JP2001343499A

JP2001343499A - 基板処理装置及び処理方法

Info

Publication number: JP2001343499A
Application number: JP2000165839A
Authority: JP
Inventors: Kazuto Kinoshita; 和人木下; Noriya Wada; 憲也和田; Kazuhiko Kenmori; 和彦権守
Original assignee: Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Current assignee: Hitachi High Tech Corp
Priority date: 2000-06-02
Filing date: 2000-06-02
Publication date: 2001-12-14
Anticipated expiration: 2020-06-02
Also published as: JP4318011B2

Abstract

(57)【要約】【課題】基板の表面における洗浄等の処理精度及び処
理効率を向上させる。【解決手段】基板１０の搬送経路において、誘電体バ
リア放電ランプ１を設けたランプハウス１２の下部に純
水を貯留する水槽１５を配置して、この水槽１５内に周
胴部に多数の微細な孔からなる吹き出し口を開口させた
窒素ガス供給パイプ１９を浸漬させて設けて、窒素ガス
の気泡を水槽１５内に発生させることによって、ランプ
ハウス１２の下部位置を窒素ガスと水蒸気との混合流体
の雰囲気となし、放電ランプ１から照射される紫外光の
作用で水蒸気を分解させて、還元性の活性種［Ｈ・］及
び酸化性の活性種［・ＯＨ］を生成させることにより、
基板表面をドライ洗浄すると共に接触角を小さくする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶パネル基板、
半導体ウエハ、磁気ディスク基板、光ディスク基板等、
ガラス，半導体，樹脂，セラミックス，金属等や、それ
らの複合された基板表面に紫外光を照射して、洗浄，エ
ッチング等の処理を行う紫外光照射による基板処理装置
及び処理方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えば、液晶パネルを構成するガラス等
の透明基板を構成するＴＦＴ基板には、その表面に成膜
手段により透明電極等のパターンが形成される。このよ
うな基板の製造工程においては、洗浄やエッチング等の
処理が行われるが、これらの処理方式としては、所定の
処理液を塗布乃至噴射して行うウエットプロセス方式で
行うのが一般的である。しかしながら、近年において
は、紫外光を照射することによりドライプロセスでも、
洗浄やエッチング等の処理が行われるようになってきて
いる。

【０００３】例えば、特開平５−２２４１６７号公報に
おいては、液晶パネルのガラス基板の洗浄方法として、
洗浄液を用いたウエットプロセスを行うに先立って、基
板に紫外光を照射することによって、より効率的な洗浄
を行えるようにしたものが開示されている。この公知の
洗浄方法では、洗浄液を噴射して基板を洗浄する前工程
として、基板の表面に低圧水銀ランプからの紫外光を照
射することによって、基板の表面に付着している有機物
を化学的に除去すると共に、この表面の濡れ性を改善し
て、即ち接触角が小さくすることにより、シャワー等に
よる洗浄時に無機物の汚れを効率的に取り除くようにし
ている。ここで、低圧水銀ランプから照射される紫外光
は、その波長が概略１８５ｎｍ及び２５４ｎｍにピーク
を持つものであり、このようなピーク波長特性を有する
紫外光により基板表面に付着した有機物を除去すること
ができる。この有機物洗浄のメカニズムとしては、紫外
光の照射エネルギで有機物を構成する化学結合を分解す
ることにより低分子化させると共に活性化させる。ま
た、これと同時に、空気中の酸素が紫外光を吸収するこ
とによりオゾンが発生することになり、さらにこのオゾ
ンが活性酸素に変換されることから、活性化した有機汚
染物は、この活性酸素との酸化分解反応により最終的に
はＣＯ_X ，Ｈ₂ Ｏ，ＮＯ_X 等の揮発物質に変換されて空
気中に放出されるようにして除去される。

【０００４】ところで、低圧水銀ランプから照射される
紫外光の波長は短波長側で１８５ｎｍであるので、基板
に付着している有機物であっても、２重結合等のように
化学結合エネルギーの強いものを分解できない場合があ
る。従って、基板をより完全に洗浄するには、さらに短
い波長の紫外光を照射しなければならない。そこで、誘
電体バリア放電ランプを用い、この放電ランプから真空
紫外光を基板表面に照射して、ワークをドライ洗浄する
方式が特開平７−１９６３０３号公報に提案されてい
る。

