JPS6139524A - 半導体ウエ−ハの洗浄装置 - Google Patents
半導体ウエ−ハの洗浄装置Info
- Publication number
- JPS6139524A JPS6139524A JP15926584A JP15926584A JPS6139524A JP S6139524 A JPS6139524 A JP S6139524A JP 15926584 A JP15926584 A JP 15926584A JP 15926584 A JP15926584 A JP 15926584A JP S6139524 A JPS6139524 A JP S6139524A
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- oxygen
- ultraviolet rays
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ＬＬ１匹札１ｌｌ
この発明は、半導体ウェーハの洗浄装置に圓するもので
ある。
ある。
慢ｍ区ｌ−
半導体ウェーハのプロセス処理において、半導体ウェー
ハは、作業中に機械、器具、薬品等が接触して極微ｍの
不純物が溶解したり、検査器具に触れたり、作業者の指
先の脂肪がついたりなどの汚染が避けられない。したが
って、半導体ウェーへの洗浄は、各工程で頻繁に行なわ
れる。
ハは、作業中に機械、器具、薬品等が接触して極微ｍの
不純物が溶解したり、検査器具に触れたり、作業者の指
先の脂肪がついたりなどの汚染が避けられない。したが
って、半導体ウェーへの洗浄は、各工程で頻繁に行なわ
れる。
ところで、汚染物質には、有機物と無機物があり、各種
の化学薬品を用いた湿式洗浄方式により、半導体ウェー
への表面や開面に付着している汚染物質を除去するが、
多くの場合、完全に汚染物質を除去することはできず、
多少の量の汚染物質が付着している。
の化学薬品を用いた湿式洗浄方式により、半導体ウェー
への表面や開面に付着している汚染物質を除去するが、
多くの場合、完全に汚染物質を除去することはできず、
多少の量の汚染物質が付着している。
最近、有機物の汚染物質の除去については、紫外線とオ
ゾンの組合わせによる半導体ウェーへの処理技術が進歩
し、エピタキシ１？ル工程や、レジスト工程等での洗浄
に応用されつつある。
ゾンの組合わせによる半導体ウェーへの処理技術が進歩
し、エピタキシ１？ル工程や、レジスト工程等での洗浄
に応用されつつある。
この原理は、低圧水銀灯等により放射される紫外線を空
気中の酸素が吸収してオゾンを発生し、このオゾンが分
解するときに生じる強力な原子状酸素が、紫外線と共に
汚れの化学結合を分離、酸化させるものである。
気中の酸素が吸収してオゾンを発生し、このオゾンが分
解するときに生じる強力な原子状酸素が、紫外線と共に
汚れの化学結合を分離、酸化させるものである。
、Ｉが °しようとするロ ｒ
このような洗浄装置は、半導体ウェーハ収納部が陽極酸
化皮膜を持つアルミニウム等の耐蝕性の高い材質でてぎ
ているが、しかしながらオゾンにより表面が徐々に侵蝕
され、金ｍ酸化物の汚染物質を生じる。したがって、半
導体ウェーハが再び汚染され易く、また収納部が密閉さ
れるため、酸素不足となり、半導体ウェーへの表面の有
機物付着最が多い場合は、オゾンの発生」が十分でなく
、半導体ウェーへの表面が清浄にならない。
化皮膜を持つアルミニウム等の耐蝕性の高い材質でてぎ
ているが、しかしながらオゾンにより表面が徐々に侵蝕
され、金ｍ酸化物の汚染物質を生じる。したがって、半
導体ウェーハが再び汚染され易く、また収納部が密閉さ
れるため、酸素不足となり、半導体ウェーへの表面の有
機物付着最が多い場合は、オゾンの発生」が十分でなく
、半導体ウェーへの表面が清浄にならない。
１１Ｌ１胤
この発明は、上記欠点を解決するためになされたもので
あり、半導体ウェーハが再び汚染されることなく、しか
も効率的に有機物汚染物質を分解し、確実にウェーハの
表裏面を洗浄できる半導体ウェーハ洗浄装置を提供する
ことを目的とする。
あり、半導体ウェーハが再び汚染されることなく、しか
