JPS60143827A - 遠紫外線光による表面処理装置 - Google Patents
遠紫外線光による表面処理装置Info
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- JPS60143827A JPS60143827A JP58250088A JP25008883A JPS60143827A JP S60143827 A JPS60143827 A JP S60143827A JP 58250088 A JP58250088 A JP 58250088A JP 25008883 A JP25008883 A JP 25008883A JP S60143827 A JPS60143827 A JP S60143827A
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- Japan
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- far ultraviolet
- light
- ultraviolet rays
- oxygen
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
- B08B7/0057—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野゛
本発明は、ガラス基板、ホトマスク、ウニノー−等の試
料の表面処理に係り、特に遠紫外線を用し）て試料の表
面を洗浄する遠紫外線光による表面処理装置に関するも
のである。
料の表面処理に係り、特に遠紫外線を用し）て試料の表
面を洗浄する遠紫外線光による表面処理装置に関するも
のである。
（２） 技術の背景
近年、試料表面洗浄の一つに遠紫外線を用しする方法が
有る。これは１８４．９ｎｍ、２５３．７ｎｍの短波長
の遠紫外線が大気中の酸素０２を分解し、オゾン（０３
）と酸素原子（０）の活性酸素を発生させるので、この
活性酸素により試料表面に付着している有機系ダストが
例えばＣＯ２の様な形に反応し灰化される事等試料表面
を洗浄する。また前記短波長の遠紫外線は有機系高分子
ポリマーのチェーンを切断し、低分子化する効果も有し
ている。しかしまだ十分に前記遠紫外線光のエネルギー
が＋＋ｉ用されていな。いのが現状である。
有る。これは１８４．９ｎｍ、２５３．７ｎｍの短波長
の遠紫外線が大気中の酸素０２を分解し、オゾン（０３
）と酸素原子（０）の活性酸素を発生させるので、この
活性酸素により試料表面に付着している有機系ダストが
例えばＣＯ２の様な形に反応し灰化される事等試料表面
を洗浄する。また前記短波長の遠紫外線は有機系高分子
ポリマーのチェーンを切断し、低分子化する効果も有し
ている。しかしまだ十分に前記遠紫外線光のエネルギー
が＋＋ｉ用されていな。いのが現状である。
（３） 従来技術と問題点
従来、試料表面を洗浄する為に、第１図に示す遠紫外線
光を照射する装置が有る。この第１図に於いて、遠紫外
線光源１として例えば略３０Ｗの低圧水銀灯が水平に４
個等間隔に設けられ、この紫外線光源１からの遠紫外線
が試料２以外に放射しない様に遮蔽カバー３が設けられ
ている。前記装置は遠紫外線光源ｌより１８４．９ｎｍ
。
光を照射する装置が有る。この第１図に於いて、遠紫外
線光源１として例えば略３０Ｗの低圧水銀灯が水平に４
個等間隔に設けられ、この紫外線光源１からの遠紫外線
が試料２以外に放射しない様に遮蔽カバー３が設けられ
ている。前記装置は遠紫外線光源ｌより１８４．９ｎｍ
。
２５３．７ｎｍ等の強いスペクトルの波長の遠紫外線を
放射し、この波長の遠紫外線で試料２０表面の有機系高
分子等を沃化、除去する。
放射し、この波長の遠紫外線で試料２０表面の有機系高
分子等を沃化、除去する。
しかしながら、装置は遠紫外線光源１からの遠紫外線が
大気中を経て試料２に照射されるので。
大気中を経て試料２に照射されるので。
この遠紫外線は大気中で減衰する。特に１８４゜９ｎｍ
波長は減衰が激しく低エネルギーとなり大気中の酸素（
０２）の分解、試料２の表面の有機系高分子のポリマー
の切断が有効に行なわれず。
波長は減衰が激しく低エネルギーとなり大気中の酸素（
０２）の分解、試料２の表面の有機系高分子のポリマー
の切断が有効に行なわれず。
試料２の表面の洗浄が完全に効率よく行なえない問題を
有していた。
有していた。
（４） 発明の目的
本発明は上記従来の問題点に鑑み、遠紫外線光を減衰し