【０００５】ここで、この特開平７−１９６３０３号公
報の洗浄方式は、真空紫外光による光化学反応により活
性酸化性分解物を生じさせて、基板の表面に付着してい
る有機汚染物を除去するようにするものである。つま
り、誘電体バリア放電ランプから１７２ｎｍの波長の紫
外光で有機物を構成する化学結合を分解することにより
低分子化させると共に活性化させる。また、これと同時
に空気中の酸素が紫外光で分解されて活性酸素に変換さ
せることから、活性化した有機汚染物は、この活性酸素
との酸化反応により最終的にはＣＯ_X ，Ｈ₂ Ｏ，ＮＯ_X
等の揮発物質に変換され空気中に放出されるように除去
され、基板の接触角を小さくするようにしている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、空気中
の酸素を分解する際、紫外光が消費されるために、空気
層が厚くなると基板表面に到達する紫外光が指数関数的
に減衰し、基板表面の有機物の活性化能力及び基板表面
近傍での活性酸素の発生能力が低下し、有機物除去能力
も著しく低下するという欠点がある。また、酸素を含む
流体に真空紫外光を照射することにより生成されるの
は、活性酸化性分解物であり、従って基板の表面に付着
している有機物とは酸化反応しか生じることはないの
で、基板表面から除去できる有機物の種類等によっては
効率的に除去できない場合がある等といった問題点もあ
る。

【０００７】本発明は以上の点に鑑みてなされたもので
あって、その目的とするところは、基板の表面における
洗浄等の処理精度及び処理効率を向上させることにあ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明による基板処理装置の構成としては、誘
電体バリア放電ランプを装着したランプハウスと、この
ランプハウスに対して対向配設され、上端が開口され、
内部に純水を貯留した水槽と、この水槽内に装着され、
不活性ガスの吹き出し口を有する不活性ガス供給手段
と、前記ランプハウスと前記水槽との間に設けられ、不
活性ガスと水蒸気との混合雰囲気下であって、前記誘電
体バリア放電ランプからの紫外光が照射される領域を通
るように被処理基板を通過させる基板搬送経路とを備え
る構成としたことをその特徴とするものである。

【０００９】ここで、誘電体バリア放電ランプを収容す
るランプハウスは、処理チャンバを構成するハウジング
内に設けるようになし、このハウジングには、その一端
側に基板搬入口を、他端側に基板搬出口を形成し、かつ
下部位置に水槽を設け、基板の搬送経路のうち、ランプ
ハウスの下部領域を不活性ガスと水蒸気とを含み、実質
的に酸素が存在しない雰囲気とすることができる。ま
た、ランプハウスの内部は不活性ガスの雰囲気下に置か
れるが、ランプハウスそのものは、基板搬送経路に沿っ
て搬送される基板に対向する側を開口させることもで
き、またこの基板への対向面には合成石英ガラス等から
なり、紫外光を透過させる窓ガラスを装着することによ
り閉鎖するようにしても良い。

【００１０】ランプハウスの内部及び不活性ガス供給手
段により水槽内に供給される不活性ガスは、価格や取り
扱い性等の点から窒素ガスを用いるのが望ましい。そし
て、不活性ガス供給手段の具体的な構成としては、例え
ばパイプ等から構成され、水槽内の純水に浸漬させ、周
胴部に複数の吹き出し口を穿設した不活性ガス流出配管
で構成することができる。さらに、不活性ガス供給手段
は、独自の経路から不活性ガスを供給するようにしても
良いが、処理チャンバを構成するハウジングに排気管を
接続し、この排気管の他端をポンプに接続し、またこの
ポンプの吐出側に不活性ガス供給手段を接続する構成と
すれば、不活性ガスの消費量を低減することができる。
なお、不活性ガスの供給流量を制御することによって、
湿度を制御することができる。また、水槽に給水管を接
続すると共に、この水槽内の所定の高さ位置に開口する
溢出用の排水管を設けるようにすれば、純水は常に流動
状態に保持されて、澱み等がなくなるので、細菌等の繁
殖を防止できる。一方、給水管の他端は、前記水槽より
も高所に位置する給水タンクに接続する構成するのが望
ましい。また、基板搬送手段は、ランプハウスの配設部
を含めて、所定のピッチ間隔を置いて設けたローラコン
ベアで構成することができる。

