CN108906787A - 一种工艺处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种工艺处理装置，涉及液晶显示器和半导体设备的制造工艺技术领域，包括形成对物料进行加工的腔体的壳体，所述壳体设置有物料传输出入口和第一抽排口，所述第一抽排口连接有抽排装置；还包括与所述壳体连接的气密封管路，所述气密封管路包括第一通道和第二通道，第一通道一端与所述物料传输出入口连接，另一端与所述第一抽排口连接；第二通道一端与所述壳体内部连通，另一端与所述第一通道中间连通。本发明通过工艺处理装置中添加气密封管路解决工艺处理装置在壳体内对物料进行加工过程中，有害气体及热量从物料传输出入口泄漏出去污染环境的问题。

Description

一种工艺处理装置

技术领域

本发明涉及液晶显示器和半导体设备的制造工艺技术领域，尤其涉及一种工艺处理装置。

背景技术

在工业加工领域，通常需要在壳体内对物料进行加工，在此过程中，往往容易产生有害气体或大量热量，这些有害气体及热量从物料传输出入口泄漏出去，不仅污染周围环境，而且也会损害工作人员的身体健康。

例如，在液晶显示器和半导体设备的制造工艺中，为了使玻璃基板或硅晶片等基板形成高紧贴薄膜，通常需要使用极紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography，EUV)清洁装置去除玻璃基板或硅晶片表面的有机物等污染物。

现有技术中，如图1所示，EUV清洁装置包括壳体1＇，壳体1＇内设置有用于产生紫外光线的光照射装置2＇、以及位于光照射装置2＇下方的物料传输装置3＇，壳体1＇对应物料传输装置3＇的位置设置有物料传输入口11＇和物料传输出口12＇，且壳体1＇上还设置有均连接有抽排装置的第一抽排口13＇和第二抽排口14＇，第一抽排口13＇和第二抽排口14＇分别位于物料传输装置3＇的上方和下方。光照射装置2＇产生紫外光线，通过紫外光线照射清洁装置内的气体而生成自由基氧、臭氧等活性气体最终使物料传输装置3＇上的物料4＇(即被照射基板(玻璃基板或硅晶片))表面的污染物产生光化学反应，从而完成该基板表面的处理。其中第一抽排口13＇用于抽排处理过程中产生的反应性气体，第二抽排口14＇用于抽排处理后产生的污染气体。在抽排装置的作用下虽然能在一定程度上将壳体内部气体，即反应性气体和污染气体抽排到与第一抽排口13＇和第二抽排口14＇连接的抽排装置中，但是由于EUV清洁装置的物料传输入口11＇和物料传输出口12＇为敞开式，仅仅是依靠抽排装置的作用来抽取壳体外部气体，而未对EUV清洁装置进行结构改进，其抽排效果并不理想，而且这些反应性气体和污染气体排放到环境中，不仅污染周围环境，而且也会损害工作人员的身体健康。

目前关于EUV清洁装置的相关专利主要集中在如何提高清洁效率以及提高照射强度等方面，如准分子UV光反应中，提供了如何更有效率地将反应性气体集中供应到EUV紫外灯正下方活性区域，并在供应反应性气体的活性区域以外的空间用氮气或非活性气体加以充满，将已反应的不需要的气体迅速的自反应区域加以排出。而对于EUV清洁装置的壳体内部气体(有害气体)从物料传输入口11＇和物料传输出口12＇泄露等环保性方面的改进有所欠缺。

针对上述问题，亟需提供一种工艺处理装置，以改善现有工艺处理装置在对物料进行工艺处理时，壳体内部的有害气体或热量从物料传输出入口泄漏到空气中污染环境以及威胁人体健康的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种工艺处理装置，以解决工艺处理装置在对物料进行工艺处理时，壳体内部的有害气体及热量从物料传输出入口泄漏出去污染环境以及威胁人体健康的问题。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种工艺处理装置，包括形成对物料进行加工的腔体的壳体，所述壳体上设置有物料传输出入口和第一抽排口，所述第一抽排口连接有抽排装置；并且还包括与所述壳体连接的气密封管路，所述气密封管路包括：

