JPS6218037A - パススル−ル−ム - Google Patents

パススル−ル−ム

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JPS6218037A
JPS6218037A JP15601485A JP15601485A JPS6218037A JP S6218037 A JPS6218037 A JP S6218037A JP 15601485 A JP15601485 A JP 15601485A JP 15601485 A JP15601485 A JP 15601485A JP S6218037 A JPS6218037 A JP S6218037A
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JP
Japan
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wafer
carrier
pass
gas
room
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Application number
JP15601485A
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English (en)
Inventor
Masaki Kusuhara
昌樹 楠原
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Wakomu KK
Original Assignee
Wakomu KK
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Publication date
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Publication of JPS6218037A publication Critical patent/JPS6218037A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、パススルールームに関するものであり、特に
、キャリアに保持された半導体ウェーハを蒸気乾燥洗浄
装置の内部に挿入し、また、該装置から取り出す際に、
微小塵埃(以下、パーティクルという)が蒸気乾燥洗浄
装置の内部に侵入することを防止することができるパス
スルールームに関する。
ざらに付言すれば、本発明は、前記パーティクルの侵入
の防止と共に、蒸気洗浄乾燥した後に半導体ウェーハの
表面に付着している薄膜状態あるいは分子単位の蒸気洗
浄液、ざらには該液中に含まれている有機物質を完全に
取り除き、半導体ウェーへの表面を理想的な洗浄乾燥状
態とすることができるパススルールームに関するもので
ある。
(従来の技術) 従来から、例えばシリコン等の半導体ウェーハ(以下、
単にウェーハという)の製造工程では、該ウェーハを化
学処理した後の洗浄工程が必要であった。そして、この
洗浄工程を一つの装置として具体化したのが、よく知ら
れているように、蒸気洗浄装置である。この蒸気洗浄装
置では、まずウェーハは、キャリアに保持された状態で
該装置内に装填される。
その後、ウェーハは、キャリアを移動する可動ハンガに
より、キャリアと共に、イオンを除去した水(以下、D
Iウォータという)の中に浸漬され、洗浄される。この
ようにして洗浄されたつ工−ハは、その後、蒸気洗浄槽
の中へ前記可動ハンガによってキャリアと共に運ばれる
この蒸気洗浄槽では、石英容器の中へ適量入れられた、
例えばイソプロピルアルコール(以下、IPAという)
が下からのヒータの熱によって温められて、該容器中で
気化している。なお、このIPAは、発火点が310’
C1沸点が82.7℃、引火点が21°Cの液体である
このIPAの蒸気中に、前記ウェーハが運ばれてくると
、水分(DIつを一タ)の付着したつ工−ハにより、I
PA蒸気が冷却液化され、ウェーハ表面を流下する。そ
の間に、ウェーハに付着していた水分は、IPAと置換
され、水分がウェーハから除去される。また、次第にウ
ェーハはIPAの蒸気により加熱され、ウェーハの温度
