JPH07335602A

JPH07335602A - 基板の表面処理方法及び表面処理装置

Info

Publication number: JPH07335602A
Application number: JP14853494A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Takeuchi; 勉武内; Akira Izumi; 昭泉
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1994-06-06
Filing date: 1994-06-06
Publication date: 1995-12-22

Abstract

(57)【要約】【目的】基板の表面に被着形成された被膜を、基板を
無水フッ化水素とアルコールとの混合蒸気にさらすこと
によって除去する場合に、その処理後の基板の表面上に
残留するフッ素原子を、純水リンス処理によることなく
効果的に基板表面上から除去できる方法を提供する。【構成】処理室70内において無水フッ化水素とアルコ
ールとの混合蒸気に基板Ｗをさらして基板表面の被膜を
除去した後に、不活性ガス雰囲気又は真空雰囲気とされ
た搬送室92内において基板を搬送して光照射室72内へ搬
入し、不活性ガス雰囲気又は真空雰囲気に保たれた光照
射室内において基板に対して真空紫外光を照射する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハ、ガラ
ス基板等の基板の表面に被着形成されたシリコン酸化膜
（ＳｉＯ₂）等の被膜を洗浄処理或いはエッチング処理
によって除去する基板の表面処理方法、並びに、その方
法を実施するのに使用される基板の表面処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいて、シリコンウエハの表面に被着形成されたシリコ
ン酸化膜を洗浄除去したりエッチング除去したりする場
合、フッ化水素酸（以下、「フッ酸」という）を使用し
た浸漬式或いはスプレイ式のウェット処理が広く一般に
行なわれている。このウェット処理では、通常、フッ酸
を用いてウエハ表面のシリコン酸化膜を洗浄除去或いは
エッチング除去した後に、純水を使用してリンス処理
し、ウエハ表面上に残留したフッ素原子を除去するよう
にしている。ところが、このような方法によりウエハの
表面処理を行なうと、以下のような種々の問題点があ
る。

【０００３】すなわち、フッ酸による表面処理によって
ウエハ表面に露出したシリコン（Ｓｉ）が、その後に行
なわれる純水リンス処理によって再び酸化されてシリコ
ン酸化膜が形成されてしまう。そして、このような傾向
は、イオンドープされて比抵抗の低いウエハにおいて著
しく現われる。また、純水を使用してリンス処理した後
に、ウエハを良好に乾燥処理することが難しく、シリコ
ンが露出した部分にウォーターマークと呼ばれるしみが
発生する危険性が極めて高い。さらに、ウエハ上に形成
されるデバイスのパターンが微細化するに従って高段差
化が進み、このためウエハ上に益々深い穴や溝が形成さ
れることになり、これに伴い、それらの穴や溝の中へ薬
液を入れることが難しくなり、また、例えそれらの中へ
薬液が入ったとしても、今度は穴や溝から外へ薬液を出
すことが難しくなって、表面処理が困難になる、といっ
た問題点がある。

【０００４】上記したようなウェット処理における諸問
題点を解決する方法として、例えば特開平３−２０４９
３２号公報には、基板を無水フッ化水素（ＨＦ）とアル
コールとの混合蒸気にさらすことにより基板表面のシリ
コン酸化膜を除去する方法が開示されている。この方法
は、図５に概略構成の１例を示したような装置を使用し
て実施される。

