JPS63121A - 蒸気乾燥洗浄装置 - Google Patents
蒸気乾燥洗浄装置Info
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- JPS63121A JPS63121A JP14891387A JP14891387A JPS63121A JP S63121 A JPS63121 A JP S63121A JP 14891387 A JP14891387 A JP 14891387A JP 14891387 A JP14891387 A JP 14891387A JP S63121 A JPS63121 A JP S63121A
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Landscapes
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、蒸気乾燥洗浄装置に関するものであり、特に
、キャリアに保持された半導体ウェーハを蒸気乾燥洗浄
装置の内部で蒸気洗浄乾燥した後に、半導体ウェーハの
表面に付着している薄膜状態あるいは分子単位の蒸気洗
浄液、さらには該液中に含まれていた有機物質を完全に
取り除き、半導体ウェーハの表面を理想的な洗浄乾燥状
態とすることができる蒸気乾燥洗浄装置に関するもので
ある。
、キャリアに保持された半導体ウェーハを蒸気乾燥洗浄
装置の内部で蒸気洗浄乾燥した後に、半導体ウェーハの
表面に付着している薄膜状態あるいは分子単位の蒸気洗
浄液、さらには該液中に含まれていた有機物質を完全に
取り除き、半導体ウェーハの表面を理想的な洗浄乾燥状
態とすることができる蒸気乾燥洗浄装置に関するもので
ある。
(従来の技術)
従来から、例えばシリコン等の半導体ウェーハ(以下、
単にウェーハという)の製造工程では、該ウェーハを化
学処理した後の洗浄工程が必要であった。そして、この
洗浄工程を一つの装置として具体化したのが、よく知ら
れているように、蒸気洗浄装置である。
単にウェーハという)の製造工程では、該ウェーハを化
学処理した後の洗浄工程が必要であった。そして、この
洗浄工程を一つの装置として具体化したのが、よく知ら
れているように、蒸気洗浄装置である。
この蒸気洗浄装置では、ますウェーハは、キャリアに保
持された状態で該装置内に装填される。
持された状態で該装置内に装填される。
その町ウェーハは、キャリアを移動する可動ハンガによ
り、キャリアと共に、イオンを除去した水(以下、DI
ウォータという)の中に浸漬され、洗浄される。
り、キャリアと共に、イオンを除去した水(以下、DI
ウォータという)の中に浸漬され、洗浄される。
このようにして洗浄されたウェーハは、その後、蒸気洗
浄槽の中へ前記可動ハンガによってキャリアと共に運ば
れる。
浄槽の中へ前記可動ハンガによってキャリアと共に運ば
れる。
この蒸気洗浄槽では、石英容器の中へ適量入れられた、
例えばイソプロピルアルコール(以下、IPAという)
が下からのヒータの熱によって温められて、該容器中で
気化している。
例えばイソプロピルアルコール(以下、IPAという)
が下からのヒータの熱によって温められて、該容器中で
気化している。
なお、このIPAは、発火点が310℃、沸点が82.