がIPA蒸気と同等になると、IPAの液化は起らなく
なる。
この為に、前記DIウォータの洗浄によって付着した微
小な異物等はきれいに洗い流されると共に、ウェーハ表
面は、乾燥状態となる。
なお、前記石英容器の上部には、前記ウェーハを保持し
たキャリアが人出可能な空間を残して蛇管が配設されて
いる。これは、気化したIPAが蛇管内を流れる冷却水
によって冷され、液化して、再び石英容器の中へ還元さ
れるようにする為である。
以上のようにして、蒸気洗浄乾燥されたウェーハは、可
動ハンガによってキャリアと共に、蒸気洗浄装置の「ウ
ェーハ取出し部まで運ばれ、その後、取り出されること
になる。
ところで、よく知られているように、蒸気洗浄装置の内
部は、ウェーハに微小な異物等が付着しないように清浄
(クリーン)な状態に保たれている必要かある。
この為に、従来においてはウェーハを保持したキャリア
を、蒸気洗浄装置の内部へ装填する時、または、前記キ
ャリアを該装置の内部から取り出す時に、作業者は防塵
用の服を着て、ざらに防塵用の手袋をはめるなどして、
ウェーハ挿入用の扉あるいはウェーハ取出し用の扉の開
閉、およびキャリアの装填・取り出し作業を行なってい
た。
また、蒸気洗浄乾燥された後のウェーハ表面は、前記し
たように、乾燥状態となる。しかし、これをミクロ的に
見ると、薄膜状態または分子単位で、IPAがウェーハ
表面に付着しているのが通常でおる。
なお、このようなIPAは、時間の経過につれて自然拡
散する為に消失し、完全な乾燥状態となる。
(発明が解決しようとする問題点) 上記した従来の技術は、次のような問題点を有していた
(1)ウェーハを保持したキャリアを、蒸気洗浄装置の
内部へ装填する時、または、前記キャリアを該装置の内
部から取り出す時に、作業者は防塵服等を看ることによ
って、装置内部へ微小な異物等が侵入しないように配慮
しているが、従来は、前記キャリアを人手によって装置
内部へ直接持ち込む為に、どうしても装置内に無機質お
よび/または有機質のパーティクルが侵入し、この為に
、装置内部を汚染するという欠点があった。
(2)前記したように、蒸気洗浄乾燥後のウェーハ表面
には、自然拡散する前のIPAが薄膜状態または分子単
位で付着している。この為に、ウェーハを蒸気洗浄乾燥
した後、直ちに、次の工程での処理を行なうことかでき
ないという欠点がおった。
すなわち、従来においては、ウェーハを蒸気洗浄乾燥し
てから、次の工程の処理を行なうまでには、IPAが完
全に自然拡散するまで、予定時間待たなければならない
という欠点がめった。
(3)蒸気洗浄乾燥後のウェーハ表面に付着しているI
PAが、例えば、自然拡散などで消失しても、前記ウェ
ーハ表面には炭素などの有機物質が何着している場合が
あり、完全な洗浄状態とすることが困難であった。
本発明は、前述の問題点を解決するためになされたもの
である。
(問題点を解決するための手段および作用)前記の問題
点を解決するために、本発明は、蒸気乾燥洗浄装置のウ
ェーハ挿入部およびウェーハ取出し部を前記蒸気乾燥洗
浄装置の内部空間と完全に独立した空間を有し、かつ、
必要に応じて前記蒸気乾燥洗浄装置の内部空間と連通状
態となることができるパススルールームで構成した点に
特徴がある。
また、本発明では、前記の問題点を解決するために、前
記パススルールーム内に運ばれてきた蒸気洗浄乾燥後の
キャリアに保持されたウェーハを乾燥させ、またざらに
、ウェーハ表面に付着している有機物質を分解して取り
除く手段を設けるように構成した点に特徴がある。
(実施例) 以下に、図面を参照して、本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明のパススルールームの一実施例が、ウ
ェーハ挿入部1およびウェーハ取出し部4にそれぞれ適
用された蒸気乾燥洗浄装置の一部断面図でおる。第2図
は、第1図に示したパススルールーム、具体的には、ウ
ェーハ取出し部4の概略斜視図でおる。
なお、ウェーハ挿入部1とウェーハ取出し部4との構成
はほぼ同様であるので、便宜上、ウェーハ挿入部1の構
造の説明は、ウェーハ取出し部4を説明した後に行なう
第1図において、DIつA−夕洗浄槽2を構成する容器
5の中には、DIウォータ6が常に適量貯留されている
。なd3、このDIウォータ6は、図示しない既知の手