も効率的に有機物汚染物質を分解し、確実にウェーハの
表裏面を洗浄できる半導体ウェーハ洗浄装置を提供する
ことを目的とする。
ｌ１匹１１
したがって、この目的を達成するためにこの発明の要旨
は、紫外線発生器からなるオゾン源を有づる半導体ウェ
ーハ洗浄装置において、ウェーハ収納部は、少くとも内
面が石英ガラスにより作られた密閉容器からなり、この
ウェーハ収納部は酸素含有ガスの給気口、排気口を有す
ることにある。
は、紫外線発生器からなるオゾン源を有づる半導体ウェ
ーハ洗浄装置において、ウェーハ収納部は、少くとも内
面が石英ガラスにより作られた密閉容器からなり、この
ウェーハ収納部は酸素含有ガスの給気口、排気口を有す
ることにある。
ム を “ るた の
紫外線発生器からなるオゾン源１１を右する半導体ウェ
ーハ洗浄装置におけるウェーハ収納部１は、少なくとも
内面が石英ガラスで作られたｆｉ閉容器で、しかもウェ
ーハ収納部１には、給気口、排気ロア、８が設けである
ものである。
ーハ洗浄装置におけるウェーハ収納部１は、少なくとも
内面が石英ガラスで作られたｆｉ閉容器で、しかもウェ
ーハ収納部１には、給気口、排気ロア、８が設けである
ものである。
作」Ｌ
紫外線照射して長時間オゾンをウェーハ収納部１内に発
生させても、金属酸化物の汚染物質によって半導体ウェ
ーハＷが再度汚染されることなく、しかも酸素供給及び
有機物汚染物質の分解生成物の排気コントロールができ
る。
生させても、金属酸化物の汚染物質によって半導体ウェ
ーハＷが再度汚染されることなく、しかも酸素供給及び
有機物汚染物質の分解生成物の排気コントロールができ
る。
ｔｉ化大１１１
以下、図示の実施例によりこの発明を説明する。
第１図と第２図は、この発明の半導体つ工−ハの洗浄装
置の第１の実施例を示す平面図及び一部切欠正面図であ
る。 ・ 図中１は、ウェーハＷを収納するウェーハ収納部であり
、密閉容器である。このつＴ −ハ収納部１は、たとえ
ば透明の石英ガラスでできたウェーハ容器２と、このウ
ェーハ容器２の間口部３を閉じるたとえば合成石英ガラ
スでＣき１ｃ方形状のカバー４（第３図参照）を有して
いる。
置の第１の実施例を示す平面図及び一部切欠正面図であ
る。 ・ 図中１は、ウェーハＷを収納するウェーハ収納部であり
、密閉容器である。このつＴ −ハ収納部１は、たとえ
ば透明の石英ガラスでできたウェーハ容器２と、このウ
ェーハ容器２の間口部３を閉じるたとえば合成石英ガラ
スでＣき１ｃ方形状のカバー４（第３図参照）を有して
いる。
ウェーハ容器２は、ウェーハ室５の内底面にウェーハＷ
を３点支持する受持突起６が円周等分に設けである。ま
た、ウェーハ室５の一方と他方側には、酸素含有ガスの
給気ロア及び排気口８が設けである。そして、ウ−１−
ハ容器２の上面板部９には、上記カバー４を位置決めし
てずれを防止Ｊるストッパー１０が４１１所に設けであ
る。なお、カバー４の対向する２辺には、把持部４ａ
、４ａが段けである。
を３点支持する受持突起６が円周等分に設けである。ま
た、ウェーハ室５の一方と他方側には、酸素含有ガスの
給気ロア及び排気口８が設けである。そして、ウ−１−
ハ容器２の上面板部９には、上記カバー４を位置決めし
てずれを防止Ｊるストッパー１０が４１１所に設けであ
る。なお、カバー４の対向する２辺には、把持部４ａ
、４ａが段けである。
第２図に示ずＪ：うに、上記構成のウェーハ収納部１の
上方には、オゾン源１１が配設しである。このオゾン源
１１は、紫外線発生器からなる。紫外線発生器としでは
、たとえば、低圧水銀灯、水銀アーク灯、中圧水銀灯、
高圧水銀灯、キレノン灯、雨水灯、などが用いられる。
上方には、オゾン源１１が配設しである。このオゾン源
１１は、紫外線発生器からなる。紫外線発生器としでは
、たとえば、低圧水銀灯、水銀アーク灯、中圧水銀灯、
高圧水銀灯、キレノン灯、雨水灯、などが用いられる。
オゾン源１１の紫外線の波長は、１８４９オングストロ
ームと２５３７オングストロームである。
ームと２５３７オングストロームである。
したがって、Ａシン源１１とウェーハ収納部１は、半導
体ウェーハ洗浄装置ｕを構成している。
体ウェーハ洗浄装置ｕを構成している。
