JPS6139524A - 半導体ウエ−ハの洗浄装置 - Google Patents
半導体ウエ−ハの洗浄装置Info
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- JPS6139524A JPS6139524A JP15926584A JP15926584A JPS6139524A JP S6139524 A JPS6139524 A JP S6139524A JP 15926584 A JP15926584 A JP 15926584A JP 15926584 A JP15926584 A JP 15926584A JP S6139524 A JPS6139524 A JP S6139524A
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- oxygen
- ultraviolet rays
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
LL1匹札1ll
この発明は、半導体ウェーハの洗浄装置に圓するもので
ある。
ある。
慢m区l−
半導体ウェーハのプロセス処理において、半導体ウェー
ハは、作業中に機械、器具、薬品等が接触して極微mの
不純物が溶解したり、検査器具に触れたり、作業者の指
先の脂肪がついたりなどの汚染が避けられない。したが
って、半導体ウェーへの洗浄は、各工程で頻繁に行なわ
れる。
ハは、作業中に機械、器具、薬品等が接触して極微mの
不純物が溶解したり、検査器具に触れたり、作業者の指
先の脂肪がついたりなどの汚染が避けられない。したが
って、半導体ウェーへの洗浄は、各工程で頻繁に行なわ
れる。
ところで、汚染物質には、有機物と無機物があり、各種
の化学薬品を用いた湿式洗浄方式により、半導体ウェー
への表面や開面に付着している汚染物質を除去するが、
多くの場合、完全に汚染物質を除去することはできず、
多少の量の汚染物質が付着している。
の化学薬品を用いた湿式洗浄方式により、半導体ウェー
への表面や開面に付着している汚染物質を除去するが、
多くの場合、完全に汚染物質を除去することはできず、
多少の量の汚染物質が付着している。
最近、有機物の汚染物質の除去については、紫外線とオ
ゾンの組合わせによる半導体ウェーへの処理技術が進歩
し、エピタキシ1?ル工程や、レジスト工程等での洗浄
に応用されつつある。
ゾンの組合わせによる半導体ウェーへの処理技術が進歩
し、エピタキシ1?ル工程や、レジスト工程等での洗浄
に応用されつつある。
この原理は、低圧水銀灯等により放射される紫外線を空
気中の酸素が吸収してオゾンを発生し、このオゾンが分
解するときに生じる強力な原子状酸素が、紫外線と共に
汚れの化学結合を分離、酸化させるものである。
気中の酸素が吸収してオゾンを発生し、このオゾンが分
解するときに生じる強力な原子状酸素が、紫外線と共に
汚れの化学結合を分離、酸化させるものである。
、Iが °しようとするロ r
このような洗浄装置は、半導体ウェーハ収納部が陽極酸
化皮膜を持つアルミニウム等の耐蝕性の高い材質でてぎ
ているが、しかしながらオゾンにより表面が徐々に侵蝕
され、金m酸化物の汚染物質を生じる。したがって、半
導体ウェーハが再び汚染され易く、また収納部が密閉さ
れるため、酸素不足となり、半導体ウェーへの表面の有
機物付着最が多い場合は、オゾンの発生」が十分でなく
、半導体ウェーへの表面が清浄にならない。
化皮膜を持つアルミニウム等の耐蝕性の高い材質でてぎ
ているが、しかしながらオゾンにより表面が徐々に侵蝕
され、金m酸化物の汚染物質を生じる。したがって、半
導体ウェーハが再び汚染され易く、また収納部が密閉さ
れるため、酸素不足となり、半導体ウェーへの表面の有
機物付着最が多い場合は、オゾンの発生」が十分でなく
、半導体ウェーへの表面が清浄にならない。
11L1胤
この発明は、上記欠点を解決するためになされたもので
あり、半導体ウェーハが再び汚染されることなく、しか
も効率的に有機物汚染物質を分解し、確実にウェーハの
表裏面を洗浄できる半導体ウェーハ洗浄装置を提供する
ことを目的とする。
あり、半導体ウェーハが再び汚染されることなく、しか
も効率的に有機物汚染物質を分解し、確実にウェーハの
表裏面を洗浄できる半導体ウェーハ洗浄装置を提供する
ことを目的とする。
l1匹11
したがって、この目的を達成するためにこの発明の要旨
は、紫外線発生器からなるオゾン源を有づる半導体ウェ
ーハ洗浄装置において、ウェーハ収納部は、少くとも内
面が石英ガラスにより作られた密閉容器からなり、この
ウェーハ収納部は酸素含有ガスの給気口、排気口を有す
ることにある。
は、紫外線発生器からなるオゾン源を有づる半導体ウェ