【０００５】図５において、洗浄されるべきシリコンウ
エハ10が収容される容器12は、例えばテフロンによって
形成されており、その内部の処理室は外気から気密に隔
離されている。この容器12には、ガス・蒸気の供給管路
20及び排気管路22にそれぞれ持続された供給口14及び排
気口16が設けられており、またバイパス管路18が付設さ
れている。また、図には示していないが、容器12の側面
には、シリコンウエハを出し入れするための扉が設けら
れている。容器12の供給口14に連通している供給管路20
には、３本の管路24、26、28が合流しており、各管路2
4、26、28の端部に無水フッ化水素の供給源30、アルコ
ール、例えばメタノールの供給源32及びキャリアガスで
ある窒素ガスの供給源34がそれぞれ設けられている。ま
た、無水フッ化水素ガス及びアルコール蒸気の各供給管
路24、26には、キャリアガスの管路28の分岐管路36、38
がそれぞれ連通している。さらに、各管路24、26、28に
は、それぞれマスフローコントローラ40、42、44が介挿
されており、無水フッ化水素及びアルコールの各供給源
30、32には温度コントローラ46、48がそれぞれ設けられ
ている。そして、無水フッ化水素ガス及びキャリアガス
（窒素）の供給量の調節は、それぞれの供給管路24、28
に設けられたマスフローコントローラ40、44によって行
なわれる。また、アルコール蒸気の供給量の調節は、キ
ャリアガスである窒素の流量並びにアルコール（液体）
の温度（従ってアルコールの蒸気圧）の制御によって行
なわれる。また、無水フッ化水素ガス及びアルコール蒸
気の各供給系において結露が起こったりしないようにす
るため、それぞれの供給管路24、26は、破線で示すよう
に保温材50、52によって保温されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図５に示したような装
置を使用し、基板に対し無水フッ化水素とアルコールと
の混合蒸気を供給して基板表面のシリコン酸化膜を除去
するようにしたときは、ウェット処理におけるような上
記諸問題点を全て解決することができる。しかしなが
ら、特開平３−２０４９３２号公報に開示された方法で
は、処理後において基板表面上に僅かにフッ素原子が残
留することが分かった（月間Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒＷｏｒｌｄ１９９２．３，Ｐ．１２８−１３３参
照）。ところが、基板に各種の表面処理を施して半導体
デバイス等を製造するプロセス中においては、そのよう
にして基板表面上に僅かなフッ素原子が残留しても、デ
バイスの動作特性に対し悪影響を与える可能性がある。

【０００７】従って、基板表面のシリコン酸化膜を除去
した後に基板表面上からフッ素原子を排出除去する必要
がある。基板表面上からフッ素原子を除去するために
は、通常、純水を用いたリンス処理が行なわれるが、基
板表面のシリコン酸化膜を除去した後に最終工程として
純水リンス処理すると、基板表面上からフッ素原子を除
去することはできても、結局、ウェット処理における上
記諸問題点と同様の問題を生じさせてしまうことにな
る。

【０００８】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、基板の表面に被着形成されたシリコ
ン酸化膜等の被膜を、基板を無水フッ化水素とアルコー
ルとの混合蒸気にさらすことによって除去する場合に、
その処理後の基板の表面上に残留するフッ素原子を、従
来行なわれているような純水リンス処理によることな
く、効果的に基板表面上から除去することができる基板
の表面処理方法を提供すること、並びに、その方法を好
適に実施することができる基板の表面処理装置を提供す
ることを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る本発明の
基板の表面処理方法では、無水フッ化水素とアルコール
との混合蒸気に基板をさらすことにより基板表面の被膜
を除去した後に、基板を不活性ガス雰囲気又は真空雰囲
気中において搬送して、外気から気密に隔離され不活性
ガス雰囲気又は真空雰囲気に保たれた光照射室内へ基板
を搬入し、その光照射室において基板に対して真空紫外
光を照射するようにした。ここで、「真空紫外光」と
は、波長が約０．２ｎｍから約２００ｎｍまでの範囲の
光で、空気によって強く吸収される光である。

【００１０】また、請求項２に係る本発明の基板の表面
処理装置では、外気から気密に隔離され内部に基板を収
容する処理室と、この処理室内へ無水フッ化水素及びア
ルコールを供給する蒸気供給手段とを備える他に、外気
から気密に隔離された光照射室と、この光照射室内に収
容された基板に対して真空紫外光を照射する光照射手段
と、前記光照射室内へ不活性ガスを供給して光照射室内
を不活性ガス雰囲気とする不活性ガス供給手段又は前記
光照射室の内部を真空排気して光照射室内を真空雰囲気
とする真空排気手段と、前記処理室と前記光照射室との
間に介設され、外気から気密に隔離された搬送室と、こ
の搬送室内に配設されて基板を搬送する基板搬送手段
と、前記搬送室内へ不活性ガスを供給して搬送室内を不
活性ガス雰囲気とする不活性ガス供給手段又は前記搬送
室の内部を真空排気して搬送室内を真空雰囲気とする真
空排気手段とを設けて構成した。