実ｊ目１０ヱ」Ｌ
ウェーハＷをウェーハ容器２内の支持突起６上に載置し
て、カバー４により開口部３を閉じる。
て、カバー４により開口部３を閉じる。
そして、低圧水銀灯等のＡシン源１１より紫外線をウェ
ーハＷに照射すると共に、酸素を含有Ｊるたとえば窒素
ガスを給気ロアから入れる。
ーハＷに照射すると共に、酸素を含有Ｊるたとえば窒素
ガスを給気ロアから入れる。
したがって、放射される波長１８４９４ングスト０−ム
の紫外線を空気中の酸素が吸収してオゾンを発生し、こ
のオゾンが分解するときに生じる強力な原子状Ａ！ｉ素
が、紫外線と共にウェーハＷの表裏面の汚れの化学結合
を分離・酸化させる。
の紫外線を空気中の酸素が吸収してオゾンを発生し、こ
のオゾンが分解するときに生じる強力な原子状Ａ！ｉ素
が、紫外線と共にウェーハＷの表裏面の汚れの化学結合
を分離・酸化させる。
この際、ウェーハ収納部１は石英ガラス製の密１４Ｊｌ
容器なので、この中で長時間オゾンを発生させても耐蝕
性があり、従来のような金Ｉｉ！酸化物の汚染物質の発
生が全くなく、ウェーハＷが再び汚染されることはない
。
容器なので、この中で長時間オゾンを発生させても耐蝕
性があり、従来のような金Ｉｉ！酸化物の汚染物質の発
生が全くなく、ウェーハＷが再び汚染されることはない
。
また、給気ロアから酸素を含有するたとえば窒素ガスを
供給しているので、オゾンににり分解・生成された有機
物汚染物質及び不用なオゾンを排気口８より排気コント
ロールでき、かつたとえウェーハＷの右機物付Ｉｆｆが
多くても、酸素を付与して十分にオゾンの発生を行ない
つＩ−ハＷの表裏面を容易かつ確実に清浄できる。
供給しているので、オゾンににり分解・生成された有機
物汚染物質及び不用なオゾンを排気口８より排気コント
ロールでき、かつたとえウェーハＷの右機物付Ｉｆｆが
多くても、酸素を付与して十分にオゾンの発生を行ない
つＩ−ハＷの表裏面を容易かつ確実に清浄できる。
ｌ工匹割ｉ匠
第４図から第６図に示すように、長い箱状のウェーハ収
納部１０１は、一方端部が開口されてＭ索含有ガスの給
気口、排出口１０８となっている。このウェーハ収納部
１０１は、アルミニウムなどでできたウェーハ容器１０
２と、カバー１０４を有し、カバー１０４は摺合わせて
溶接しである。このウェーハ容器１０２とカバー１０４
の内面には、たとえば２１１１厚の板状の合成石英ガラ
ス１００が全面にわたり溶接して内張すしである。
納部１０１は、一方端部が開口されてＭ索含有ガスの給
気口、排出口１０８となっている。このウェーハ収納部
１０１は、アルミニウムなどでできたウェーハ容器１０
２と、カバー１０４を有し、カバー１０４は摺合わせて
溶接しである。このウェーハ容器１０２とカバー１０４
の内面には、たとえば２１１１厚の板状の合成石英ガラ
ス１００が全面にわたり溶接して内張すしである。
第７図と第８図に示すのは１合成石英ガラス製の１−レ
ー１５０であり、この実施例では枠形で、ウェーハＷが
載置される載１６部１５１．１５１は、第９図に示づよ
うにナイフェツジ形断面となっている。また、把持側に
は、長穴１５２．１５２が設けであると共に、中央部で
段差部１５３が設けである。
ー１５０であり、この実施例では枠形で、ウェーハＷが
載置される載１６部１５１．１５１は、第９図に示づよ
うにナイフェツジ形断面となっている。また、把持側に
は、長穴１５２．１５２が設けであると共に、中央部で
段差部１５３が設けである。
したがって、第１０図に示づように、つｌ−ハ収納部１
０１の上方のオゾン源１１１から紫外線を照射し、かつ
、ウ−［−ハ収納部１０１内に、つ１−ハＷが載置され
ｌこ１ヘレー１５０を段差部１５３まで入れる。そして
、給気口、排気口１０８から酸素を含イｉするたとえば
窒素ガスを入れオゾンを発生させると」ξに、オゾンに
より分解生成された有機物汚染物質及び不用なオゾンを
同給気口、ＩＩ気１−１１０８より排気で仝、ウニ、−
ハＷの表裏面を容易かつ確実に洗浄できる。
０１の上方のオゾン源１１１から紫外線を照射し、かつ
、ウ−［−ハ収納部１０１内に、つ１−ハＷが載置され
ｌこ１ヘレー１５０を段差部１５３まで入れる。そして
、給気口、排気口１０８から酸素を含イｉするたとえば
