JPS60129136A - 紫外線照射装置 - Google Patents
紫外線照射装置Info
- Publication number
- JPS60129136A JPS60129136A JP58236896A JP23689683A JPS60129136A JP S60129136 A JPS60129136 A JP S60129136A JP 58236896 A JP58236896 A JP 58236896A JP 23689683 A JP23689683 A JP 23689683A JP S60129136 A JPS60129136 A JP S60129136A
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- Japan
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- sample
- ultraviolet
- ultraviolet rays
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- exhaust
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
- B08B7/0057—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は無機材料の表面に付着し念有機物を分解除去す
る紫外線照射装置に関する。
る紫外線照射装置に関する。
〔発明の技術的背景およびその問題点〕この種の表面処
理は、汚染物質としての有機化合物に紫外線を照射し、
これに伴う化学結合の切断効果と、オゾンの強力な酸化
効果とを組合わせて有機化合物を炭酸ガス、水および窒
素等の揮発性物質に分解して除去する清浄化法で、例え
ば水晶振動子の洗浄などに利用されている。
理は、汚染物質としての有機化合物に紫外線を照射し、
これに伴う化学結合の切断効果と、オゾンの強力な酸化
効果とを組合わせて有機化合物を炭酸ガス、水および窒
素等の揮発性物質に分解して除去する清浄化法で、例え
ば水晶振動子の洗浄などに利用されている。
これに用いる紫外線照射装置としては、給気口および排
気口を有するデツクスの内部に紫外線ラングを設けると
共に、紫外線照射面に被処理試料を配置する一方、給気
口より？ツクスの内部に高清浄気体を供給して汚染気体
を排気口から追い出す構成になっている。
気口を有するデツクスの内部に紫外線ラングを設けると
共に、紫外線照射面に被処理試料を配置する一方、給気
口より？ツクスの内部に高清浄気体を供給して汚染気体
を排気口から追い出す構成になっている。
斯かる従来の紫外線照射装置にあっては、装置内部の汚
染物質が再度被処理試料の表面に付着すると言う、いわ
ゆる逆汚染が発生して例えば、高清浄度の仕上り洗浄面
が要求される７リコンウエフアの洗浄には応用できない
と言う欠点があった。
染物質が再度被処理試料の表面に付着すると言う、いわ
ゆる逆汚染が発生して例えば、高清浄度の仕上り洗浄面
が要求される７リコンウエフアの洗浄には応用できない
と言う欠点があった。
本発明は上記従来のものの欠点を除去するためになされ
たもので、被処理試料の逆汚染を防止し得、これによっ
て高清浄度の仕上り洗浄面を要求される試料の洗浄を可
能にする紫外線照射装置の提供を目的とする。
たもので、被処理試料の逆汚染を防止し得、これによっ
て高清浄度の仕上り洗浄面を要求される試料の洗浄を可
能にする紫外線照射装置の提供を目的とする。
この目的を達成するために本発明の紫外線照射装置は、
給気Ｉ］および排気口を有するＪ？ラックス内部に、紫
外線ランプと、前記ピツクス外に導出された給気筒およ
び排気筒ヲ鳴し、内部に被処理試料を収納し得、少なく
とも前記紫外線ランプとの対向部位が透光性部材でなる
試料収納容器とを設けたことを！＋ｉｆ徴とするもので
ある。
給気Ｉ］および排気口を有するＪ？ラックス内部に、紫
外線ランプと、前記ピツクス外に導出された給気筒およ
び排気筒ヲ鳴し、内部に被処理試料を収納し得、少なく
とも前記紫外線ランプとの対向部位が透光性部材でなる
試料収納容器とを設けたことを！＋ｉｆ徴とするもので
ある。
以下、添付図面を参照して本発明の一実施例について説
明する。
明する。
第１図は本発明に係る紫外線照射装置の構成を示す断面
図で、照射デツクス１０は一方の側壁部に吸気口１１を
、他方の側壁部に排気口１２ヲそれぞれ有している。こ
の照射デツクス１０の内部には低圧水銀灯でなる複数（
２〜８個）の紫外線ランプ１３が中間位置より稍天井寄
りに並設され、内底部にはヒータ１４が設けられている
。また、ヒータ１４に近接する紫外線照射位置には、照
射デツクス１０の外方に導出される吸気筒２１および排