【００１１】

【作用】上記したように構成された請求項１に係る本発
明の基板の表面処理方法では、また、請求項２に係る本
発明の装置を使用して基板の表面処理を行なう場合にお
いては、まず、処理室内において基板、例えばシリコン
ウエハが無水フッ化水素とアルコールとの混合蒸気にさ
らされることにより、ウエハ表面に被着形成された被
膜、例えばシリコン酸化膜が除去される。このとき、シ
リコンウエハの表面のシリコン酸化膜が除去されてシリ
コンが露出すると、そのシリコンとフッ素原子とが結合
して、ウエハ表面上にフッ素原子が残留する。次に、シ
リコンウエハは不活性ガス雰囲気又は真空雰囲気中を搬
送され、不活性ガス雰囲気又は真空雰囲気に保たれた光
照射室内へ搬入される。そして、光照射室内においてシ
リコンウエハに対して真空紫外光が照射され、これによ
り、シリコンウエハのシリコン露出面とフッ素原子との
結合が切られ、ウエハ表面上から離脱したフッ化物は、
排気によってウエハ表面上から排出除去される。

【００１２】ここで、シリコンウエハの表面のシリコン
酸化膜を除去した後にウエハを大気雰囲気中において搬
送すると、ウエハが光照射室内へ搬送されるまでの間
に、露出したシリコン表面が酸化されたりシリコン表面
に酸素や水分が吸着されたりする。また、大気雰囲気中
においてシリコンウエハに対して真空紫外光を照射する
と、直ちにオゾンガスが発生して、露出したシリコン表
面が酸化されてしまう。さらにまた、光照射室内だけを
不活性ガス雰囲気又は真空雰囲気にしていても、ウエハ
の搬送を大気雰囲気下で行なうようにしたときには、上
記したように露出したシリコン表面に酸素や水分が吸着
され、その酸素や水分は光照射室内において速やかに除
去することができない。この状態でシリコンウエハに対
して真空紫外光が照射されると、露出したシリコン表面
に吸着されて残留している酸素や水分が励起され、シリ
コン表面が酸化されてしまう。

【００１３】以上のようにして、シリコンウエハの露出
したシリコン表面が酸化されてしまうと、ウエハ表面上
に残留していたフッ素原子がシリコン酸化膜中に取り込
まれてしまい、この結果、シリコンウエハに対して真空
紫外光を照射しても、ウエハ表面上に残っているフッ素
原子を有効に除去することができなくなってしまう。従
って、ウエハ表面上に残留しているフッ素原子を真空紫
外光の照射によって効果的に除去するためには、一連の
処理の期間を通してシリコン表面を酸化させないように
することが必要であるが、この発明に係る方法では、シ
リコンウエハの搬送中及び光照射処理中においてウエハ
は不活性ガス雰囲気又は真空雰囲気に置かれるので、ウ
エハ表面上に残留しているフッ素原子が有効に除去され
ることになる。

【００１４】

【実施例】以下、この発明の好適な実施例について図面
を参照しながら説明する。

【００１５】図１は、この発明に係る基板の表面処理方
法を実施するための装置の概略構成の１例を示す平面配
置図である。この装置は、蒸気処理部60、光照射部62、
搬送部64、ローダ部66及びアンローダ部68から構成され
ている。

【００１６】蒸気処理部60は処理室70を有し、この蒸気
処理部60では、処理室70内に収容された基板Ｗを無水フ
ッ化水素とアルコールとの混合蒸気にさらすことにより
基板表面の被膜、例えばシリコン酸化膜を除去する処理
が行なわれる。蒸気処理部70の構成は、図５に１例を示
した通りであり、その説明を省略する。