第一通道，其一端连接所述物料传输出入口连接，另一端与所述第一抽排口连接；

第二通道，其一端与所述壳体内部连通，另一端与所述第一通道中间连通。

采用这种结构后，通过设置相互连通的第一通道和第二通道，能够对用于气密封的气体和待气密封的壳体内部的有害气体或热量起到导流作用，使得抽排装置的抽排力能够集中，从而能够将更多用于气密封的新风引入到气密封管路内形成气封，以阻止有害气体和热量排出到壳体外部污染环境。

作为上述工艺处理装置的优选方案，所述第一通道包括相互连通的第一导流通道和第二导流通道，所述第一导流通道与所述物料传输出入口连接，所述第二导流通道与所述第一抽排口连接，其中所述第二通道与所述第一导流通道连通。

作为上述工艺处理装置的优选方案，所述第一导流通道和所述第二通道共线。

作为上述工艺处理装置的优选方案，所述第一导流通道和所述第二通道均与所述第二导流通道垂直。

作为上述工艺处理装置的优选方案，所述第一导流通道与所述第二导流通道呈钝角，所述第二通道与所述第二导流通道呈锐角。

作为上述工艺处理装置的优选方案，所述第一导流通道与所述第二导流通道的连接处呈圆弧弯道，所述圆弧弯道的两端分别与所述第一导流通道和所述第二导流通道相切。

作为上述工艺处理装置的优选方案，所述工艺处理装置为EUV清洁装置。

作为上述工艺处理装置的优选方案，所述第一通道与所述物料传输出入口连接的一端的横截面与所述物料传输出入口的形状相同。

作为上述工艺处理装置的优选方案，所述壳体还设置有第二抽排口，所述第二抽排口连接有抽排装置。

作为上述工艺处理装置的优选方案，所述第二抽排口尺寸和/或数量大于所述第一抽排口尺寸和/或数量。

本发明的有益效果：

1)通过在工艺处理装置中设置气密封管路，且气密封管路设置相互连通的第一通道和第二通道，能够对壳体外部的气体和壳体内部的有害气体或热量起到导流作用，使得抽排装置的抽排力能够集中，从而能够将壳体外部更多的气体引入到气密封管路内形成气封，以阻止有害气体和热量从物料传输出入口排出到壳体外部污染环境。