窒素ガスを入れオゾンを発生させると」ξに、オゾンに
より分解生成された有機物汚染物質及び不用なオゾンを
同給気口、ＩＩ気１−１１０８より排気で仝、ウニ、−
ハＷの表裏面を容易かつ確実に洗浄できる。
１１悲丸ｉ九
第１１図に示ずにうに、つ、「−へ収納８１（２０１は
、アルミニウムなどでできたウェーハ容５２０２と、カ
バー２０４を有し、カバー２０４は溶接して固定しであ
る。このつ［−ハＩｆｉ２０２及び１１バー２０４の内
面にｂたとえば合成の石英ガラス２００が全面に内張す
しである。
、アルミニウムなどでできたウェーハ容５２０２と、カ
バー２０４を有し、カバー２０４は溶接して固定しであ
る。このつ［−ハＩｆｉ２０２及び１１バー２０４の内
面にｂたとえば合成の石英ガラス２００が全面に内張す
しである。
そして、ウェーハ容器２０２の一方には、第２の実施例
における１−レー１５０と同様のトレー２５０を入れ、
かつ′ＭＩＲ含有ガスの給気するための給気口２０７が
段けである。そして反対側には排気口２０８、及びオゾ
ンの排気口３００が設けである。また、ウェーハ容器２
０２の内底面２０２ａは、給気口２０７側から排気口２
０８側に下がるように傾斜しである。
における１−レー１５０と同様のトレー２５０を入れ、
かつ′ＭＩＲ含有ガスの給気するための給気口２０７が
段けである。そして反対側には排気口２０８、及びオゾ
ンの排気口３００が設けである。また、ウェーハ容器２
０２の内底面２０２ａは、給気口２０７側から排気口２
０８側に下がるように傾斜しである。
したがって、オゾン源２１１より紫外線を照射し、第２
の実施例と同様のトレー２５０にウェーハＷをｉｋｌ！
ＩｉＲして、給気口２０７に挿入してａＳ含有ガスを給
気すれば、分解生成された有機物汚染物質が排気口２０
８から出ると共に、不用なオゾンが排出口３００より排
出され、ウェーハＷの表裏面は確実に洗浄される。
の実施例と同様のトレー２５０にウェーハＷをｉｋｌ！
ＩｉＲして、給気口２０７に挿入してａＳ含有ガスを給
気すれば、分解生成された有機物汚染物質が排気口２０
８から出ると共に、不用なオゾンが排出口３００より排
出され、ウェーハＷの表裏面は確実に洗浄される。
ところで、この発明は、上述した実施例に限定されるこ
となく、種々の変形例が考えられる。
となく、種々の変形例が考えられる。
及１Ｊと旌呈−
以上説明したことから明らかなＪ：うに、この発明によ
れば、半導体ウェーハが再び汚染されることがなく、し
かも効率的に有機物汚染物質を分解して排出し、確実に
ウェーハの表裏面を洗浄できる効果がある。
れば、半導体ウェーハが再び汚染されることがなく、し
かも効率的に有機物汚染物質を分解して排出し、確実に
ウェーハの表裏面を洗浄できる効果がある。
第１図はこの発明の第１の実施例を示す平面図、第２図
は同一部切欠正面図、第３図はカバーの平面図、第４図
から第６図は第２の＊施例のウェーハ収納部を示ず平面
図、側面図及び正面図、第７図と第８図はつＩ−へのト
レーを示す平面図と正面図、第９図は第７図の１−１ｗ
Ｑにおける断面図、第１０図と第１１図は第２と第３の
実施例を示１斜視図である。 １、、、、、、、ウェーハ収納部 ２、、、、、、、ウェーハ容器 ４、、、、、、、カバー ７、、、、、、、給気口 ８、、、、、、、排気口
は同一部切欠正面図、第３図はカバーの平面図、第４図
から第６図は第２の＊施例のウェーハ収納部を示ず平面
図、側面図及び正面図、第７図と第８図はつＩ−へのト
レーを示す平面図と正面図、第９図は第７図の１−１ｗ
Ｑにおける断面図、第１０図と第１１図は第２と第３の
実施例を示１斜視図である。 １、、、、、、、ウェーハ収納部 ２、、、、、、、ウェーハ容器 ４、、、、、、、カバー ７、、、、、、、給気口 ８、、、、、、、排気口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 紫外線発生器からなるオゾン源を有する半 導体ウェーハ洗浄装置において、ウェーハ収納部は、少
くとも内面が石英ガラスにより作られた密閉容器からな
り、このウェーハ収納部は酸素含有ガスの給気口、排気