気筒２２ヲ有し、且つ、紫外線ランプ１３に対向する部
位に蓋２３ヲ有する試料収納容器銀が設けられている。
図で、照射デツクス１０は一方の側壁部に吸気口１１を
、他方の側壁部に排気口１２ヲそれぞれ有している。こ
の照射デツクス１０の内部には低圧水銀灯でなる複数（
２〜８個）の紫外線ランプ１３が中間位置より稍天井寄
りに並設され、内底部にはヒータ１４が設けられている
。また、ヒータ１４に近接する紫外線照射位置には、照
射デツクス１０の外方に導出される吸気筒２１および排
気筒２２ヲ有し、且つ、紫外線ランプ１３に対向する部
位に蓋２３ヲ有する試料収納容器銀が設けられている。
この試料収納容器銀は蓋２３を含めて、紫外線吸収率が
少なく、しかも耐紫外線強度を維持し得る合成石英で構
成され、その内底部には被処理試料１を載置する支持台
列が一体的に形成されている。なお、吸気筒２１はフィ
ルタ２５を介して？ンペ等の図示しないガス供給装置に
接続されている。
少なく、しかも耐紫外線強度を維持し得る合成石英で構
成され、その内底部には被処理試料１を載置する支持台
列が一体的に形成されている。なお、吸気筒２１はフィ
ルタ２５を介して？ンペ等の図示しないガス供給装置に
接続されている。
上記の如く構成された紫外線照射装置の作用を逆汚染の
原因と併せて以下に説明する。
原因と併せて以下に説明する。
一般に、紫外線照射時における被処理試料（以下単に試
料と言う）に対する逆汚染源としては、装置自体の内部
が汚染されているために、ここに紫外線を照射すると有
機物質が揮発して試料面に付着する汚染と、試料表面の
有機物質が揮発して再度付着する汚染とが考えられる。
料と言う）に対する逆汚染源としては、装置自体の内部
が汚染されているために、ここに紫外線を照射すると有
機物質が揮発して試料面に付着する汚染と、試料表面の
有機物質が揮発して再度付着する汚染とが考えられる。
これらの汚染は清浄化された酸素、窒素または空気を送
給することによっである程度除去し得るが、例えば、装
置の内容積が大きくなるほどその効果が少なく、高清浄
度ｔ−要求されるシリコンウェファに対して装置の小形
化のみでは不十分であった。
給することによっである程度除去し得るが、例えば、装
置の内容積が大きくなるほどその効果が少なく、高清浄
度ｔ−要求されるシリコンウェファに対して装置の小形
化のみでは不十分であった。
第１図では紫外線の透過率が９５〔％〕を超える合成石
英でなる試料収納容器ｍ内に試料１を収納したままで、
この試料収納容器銀の外部から紫外線を照射する一方、
紫外線照射によって発生した揮発性物質を、フィルタ５
を通過した高清浄気体により速やかに除去しようとする
ものである。
英でなる試料収納容器ｍ内に試料１を収納したままで、
この試料収納容器銀の外部から紫外線を照射する一方、
紫外線照射によって発生した揮発性物質を、フィルタ５
を通過した高清浄気体により速やかに除去しようとする
ものである。
この場合、紫外線ランプ１３は波長が１８４９（Ａ）の
紫外線と、波長が２５３７（Ａ）の紫外線とを放射し、
このうち、波長が１８４９ ［：Ａ］の紫外線によって
次式０式％ の作用を行なわせ、また、波長が２５３７（Ａ）の紫外
線によって次式 ％式％ の作用を行なわせ、結局、紫外線による有機化合物の化
学結合の切断効果と、オゾンの強力な酸化効果とを組み
合わせることにより試料表面の有機質汚れを炭酸ガス、
水、窒素などに分解除去している。
紫外線と、波長が２５３７（Ａ）の紫外線とを放射し、
このうち、波長が１８４９ ［：Ａ］の紫外線によって
次式０式％ の作用を行なわせ、また、波長が２５３７（Ａ）の紫外
線によって次式 ％式％ の作用を行なわせ、結局、紫外線による有機化合物の化
学結合の切断効果と、オゾンの強力な酸化効果とを組み
合わせることにより試料表面の有機質汚れを炭酸ガス、
水、窒素などに分解除去している。
なお、試料収納容器銀の蓋るは試料１を出し入れするた
めのもので、内底部に形成された支持台列は試料１の高
さ調整およびこの試料の出し入れを容易にするためのも
のであり、またヒータ１４は、試料収納容器美の外部か
ら試料１を最高５００Ｃ℃ａｌまでの所望の温度に加熱
することにより、上述した化学作用を促進させるもので
ある。
めのもので、内底部に形成された支持台列は試料１の高
さ調整およびこの試料の出し入れを容易にするためのも
のであり、またヒータ１４は、試料収納容器美の外部か
ら試料１を最高５００Ｃ℃ａｌまでの所望の温度に加熱
することにより、上述した化学作用を促進させるもので
ある。
一方、給気筒２１の入口に設けられたフィルタ５は、孔
径が０．１〔μｍ〕程度のものが用いられ、これを通し
て酸素、窒素、空気等が送り込まれる。
径が０．１〔μｍ〕程度のものが用いられ、これを通し
て酸素、窒素、空気等が送り込まれる。
かくして、試料表面から揮発した汚染物質は排気筒２２