ーハ洗浄装置において、ウェーハ収納部は、少くとも内
面が石英ガラスにより作られた密閉容器からなり、この
ウェーハ収納部は酸素含有ガスの給気口、排気口を有す
ることにある。
ム を “ るた の
紫外線発生器からなるオゾン源11を右する半導体ウェ
ーハ洗浄装置におけるウェーハ収納部1は、少なくとも
内面が石英ガラスで作られたfi閉容器で、しかもウェ
ーハ収納部1には、給気口、排気ロア、8が設けである
ものである。
ーハ洗浄装置におけるウェーハ収納部1は、少なくとも
内面が石英ガラスで作られたfi閉容器で、しかもウェ
ーハ収納部1には、給気口、排気ロア、8が設けである
ものである。
作」L
紫外線照射して長時間オゾンをウェーハ収納部1内に発
生させても、金属酸化物の汚染物質によって半導体ウェ
ーハWが再度汚染されることなく、しかも酸素供給及び
有機物汚染物質の分解生成物の排気コントロールができ
る。
生させても、金属酸化物の汚染物質によって半導体ウェ
ーハWが再度汚染されることなく、しかも酸素供給及び
有機物汚染物質の分解生成物の排気コントロールができ
る。
ti化大111
以下、図示の実施例によりこの発明を説明する。
第1図と第2図は、この発明の半導体つ工−ハの洗浄装
置の第1の実施例を示す平面図及び一部切欠正面図であ
る。 ・ 図中1は、ウェーハWを収納するウェーハ収納部であり
、密閉容器である。このつT −ハ収納部1は、たとえ
ば透明の石英ガラスでできたウェーハ容器2と、このウ
ェーハ容器2の間口部3を閉じるたとえば合成石英ガラ
スでCき1c方形状のカバー4(第3図参照)を有して
いる。
置の第1の実施例を示す平面図及び一部切欠正面図であ
る。 ・ 図中1は、ウェーハWを収納するウェーハ収納部であり
、密閉容器である。このつT −ハ収納部1は、たとえ
ば透明の石英ガラスでできたウェーハ容器2と、このウ
ェーハ容器2の間口部3を閉じるたとえば合成石英ガラ
スでCき1c方形状のカバー4(第3図参照)を有して
いる。
ウェーハ容器2は、ウェーハ室5の内底面にウェーハW
を3点支持する受持突起6が円周等分に設けである。ま
た、ウェーハ室5の一方と他方側には、酸素含有ガスの
給気ロア及び排気口8が設けである。そして、ウ−1−
ハ容器2の上面板部9には、上記カバー4を位置決めし
てずれを防止Jるストッパー10が411所に設けであ
る。なお、カバー4の対向する2辺には、把持部4a
、4aが段けである。
を3点支持する受持突起6が円周等分に設けである。ま
た、ウェーハ室5の一方と他方側には、酸素含有ガスの
給気ロア及び排気口8が設けである。そして、ウ−1−
ハ容器2の上面板部9には、上記カバー4を位置決めし
てずれを防止Jるストッパー10が411所に設けであ
る。なお、カバー4の対向する2辺には、把持部4a
、4aが段けである。
第2図に示ずJ:うに、上記構成のウェーハ収納部1の
上方には、オゾン源11が配設しである。このオゾン源
11は、紫外線発生器からなる。紫外線発生器としでは
、たとえば、低圧水銀灯、水銀アーク灯、中圧水銀灯、
高圧水銀灯、キレノン灯、雨水灯、などが用いられる。
上方には、オゾン源11が配設しである。このオゾン源
11は、紫外線発生器からなる。紫外線発生器としでは
、たとえば、低圧水銀灯、水銀アーク灯、中圧水銀灯、
高圧水銀灯、キレノン灯、雨水灯、などが用いられる。
オゾン源11の紫外線の波長は、1849オングストロ
ームと2537オングストロームである。
ームと2537オングストロームである。
したがって、Aシン源11とウェーハ収納部1は、半導
体ウェーハ洗浄装置uを構成している。
体ウェーハ洗浄装置uを構成している。
実j目10ヱ」L
ウェーハWをウェーハ容器2内の支持突起6上に載置し
て、カバー4により開口部3を閉じる。
て、カバー4により開口部3を閉じる。
そして、低圧水銀灯等のAシン源11より紫外線をウェ
ーハWに照射すると共に、酸素を含有Jるたとえば窒素
ガスを給気ロアから入れる。
ーハWに照射すると共に、酸素を含有Jるたとえば窒素
ガスを給気ロアから入れる。
したがって、放射される波長18494ングスト0−ム
の紫外線を空気中の酸素が吸収してオゾンを発生し、こ
のオゾンが分解するときに生じる強力な原子状A!i素
が、紫外線と共にウェーハWの表裏面の汚れの化学結合
を分離・酸化させる。
の紫外線を空気中の酸素が吸収してオゾンを発生し、こ
のオゾンが分解するときに生じる強力な原子状A!i素
が、紫外線と共にウェーハWの表裏面の汚れの化学結合
を分離・酸化させる。
この際、ウェーハ収納部1は石英ガラス製の密14Jl
容器なので、この中で長時間オゾンを発生させても耐蝕
性があり、従来のような金Ii!酸化物の汚染物質の発
生が全くなく、ウェーハWが再び汚染されることはない