段により、常時予定量が放水され、かつまた、前記放水
量だけ供給されている。
この為に、常に、清浄な状態に保たれている。
蒸気洗浄槽3は、以下のような構成からなっている。す
なわち、ヒータが密閉状態で内蔵されているアルミボッ
クス7の上には、IPA8を入れた石英容器9が置かれ
ている。
なお、この石英容器9の上方には、図面を簡略化する為
に図示しないが、IPA8の蒸気を冷却して凝縮還元す
る為の蛇管が配設されている。前記アルミボックス7お
よび石英容器9等は、ステンレス容器10に収納されて
いる。
また、ウェーハ取出し部4には、ウェーハを保持したキ
ャリアを載置するレール台11が、その下部に配置され
ている。前記レール台11の長手方向の手前側には、手
動で開閉する外扉12(第2図参照)が形成されている
前記レール台]1の上方には、蒸気乾燥洗浄装置の内部
雰囲気からウェーハ取出し部4を仕切る為の天井部13
が設けられ、ざらに、該天井部13には、既知の手段に
より自動的に開閉する内扉14が設けられている。
すなわち、ウェーハ取出し部4は、内扉14を閉塞する
ことによって、蒸気乾燥洗浄装置の内部雰囲気から遮断
されるように構成されている。
このウェーハ取出し部4の上部には、N2ガス(窒素ガ
ス)、または酸素を含むガス(例えば空気)を、それぞ
れ該ウェーハ取出し部4の内部に供給する為の給気ダク
ト15aおよび15bと、第2の給気ダク1〜33aお
にび33bが配設されている。
また、ウェーハ取出し部4の底板部には、前記給気ダク
ト15aおよび15bから供給されるN2ガス、または
前記第2の給気ダクト33aまたは33bから供給され
る空気を排気する為の排気ダクト16aおよび16bが
配設されている。
ざらに、前記レール台11の下部に当るウェーハ取出(
)部4の底板部には、ウェーハを保持したキャリアを引
き出す際に、該キャリアとレール台11との摩耗によっ
て生じるパーティクルを吸引、し、排出する為の吸入ダ
クト17が設けられている。
なあ、第2図に示すレール台11の中央部に複数個設け
られている貫通孔18は、前記キャリアとレール台11
との摩耗によって生じたパーティクルを、吸入ダクトま
で導く為のものでおる。
ところで、ウェーハ挿入部1の構成は、前記第2の給気
ダクト33aおよび33bが設けられていないのみで、
前記したウェーハ取出し部4とほぼ同様である。したが
って、以下の説明および図面では、ウェーハ取出し部4
と同一または同等のウェーハ挿入部1の部分については
、ウェーハ取出し部4において、二桁目の符号を10番
代としたところを、20番代として記載する。
以上のような構成からなる蒸気乾燥洗浄装置では、まず
、オペレータが、ウェーハ挿入部1の外扉を開いて、ウ
ェーハを保持したキャリアを、レール台21の上に載せ
る。
その後、オペレータは、ウェーハ挿入部1の所定場所ま
で、前記キャリアをレール台21に沿って移動させる。
このようにして、レール台210所定場所に載置された
ウニ=ハ19を保持したキャリア20を、第1図に破線
で示す。
前記キャリア20を所定場所まで移動させたオペレータ
は、ウェーハ挿入部1の外扉を閉じる。
なあ、ウェーハ19を保持したキャリア20を装填する
際に、外扉を聞けるので、ウェーハ挿入部1の内部雰囲
気と外気とは連通状態となるが、この状態では、内扉2
4は閉じられているので、蒸気乾燥洗浄装置の内部雰囲
気と外気とが連通状態となることはない。
また、本実施例では、ウェーハ挿入部1の内部に、濾過
された清浄なN2ガスを、常時、給気ダクト25aおよ
び25bから供給している。この結果、ウェーハ挿入部
1の内部は外気圧に対して陽圧状態であるので、ウェー
ハ19を保持したキャリア20を装j眞する為に、外扉
が開けられても、該ウェーハ挿入部1の内部に外気中の
微小な異物等が浸入する心配はほとんどない。
なあ、本実施例では、貫通孔28を介して吸入ダクト2
7から前記N2ガスを吸引している。この為に、前記キ
ャリア20をレール台21に沿って移動させる際に、該
キャリア20とレール台21との摩耗によって生ずるパ
ーティクルは、前記N2ガスと共に吸引されて排出され
る。
また、ウェーハ19を保持したキャリア20を装填した
後、外扉を閉じてから、予定の時間、該キャリア20は