ない真空中で集光し高エネルギーにして大気中の酸素（
０２）を分解し、活性酸素を発生させると共に直接試料
表面に照射して試料を洗浄する遠紫外線光による表面処
理装置を提供する事を目的とするものである。
ない真空中で集光し高エネルギーにして大気中の酸素（
０２）を分解し、活性酸素を発生させると共に直接試料
表面に照射して試料を洗浄する遠紫外線光による表面処
理装置を提供する事を目的とするものである。
（５） 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば真空容器内に遠紫外線
光源と、遠紫外線光を集光する手段とを配置し、該真空
容器内で集光した遠紫外線光を試料に照射する様にした
ことを特徴とする遠紫外線光による表面処理装置を提供
する事によって達成される。
光源と、遠紫外線光を集光する手段とを配置し、該真空
容器内で集光した遠紫外線光を試料に照射する様にした
ことを特徴とする遠紫外線光による表面処理装置を提供
する事によって達成される。
（６） 発明の実施例
以下本発明の実施例を図面に基づいて詳述する。
第２図（ａｌ、 （ｂｌは本発明−実施例の遠紫外線光
による表面処理装置の概略的断面図、斜視図である。
による表面処理装置の概略的断面図、斜視図である。
尚、第１図と同一部分には同一符号を付し重複説明を省
略する。
略する。
第２図（ａｌ、 （ｂｌに於いて、真空容器４には容器
を真空状態にする為に図示しない例えば真空ポンプとこ
の真空容器４内とを連通ずる排気管５が取り付けられて
いる。また真空容器４内には遠紫外線光源１とこの遠紫
外線光を反射、集光させる半筒状の楕円ミラー６が固設
されている。そして真空容器４の底側部には楕円ミラー
６で反射、集光された遠紫外線をこの真空容器４外に放
射する為の半円状の合成石英レンズ７が固定されている
。合成石英レンズ７を透過した遠紫外線は図示しない搬
送装置により矢印方向に搬送されて来たガラス基板、ホ
トマスク、ウェハー等の試料２の表面に照射される。尚
、半円状の合成石英レンズ７（よ合成石英板ガラスを使
用しても良い。
を真空状態にする為に図示しない例えば真空ポンプとこ
の真空容器４内とを連通ずる排気管５が取り付けられて
いる。また真空容器４内には遠紫外線光源１とこの遠紫
外線光を反射、集光させる半筒状の楕円ミラー６が固設
されている。そして真空容器４の底側部には楕円ミラー
６で反射、集光された遠紫外線をこの真空容器４外に放
射する為の半円状の合成石英レンズ７が固定されている
。合成石英レンズ７を透過した遠紫外線は図示しない搬
送装置により矢印方向に搬送されて来たガラス基板、ホ
トマスク、ウェハー等の試料２の表面に照射される。尚
、半円状の合成石英レンズ７（よ合成石英板ガラスを使
用しても良い。
以上の構成で、先づ真空容器４内は排気管５を介して真
空ポンプ等により例えば気圧が１０＝Ｔｏｒｒ以下の真
空状態とする。そして遠紫外線光源１例えば１ Ｂ ４
． ９． ２５３． ７ ｎｍに強いスペクトル牽持つ
低圧水銀灯を点灯すると、遠紫外線光が四方に放射され
る。遠紫外線光は一部直接合成石英レンズ７に到達する
が大部分半筒状の楕円ミラー６で集光されて高エネルギ
ーとなり紫外線を透過する合成石英レンズ７に入射する
。前記高エネルギーを得た遠紫外線光は前記合成石英レ
ンズ７で更に収束し、矢印方向に搬送されて来た試料２
の表面の有機系ダスト高分子ポリマーのチェーンを切断
し低分子化する。更に試料２と真空容器４間の大気中の
酸素（０２）は遠紫外線により２０ ｔ−”０３＋ （
０−）に示す如く、オシ′／、（０３）と原子状酸素（
０）の活性酸素に分解される。そして試料２の表面の有
機系ダスト、低分子化となった有機物は活性酸素と例え
ばＧＯ２なる形で反応してガス化され・、所謂灰化され
る。従って１８４．９ｎｍ等の短波長の遠紫外線光は真
空中で減衰することなく、集光され高エネルギーとなり
試料２の表面を容易に洗浄する事ができる。
空ポンプ等により例えば気圧が１０＝Ｔｏｒｒ以下の真
空状態とする。そして遠紫外線光源１例えば１ Ｂ ４
． ９． ２５３． ７ ｎｍに強いスペクトル牽持つ
低圧水銀灯を点灯すると、遠紫外線光が四方に放射され
る。遠紫外線光は一部直接合成石英レンズ７に到達する
が大部分半筒状の楕円ミラー６で集光されて高エネルギ
ーとなり紫外線を透過する合成石英レンズ７に入射する
。前記高エネルギーを得た遠紫外線光は前記合成石英レ
ンズ７で更に収束し、矢印方向に搬送されて来た試料２
の表面の有機系ダスト高分子ポリマーのチェーンを切断