【００１７】光照射部62は、外気から気密に隔離された
光照射室72を有し、例えば図２に概略側面断面図を示し
たように構成されている。すなわち、ステンレス製密閉
容器74の内部に、基板Ｗが収容される光照射室72が形成
されており、光照射室72は、石英ガラス製窓板76によっ
て上・下に二分されている。そして、窓板76の下面側に
対向するように基板Ｗが配置されるようになっており、
一方、窓板76の上面側に対向してエキシマ光照射ランプ
78が配設されている。エキシマ光照射ランプ78から照射
される紫外光は、図３に示すように、例えば波長１７２
ｎｍに最大放射強度を持つ発光スペクトルを有してい
る。密閉容器74の一側面には、基板Ｗを出し入れするた
めの開口80が形設されている。また、密閉容器74にはガ
ス導入口82が形設されており、ガス導入口82は、バル
ブ、圧力コントローラ及びマスフローコントローラ（何
れも図示せず）が介挿されたガス供給管路84を介して不
活性ガス、例えば窒素ガスの供給源（図示せず）に流路
接続されている。さらに、密閉容器74には、排気口86が
形設されており、排気口86は、ストップバルブ90及び排
気流量制御バルブ（図示せず）が介挿された排気管路88
を介して図示しない真空ポンプに流路接続されている。
尚、図２では、光照射室72の下半部だけに窒素ガスが供
給されるように図示されているが、光照射室72の上半部
も窒素ガスでパージされるようになっている。

【００１８】搬送部64は、外気から気密に隔離された搬
送室92を有しており、その搬送室92内に、基板を搬送す
る搬送ロボット94が配設されている。図示を省略した
が、この搬送部64にも、光照射部62と同様に、搬送室92
内へ不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する窒素ガス供
給系、並びに、搬送室92の内部を真空排気する真空排気
系が設けられている。

【００１９】また、ローダ部66は、基板を搬入するため
の扉を閉塞したときに外気から気密に隔離することが可
能なローダ室96を有しており、アンローダ部68は、基板
を搬出するための扉を閉塞したときに外気から気密に隔
離することが可能なアンローダ室98を有している。ま
た、図示を省略したが、これらローダ部66及びアンロー
ダ部68にも、光照射部62と同様に、ローダ室96及びアン
ローダ室98内へ窒素ガスを供給する窒素ガス供給系、並
びに、ローダ室96及びアンローダ室98の内部を真空排気
する真空排気系がそれぞれ設けられている。そして、搬
送室92と処理室70、光照射室72、ローダ室96及びアンロ
ーダ室98との間にはそれぞれ、各室間での基板の移送の
際に開放され、それ以外のときには各室間を気密に隔離
するためのゲートバルブ100、102、104、106が配設され
ている。

【００２０】次に、図１に示した装置を使用して基板の
表面処理を行なう一連の過程について説明する。最初
に、全てのゲートバルブ100、102、104、106を閉じた状
態で、光照射室72、搬送室92及びアンローダ室98の各室
内へ窒素ガスを供給してそれら各室内を窒素ガス雰囲気
とし、或いは、光照射室72、搬送室92及びアンローダ室
98の各内部を真空排気してそれら各室内を真空雰囲気と
しておく。また、処理室70内は、窒素ガスでパージして
窒素ガス雰囲気とし、或いは、真空排気して真空雰囲気
としておく。この状態において、ローダ室96内へ基板を
搬入し、基板搬入後に扉を閉塞して、ローダ室96内へ窒
素ガスを供給し或いはローダ室96内を真空排気する。次
に、ゲートバルブ104を開き、搬送ロボット94によりロ
ーダ室96から搬送室92内へ基板を移送し、ゲートバルブ
104を閉じるとともにゲートバルブ100を開いて、搬送ロ
ボット94により搬送室92から処理室72内へ基板を移送
し、ゲートバルブ100を閉じる。そして、処理室70にお
いて、無水フッ化水素とアルコール、例えばメタノール
とを処理室70内へ供給してその混合蒸気に基板Ｗをさら
すことにより、基板Ｗの表面に被着形成されたシリコン
酸化膜を除去する。尚、無水フッ化水素とメタノールと
は、別々に処理室70内へ供給するようにしてもよいし、
それらを混合して混合蒸気を処理室70内へ供給するよう
にしてもよい。