7℃、引火点が21℃の液体である。
7℃、引火点が21℃の液体である。
このIPAの蒸気中に、前記ウエテハが運ばれてくると
、水分(DIウォータ)の付着したつ工−ハにより、I
PA蒸気が冷却液化され、液化IPAはウェーハ表面を
流下する。その間に、つ工−ハに付着していた水分は、
IPAと置換され、水分がウェーハから除去される。
、水分(DIウォータ)の付着したつ工−ハにより、I
PA蒸気が冷却液化され、液化IPAはウェーハ表面を
流下する。その間に、つ工−ハに付着していた水分は、
IPAと置換され、水分がウェーハから除去される。
またこのとき、ウェーハは!PA−の蒸気により次第に
加熱され、ウェーハの温度がIPA蒸気のそれと同等に
なると、IPへの液化は起らなくなる。
加熱され、ウェーハの温度がIPA蒸気のそれと同等に
なると、IPへの液化は起らなくなる。
この為に、前記DIウォータの洗浄によって付着した微
小な異物等がきれいに洗い流されると共に、ウェーハ表
面は、乾燥状態となる。
小な異物等がきれいに洗い流されると共に、ウェーハ表
面は、乾燥状態となる。
なお、前記石英容器の上部には、前記ウェーハを保持し
たキャリアが人出可能な空間を残して蛇管が配設されて
いる。これは、気化したIPAが蛇管内を流れる冷却水
によって冷され、液化して、再び石英容器の中へ還元さ
れるようにする為である。
たキャリアが人出可能な空間を残して蛇管が配設されて
いる。これは、気化したIPAが蛇管内を流れる冷却水
によって冷され、液化して、再び石英容器の中へ還元さ
れるようにする為である。
以上のようにして、蒸気洗浄乾燥されたウェーハは、可
動ハンガによってキャリアと共に、蒸気洗浄装置のウェ
ーハ取出し部まで運ばれ、その後、取り出されることに
なる。
動ハンガによってキャリアと共に、蒸気洗浄装置のウェ
ーハ取出し部まで運ばれ、その後、取り出されることに
なる。
一前記したようにして蒸気洗浄乾燥された後のつ工−ハ
表面は、乾燥状態となる。しかし、これをミクロ的に見
ると、薄膜状態求たは分子単位で、IPAがウェーハ表
面に付着しているのが通常である。
表面は、乾燥状態となる。しかし、これをミクロ的に見
ると、薄膜状態求たは分子単位で、IPAがウェーハ表
面に付着しているのが通常である。
このようなIPAは、時間の経過につれて自然拡散する
為に消失し、完全な乾燥状態となる。
為に消失し、完全な乾燥状態となる。
(発明が解決しようとする問題点)
上記した従来の技術は、次のような問題点を有していた
。
。
(1)前記したように、蒸気洗浄乾燥後のウェー71表
面には、自然拡散する前のIPAが薄膜状態または分子
単位で付着している。この為に、つx−八を蒸気洗浄乾
燥した後、直ちに、次の工程での処理を行なうことがで
きないという欠点があった。
面には、自然拡散する前のIPAが薄膜状態または分子
単位で付着している。この為に、つx−八を蒸気洗浄乾
燥した後、直ちに、次の工程での処理を行なうことがで
きないという欠点があった。
すなわち、従来においては、ウェーハを蒸気洗浄乾燥し
てから、次の工程の処理を行なうまでには、IPAが完
全に自然拡散するまで、予定時間待たなければならない
という欠点があった。
てから、次の工程の処理を行なうまでには、IPAが完
全に自然拡散するまで、予定時間待たなければならない
という欠点があった。
(2)蒸気洗浄乾燥後のウェーハ表面に付着しているI
PAが、例えば、自然拡散などで消失しても、前記ウェ
ーハ表面には炭素などの有機物質が付着している場合が
あり、完全な洗浄状態とすることが困難であった。
PAが、例えば、自然拡散などで消失しても、前記ウェ
ーハ表面には炭素などの有機物質が付着している場合が
あり、完全な洗浄状態とすることが困難であった。
本発明は、前述の問題点を解決するためになされたもの
である。 、 (問題点を解決するための手段および作用)前記の問題
点を解決するために、本発明は、蒸気洗浄乾燥後のキャ
リアに保持されたウェーハの表面に付着している有機物
質を分解して取り除くために、遠紫外線をウェーハに照
射するように構成した点に特徴がある。遠紫外線により
、つj−−ハ周辺の酸素がオゾン化または/およびラジ
カル酸素化され、ウェーハ表面の有機物質(炭素など)
が分解除去される。
である。 、 (問題点を解決するための手段および作用)前記の問題
点を解決するために、本発明は、蒸気洗浄乾燥後のキャ
リアに保持されたウェーハの表面に付着している有機物