し低分子化する。更に試料２と真空容器４間の大気中の
酸素（０２）は遠紫外線により２０ ｔ−”０３＋ （
０−）に示す如く、オシ′／、（０３）と原子状酸素（
０）の活性酸素に分解される。そして試料２の表面の有
機系ダスト、低分子化となった有機物は活性酸素と例え
ばＧＯ２なる形で反応してガス化され・、所謂灰化され
る。従って１８４．９ｎｍ等の短波長の遠紫外線光は真
空中で減衰することなく、集光され高エネルギーとなり
試料２の表面を容易に洗浄する事ができる。
、第３図は本発明の他の実施例の概略的断面図である。
尚、第２図と同一部分には同一符号を付し。
重複説明を省略する。
同図に於いて、第２図と異なる構成は遠紫外線光源１と
楕円ミラー６による反射光の熱線を分離させるコールド
ミラー８とこの分離された熱線を処理する熱交換器９が
真空容器４内に設けられている点である。そして遠紫外
線光源１と熱交換器９の間に設けられているコールドミ
ラー８は所定の角度をもって半筒状の楕円ミラー６から
の遠紫外線を反射し合成石英平板ガラス１０を透過させ
。
楕円ミラー６による反射光の熱線を分離させるコールド
ミラー８とこの分離された熱線を処理する熱交換器９が
真空容器４内に設けられている点である。そして遠紫外
線光源１と熱交換器９の間に設けられているコールドミ
ラー８は所定の角度をもって半筒状の楕円ミラー６から
の遠紫外線を反射し合成石英平板ガラス１０を透過させ
。
図示しない搬送装置によ佼矢印方向に搬送されて来た試
料２の表面に照射させる。
料２の表面に照射させる。
第２図と同様に排気管５を介して真空ポンプ等により真
空容器４内は気圧が１０−’Ｔｏｒｒ以下の真空状態に
する。そして遠紫外線光源ｌとしての例えば低圧水縦灯
が点灯されると、遠紫外線光が放射され半筒状の楕円ミ
ラー６で集光される。
空容器４内は気圧が１０−’Ｔｏｒｒ以下の真空状態に
する。そして遠紫外線光源ｌとしての例えば低圧水縦灯
が点灯されると、遠紫外線光が放射され半筒状の楕円ミ
ラー６で集光される。
集光される前記遠紫外線に含まれている熱線はコ−ルド
ミラ−８で分蝉され熱交換器９で処理される。一方熱線
が除かれた前記遠紫外線は前記コールドミラー８で反射
し１合成石英板ガラス１０を透過して搬送されて来た試
料２の表面に照射される。従って前記試料２は加熱され
る事もなくそして第２図同様に表面を洗浄される事にな
る。
ミラ−８で分蝉され熱交換器９で処理される。一方熱線
が除かれた前記遠紫外線は前記コールドミラー８で反射
し１合成石英板ガラス１０を透過して搬送されて来た試
料２の表面に照射される。従って前記試料２は加熱され
る事もなくそして第２図同様に表面を洗浄される事にな
る。
（７） 発明の効果
以上、詳細に説明したように２本発明の遠紫外線光によ
る表面処理装置は低圧水銀灯等より１８４．９ｎｍ、２
５３．７ｎｍ波長の遠紫外線光を真空中で高エネルギー
にしてガラス基板、ホトマスク、ウェハー等の試料表面
に照射するので。
る表面処理装置は低圧水銀灯等より１８４．９ｎｍ、２
５３．７ｎｍ波長の遠紫外線光を真空中で高エネルギー
にしてガラス基板、ホトマスク、ウェハー等の試料表面
に照射するので。
試料表面に付着している有機系高分子ポリマーのチェー
ンを切断し低分子化すると共に大気中の酸素を分解し、
活性酸素のオゾンと酸素原子を発生させて試料表面の有
機系ダストを灰化させる洗浄効果大なるものが有る。ま
た他の実施例では試料を余計な加熱なしに洗浄できる効
果を有する。
ンを切断し低分子化すると共に大気中の酸素を分解し、
活性酸素のオゾンと酸素原子を発生させて試料表面の有
機系ダストを灰化させる洗浄効果大なるものが有る。ま
た他の実施例では試料を余計な加熱なしに洗浄できる効
果を有する。
第１図は従来例の遠紫外線光によるＪ面処理装置の′概
略的断面図、第２図（ａ） （ｂ）は本発明の一実施例
である遠紫外線光による表面処理装置の概略的断面図と
斜視図、第３図は本発明の４１１の実施例の概略的断面
断面図である。 １・・・遠紫外線光源、 ２・・・°試料。 ３・・・遮蔽カバー、 ４・・・真空容器５５・・・排
気管、 ６・・・楕円ミラー。 ７・・・合成石英レンズ、 ８・・・コールドミラー、
９・・・熱交換器、１０ ・・・合成石英板ガラス 第１図 第２図 （Ｑ） （ｂ） 第３図 ←ａ乙６２７−２
略的断面図、第２図（ａ） （ｂ）は本発明の一実施例
である遠紫外線光による表面処理装置の概略的断面図と
斜視図、第３図は本発明の４１１の実施例の概略的断面