【００１１】次に、本発明の基板処理方法において、第
１の発明は、不活性ガスと水蒸気との混合雰囲気下に、
誘電体バリア放電ランプから紫外光を照射することによ
る放射線の作用で水蒸気を分解させることによって、還
元性の活性種［Ｈ・］及び酸化性の活性種［・ＯＨ］を
生成させ、この雰囲気内に基板を配置することによっ
て、これら活性種［Ｈ・］，活性種［・ＯＨ］を基板表
面と接触させることを特徴としている。

【００１２】また、第２の発明としては、不活性ガスと
水蒸気との混合雰囲気中に基板を水平搬送するようにな
し、この基板に対して誘電体バリア放電ランプから照射
される紫外光を照射することによって、基板表面に付着
する有機物を分解し、かつ水蒸気を分解させて、還元性
の活性種［Ｈ・］及び酸化性の活性種［・ＯＨ］を生成
させ、これら活性種［Ｈ・］，活性種［・ＯＨ］を有機
物の分解生成物と反応させることを特徴とする。

【００１３】さらに、第３の発明は、不活性ガスと水蒸
気との混合雰囲気中に基板を水平搬送するようになし、
この基板に対して誘電体バリア放電ランプから照射され
る紫外光を照射することによって、基板表面に付着する
有機物を分解し、かつ水蒸気に紫外光を作用することに
よって、この水蒸気から還元性の活性種［Ｈ・］及び酸
化性の活性種［・ＯＨ］を生成させ、これら活性種［Ｈ
・］，活性種［・ＯＨ］を有機物の分解生成物と反応さ
せることによって、基板表面をドライ洗浄すると共に接
触角を小さくするようになし、次いでこの基板に洗浄液
を供給することによりウエット洗浄を行い、さらにこの
ウエット洗浄後の基板を乾燥させることをその特徴とす
るものである。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態について説明する。まず、図１及び図２に本発
明の基板処理装置に用いられる誘電体バリア放電ランプ
（以下、単に放電ランプという）の概略構成を示す。図
中において、１は放電ランプを示し、この放電ランプ１
は共に石英ガラスで一体的に形成した内管部２と外管部
３とからなり、円環状の石英ガラス管４を有し、この石
英ガラス管４の内部は密閉された放電空間５となってい
る。内管部２の内側には円筒状の金属板からなる金属電
極６がこの内管部２に固着して設けられている。また、
外管部３の外周面には、金網電極７が設けられている。
そして、これら金属電極６と金網電極７との間に交流電
源８が接続されている。さらに、内管部２の内側には、
金属電極６を冷却するための冷却用流体（例えば冷却
水）の通路として利用される。

【００１５】石英ガラス管４の内部には放電ガスが封入
されており、金属電極６と金網電極７との間に交流の高
電圧を印加すると、内管部２と外管部３との誘電体間に
放電プラズマ（誘電体バリア放電）が発生し、この放電
プラズマにより放電ガスの原子が励起されて、エキシマ
状態となる。そして、このエキシマ状態から基底状態に
戻る際に、エキシマ発光が生じる。この時の発光スペク
トルは、石英ガラス管４内に封入された放電ガスにより
異なるが、キセノン（Ｘｅ）ガスを用いると、１７２ｎ
ｍに中心波長を持つ単色光の発光となる。また、アルゴ
ン（Ａｒ）ガスを放電ガスとして用いれば、発光波長の
中心はさらに短い１２６ｎｍとなる。そして、金属電極
６は反射板として機能し、また金網電極７は実質的に透
明電極として機能するから、この短波長の紫外光は外管
部３側から照射される。なお、この場合のキセノンガス
の封入圧は、例えば３５０Ｔｏｒｒ程度とする。

【００１６】次に、以上の放電ランプ１を用いて、例え
ば液晶表示パネルを構成する透明基板の洗浄装置の概略
構成を図３に示す。同図において、１０は洗浄される基
板であり、この基板１０は搬送手段として、例えばロー
ラコンベア１１により同図に矢印で示した方向に搬送さ
れるようになっており、この間にその表面がドライ洗浄
されるようになっている。基板１０に対してドライ洗浄
するために、ローラコンベア１１による搬送経路の所定
の位置において、このローラコンベア１１で搬送される
基板１０に対面するようにランプハウス１２が設置され
ている。