口を有することを特徴とする半導体ウェーハ洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15926584A JPS6139524A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 半導体ウエ−ハの洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15926584A JPS6139524A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 半導体ウエ−ハの洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6139524A true JPS6139524A (ja) | 1986-02-25 |
Family
ID=15689989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15926584A Pending JPS6139524A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 半導体ウエ−ハの洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6139524A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62254429A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-06 | Sony Corp | シリコンウエフアの洗浄方法 |
| US5944193A (en) * | 1996-06-27 | 1999-08-31 | Nec Corporation | Wafer storing system having vessel coating with ozone-proof material and method of storing semiconductor wafer |
| US7037560B1 (en) * | 1996-07-12 | 2006-05-02 | Tokyo Electron Limited | Film forming method, and film modifying method |
| US7148072B2 (en) | 2004-05-28 | 2006-12-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method and apparatus for oxidizing conductive redeposition in TMR sensors |
| US8232538B2 (en) | 2009-10-27 | 2012-07-31 | Lam Research Corporation | Method and apparatus of halogen removal using optimal ozone and UV exposure |
| US8525139B2 (en) | 2009-10-27 | 2013-09-03 | Lam Research Corporation | Method and apparatus of halogen removal |
Citations (3)
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| JPS59112935A (ja) * | 1982-12-21 | 1984-06-29 | Teijin Ltd | アルキルモノ置換ヒドロキノンの製造方法 |
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-
1984
- 1984-07-31 JP JP15926584A patent/JPS6139524A/ja active Pending
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