。
容器なので、この中で長時間オゾンを発生させても耐蝕
性があり、従来のような金Ii!酸化物の汚染物質の発
生が全くなく、ウェーハWが再び汚染されることはない
。
また、給気ロアから酸素を含有するたとえば窒素ガスを
供給しているので、オゾンににり分解・生成された有機
物汚染物質及び不用なオゾンを排気口8より排気コント
ロールでき、かつたとえウェーハWの右機物付Iffが
多くても、酸素を付与して十分にオゾンの発生を行ない
つI−ハWの表裏面を容易かつ確実に清浄できる。
供給しているので、オゾンににり分解・生成された有機
物汚染物質及び不用なオゾンを排気口8より排気コント
ロールでき、かつたとえウェーハWの右機物付Iffが
多くても、酸素を付与して十分にオゾンの発生を行ない
つI−ハWの表裏面を容易かつ確実に清浄できる。
l工匹割i匠
第4図から第6図に示すように、長い箱状のウェーハ収
納部101は、一方端部が開口されてM索含有ガスの給
気口、排出口108となっている。このウェーハ収納部
101は、アルミニウムなどでできたウェーハ容器10
2と、カバー104を有し、カバー104は摺合わせて
溶接しである。このウェーハ容器102とカバー104
の内面には、たとえば2111厚の板状の合成石英ガラ
ス100が全面にわたり溶接して内張すしである。
納部101は、一方端部が開口されてM索含有ガスの給
気口、排出口108となっている。このウェーハ収納部
101は、アルミニウムなどでできたウェーハ容器10
2と、カバー104を有し、カバー104は摺合わせて
溶接しである。このウェーハ容器102とカバー104
の内面には、たとえば2111厚の板状の合成石英ガラ
ス100が全面にわたり溶接して内張すしである。
第7図と第8図に示すのは1合成石英ガラス製の1−レ
ー150であり、この実施例では枠形で、ウェーハWが
載置される載16部151.151は、第9図に示づよ
うにナイフェツジ形断面となっている。また、把持側に
は、長穴152.152が設けであると共に、中央部で
段差部153が設けである。
ー150であり、この実施例では枠形で、ウェーハWが
載置される載16部151.151は、第9図に示づよ
うにナイフェツジ形断面となっている。また、把持側に
は、長穴152.152が設けであると共に、中央部で
段差部153が設けである。
したがって、第10図に示づように、つl−ハ収納部1
01の上方のオゾン源111から紫外線を照射し、かつ
、ウ−[−ハ収納部101内に、つ1−ハWが載置され
lこ1ヘレー150を段差部153まで入れる。そして
、給気口、排気口108から酸素を含イiするたとえば
窒素ガスを入れオゾンを発生させると」ξに、オゾンに
より分解生成された有機物汚染物質及び不用なオゾンを
同給気口、II気1−1108より排気で仝、ウニ、−
ハWの表裏面を容易かつ確実に洗浄できる。
01の上方のオゾン源111から紫外線を照射し、かつ
、ウ−[−ハ収納部101内に、つ1−ハWが載置され
lこ1ヘレー150を段差部153まで入れる。そして
、給気口、排気口108から酸素を含イiするたとえば
窒素ガスを入れオゾンを発生させると」ξに、オゾンに
より分解生成された有機物汚染物質及び不用なオゾンを
同給気口、II気1−1108より排気で仝、ウニ、−
ハWの表裏面を容易かつ確実に洗浄できる。
11悲丸i九
第11図に示ずにうに、つ、「−へ収納81(201は
、アルミニウムなどでできたウェーハ容5202と、カ
バー204を有し、カバー204は溶接して固定しであ
る。このつ[−ハIfi202及び11バー204の内
面にbたとえば合成の石英ガラス200が全面に内張す
しである。
、アルミニウムなどでできたウェーハ容5202と、カ
バー204を有し、カバー204は溶接して固定しであ
る。このつ[−ハIfi202及び11バー204の内
面にbたとえば合成の石英ガラス200が全面に内張す
しである。
そして、ウェーハ容器202の一方には、第2の実施例
における1−レー150と同様のトレー250を入れ、
かつ′MIR含有ガスの給気するための給気口207が
段けである。そして反対側には排気口208、及びオゾ
ンの排気口300が設けである。また、ウェーハ容器2
02の内底面202aは、給気口207側から排気口2
08側に下がるように傾斜しである。
における1−レー150と同様のトレー250を入れ、
かつ′MIR含有ガスの給気するための給気口207が
段けである。そして反対側には排気口208、及びオゾ
ンの排気口300が設けである。また、ウェーハ容器2
02の内底面202aは、給気口207側から排気口2
08側に下がるように傾斜しである。
したがって、オゾン源211より紫外線を照射し、第2
の実施例と同様のトレー250にウェーハWをikl!