【００１７】ランプハウス１２は下端が開口した容器か
らなり、内部には１乃至複数の放電ランプ１（図面では
３個の放電ランプ）が設けられている。ここで、ランプ
ハウス１２の下端部は基板１０の表面に対して非接触状
態で対面しており、ローラコンベア１１により搬送され
る基板１０の高さを調整することによって、その表面と
ランプハウス１２との隙間が制御される。ランプハウス
１２には、その上部に不活性ガスとしての窒素ガス（Ｎ
₂ ガス）を乾燥状態で供給する窒素ガス供給管１３が接
続されており、従ってランプハウス１２内には所定の圧
力でドライ窒素ガスが供給され、内部は酸素を含まない
雰囲気下に置かれる。これによって、放電ランプ１２か
ら照射される紫外光は、基板１０の表面近傍に至るまで
できるだけ減衰しないようになされる。

【００１８】ランプハウス１２の開口部を覆い、かつロ
ーラコンベア１１の下部にまで延在させるようにして処
理チャンバを構成するハウジング１４が形成されてい
る。ハウジング１４は、その一端側が基板１０の搬入口
１４ａとして開口し、他端は搬出口１４ｂとして開口し
ている。また、ハウジング１４におけるローラコンベア
１１の配設位置より下部側は純水が所定レベルにまで貯
留されている水槽１５を構成する。水槽１５は単に純水
を貯留するだけでなく、常に新鮮な純水を供給するため
に、給水管１６と排水管１７とが水槽１５に接続されて
いる。給水管１６の他端は水槽１５より高所に配置した
供給タンク１８に接続されており、従って水頭圧により
水槽１５に給水がなされる。また、排水管１７は水槽１
５内の所定のレベル位置に開口しており、この水槽１５
内の液レベルがこの排水管１７の先端開口位置にまで上
昇すると、この排水管１７内に溢出することになる。従
って、水槽１５内の純水は常に一定の高さレベルに保持
される。

【００１９】図中において、１９は不活性ガス供給手段
を構成する窒素ガス供給パイプであり、この窒素ガス供
給パイプ１９の先端における所定の長さ分は水槽１５に
おける純水１５の液面下に浸漬させるようにしている。
そして、この窒素ガス供給パイプ１９のうち、水槽１５
内に浸漬させた部分の周胴部に多数の微細な孔からなる
吹き出し口が開口している。従って、この窒素ガス供給
パイプ１９に所定の圧力で窒素ガスが供給されると、こ
の窒素ガス供給パイプ１９における水槽１５の液面下で
は窒素ガスが発泡状態となって浮上することになり、そ
の間に水蒸気を発生させて、水蒸気により加湿される。
これによって、水槽１５の液面上の位置には水蒸気を含
んだ窒素ガス雰囲気下に置かれる。

【００２０】窒素ガス供給パイプ１９への窒素ガスの供
給は、ハウジング１４の内部から行われる。このため
に、ハウジング１４の壁面には循環用配管２０が接続さ
れており、この循環用配管２０の他端はポンプ２１に接
続されている。そして、窒素ガス供給パイプ１９は、こ
のポンプ２１の吐出側に接続されている。従って、ポン
プ２１を作動させると、ハウジング１４内の窒素ガスが
循環用配管２０から吸い込まれて、窒素ガス供給パイプ
１９内に供給される。また、ハウジング１４には排気管
２２が接続されており、この排気管２２の途中には圧力
制御弁２３が設けられており、ハウジング１４内の圧力
がこの圧力制御弁２３の設定圧を越えると、ハウジング
１４内の余分な窒素ガスが排出されることになり、その
結果ハウジング１４の内部は常にほぼ一定の圧力状態に
保持される。

【００２１】而して、ランプハウス１２内はドライ窒素
雰囲気下に置かれ、またランプハウス１２の内部を除く
ハウジング１４内の雰囲気は窒素と水蒸気とを含み、し
かも実質的に酸素が存在しない雰囲気となる。このため
に、窒素ガス供給管１３から供給される窒素ガスにより
ランプハウス１２の内部を大気圧より高くする。ランプ
ハウス１２の下端部は開口していることから、このラン
プハウス１２内に供給される圧力によりハウジング１４
内も大気圧より高い状態に保持される。ただし、ハウジ
ング１４には、ハウジング１４には排気管２２が接続さ
れており、この排気管２２によりハウジング１４の内圧
がランプハウス１２内の圧力と大気圧との間の圧力状態
に保持されるようになっている。その結果、常にランプ
ハウス１２側からハウジング１４内に向けての流れが形
成されることになり、ランプハウス１２の内部はドライ
状態に保持でき、水蒸気が入り込むことは少ない。ま
た、ハウジング１４の内部も大気圧より高い圧力状態に
保持されているので、搬入口１４ａ，搬出口１４ｂを介
して外部からハウジング１４内に空気が入り込むおそれ
もない。