ウェーハ挿入部1の中にそのままの状態で置かれる。こ
れは、ウェーハ19を保持したキャリア20を、オペレ
ータがウェーハ挿入部1内に装置する際に、前記したよ
うに、該つ工−ハ挿入部1の内部にはパーティクルが侵
入するが、これを前記N2ガスの流れによって排出する
為である。
すなわち、給気ダクト25aおよび25bから供給され
たN2ガ又は、ウェーハ挿入部1の内部を通過して、前
記吸入ダクト27に吸引されて排出されると共に、排気
ダクト26aおよび26bからも排気されるが、この時
、前記パーティクルも同時に排出して、ウェーハ挿入部
1の内部雰囲気を清浄な状態とする。
前記予定時間が経過すると、内扉24が、既知の手段に
より自動的に開状態となる。その後、可動ハンガ30が
、ウェーハ挿入部1内へ侵入して、キャリア20の孔2
0aと係合する。そして、前記キャリア20は、可動ハ
ンガ30によって蒸気乾燥洗浄装置の内部空間へ運び出
される。その後、内扉24は、自動的に閉塞状態となる
前記蒸気乾燥洗浄装置の内部空間へ運び出されたウェー
ハ19は、まず、可動ハンガ30によって、ギヤリア2
0と共に、DIウォータ6中に浸漬され、清)争される
。その1受、ウェーハ19は、キャリア20と共に可動
ハンガ30によって蒸気洗浄襦3の中へ運ばれる。そし
て、ここで蒸気洗浄乾燥されたウェーハ19は、キャリ
ア20と共に可動ハンガ30によって、一旦、蒸気洗浄
漕3の上方へ持ち上げられ、その後、ウェーハ取出し部
4の上方まで運ばれる。なお、この時、ウェーハ取出し
部4の内扉14は自動的に聞かれる。
前記ウェーハ取出し部4の上方まで運ばれてぎたウェー
ハ19は、キャリア20と共に可動ハンガ30によって
降下され、ウェーハ取出し部4の内部に挿入され、その
後、レール台11上に載置される。この状態を第1図に
実線で示す。
このようにして、ウェーハ19を保持したキャリア20
が、レール台11上に載置されると、可動ハンガ30の
みが上昇してウェーハ取出し部4の外部に出る。そして
、これとほぼ同時に内扉14が閉塞状態となる。
ところで、ウェーハ取出し部4では、前記したウェーハ
挿入部1と同様に、濾過された清浄なN2ガスが給気ダ
ク1〜15aおよび15bから供給され、また排気ダク
ト16acl”;よび16bから排気されている。
この為に、ウェーハ取出し部4の内部雰囲気は清浄な状
態に保たれている。したがって、ウェーハ19を保持し
たキャリア20を、ウェーハ取出し部4の内部へ入れる
為に、内扉14を開状態にしても、蒸気乾燥洗浄装置の
内部雰囲気が汚染されることはない。
また、ウェーハ1つを保持したキャリア20は、レール
台11上に載置された後、予定の時間、そのままの状態
に保持される。これは、前述したように、蒸気洗浄乾燥
後のウェーハ19の表面には、自然蒸発する前のIPA
が薄膜状態または分子単位で付着しているが、これを前
記N2ガスの流れによって、早期に完全に消失させる為
でおる。
なお、前記給気ダクト15aおよび15bから供給され
るN2ガスは、例えば、予めヒータなとで加熱した加熱
N2ガスとしてもよい。このようにすれば、前記キャリ
ア20をレール台11上に載置しておく予定時間は短縮
できることになる。
ざらにまた、前記したN2ガスあるいは加熱N2ガスに
よる早期乾燥に加えて、赤外線ランプをウェーハ取出し
部4の内部および/または外部の予定箇所に1個以上配
設し、ウェーハ19に赤外線を照射して、該ウェーハ1
9を加熱するようにすれば、前記キャリア20をレール
台11上に載置しておく予定時間は、より一層短縮でき
ることになる。
第1図は、4個の赤外線ランプ31a〜31dを、ウェ
ーハ取出し部4の内部に配設した実施例を示している。
なお、赤外線をウェーハ取出し部4の外部より照射する
場合には、該赤外線が照射される部分は、その材質が、
赤外線を透過するようなものでなければならないことは
当然でおる。
以上は、N2ガスあるいは加熱N2ガスと共に、赤外線
を照射して、より一層早期にウェーハ19を乾燥させる
場合であった。しかし、前記N2ガスあるいは加熱N2
ガスの供給を止めて、赤外線のみを照射しても、早期に
ウェーハ19を乾燥できることは勿論である。なお、赤
外線の照射のみによる乾燥の終了後は、N2ガスをウェ
ーハ取出し部4内に供給するようにする。