質を分解して取り除くために、遠紫外線をウェーハに照
射するように構成した点に特徴がある。遠紫外線により
、つj−−ハ周辺の酸素がオゾン化または/およびラジ
カル酸素化され、ウェーハ表面の有機物質(炭素など)
が分解除去される。
(実施例)
以下に、図面を参照して、本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の蒸気乾燥洗浄装置の一実施例で、ウ
ェーハ挿入部1およびウェーハ取出し部4にそれぞれパ
ススルールームが用いられた蒸気乾燥洗浄装置の一部断
面図である。
ェーハ挿入部1およびウェーハ取出し部4にそれぞれパ
ススルールームが用いられた蒸気乾燥洗浄装置の一部断
面図である。
なお、ウェーハ挿入部1とウェーハ取出し部4との構成
はほぼ同様であるので、便宜上、ウェーハ挿入部1の構
造の説明は、ウェーハ取出し部4の説明の後に行なう。
はほぼ同様であるので、便宜上、ウェーハ挿入部1の構
造の説明は、ウェーハ取出し部4の説明の後に行なう。
第1図において、DIウォータ洗浄槽2を構成する容器
5の中には、DIウォータ6が常に適量貯留されている
。なお、このDIウォータ6は、図示しない既知の手段
により、常時予定量が放水され、かつまた、前記放水毫
だけ供給されている。
5の中には、DIウォータ6が常に適量貯留されている
。なお、このDIウォータ6は、図示しない既知の手段
により、常時予定量が放水され、かつまた、前記放水毫
だけ供給されている。
この為に、DIウォータ6は常に清浄な状態に保たれて
いる。
いる。
蒸気洗浄槽3は、以下のような構成からなっている。す
なわち、ヒータが密閉状態で内蔵されているアルミボッ
クス7の上には、IPA8を入れた石英容器9が置かれ
ている。
なわち、ヒータが密閉状態で内蔵されているアルミボッ
クス7の上には、IPA8を入れた石英容器9が置かれ
ている。
なお、この石英容器9の上方には、図面を簡略化する為
に図示しないが、IPA8の蒸気を冷却して凝縮還元す
る為の蛇管が配設されている。前記アルミボックス7お
よび石英容器9等は、ステンレス容器10に収納されて
いる。
に図示しないが、IPA8の蒸気を冷却して凝縮還元す
る為の蛇管が配設されている。前記アルミボックス7お
よび石英容器9等は、ステンレス容器10に収納されて
いる。
また、ウェーハ取出し部4には、ウェーハを保持したキ
ャリアを載置するレール台11が、その下部に配置され
ている。前記レール台11の長手方向の手前側には、手
動で開閉する外扉(図示せず)が形成されている。
ャリアを載置するレール台11が、その下部に配置され
ている。前記レール台11の長手方向の手前側には、手
動で開閉する外扉(図示せず)が形成されている。
前記レール台11の上方には、蒸気乾燥洗浄装置の内部
雰囲気からウェーハ取出し部4を仕切る為の天井部13
が設けられ、さらに、該天井部13には、既知の手段に
より自動的に開閉する内扉14が設けられている。
雰囲気からウェーハ取出し部4を仕切る為の天井部13
が設けられ、さらに、該天井部13には、既知の手段に
より自動的に開閉する内扉14が設けられている。
すなわち、ウェーハ取出し部4は、内扉14を閉塞する
ことによって、蒸気乾燥洗浄装置の内部雰囲気から遮断
されるように構成されている。
ことによって、蒸気乾燥洗浄装置の内部雰囲気から遮断
されるように構成されている。
このウェーハ取出し部4の上部には、N2ガス(窒素ガ
ス)、または酸素を含むガス(例えば空気)を、それぞ
れ該ウェーハ取出し部4の内部に供給する為の給気ダク
ト15aおよび15bと、第2の給気ダクト33aおよ
び33bが配設されている。
ス)、または酸素を含むガス(例えば空気)を、それぞ
れ該ウェーハ取出し部4の内部に供給する為の給気ダク
ト15aおよび15bと、第2の給気ダクト33aおよ
び33bが配設されている。
また、ウェーハ取出し部4の底板部には、前記給気ダク
ト15aおよび15bから供給されるN2ガス、または
前記第2の給気ダクト33aまたは33bから供給され
る空気を排気する為の排気ダクト16aおよび16bが
配設されている。
ト15aおよび15bから供給されるN2ガス、または
前記第2の給気ダクト33aまたは33bから供給され
る空気を排気する為の排気ダクト16aおよび16bが
配設されている。
さらに、前記レール台11の下部に当るウェーハ取出し
部4の底板部には、ウェーハを保持したキャリアを引き
