、Ｏ−Ｈや５ｉ−ＯＨの結合による
吸収の有無によって行うことができる。この実類例では
、５Ｌ−０結合による吸収ピークが見られるだけであり
、Ｏ−Ｈや５Ｌ−ＯＨの結合による吸収は見られず、硬
化が完全であることが確認された。
の表面に、ＳＯＧ膜として、０ＣＤ−Ｔｙｐｅ２（東京
応化工業（株）製品、昭和５６年１２月１日、’８７東
京応化セミナー講演集第７１頁参照〕をスピンコーター
で塗布し、３００℃に保持された保持台５上に載置する
。装置内は大気圧のま−とし、１％のオゾンを含む酸素
ガスを５０ｍＱ／ｗｉｎの割合で供給するとともに、５
ＯＧｉ上での紫外線の強度を、２２０ｎｍないし３２０
ｎ−の波長域で６０Ｑ ｍ Ｗ ／ ａＪになるように
、高圧水銀灯３の投入電力を調整する。かかる状態でＳ
ＯＧ膜を硬化させると、１０分間で０．５μｍの厚さの
Ｓ ｉｏ、膜が形成される。硬化が完全であるかどうか
の判定は、前記の文献にも紹介されているように、赤外
線分光装置を使って、Ｏ−Ｈや５ｉ−ＯＨの結合による
吸収の有無によって行うことができる。この実類例では
、５Ｌ−０結合による吸収ピークが見られるだけであり
、Ｏ−Ｈや５Ｌ−ＯＨの結合による吸収は見られず、硬
化が完全であることが確認された。
他の実験例について述べると、Ｐ、０．を含むＰＳＧ膜
では、例えば、装置内を酸素を含む雰囲気とし、高圧放
電灯とともに、波長１８５ｎｍの紫外線をよく放射する
放電灯を併設してオゾンを生成させ、常温で紫外線を照
射して硬化実験を行うと、ｐ２ｏ、の濃度に応じて、３
０分間ないし５０分間で硬化できる。そして、装置内を
減圧したり、昇温したりすると硬化時間を更に短縮でき
る。
では、例えば、装置内を酸素を含む雰囲気とし、高圧放
電灯とともに、波長１８５ｎｍの紫外線をよく放射する
放電灯を併設してオゾンを生成させ、常温で紫外線を照
射して硬化実験を行うと、ｐ２ｏ、の濃度に応じて、３
０分間ないし５０分間で硬化できる。そして、装置内を
減圧したり、昇温したりすると硬化時間を更に短縮でき
る。
更に、他の実験結果を第１表に示す、第１表は、処理条
件と硬化時間の関係を示すが、処理条件として、常圧（
約１気圧）と減圧（約１３Ｐａ）、゛常温（約１５℃）
と加熱（３５０℃）およびオゾンの有無を組合せた。そ
して、ＳＯＧ膜上における紫外線の強度は２２０ｎｍな
いし３２０ｎｍの波長域で６００ｍＷ／ａ＃、硬化した
ＳＯＧ膜の厚さは０．５μｍである。
件と硬化時間の関係を示すが、処理条件として、常圧（
約１気圧）と減圧（約１３Ｐａ）、゛常温（約１５℃）
と加熱（３５０℃）およびオゾンの有無を組合せた。そ
して、ＳＯＧ膜上における紫外線の強度は２２０ｎｍな
いし３２０ｎｍの波長域で６００ｍＷ／ａ＃、硬化した
ＳＯＧ膜の厚さは０．５μｍである。
第１表 処理条件と硬化時間の関係
これから分かるように、オゾンの存在が硬化時間の短縮
に非常に有効であり、加熱温度も４００℃を越える必要
がなく、従来よりも低温加熱で十分である。
に非常に有効であり、加熱温度も４００℃を越える必要
がなく、従来よりも低温加熱で十分である。
以上説明したように１本発明は、紫外線照射とオゾンと
の協働作用によって、ＳＯＧ膜を従来技術による方法よ
りも非常に短い時間で硬化させることができるばかりで
なく、加熱温度も４００℃以下でよいので、アルミニウ
ムを配線材料として使用する多層のＬＳＩの製造にも大
変好都合な硬化方法とすることができる。
の協働作用によって、ＳＯＧ膜を従来技術による方法よ
りも非常に短い時間で硬化させることができるばかりで
なく、加熱温度も４００℃以下でよいので、アルミニウ
ムを配線材料として使用する多層のＬＳＩの製造にも大
変好都合な硬化方法とすることができる。
図面は本発明を実行するための処理装置の概略説明図で
ある。
ある。
Claims (1)
- オゾンの存在下で波長が４００ｎｍ以下の紫外線をＳ
ＯＧ膜に照射する工程を含むことを特徴とするＳＯＧ膜
の硬化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7464788A JPH01248528A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | Ｓｏｇ膜の硬化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7464788A JPH01248528A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | Ｓｏｇ膜の硬化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01248528A true JPH01248528A (ja) | 1989-10-04 |
Family
ID=13553225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7464788A Pending JPH01248528A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | Ｓｏｇ膜の硬化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01248528A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03283459A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