【００２１】処理室70内での処理が終わると、ゲートバ
ルブ100を開いて搬送ロボット94により基板Ｗを処理室7
0から搬送室92内へ移送し、ゲートバルブ100を閉じると
ともにゲートバルブ102を開いて、搬送ロボット94によ
り搬送室92から光照射室72内へ基板Ｗを移送し、ゲート
バルブ102を閉じる。そして、光照射室72において、エ
キシマ光照射ランプ78から基板Ｗに対して波長１７２ｎ
ｍに最大放射強度を持つ真空紫外光を照射することによ
り、基板Ｗの表面上に残留したフッ素原子を除去する。
光照射室72内での処理が終わると、ゲートバルブ102を
開いて搬送ロボット94により基板Ｗを光照射室72から搬
送室92内へ移送し、ゲートバルブ102を閉じるとともに
ゲートバルブ106を開いて、搬送ロボット94により搬送
室92からアンローダ室98内へ基板Ｗを移送し、ゲートバ
ルブ106を閉じる。そして、扉を開いてアンローダ室98
から基板を搬出し、その後に、扉を閉じた状態でアンロ
ーダ室98内へ窒素ガスを供給し或いはアンローダ室98内
を真空排気する。

【００２２】以上のような一連の基板表面処理を良好に
行なうためには、各室内における汚染物質、水分（Ｈ₂
Ｏ）及び酸素（Ｏ₂）の残存量を極めて低いレベルに抑
える必要がある。特に、光照射室72内及び搬送室92内に
おいては、Ｈ₂Ｏを１ｐｐｍ以下、Ｏ₂を４ｐｐｍ以下の
濃度に抑えることが望ましい。また、処理室70内は、蒸
気処理時以外では、Ｈ₂Ｏを１０ｐｐｍ以下、Ｏ₂を１０
ｐｐｍ以下にすることが望ましい。さらに、ローダ室96
内及びアンローダ室98内は、基板の搬入・搬出後の安定
時において、Ｈ₂Ｏを１０ｐｐｍ以下、Ｏ₂を１０ｐｐｍ
以下にすることが望ましい。

【００２３】図４に平面配置図を示した装置は、処理室
112を有する蒸気処理部110、光照射室116を有する光照
射部114及びローダ室120を有するローダ部118との間に
おいて搬送ロボット126によりそれぞれ基板Ｗの搬送を
行なう第１の搬送部122と、外気から気密に隔離された
酸化用急速昇降温熱処理室130を有する熱処理部128及び
アンローダ室134を有するアンローダ部132との間におい
て搬送ロボット140によりそれぞれ基板Ｗの搬送を行な
う第２の搬送部136とを、外気から気密に隔離された移
載室144を有する基板受け渡し部142を介在させて連接し
た構成を備えている。そして、第１の搬送室124と処理
室112、光照射室116及びローダ室120との各間、第２の
搬送室138と熱処理室130及びアンローダ室134との各
間、並びに、第１の搬送室124及び第２の搬送室138と移
載室144との各間には、ゲートバルブ146、148、150、15
2、154、156、158がそれぞれ介設されている。また、図
示を省略したが、移載室144にも、光照射部114などと同
様に、移載室144内へ窒素ガスを供給する窒素ガス供給
系、並びに、移載室144の内部を真空排気する真空排気
系がそれぞれ設けられており、移載室144内が窒素ガス
雰囲気或いは真空雰囲気に保たれるようになっている。

【００２４】図４に示した装置では、基板は、ローダ室
120→第１の搬送室124→処理室112→第１の搬送室124→
光照射室116→第１の搬送室124→移載室144→第２の搬
送室138→熱処理室130→第２の搬送室138→アンローダ
室134と順次搬送され、最終的に熱処理室130で通常のド
ライ酸素による酸化処理を施された基板がアンローダ室
134から搬出される。そして、この装置を使用すれば、
基板に対しゲート酸化膜用の良好な表面処理を施すこと
ができるが、そのために各室内におけるＨ₂Ｏ及びＯ₂の
残存量を、光照射室116内、第１及び第２の各搬送室12
4、138内並びに移載室144内はＨ₂Ｏ１ｐｐｍ以下、Ｏ₂
４ｐｐｍ以下に、処理室112内は蒸気処理時以外におい
てＨ₂Ｏ１０ｐｐｍ以下、Ｏ₂１０ｐｐｍ以下に、熱処理
室130内は酸化処理時以外においてＨ₂Ｏ１ｐｐｍ以下、
Ｏ₂４ｐｐｍ以下に、ローダ室120内及びアンローダ室13
4内は基板搬出入後の安定時においてＨ₂Ｏ１０ｐｐｍ以
下、Ｏ₂１０ｐｐｍ以下にそれぞれ抑えることが望まし
い。