出す際に、該キャリアとレール台11との摩耗によって
生じる微小塵埃(パーティクル)を吸引し、排出する為
の吸入ダクト17が設けられている。
部4の底板部には、ウェーハを保持したキャリアを引き
出す際に、該キャリアとレール台11との摩耗によって
生じる微小塵埃(パーティクル)を吸引し、排出する為
の吸入ダクト17が設けられている。
ウェーハ挿入部1の構成は、前記第2の給気ダクト33
aおよび33bか設けられていないのみで、前記したウ
ェーハ取出し部4とほぼ同様である。したがって、以下
の説明および図面では、つ工−ハ取出し部4と同一また
は同等のウェーハ挿入部1の部分については、ウェーハ
取出し部4において、二桁目の符号を1o番代としたと
ころを、20番代として記載する。
aおよび33bか設けられていないのみで、前記したウ
ェーハ取出し部4とほぼ同様である。したがって、以下
の説明および図面では、つ工−ハ取出し部4と同一また
は同等のウェーハ挿入部1の部分については、ウェーハ
取出し部4において、二桁目の符号を1o番代としたと
ころを、20番代として記載する。
以上のような構成からなる蒸気乾燥洗浄装置では、まず
、オペレータが、ウェーハ挿入部1の外扉を開いて、ウ
ェーハを保持したキャリアを、レール台21の上に載せ
る。
、オペレータが、ウェーハ挿入部1の外扉を開いて、ウ
ェーハを保持したキャリアを、レール台21の上に載せ
る。
その後、オペレータは、ウェーハ挿入部1の所定場所ま
で、前記キャリアをレール台21に沿って移動させる。
で、前記キャリアをレール台21に沿って移動させる。
このようにして、レール台21の所定場所に載置された
ウェーハ19を保持したキャリア20を、第1図に破線
で示す。
ウェーハ19を保持したキャリア20を、第1図に破線
で示す。
前記キャリア20を所定場所まで移動させたオペレータ
は、ウェーハ挿入部1の外扉を閉じる。
は、ウェーハ挿入部1の外扉を閉じる。
なお、ウェーハ19を保持したキャリア20を装填する
際に、外扉を開けるので、ウェーハ挿入部1の内部雰囲
気と外気とは連通状態となるが、この状態では、内扉2
4は閉じられているので、蒸気乾燥洗浄装置の内部雰囲
気と外気とが連通状態となることはない。
際に、外扉を開けるので、ウェーハ挿入部1の内部雰囲
気と外気とは連通状態となるが、この状態では、内扉2
4は閉じられているので、蒸気乾燥洗浄装置の内部雰囲
気と外気とが連通状態となることはない。
また、本実施例では、ウェーハ挿入部1の内部に、濾過
された清浄なN2ガスを、常時、給気ダクト25aおよ
び25bから供給している。この結果、ウェーハ挿入部
1の内部は外気圧に対して陽圧状態であるので、ウェー
ハ19を保持したキャリア20を装填する為に、外扉が
開けられても、該ウェーハ挿入部1の内部に外気中の微
小な異物等が侵入する心配はほとんどない。
された清浄なN2ガスを、常時、給気ダクト25aおよ
び25bから供給している。この結果、ウェーハ挿入部
1の内部は外気圧に対して陽圧状態であるので、ウェー
ハ19を保持したキャリア20を装填する為に、外扉が
開けられても、該ウェーハ挿入部1の内部に外気中の微
小な異物等が侵入する心配はほとんどない。
なお、本実施例では、貫通孔28を介して吸入ダクト2
7から前記N2ガスを吸引している。この為に、前記キ
ャリア20をレール台21に沿って移動させる際に、該
キャリア20とレール台21との摩耗によって生ずるパ
ーティクルは、前記N2ガスと共に吸引されて排出され
る。
7から前記N2ガスを吸引している。この為に、前記キ
ャリア20をレール台21に沿って移動させる際に、該
キャリア20とレール台21との摩耗によって生ずるパ
ーティクルは、前記N2ガスと共に吸引されて排出され
る。
また、ウェーハ19を保持したキャリア20を装填した
後、外扉を閉じてから、予定の時間、該キャリア20は
ウェーハ挿入部1の中にそのままの状態で置かれる。
後、外扉を閉じてから、予定の時間、該キャリア20は
ウェーハ挿入部1の中にそのままの状態で置かれる。
これは、ウェーハ19を保持したキャリア20を、オペ
レータがウェーハ挿入部1内に装填する際に、前記した
ように、該ウェーハ挿入部1の内部にはパーティクルが
侵入する可能性があるので、これを前記N2ガスの流れ
によって排出する為である。
レータがウェーハ挿入部1内に装填する際に、前記した
ように、該ウェーハ挿入部1の内部にはパーティクルが
侵入する可能性があるので、これを前記N2ガスの流れ