| EP0684635A2 (en) * | 1994-04-20 | 1995-11-29 | Texas Instruments Incorporated | High throughput optical curing process for semiconductor device manufacturing |
| US6352943B2 (en) | 1998-05-20 | 2002-03-05 | Semiconductor Process Laboratory Co., Ltd. | Method of film formation and method for manufacturing semiconductor device |
| WO2009157333A1 (ja) * | 2008-06-23 | 2009-12-30 | Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | シャロー・トレンチ・アイソレーション構造とその形成方法 |
-
1988
- 1988-03-30 JP JP7464788A patent/JPH01248528A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03283459A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
| EP0684635A2 (en) * | 1994-04-20 | 1995-11-29 | Texas Instruments Incorporated | High throughput optical curing process for semiconductor device manufacturing |
| EP0684635A3 (en) * | 1994-04-20 | 1997-12-29 | Texas Instruments Incorporated | High throughput optical curing process for semiconductor device manufacturing |
| US5972803A (en) * | 1994-04-20 | 1999-10-26 | Texas Instruments Incorporated | High throughput optical curing process for semiconductor device manufacturing |
| US6352943B2 (en) | 1998-05-20 | 2002-03-05 | Semiconductor Process Laboratory Co., Ltd. | Method of film formation and method for manufacturing semiconductor device |
| WO2009157333A1 (ja) * | 2008-06-23 | 2009-12-30 | Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | シャロー・トレンチ・アイソレーション構造とその形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101416277B (zh) | 用于处理电介质膜的方法和系统 | |
| JP2016167633A (ja) | 低誘電率絶縁体を集積するための方法 | |
| US20100043820A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| JP5471514B2 (ja) | 光処理装置 | |
| TWI494174B (zh) | 基板表面處理設備 | |
| JP2008166316A (ja) | 基板処置装置 | |
| WO2000072364A1 (fr) | Appareil de durcissement de resist | |
| US20080296258A1 (en) | Plenum reactor system | |
| JPH0822945A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01248528A (ja) | Ｓｏｇ膜の硬化方法 | |
| JPH0566010B2 (ja) | ||
| JPS63234528A (ja) | レジスト処理方法 | |
| TW469479B (en) | Method of wet etching and apparatus thereof | |
| JP4320982B2 (ja) | 基材処理装置 | |
| JPH01248529A (ja) | Ｓｏｇ膜の硬化方法 | |
| JPS62245634A (ja) | ポジ型レジスト膜の除去方法とその装置 | |
| EP0233333B1 (en) | Method of treating photoresists | |
| US4868095A (en) | Method of treating photoresists | |
| JPS6129124A (ja) | 半導体ウエハ−の処理方法 | |
| JPH04307734A (ja) | アッシング装置 | |
| JPS6114724A (ja) | 半導体ウエハ−への紫外線照射方法 | |
| JP2892049B2 (ja) | レジストアッシング方法 | |
| CN101211750B (zh) | 高分子聚合物层的清洗方法 | |
| JPH0713215Y2 (ja) | 半導体のレジストアッシング装置 | |
| JPH0388328A (ja) | レジストアッシング方法 |