IiRして、給気口207に挿入してaS含有ガスを給
気すれば、分解生成された有機物汚染物質が排気口20
8から出ると共に、不用なオゾンが排出口300より排
出され、ウェーハWの表裏面は確実に洗浄される。
の実施例と同様のトレー250にウェーハWをikl!
IiRして、給気口207に挿入してaS含有ガスを給
気すれば、分解生成された有機物汚染物質が排気口20
8から出ると共に、不用なオゾンが排出口300より排
出され、ウェーハWの表裏面は確実に洗浄される。
ところで、この発明は、上述した実施例に限定されるこ
となく、種々の変形例が考えられる。
となく、種々の変形例が考えられる。
及1Jと旌呈−
以上説明したことから明らかなJ:うに、この発明によ
れば、半導体ウェーハが再び汚染されることがなく、し
かも効率的に有機物汚染物質を分解して排出し、確実に
ウェーハの表裏面を洗浄できる効果がある。
れば、半導体ウェーハが再び汚染されることがなく、し
かも効率的に有機物汚染物質を分解して排出し、確実に
ウェーハの表裏面を洗浄できる効果がある。
第1図はこの発明の第1の実施例を示す平面図、第2図
は同一部切欠正面図、第3図はカバーの平面図、第4図
から第6図は第2の*施例のウェーハ収納部を示ず平面
図、側面図及び正面図、第7図と第8図はつI−へのト
レーを示す平面図と正面図、第9図は第7図の1−1w
Qにおける断面図、第10図と第11図は第2と第3の
実施例を示1斜視図である。 1、、、、、、、ウェーハ収納部 2、、、、、、、ウェーハ容器 4、、、、、、、カバー 7、、、、、、、給気口 8、、、、、、、排気口
は同一部切欠正面図、第3図はカバーの平面図、第4図
から第6図は第2の*施例のウェーハ収納部を示ず平面
図、側面図及び正面図、第7図と第8図はつI−へのト
レーを示す平面図と正面図、第9図は第7図の1−1w
Qにおける断面図、第10図と第11図は第2と第3の
実施例を示1斜視図である。 1、、、、、、、ウェーハ収納部 2、、、、、、、ウェーハ容器 4、、、、、、、カバー 7、、、、、、、給気口 8、、、、、、、排気口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 紫外線発生器からなるオゾン源を有する半 導体ウェーハ洗浄装置において、ウェーハ収納部は、少
くとも内面が石英ガラスにより作られた密閉容器からな
り、このウェーハ収納部は酸素含有ガスの給気口、排気
口を有することを特徴とする半導体ウェーハ洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15926584A JPS6139524A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 半導体ウエ−ハの洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15926584A JPS6139524A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 半導体ウエ−ハの洗浄装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6139524A true JPS6139524A (ja) | 1986-02-25 |
Family
ID=15689989
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15926584A Pending JPS6139524A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 半導体ウエ−ハの洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6139524A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62254429A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-06 | Sony Corp | シリコンウエフアの洗浄方法 |
US5944193A (en) * | 1996-06-27 | 1999-08-31 | Nec Corporation | Wafer storing system having vessel coating with ozone-proof material and method of storing semiconductor wafer |
US7037560B1 (en) * | 1996-07-12 | 2006-05-02 | Tokyo Electron Limited | Film forming method, and film modifying method |
US7148072B2 (en) | 2004-05-28 | 2006-12-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method and apparatus for oxidizing conductive redeposition in TMR sensors |
US8232538B2 (en) | 2009-10-27 | 2012-07-31 | Lam Research Corporation | Method and apparatus of halogen removal using optimal ozone and UV exposure |
US8525139B2 (en) | 2009-10-27 | 2013-09-03 | Lam Research Corporation | Method and apparatus of halogen removal |
Citations (3)
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---|---|---|---|---|
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-
1984
- 1984-07-31 JP JP15926584A patent/JPS6139524A/ja active Pending
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