によって排出する為である。
すなわち、給気ダクト25aおよび25bから供給され
たN2ガスは、ウェーハ挿入部1の内部を通過して、前
記吸入ダクト27に吸引されて排出されると共に、排気
ダクト26aおよび26bからも排気されるが、この時
、前記パーティクルも同時に排出して、ウェーハ挿入部
1の内部雰囲気を清浄な状態とする。
たN2ガスは、ウェーハ挿入部1の内部を通過して、前
記吸入ダクト27に吸引されて排出されると共に、排気
ダクト26aおよび26bからも排気されるが、この時
、前記パーティクルも同時に排出して、ウェーハ挿入部
1の内部雰囲気を清浄な状態とする。
前記予定時間が経過すると、内扉24が、既知の手段に
より自動的に開状態となる。その後、可動ハンガ30が
、ウェーハ挿入部1内へ侵入して、キャリア20の孔2
0aと係合する。そして、前記キャリア20は、可動ハ
ンガ30によって蒸気乾燥洗浄装置の内部空間へ運び出
される。その後、内扉24は、自動的に閉塞状態となる
。
より自動的に開状態となる。その後、可動ハンガ30が
、ウェーハ挿入部1内へ侵入して、キャリア20の孔2
0aと係合する。そして、前記キャリア20は、可動ハ
ンガ30によって蒸気乾燥洗浄装置の内部空間へ運び出
される。その後、内扉24は、自動的に閉塞状態となる
。
前記蒸気乾燥洗浄装置の内部空間へ運び出されたウェー
ハ19は、まず、可動ハンガ30によって、キャリア2
0と共に、D1ウォータ6中に浸漬され、清浄される。
ハ19は、まず、可動ハンガ30によって、キャリア2
0と共に、D1ウォータ6中に浸漬され、清浄される。
その後、ウェーハ19は、キャリア20と共に可動ハン
ガ30によって蒸気洗浄槽3の中へ運ばれる。
ガ30によって蒸気洗浄槽3の中へ運ばれる。
そして、ここで蒸気洗浄乾燥されたウェーハ19は、キ
ャリア20と共に可動ハンガ30によって、−旦、蒸気
洗浄槽3の上方へ持ち上げられ、その後、ウェーハ取出
し部4の上方まで運ばれる。
ャリア20と共に可動ハンガ30によって、−旦、蒸気
洗浄槽3の上方へ持ち上げられ、その後、ウェーハ取出
し部4の上方まで運ばれる。
なお、この時、ウェーハ取出し部4の内扉14は自動的
に開かれる。
に開かれる。
前記ウェーハ取出し部4の上方まで運ばれてきたウェー
ハ19は、キャリア20と共に可動ハンガ30によって
降下され、ウェーハ取出し部4の内部に挿入され、その
後、レール台11上に載置される。この状態を第1図に
実線で示す。
ハ19は、キャリア20と共に可動ハンガ30によって
降下され、ウェーハ取出し部4の内部に挿入され、その
後、レール台11上に載置される。この状態を第1図に
実線で示す。
このようにして、ウェーハ19を保持したキャリア20
が、レール台11上に載置されると、可動ハンガ30の
みが上昇してウェーハ取出し部4の外部に出る。そして
、これとほぼ同時に内扉14が閉塞状態となる。
が、レール台11上に載置されると、可動ハンガ30の
みが上昇してウェーハ取出し部4の外部に出る。そして
、これとほぼ同時に内扉14が閉塞状態となる。
ところで、ウェーハ取出し部4では、前記したウェーハ
挿入部1と同様に、濾過された清浄なN2ガスが給気ダ
クト15aおよび15bから供給され、また排気ダクト
16aおよび16bから排気されている。
挿入部1と同様に、濾過された清浄なN2ガスが給気ダ
クト15aおよび15bから供給され、また排気ダクト
16aおよび16bから排気されている。
この為に、ウェーハ取出し部4の内部雰囲気は清浄な状
態に保たれている。したがって、ウェーハ19を保持し
たキャリア20を、ウェーハ取出し部4の内部へ入れる
為に、内扉14を開状態にしても、蒸気乾燥洗浄装置の
内部雰囲気が汚染されることはない。
態に保たれている。したがって、ウェーハ19を保持し
たキャリア20を、ウェーハ取出し部4の内部へ入れる
為に、内扉14を開状態にしても、蒸気乾燥洗浄装置の
内部雰囲気が汚染されることはない。
また、ウェーハ19を保持したキャリア20は、レール
台11上に載置された後、予定の時間、そのままの状態
に保持される。これは、前述したように、蒸気洗浄乾燥
後のウェーハ19の表面には、自然蒸発する前のIPA
が薄膜状態または分子単位で付着しているが、これを前
記N2ガスの流れによって、早期に完全に消失させる為
である。
台11上に載置された後、予定の時間、そのままの状態
に保持される。これは、前述したように、蒸気洗浄乾燥
後のウェーハ19の表面には、自然蒸発する前のIPA