以上のようにして、ウェーハ19の表面が、乾燥状態に
なると、オペレータは、外扉12を開けて、キャリア2
0をつかみ、レール台11上を滑らせながら該キャリア
20を手前に引きよせる。
そして、オペレータは、前記ギヤリア20ごと、ウェー
ハ19を外部へ取り出す。その俊、外扉12を閉塞状態
にする。
ところで、前記ウェーハ挿入部1と同様に、つ工−ハ取
出し部4の内部は、前記N2ガスの供給により外気圧に
対して陽圧状態となっている。
この結果、外扉′12を開けても、ウェーハ取出し部4
の内部に外気中の微小な異物等が侵入する心配はほとん
どない。また、前記キャリア20の取り出しの際に摩耗
によって発生するパーティクルも、貫通孔18を介して
吸入ダクト17からN2ガスを吸引しているので、該N
2ガスと共に排出される。
ざらに、前記キャリア20を取り出す為に、オペレータ
の手がウェーハ取出し部4の内部に挿入されるが、これ
によって、ウェーハ取出し部4の内部に侵入するパーテ
ィクルも、前記ウェーハ挿入部1と同様に、N2ガスの
流れに従って外部に排除されることになる。
故に、前記キャリア20を取り出して外#12を閉じて
から、多少の時間が経過した後には、つ工−ハ取出し部
4の内部雰囲気は、完全な清浄状態となっている。した
がって、次回、ウェーハ19を保持したキャリア20が
、可動ハンガ30によって運ばれてきて、内扉14が開
状態となっても、蒸気乾燥洗浄装置の内部雰囲気を汚染
させることはない。
ところで、以上の手段によって、早期に完全に薄膜状態
または分子単位のIPAを消失させることができても、
ウェーハ19の表面には、前述した通り、fPA中に含
まれている炭素などの有機物質が付着している場合がお
る。以下に、このような有機物質を取り除く手段につい
て説明する。
ウェーハ19に付着している有機物質を取り除くには、
前述した早期乾燥処理を行なった後、まず、前記N2ガ
スの供給を停止する。
そして、濾過された酸素を含むガス(以下、空気でこれ
を代表する)を、第2の給気ダクト33aおよび33b
から供給する。また、この空気の供給と共に、ウェーハ
19に遠紫外線を照射する。
具体的には、図示しない低圧水銀ランプを、ウェーハ取
出し部4の内部および/または外部の予定箇所に1個以
上配設し、遠紫外線をウェーハ19に照射する。
このようにすると、周知のように、ウェーハ取出し部4
の内部雰囲気はオゾン化される。そして、該オゾンと遠
紫外線とによって、ウェーハ19に付着している炭素な
どの有機物質は分解される。
この結果、有機物質は、ウェーハ19の表面から完全に
除去されることになる。
その後、前記遠紫外線の照射を停止して、オペレータは
、外扉12を開け、前記したと同様にして、ウェーハ1
9を保持したキャリア20を取り出す。このようにして
キャリア20を取り出した後、オペレータは前記外扉1
2を閉塞状態にする。
外扉12が閉塞状態になると、ウェーハ取出し部4の内
部では、前記空気の供給に代えて、再びN2ガスが供給
される。この結果、前記ウェーハ取出し部4の内部はN
2ガスの雰囲気になり、かつ清浄な状態に保持されるよ
うになる。
なあ、外扉12を開状態として、前記キャリア20を取
り出す前に、空気の供給を停止してN2ガスを供給する
ようにしてもよいことは勿論である。
以上の説明では、本発明のパススルールームが適用され
たつ■−ハ挿入部1とウェーハ取出し部4とを、別個に
有する蒸気乾燥洗浄装置でおった。
しかし、ウェーハ挿入部1とウェーハ取出し部4とを別
個に設ける必要は必ずしもない。例えば、前記ウェーハ
挿入部1を設けずに、ウェーハ取出し部4だけを設けて
、これにウェーハ挿入部1の機能を合せ持たせることは
可能である。
すなわら、この場合には、まず、ウェーハ挿入部1に関
して説明した状態において、ウェーハ19を保持したキ
ャリア20をウェーハ取出し部4に挿入し、その後、該
キャリア20を蒸気乾燥洗浄装置の内部に送出する。
そして、DIウォータ洗浄漕2において洗浄処理を行な
い、ざらに蒸気洗浄槽3において蒸気洗浄乾燥処理を行
なう。
その後、再び、前記ウェーハ19を保持したギヤリア2
0をウェーハ取出し部4に戻して、前述したようにして
、該キャリア20を取り出すことになる。
(発明の効果) 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、つぎ