ヲ通して照射ゲツクス１０の外部に放出され。
ヲ通して照射ゲツクス１０の外部に放出され。
るが、このとき試料収納容器銀の内容積が小さいこと、
および、この試料収納容器２０ヲ構成する合成石英の耐
紫外線強度が大きいことから、揮発物質は実質的に試料
表面からのものに限られ、この揮発物質を早急に追い出
すことによって汚染物が試料表面に再付着するという不
具合を解消し得る。
および、この試料収納容器２０ヲ構成する合成石英の耐
紫外線強度が大きいことから、揮発物質は実質的に試料
表面からのものに限られ、この揮発物質を早急に追い出
すことによって汚染物が試料表面に再付着するという不
具合を解消し得る。
ところで、試料１の出し入れに際しては照射デックス１
Ｏの内部を清浄に保たなければならない。
Ｏの内部を清浄に保たなければならない。
このため、照射ボックス１０には給気口１１および排気
口１２が設けられ、内部に酸素、窒素等を通流させるこ
とにより、紫外線によって分解された揮発性物質が除去
され、しかも、この揮発性物質は試料１とは隔絶されて
いるので、照射？ツクス１０の汚染に係わる汚染物質が
試料１０表面に付着するという不具合をも解消し得る。
口１２が設けられ、内部に酸素、窒素等を通流させるこ
とにより、紫外線によって分解された揮発性物質が除去
され、しかも、この揮発性物質は試料１とは隔絶されて
いるので、照射？ツクス１０の汚染に係わる汚染物質が
試料１０表面に付着するという不具合をも解消し得る。
なお、紫外線ランプ１３は図示しないタイマ等により、
試料１を試料格納容器筒内に収納した状態で予め設定し
た時間だけ点灯されるように講じられている。
試料１を試料格納容器筒内に収納した状態で予め設定し
た時間だけ点灯されるように講じられている。
第２図（ａ）および（ｂ）は第１図に示した紫外線照射
装置を用いたとき、紫外線を照射する以前および以後の
シリコンウェファ表面のオージェスペクトルを示し、同
図（ａ）のＡ矢視部分は炭素の存在を示す凹みで、これ
に紫外線を照射すると同図（ｂ）のＡ矢視部分は略平坦
となり有機物質の除去効果の大きいことが明らかである
。
装置を用いたとき、紫外線を照射する以前および以後の
シリコンウェファ表面のオージェスペクトルを示し、同
図（ａ）のＡ矢視部分は炭素の存在を示す凹みで、これ
に紫外線を照射すると同図（ｂ）のＡ矢視部分は略平坦
となり有機物質の除去効果の大きいことが明らかである
。
次に、第３図（、）〜（０）はそれぞれシリコンウェフ
ァに紫外線を照射する以前、上記実施例の装置を用いて
３分間だけ紫外線を照射した後、および、従来装置によ
って３分間だけ紫外線を照射した後の微粒子付着状態を
それぞれ専用の微粒子付着検出機を用いて作製したマツ
プで、紫外線照射前の微粒子総数は同図（、）に示す如
く１８個であったのに対して、実施例の装置を用いて有
機化合物を除去した状態での総微粒子数は同図（ｂ）に
示すように２７個であった。
ァに紫外線を照射する以前、上記実施例の装置を用いて
３分間だけ紫外線を照射した後、および、従来装置によ
って３分間だけ紫外線を照射した後の微粒子付着状態を
それぞれ専用の微粒子付着検出機を用いて作製したマツ
プで、紫外線照射前の微粒子総数は同図（、）に示す如
く１８個であったのに対して、実施例の装置を用いて有
機化合物を除去した状態での総微粒子数は同図（ｂ）に
示すように２７個であった。
一方、表面仕上り状態が同図（ａ）に示したと同程度の
試料に、従来装置を用いて有機化合物の除去を試みたと
ころ微粒子総数は同図（Ｃ）に示す如く３９０個にも達
していた。
試料に、従来装置を用いて有機化合物の除去を試みたと
ころ微粒子総数は同図（Ｃ）に示す如く３９０個にも達
していた。
かくして、第１図に示した紫外線照射装置を用いた場合
、微粒子の総数は僅かに増加したのみで、実質的に逆汚
染のない、シリコンウェファの表面浄化が可能である。
、微粒子の総数は僅かに増加したのみで、実質的に逆汚
染のない、シリコンウェファの表面浄化が可能である。
なお、上記実施例では試料収納容器全体を合成石英で構
成したがヒータの熱を試料に伝達させ得、且つ、紫外線
を照射しても劣下の少ない部材を用いるならば、紫外線
ランプに対向する部分のみを透光性のものとし、これ以
外が遮光性の部材でも、上述したと略同様な洗浄が可能
である。
成したがヒータの熱を試料に伝達させ得、且つ、紫外線
を照射しても劣下の少ない部材を用いるならば、紫外線
ランプに対向する部分のみを透光性のものとし、これ以
外が遮光性の部材でも、上述したと略同様な洗浄が可能
である。
また、上記実施例では洗浄効果を増す目的でヒータ１４
ヲ設けているが、場合によってはこのヒータを除去して
も同様な洗浄も可能であり、さらに、試料１もシリコン
ウェファに限定されるものではなく、他の分野にも利用