【００２２】以上のように構成することによって、放電
ランプ１を点灯させたランプハウス１２の内部にドライ
状態の窒素ガスを供給し、かつハウジング１４内は窒素
ガスと水蒸気との混合流体が充満した状態とする。そし
て、基板１０をローラコンベア１１により搬送させて、
ハウジング１４の搬入口１４ａからハウジング１４内に
導き、このハウジング１４内で所定の速度で搬送する。
この間に基板１０はランプハウス１２の下部を通過する
が、この時に放電ランプ１から短波長の紫外光が基板１
０の表面に照射されて、その表面から洗浄されて有機汚
染物が除去され、かつ接触角も低下することになる。

【００２３】而して、基板１０の表層部乃至その近傍に
は窒素ガスと水との混合流体が存在しており、放電ラン
プ１から照射される紫外光の作用によって、水が放射線
の作用で分解されることになり、その結果として、還元
性の活性種［Ｈ・］と酸化性の活性種［・ＯＨ］とが生
成される。従って、短波長の紫外光の照射エネルギによ
り基板１０の表面に付着する有機物質からなる汚染物が
分解されるが、このようにして分解されて低分子化した
汚染物は水の分解による生成物によって還元反応と酸化
反応とが開始することになる。つまり、基板１０の表面
及びその近傍では、単に酸化反応によるだけでなく、還
元反応も生じることから、紫外光により分解された有機
物は迅速かつ確実に揮発物質に変換される。そして、こ
の揮発物質は、ハウジング１４から排気管２２を経て外
部に放出される。これによって、基板１０の表面ドライ
洗浄が行われ、有機汚染物が除去される。しかも、水蒸
気の存在下で短波長の紫外光を基板１０に照射すること
により、基板１０の表面における接触角が小さくなる。

【００２４】ここで、基板１０の表面がランプハウス１
２と対面した時に、水蒸気と窒素ガスとの混合流体は、
この基板１０の表面において薄い厚みを有する層として
形成される。この混合流体の層の厚みはランプハウス１
２内の圧力とそれ以外のハウジング１４内の圧力との差
圧により変化する。ハウジング１４に接続した排気管２
２には圧力制御弁２３が設けられているので、ランプハ
ウス１２内に窒素ガスを供給する窒素ガス供給管１３か
らの供給圧力を一定にしておき、圧力制御弁２３の設定
圧を調整することによって、前述した差圧を常に一定に
保つことができる。ここで、放電ランプ１と基板１０と
の間における水蒸気と窒素ガスとの混合流体層の厚みが
必要以上厚くなると、紫外光の吸収度合いが大きくな
り、基板１０の表面に対する作用が小さくなる。また、
混合流体層の厚みが薄過ぎると、分解生成物の量が少な
くなる。従って、圧力制御弁２３の設定圧を適正なもの
とすることによって、基板１０の表面ドライ洗浄の効率
を高めることができる。このことは、窒素ガス供給管１
３を流れるドライ窒素ガスの流量、排気管２２を流れる
水蒸気を含む窒素ガスの流量を制御することによっても
可能である。

【００２５】基板１０のドライ洗浄は以上のようにして
行われ、その結果基板１０の表面から有機汚染物を除去
して表面における接触角を低下させることができる。こ
の基板１０のドライ洗浄の後には、例えば図４に模式的
に示した工程を経ることになる。つまり、図４におい
て、３０は前述した窒素ガスと水蒸気との混合流体の雰
囲気下で放電ランプ１から紫外光を照射して行うドライ
洗浄工程であるが、さらにこのドライ洗浄工程３０の後
続の工程としては、ウエット洗浄工程３１が設けられ、
さらにウエット洗浄工程３１に続く工程としては乾燥工
程３２である。これによって、基板１０の表面を完全に
清浄化することができる。