が薄膜状態または分子単位で付着しているが、これを前
記N2ガスの流れによって、早期に完全に消失させる為
である。
なお、前記給気ダクト15aおよび15bから供給され
るN2ガスは、例えば、予めヒータなどで加熱した加熱
N2ガスとしてもよい。このようにすれば、前記キャリ
ア20をレール台11上に載置しておく時間は短縮でき
ることになる。
るN2ガスは、例えば、予めヒータなどで加熱した加熱
N2ガスとしてもよい。このようにすれば、前記キャリ
ア20をレール台11上に載置しておく時間は短縮でき
ることになる。
以上の処理によって、薄膜状態または分子単位のIPA
を、早期に完全に消失させることができても、ウェーハ
19の表面には、前述した通り、IPA中に含まれてい
る炭素などの有機物質が付着している場合がある。
を、早期に完全に消失させることができても、ウェーハ
19の表面には、前述した通り、IPA中に含まれてい
る炭素などの有機物質が付着している場合がある。
このような有機物質を取り除く手段を備えることが本発
明の要点である。以下、これについて説明する。
明の要点である。以下、これについて説明する。
ウェーハ19に付着している有機物質を取り除くには、
前述した早期乾燥処理を行なった後、前記N2ガスの供
給を停止する。
前述した早期乾燥処理を行なった後、前記N2ガスの供
給を停止する。
そして、濾過された酸素を含むガス(以下、空気でこれ
を代表する)を、第2の給気ダクト33aおよび33b
から供給する。また、この空気の供給と共に、ウェーハ
19に遠紫外線を照射する。
を代表する)を、第2の給気ダクト33aおよび33b
から供給する。また、この空気の供給と共に、ウェーハ
19に遠紫外線を照射する。
具体的には、図示しない低圧水銀ランプを、つ工−ハ取
出し部4の内部および/または外部の予定箇所に1個以
上配設し、遠紫外線をウェーハ19に照射する。通常の
低圧水銀ランプによって発生される紫外線は、1849
人および2537人の波長を有する。
出し部4の内部および/または外部の予定箇所に1個以
上配設し、遠紫外線をウェーハ19に照射する。通常の
低圧水銀ランプによって発生される紫外線は、1849
人および2537人の波長を有する。
このようにすると、周知のように、ウェーハ取出し部4
の内部雰囲気はオゾン化および/またはラジカル(ra
dical)酸素化される。そして、該オゾン/ラジカ
ル酸素と遠紫外線とによって、つ工−ハ19に付着して
いる炭素などの有機物質は分解される。この結果、有機
物質は、ウェーハ19の表面から完全に除去されること
になる。
の内部雰囲気はオゾン化および/またはラジカル(ra
dical)酸素化される。そして、該オゾン/ラジカ
ル酸素と遠紫外線とによって、つ工−ハ19に付着して
いる炭素などの有機物質は分解される。この結果、有機
物質は、ウェーハ19の表面から完全に除去されること
になる。
その後、前記遠紫外線の照射を停止して、オベレ〜りは
、外扉を開け、前記したと同様にして、ウェーハ19を
保持したキャリア20を取り出す。
、外扉を開け、前記したと同様にして、ウェーハ19を
保持したキャリア20を取り出す。
このようにしてキャリア20を取り出した後、オペレー
タは前記外扉を閉塞状態にする。
タは前記外扉を閉塞状態にする。
外扉が閉塞状態になると、ウェーハ取出し部4の内部で
は、前記空気の供給に代えて、再びN2ガスが供給され
る。この結果、前記ウェーハ取出し部4の内部はN2ガ
スの雰囲気になり、かつ清浄な状態に保持されるように
なる。
は、前記空気の供給に代えて、再びN2ガスが供給され
る。この結果、前記ウェーハ取出し部4の内部はN2ガ
スの雰囲気になり、かつ清浄な状態に保持されるように
なる。
なお、外扉を開状態として、前記キャリア20を取り出
す前に、空気の供給を停止してN2ガスを供給するよう
にしてもよいことは勿論である。
す前に、空気の供給を停止してN2ガスを供給するよう
にしてもよいことは勿論である。
以上の説明では、蒸気乾燥洗浄されたウェーハ19をそ
の取出し部(パススルールーム)4内に収納した後に、
遠紫外線による有機物質除去処理を行なうものとしたが
、当業者には明らかなように、この処理はIPAによる
蒸気乾燥洗浄を行なってから、ウェーハ19が外部へ取
出されるまでのどの時期に行なってもよい。
の取出し部(パススルールーム)4内に収納した後に、
遠紫外線による有機物質除去処理を行なうものとしたが