し得ることは言うまでもない。
ヲ設けているが、場合によってはこのヒータを除去して
も同様な洗浄も可能であり、さらに、試料１もシリコン
ウェファに限定されるものではなく、他の分野にも利用
し得ることは言うまでもない。
以上の説明によって明らかな如く、本発明の紫外線照射
装置は、給気口および排気口を有するがツクス内に、紫
外線ランプと、この紫外線ランプに対向する部位が透光
性部材でなる試料収納容器とを設け、試料収納容器内に
は他と独立に清浄化されたガスを送給する構成であるの
で、逆汚染を確実に防止し得、これによってシリコンウ
ェファ等の高清浄度の仕上し洗浄面を要求される試料の
洗浄が可能になるという優れた効果が得られている。
装置は、給気口および排気口を有するがツクス内に、紫
外線ランプと、この紫外線ランプに対向する部位が透光
性部材でなる試料収納容器とを設け、試料収納容器内に
は他と独立に清浄化されたガスを送給する構成であるの
で、逆汚染を確実に防止し得、これによってシリコンウ
ェファ等の高清浄度の仕上し洗浄面を要求される試料の
洗浄が可能になるという優れた効果が得られている。
第１図は本発明に係る紫外線照射装置の一実施例の構成
を示す断面図、第２図（ａ）および（ｂ）は同実施例の
装置による洗浄実施試料のオージェスペクトル、第３図
（ＦＬ）〜（Ｃ）は同実施例の装置および従来装置との
洗浄効果を比較するための微粒子付着状態を示すマツプ
である。 １・・・被処理試料、１０・・・照射デツクス、１１・
・・給気口、１２・・・排気口、１４・・・ヒータ、加
・・・試料収納容器、２１・・・給気筒、ｎ・・・排気
筒、ｎ・・・蓋、Ｕ・・・支持台、ｂ・・・フィルタ。 出願人代理人 猪 股 清 ６１ 圀 １０ ６２ 閃 ｂ ３ 圀
を示す断面図、第２図（ａ）および（ｂ）は同実施例の
装置による洗浄実施試料のオージェスペクトル、第３図
（ＦＬ）〜（Ｃ）は同実施例の装置および従来装置との
洗浄効果を比較するための微粒子付着状態を示すマツプ
である。 １・・・被処理試料、１０・・・照射デツクス、１１・
・・給気口、１２・・・排気口、１４・・・ヒータ、加
・・・試料収納容器、２１・・・給気筒、ｎ・・・排気
筒、ｎ・・・蓋、Ｕ・・・支持台、ｂ・・・フィルタ。 出願人代理人 猪 股 清 ６１ 圀 １０ ６２ 閃 ｂ ３ 圀
Claims (2)
- （１）給気口および排気口を有するデツクスの内部に、
紫外線ランプと、前記がツクス外に導出された給気筒お
よび排気筒を有し、内部に被処理試料を収納し得、少な
くとも前記紫外線ラングとの対向部位が透光性部材でな
る試料収納容器とを設けたことを特徴とする紫外線照射
装置。 - （２）前記試料収納容器は前記紫外線ランプとの対向部
位に蓋を有し、且つ、この蓋を含めて全体が合成石英で
構成された特許請求の範囲第１項記載の紫外線照射装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58236896A JPS60129136A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 紫外線照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58236896A JPS60129136A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 紫外線照射装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60129136A true JPS60129136A (ja) | 1985-07-10 |
Family
ID=17007366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58236896A Pending JPS60129136A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 紫外線照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60129136A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4842828A (en) * | 1987-02-18 | 1989-06-27 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for treating surface of object with ultraviolet rays and reaction gas |