【００２６】而して、図示したウエット洗浄工程３１で
は、シャワー３１ａから噴射される超音波加振した純水
により基板１０の表面に付着する無機物の汚染物質が除
去される。ここで、このウエット洗浄工程３１では、シ
ャワー洗浄以外にも、例えばブラシ等を用いたスクラブ
洗浄や、超音波洗浄槽内に浸漬して行うディッピング洗
浄等があり、これらの洗浄方式のいずれか１種類でも良
いが、複数種類の洗浄方式を組み合わせるようにするこ
ともできる。これによって、基板１０の表面から有機物
及び無機物からなる汚染物質はほぼ完全に取り除かれ
て、基板１０は極めて清浄な状態になるまで洗浄され
る。また、乾燥工程３２における乾燥方式としては、例
えばスピン乾燥方式等もあるが、図示したものにあって
は、エアナイフノズル３２ａを用いたエアナイフ効果に
よる乾燥方式が示されている。これによって、基板１０
は完全に洗浄・乾燥がなされる。

【００２７】また、ウエット洗浄及び乾燥を先に行い、
ドライ洗浄をその後に行うことも可能である。例えば、
現像液等の塗布工程の前処理とする場合においては、ま
ずウエット洗浄により基板１０の表面から汚染物質を除
去する。そして、一度このようにして洗浄した基板１０
を乾燥させ、さらにドライ洗浄を行うようにする。この
ドライ洗浄を行うことによって、基板１０の表面状態、
つまり接触角の改善を行うことができる。その結果、後
続の工程である現像液等の塗膜をむらなく均一に塗布す
ることができるようになる。

【００２８】なお、前述した実施の形態においては、ラ
ンプハウスの基板への対面側を開口させるように構成し
たが、例えば図５に示したように、放電ランプ１をラン
プハウス１１２で完全に覆うようになし、このランプハ
ウス１１２の基板１０と対面側に合成石英ガラス等から
なる紫外光の透過性が良好な窓ガラス１１２ａを装着す
る。このような構成を有するランプハウス１１２を用い
ると、ランプハウス１１２内に封入される不活性ガスは
外部に漏れないことから、不活性ガスの使用量を低減す
ることができる。そして、このランプハウス１１２の窓
ガラス１１２ａに対向する位置に水槽１１５を設け、こ
の水槽１１５に窒素ガス供給パイプ１１９の吹き出し口
を設けた部分を浸漬させる。従って、この窒素ガス供給
パイプ１１９内に窒素ガスを供給すると、水槽１１５内
で水蒸気を含んだ湿潤な窒素ガスの気泡が発生すること
になるので、窓ガラス１１２ａと基板１０との間に不活
性ガスである窒素と水蒸気との混合流体の雰囲気が与え
られる。

【００２９】

【発明の効果】本発明は以上のように構成したので、基
板の表面及びその近傍に不活性ガスと水蒸気との混合流
体介在させることにより、基板表面に付着している汚染
物質のうち、酸化反応により除去できるものだけでな
く、還元反応による汚損物質の除去作用も発揮すること
から、有機汚染物質を迅速かつ効率的に分解除去するこ
とができ、かつ基板表面における接触角の改善を図るこ
とができ、また外部に加湿ガス供給装置を設ける必要が
ないことから、装置全体の小型化を図ることができる等
の効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基板処理装置に用いられる放電ランプ
の一例としての誘電体バリア放電ランプの構成説明図で
ある。

【図２】図１の要部拡大図である。

【図３】誘電体バリア放電ランプを用いて基板の洗浄を
行うための装置の概略構成図である。

【図４】基板の洗浄・乾燥工程を模式的に示す説明図で
ある。

【図５】放電ランプを用いて基板の洗浄を行うための装
置の他の例を示す概略構成図である。

【符号の説明】

１誘電体バリア放電ランプ１０基板１１ローラコンベア１２，１１２
ランプハウス１３窒素ガス供給管１４ハウジ
ング１５，１１５水槽１６給水管１７排水管１８供給タ
ンク１９，１１９窒素ガス供給パイプ２０循環用
配管２１ポンプ２２排気管２３圧力制御弁３０ドライ
洗浄工程３１ウエット洗浄工程３２乾燥工
程

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４５Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４５Ｄ (72)発明者権守和彦東京都渋谷区東３丁目16番３号日立電子エンジニアリング株式会社内Ｆターム(参考） 2H088 FA17 FA18 FA21 FA30 HA08 MA20 2H090 HC18 JB02 JB03 JB04 JC19 LA04 4G075 AA24 BA04 BA05 BA06 BB06 BD13 BD16 CA15 CA33 CA62 CA63 DA02 EA02 EB01 EB31 ED11 EE02 EE31 FC15