、当業者には明らかなように、この処理はIPAによる
蒸気乾燥洗浄を行なってから、ウェーハ19が外部へ取
出されるまでのどの時期に行なってもよい。
第2図は本発明の第2の実施例の概略構成を示す蒸気乾
燥洗浄装置の断面図で、図において、第1図と同一の符
号は、同一または同等部分をあられしている。
燥洗浄装置の断面図で、図において、第1図と同一の符
号は、同一または同等部分をあられしている。
この実施例ではIPAによる蒸気乾燥洗浄を行なってか
ら、ウェーハ19をウェーハ取出し部4へ移送するまで
の途中において、遠紫外線照射を行なうようにしている
。すなわち、ウェーハ19の移送経路Hにそって低圧水
銀ランプ40を配設し、遠紫外線を前記ウェーハ19に
照射する。
ら、ウェーハ19をウェーハ取出し部4へ移送するまで
の途中において、遠紫外線照射を行なうようにしている
。すなわち、ウェーハ19の移送経路Hにそって低圧水
銀ランプ40を配設し、遠紫外線を前記ウェーハ19に
照射する。
これにより、前述と同様に、ウェーハ周辺の空気に含ま
れる酸素がオゾン化および/またはラジカル酸素化され
るので、ウェーハ19の表面に付着した有機物質を効果
的に除去することができる。
れる酸素がオゾン化および/またはラジカル酸素化され
るので、ウェーハ19の表面に付着した有機物質を効果
的に除去することができる。
この場合は、第2図の赤外線ランプ31a〜31d、第
2の給気ダクト33a、33bは省略することができ、
ウェーハ取出し部4の構造を実質上ウェーハ挿入部1に
等しくすることができる。
2の給気ダクト33a、33bは省略することができ、
ウェーハ取出し部4の構造を実質上ウェーハ挿入部1に
等しくすることができる。
(発明の効果)
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、つぎ
のような効果が達成される。すなわち、半導体ウェーハ
を蒸気乾燥洗浄してから取出すまでの間に、前記半導体
ウェーハに遠紫外線を照射すると共に、ウェーハ周辺の
酸素をオゾン化および/またはラジカル酸素することに
よって、半導体ウェーハの表面に付着している有機物質
を効果的に除去することができる。
のような効果が達成される。すなわち、半導体ウェーハ
を蒸気乾燥洗浄してから取出すまでの間に、前記半導体
ウェーハに遠紫外線を照射すると共に、ウェーハ周辺の
酸素をオゾン化および/またはラジカル酸素することに
よって、半導体ウェーハの表面に付着している有機物質
を効果的に除去することができる。
第1図は本発明の一実施例の蒸気乾燥洗浄装置の一部断
面図である。第2図は本発明の他の一実施例の蒸気乾燥
洗浄装置の一部断面図である。 1・・・ウェーハ挿入部、2・・・DIウォータ洗浄槽
、3・・・蒸気洗浄槽、4・・・ウェーハ取出し部、1
9・・・ウェーハ、20・・・キャリア、40・・・低
圧水銀ランプ、H・・・移送経路
面図である。第2図は本発明の他の一実施例の蒸気乾燥
洗浄装置の一部断面図である。 1・・・ウェーハ挿入部、2・・・DIウォータ洗浄槽
、3・・・蒸気洗浄槽、4・・・ウェーハ取出し部、1
9・・・ウェーハ、20・・・キャリア、40・・・低
圧水銀ランプ、H・・・移送経路
Claims (3)
- (1)外部雰囲気から遮断された洗浄乾燥用空間におい
て、イオンを除去した水の中に被洗浄物品を浸漬して洗
浄し、その後、被洗浄物品を揮発性洗浄液の蒸気にさら
して蒸気洗浄乾燥し、前記洗浄乾燥用空間から被洗浄物
品を取出すようにした蒸気乾燥洗浄装置において、被洗
浄物品を蒸気洗浄乾燥してから取出すまでの間に、前記
被洗浄物品に遠紫外線を照射する手段を具備したことを
特徴とする蒸気乾燥洗浄装置。 - (2)遠紫外線を照射する手段は低圧水銀灯であること
を特徴とする前記特許請求の範囲第1項記載の蒸気乾燥
洗浄装置。 - (3)前記被洗浄物品は半導体ウェーハであることを特
徴とする前記特許請求の範囲第1項記載の蒸気乾燥洗浄