| EP0421745A2 (en) * | 1989-10-03 | 1991-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for cleaning an optical element for use with a radiation beam. |
| WO1994023854A1 (en) * | 1993-04-12 | 1994-10-27 | Cauldron Limited Partnership | Removal of surface contaminants by irradiation |
| EP0633823A4 (en) * | 1992-03-31 | 1995-02-15 | Cauldron Lp | Removal of surface contaminants by irradiation. |
| EP0642421A1 (en) * | 1992-05-19 | 1995-03-15 | Maxwell Technologies, Inc. | Method for using pulsed optical energy to increase the bondability of a surface |
| US5426057A (en) * | 1993-03-26 | 1995-06-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of measuring amount of organic material adsorbed to surface of semiconductor substrate |
| US5531857A (en) * | 1988-07-08 | 1996-07-02 | Cauldron Limited Partnership | Removal of surface contaminants by irradiation from a high energy source |
| US5643472A (en) * | 1988-07-08 | 1997-07-01 | Cauldron Limited Partnership | Selective removal of material by irradiation |
| US5821175A (en) * | 1988-07-08 | 1998-10-13 | Cauldron Limited Partnership | Removal of surface contaminants by irradiation using various methods to achieve desired inert gas flow over treated surface |
| EP2177278A1 (en) * | 2007-08-16 | 2010-04-21 | Asahi Glass Company, Limited | Substrate cleaning apparatus and method of cleaning substrate |
| JP2015150498A (ja) * | 2014-02-14 | 2015-08-24 | トヨタ自動車株式会社 | 表面処理装置と表面処理方法 |
-
1983
- 1983-12-15 JP JP58236896A patent/JPS60129136A/ja active Pending
Cited By (13)
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| EP0642421A4 (en) * | 1992-05-19 | 1996-03-13 | Maxwell Lab Inc | METHOD OF USING PULSED OPTICAL ENERGY. |
| EP0642421A1 (en) * | 1992-05-19 | 1995-03-15 | Maxwell Technologies, Inc. | Method for using pulsed optical energy to increase the bondability of a surface |
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| EP2177278A4 (en) * | 2007-08-16 | 2011-09-07 | Asahi Glass Co Ltd | SUBSTRATE CLEANING APPARATUS AND SUBSTRATE CLEANING METHOD |
| JP2015150498A (ja) * | 2014-02-14 | 2015-08-24 | トヨタ自動車株式会社 | 表面処理装置と表面処理方法 |
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