【００２５】

【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
かつ作用するので、請求項１に係る本発明の基板の表面
処理方法によれば、また、請求項２に係る本発明の装置
を使用して基板の表面処理を行なうようにしたときは、
基板の表面に被着形成されたシリコン酸化膜等の被膜
を、基板を無水フッ化水素とアルコールとの混合蒸気に
さらすことによって除去する場合に、その処理後の基板
の表面上に残留するフッ素原子を効果的に除去すること
ができるため、半導体デバイス等の製造プロセス中にお
いて、基板表面上に残留したフッ素原子に起因して何ら
かの問題を生じる、といった可能性が無い。そして、基
板表面上からフッ素原子を除去するのに基板を純水リン
ス処理したりしないため、シリコン酸化膜が除去されて
露出したシリコンが再び酸化されてシリコン酸化膜が形
成されてしまったり、シリコンが露出した部分にウォー
ターマークと呼ばれるしみが発生したりするなどといっ
た問題が生じることはない。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る基板の表面処理方法を実施する
ための装置の概略構成の１例を示す平面配置図である。

【図２】図１に示した装置における光照射部の構成の１
例を示す概略側面断面図である。

【図３】図２に示した光照射部において使用されるエキ
シマ光照射ランプから照射される紫外光の発光スペクト
ルの１例を示す図である。

【図４】この発明に係る基板の表面処理方法を実施する
ための装置の別の構成例を示す概略平面配置図である。

【図５】基板を無水フッ化水素とアルコールとの混合蒸
気にさらすことにより基板表面のシリコン酸化膜を除去
する方法を実施するための装置の１例を示す概略構成図
である。

【符号の説明】

60、110 蒸気処理部 62、114 光照射部 64、122、136 搬送部 66、118 ローダ部 68、132 アンローダ部 70、112 処理室 72、116 光照射室 76 石英ガラス製窓板 78 エキシマ光照射ランプ 82 ガス導入口 84 ガス供給管路 86 排気口 88 排気管路 92、124、138 搬送室 96、120 ローダ室 98、134 アンローダ室 128 熱処理部 130 熱処理室 142 基板受け渡し部 144 移載室Ｗ基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｐ 21/306 Ｂ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】外気から気密に隔離された処理室内に基
板を収容し、その処理室内へ無水フッ化水素とアルコー
ルとを供給してその混合蒸気に基板をさらすことによ
り、基板の表面に被着形成された被膜を除去する基板の
表面処理方法において、基板表面の被膜を除去した後、基板を不活性ガス雰囲気
又は真空雰囲気中において搬送して、外気から気密に隔
離され不活性ガス雰囲気又は真空雰囲気に保たれた光照
射室内へ基板を搬入し、その光照射室内において基板に対して真空紫外光を照射
することを特徴とする基板の表面処理方法。
【請求項２】外気から気密に隔離され内部に基板を収
容する処理室と、この処理室内へ無水フッ化水素及びアルコールを供給す
る蒸気供給手段とを備えた基板の表面処理装置におい
て、外気から気密に隔離された光照射室と、この光照射室内に収容された基板に対して真空紫外光を
照射する光照射手段と、前記光照射室内へ不活性ガスを供給して光照射室内を不
活性ガス雰囲気とする不活性ガス供給手段又は前記光照
射室の内部を真空排気して光照射室内を真空雰囲気とす
る真空排気手段と、前記処理室と前記光照射室との間に介設され、外気から
気密に隔離された搬送室と、この搬送室内に配設されて基板を搬送する基板搬送手段
と、前記搬送室内へ不活性ガスを供給して搬送室内を不活性
ガス雰囲気とする不活性ガス供給手段又は前記搬送室の
内部を真空排気して搬送室内を真空雰囲気とする真空排
気手段とを設けたことを特徴とする基板の表面処理装
置。