のJ:うな効果が達成される。
(1)蒸気乾燥洗浄装置の内部空間と隔離されているパ
ススルールームを介して、ウェーハを保持したキャリア
を、前記蒸気乾燥洗浄装置の内部に挿入するようにした
為に、該装置内部に人手が浸入せず、この結果、装置内
部をパーティクル等で汚染することがない。
(2)ウェーハ取出し部となるパススルールーム内に、
Nzガスあるいは加熱N2ガスを供給することにより、
または前記ガスの供給と合せて、おるいは単独で、前記
パススルールーム内のウェーハに赤外線を照射すること
により、ウェーハ表面上に薄膜状態または分子単位で付
着している蒸気洗浄液を早期に完全に取り除き、乾燥状
態にすることができる。この結果、半導体ウェーハの製
造作業時間を短縮することが可能となる。
(3)ウェーハ取出し部となるパススルールーム内に、
酸素を含むガスを供給すると共に、前記パススルールー
ム内の半導体ウェーハに遠紫外線を照射することによっ
て、半導体ウェーハの表面に付着している有機物質を除
去することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のパススルールームの一実施例が適用さ
れた蒸気乾燥洗浄装置の一部断面図でおる。第2図は、
第1図のウェーハ取出し部の概略斜視図である。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)内扉を介して、蒸気乾燥洗浄装置の内部雰囲気と
    選択的に連通されるようにされたパススルールームであ
    つて、 半導体ウェーハを保持するキャリアが載置されるように
    前記天井部の内部に設けられた載置手段と、 前記キャリアを出し入れ可能なように前記パススルール
    ームの一側に設けられた扉と、 その内部に予定のガスを供給する給気ダクトと、 その内部ガスを排気する排気ダクトと、 前記キャリアが通過できるように前記内扉を開閉する手
    段と を具備したことを特徴とするパススルールーム。
  2. (2)前記予定のガスが、N_2ガスであることを特徴
    とする前記特許請求の範囲第1項記載のパススルールー
    ム。
  3. (3)前記予定のガスが、加熱したN_2ガスであるこ
    とを特徴とする前記特許請求の範囲第1項記載のパスス
    ルールーム。
  4. (4)前記載置手段上にあるキャリアに保持された半導
    体ウェーハに、赤外線を照射することを特徴とする前記
    特許請求の範囲第1項、第2項または第3項記載のパス
    スルールーム。
  5. (5)前記載置手段に設けられた貫通孔を介して、前記
    パススルールームの内部ガスを吸引排気するようにした
    ことを特徴とする前記特許請求の範囲第1項、第2項、
    第3項または第4項記載のパススルールーム。
  6. (6)内扉を介して、蒸気乾燥洗浄装置の内部雰囲気と
    選択的に連通されるようにされたパススルールームであ
    つて、 半導体ウェーハを保持するキャリアが載置されるように
    前記天井部の内部に設けられた載置手段と、 前記キャリアを出し入れ可能なように前記パススルール
    ームの一側に設けられた扉と、 その内部に予定のガスを供給する給気ダクトと、 その内部ガスを排気する排気ダクトと、 前記キャリアが通過できるように前記内扉を開閉する手
    段と、 前記給気ダクトとは別個に、酸素を含むガスを供給する
    第2の給気ダクトと、 前記載置手段上にあるキャリアに保持された半導体ウェ
    ーハに、遠紫外線を照射する手段とを具備したことを特
    徴とするパススルールーム。
JP15601485A 1985-04-15 1985-07-17 パススル−ル−ム Pending JPS6218037A (ja)

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DE8686101834T DE3685148D1 (de) 1985-04-15 1986-02-13 Einrichtung zum dampftrocknen.
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