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体バリア放電ランプを装着したラン
プハウスと、このランプハウスに対して対向配設され、上端が開口さ
れ、内部に純水を貯留した水槽と、この水槽内に装着され、不活性ガスの吹き出し口を有す
る不活性ガス供給手段と、前記ランプハウスと前記水槽との間に設けられ、不活性
ガスと水蒸気との混合雰囲気下であって、前記誘電体バ
リア放電ランプからの紫外光が照射される領域を通るよ
うに被処理基板を通過させる基板搬送経路とを備える構
成としたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】前記ランプハウスは、処理チャンバを構
成するハウジング内に設けられ、このハウジングには、
その一端側に基板搬入口が、他端側には基板搬出口が形
成され、かつ下部位置には前記水槽が形成され、前記基
板の搬送経路のうち、このランプハウスの下部領域を不
活性ガスと水蒸気とを含み、実質的に酸素が存在しない
雰囲気とする構成としたことを特徴とする請求項１記載
の基板処理装置。
【請求項３】前記ランプハウスは、前記基板搬送経路
に沿って搬送される基板の表面に向けて開口させる構成
としたことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】前記ランプハウスの前記基板搬送経路に
より搬送される基板への対向面には紫外光を透過させる
窓ガラスを装着する構成としたことを特徴とする請求項
１記載の基板処理装置。
【請求項５】前記不活性ガスは窒素ガスであることを
特徴とする請求項１記載の紫外光照射による基板処理装
置。
【請求項６】前記不活性ガス供給手段は、前記水槽内
の純水に浸漬させ、周胴部に複数の吹き出し口を穿設し
た不活性ガス流出配管を備える構成としたことを特徴と
する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項７】前記処理チャンバのハウジングには排気
管を接続し、この排気管の他端をポンプと接続し、かつ
このポンプの吐出側に前記不活性ガス供給手段を接続す
る構成としたことを特徴とする請求項２記載の基板処理
装置。
【請求項８】前記水槽には、給水管を接続すると共
に、この水槽内の所定の高さ位置に開口する溢出用の排
水管を設ける構成としたことを特徴とする請求項１記載
の基板処理装置。
【請求項９】前記給水管の他端は、前記水槽よりも高
所に位置する給水タンクに接続する構成としたことを特
徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１０】前記基板搬送手段は、前記ランプハウ
スの配設部を含めて、所定のピッチ間隔を置いて設けた
ローラコンベアで構成したことを特徴とする請求項１記
載の基板処理装置。
【請求項１１】前記基板はガラス基板、樹脂基板、金
属基板のいずれかであることを特徴とする請求項１記載
の基板処理装置。
【請求項１２】不活性ガスと水蒸気との混合雰囲気下
に、誘電体バリア放電ランプから照射される紫外光によ
り水蒸気を分解させて、還元性の活性種［Ｈ・］及び酸
化性の活性種［・ＯＨ］を生成させ、この雰囲気内に基
板を配置して、これら活性種［Ｈ・］，活性種［・Ｏ
Ｈ］を基板表面と接触させることを特徴とする基板処理
方法。
【請求項１３】不活性ガスと水蒸気との混合雰囲気中
に基板を水平搬送するようになし、この基板に対して誘
電体バリア放電ランプから照射される紫外光を照射する
ことによって、基板表面に付着する有機物を分解し、か
つ水蒸気を分解して、還元性の活性種［Ｈ・］及び酸化
性の活性種［・ＯＨ］を生成させ、これら活性種［Ｈ
・］，活性種［・ＯＨ］を有機物の分解生成物と反応さ
せることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１４】不活性ガスと水蒸気との混合雰囲気中
に基板を水平搬送するようになし、この基板に対して誘
電体バリア放電ランプから照射される紫外光を照射する
ことによって、基板表面に付着する有機物を分解し、か
つ水蒸気を分解させて還元性の活性種［Ｈ・］及び酸化
性の活性種［・ＯＨ］を生成させ、これら活性種［Ｈ
・］，活性種［・ＯＨ］を有機物の分解生成物と反応さ
せることにより基板表面をドライ洗浄すると共に接触角
を小さくするようになし、次いでこの基板に洗浄液を供
給することによりウエット洗浄を行い、さらにこのウエ
ット洗浄後の基板を乾燥させることを特徴とする基板処
理方法。