断面図である。 １・・・遠紫外線光源、 ２・・・°試料。 ３・・・遮蔽カバー、 ４・・・真空容器５５・・・排
気管、 ６・・・楕円ミラー。 ７・・・合成石英レンズ、 ８・・・コールドミラー、
９・・・熱交換器、１０ ・・・合成石英板ガラス 第１図 第２図 （Ｑ） （ｂ） 第３図 ←ａ乙６２７−２
Claims (1)
- （１） 真空容器内に遠紫外線光源と、遠紫外線光を集
光する手段とを配置し、該真空容器内で集光した遠紫外
線光゛を試料に照射する様にしたことを特徴とする遠紫
外線光による表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58250088A JPS60143827A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 遠紫外線光による表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58250088A JPS60143827A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 遠紫外線光による表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60143827A true JPS60143827A (ja) | 1985-07-30 |
Family
ID=17202627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58250088A Pending JPS60143827A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 遠紫外線光による表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60143827A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6298730A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Toshiba Corp | 紫外線照射装置 |
| JPH04298747A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-22 | Nec Corp | フォトマスクの洗浄方法 |
| US6821446B2 (en) * | 2000-09-05 | 2004-11-23 | Hitachi, Ltd. | Removal method for coating of polymer coated glass capillary tubing and polymer coated glass capillary tubing |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP58250088A patent/JPS60143827A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6298730A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Toshiba Corp | 紫外線照射装置 |
| JPH04298747A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-22 | Nec Corp | フォトマスクの洗浄方法 |
| US6821446B2 (en) * | 2000-09-05 | 2004-11-23 | Hitachi, Ltd. | Removal method for coating of polymer coated glass capillary tubing and polymer coated glass capillary tubing |
| US7419577B2 (en) | 2000-09-05 | 2008-09-02 | Hitachi, Ltd. | Removal method for coating of polymer coated glass capillary tubing and polymer coated glass capillary tubing |
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