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14891387A JPS63121A (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 蒸気乾燥洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14891387A JPS63121A (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 蒸気乾燥洗浄装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15601485A Division JPS6218037A (ja) | 1985-04-15 | 1985-07-17 | パススル−ル−ム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63121A true JPS63121A (ja) | 1988-01-05 |
Family
ID=15463461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14891387A Pending JPS63121A (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 蒸気乾燥洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63121A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05185051A (ja) * | 1991-12-28 | 1993-07-27 | Masayuki Kamieda | 洗浄方法 |
WO2000006961A1 (fr) * | 1998-07-30 | 2000-02-10 | Daito Seiki Co. Ltd. | Sechoir, ensemble sechage et procede de sechage |
CN111223791A (zh) * | 2018-11-23 | 2020-06-02 | 南亚科技股份有限公司 | 晶圆清洗装置及其清洗方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4943458A (ja) * | 1972-06-05 | 1974-04-24 | ||
JPS58200540A (ja) * | 1982-05-19 | 1983-11-22 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法 |
JPS6058238A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-04 | Ushio Inc | 紫外線洗浄方法 |
-
1987
- 1987-06-17 JP JP14891387A patent/JPS63121A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4943458A (ja) * | 1972-06-05 | 1974-04-24 | ||
JPS58200540A (ja) * | 1982-05-19 | 1983-11-22 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法 |
JPS6058238A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-04 | Ushio Inc | 紫外線洗浄方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH05185051A (ja) * | 1991-12-28 | 1993-07-27 | Masayuki Kamieda | 洗浄方法 |
JPH0753271B2 (ja) * | 1991-12-28 | 1995-06-07 | 政幸 上江田 | 洗浄方法 |
WO2000006961A1 (fr) * | 1998-07-30 | 2000-02-10 | Daito Seiki Co. Ltd. | Sechoir, ensemble sechage et procede de sechage |
CN111223791A (zh) * | 2018-11-23 | 2020-06-02 | 南亚科技股份有限公司 | 晶圆清洗装置及其清洗方法 |
CN111223791B (zh) * | 2018-11-23 | 2022-07-26 | 南亚科技股份有限公司 | 晶圆清洗装置及其清洗方法 |
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