2)气密封管路的第一通道和第二通道的设置使得抽排力更加集中，可以减小抽排装置的功率，从而达到节能的效果。

附图说明

图1是现有技术中EUV清洁装置的结构示意图；

图2是本发明实施例一中EUV清洁装置的结构示意图；

图3是本发明实施例二中EUV清洁装置的结构示意图；

图4是本发明实施例三中EUV清洁装置的结构示意图。

图中：

1＇、壳体；11＇、物料传输入口；12＇、物料传输出口；13＇、第一抽排口；14＇、第二抽排口；

2＇、光照射装置；3＇、物料传输装置；4＇、物料；

1、气密封管路；11、第一通道；12、第二通道；111、第一导流通道；112、第二导流通道；

2、壳体；21、物料传输入口；22、物料传输出口；23、第一抽排口；24、第二抽排口；

3、光照射装置；4、物料传输装置；5、物料。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。

实施例一

如图2所示，本实施例公开了一种工艺处理装置。于本实施例中，工艺处理装置可以是一种应用于液晶显示器和半导体设备的制造工艺技术领域中的EUV清洁装置。该EUV清洁装置使用EUV去除玻璃基板或硅晶片表面的有机物等污染物。其中EUV清洁装置包括形成对物料5进行加工的腔体的壳体2，壳体2内设置有用于产生紫外光线的光照射装置3、以及位于光照射装置3下方的物料传输装置4。壳体2对应物料传输装置4的位置设置有物料传输出入口，其中物料传输出入口包括物料传输入口21和物料传输出口22。当然，于其他实施例中，物料传输出入口可以设置为物料传输出口和物料传输入口共用一个传输口。另外，壳体2上还设置有均连接有抽排装置的第一抽排口23和第二抽排口24，第一抽排口23和第二抽排口24分别位于物料传输装置4的上方和下方。壳体2靠近物料传输入口21和靠近物料传输出口22的一端均设置有第一抽排口23。其中第一抽排口23用于抽排清洁过程中产生的反应性气体，第二抽排口24用于抽排清洁后产生的污染气体。一般的，第二抽排口24的尺寸和/或数量大于第一抽排口23的尺寸，便于清洁完成后，壳体2内部清洁后的气体能够快速排出。光照射装置3产生紫外光线，通过紫外光线照射EUV清洁装置内的气体而生成自由基氧、臭氧等活性气体最终使物料传输装置4上的物料5(如被照射基板(玻璃基板或硅晶片))表面的污染物产生光化学反应，从而完成该基板表面的清洗。

参见图2，并且该EUV清洁装置还包括气密封管路1，且物料传输入口21和物料传输出口22均设置有气密封管路1。其中气密封管路1包括第一通道11和第二通道12，第一通道11一端连接物料传输出入口连接，另一端与第一抽排口23连接；第二通道12一端与壳体2内部连通，另一端与第一通道11中间连通。并且第一通道11包括相互连通的第一导流通道111和第二导流通道112。具体的，其中一个气密封管路1的第一导流通道111与物料传输入口21连通，第二导流通道112一端与第一导流通道111连通，第二导流通道112的另一端与第一抽排口23连通；与第一抽排口23连接的抽排装置用于从第一通道11抽取气体，用于形成气密封。第二通道12的一端连通壳体2内部；第二通道12的另一端与第一导流通道111连通；抽排装置使得用于形成气密封的气体从第一通道11的一端进入，并对第二通道12内的气体形成气密封。其中第一导流通道111、第二导流通道112、第二通道12三条通道中任意一条都可以由多条通道构成，本发明在此不做任何限制。

另外，于本实施例中，第一导流通道111和第二通道12共线，即第一导流通道111和第二通道12沿物料传输入口21与物料传输装置4的直线设置，且第一导流通道111和第二通道12均垂直于第二导流通道112设置；另一个气密封管路1的第一导流通道111与物料传输出口22连通，第二导流通道112与靠近物料传输出口22的第一抽排口23连通，其余连接相同。这样使得清洁装置一方面能够改善有害气体从物料传输出入口泄漏造成环境污染的问题；另一方面第一通道11和第二通道12的设置使得抽排力更加集中，可以减小抽排装置的功率，从而达到节能的效果。同时，第一通道11与物料传输出入口连接的一端的横截面与物料传输出入口的形状相同。即，第一通道11的一端可以作为物料传输出入口。

具体地，EUV清洁装置对物料5进行清洁时，物料5从物料传输入口21进入，并依次通过一个气密封管路1的第一导流通道111和第二通道12到达物料传输装置4上。光照射装置3对物料传输装置4上的物料5进行清洁，物料传输装置4继续传输物料5，然后物料5依次通过另一个气密封管路1的第二通道12和第一导流通道111从物料传输出口22移出。且光照射装置3设置有用于提供进行清洁反应的气体部件，使得壳体内部气体不断增多。此时，第二抽排口24不抽气，第一抽排口23进行抽排气体，壳体内部气体被抽排装置抽排形成负压，外部气体从物料传输入口21和物料传输出口22进入第一导流通道111和第二导流通道112形成气封，阻止壳体内部的气体从物料传输入口21和物料传输出口22溢出。当进入第一导流通道111的外部气体多于从第二通道12进入的壳体内部气体(有害气体)时，该气密封管路1将能很好的形成气密封，以防止有害气体从物料传输入口21或物料传输出口22泄漏。当整个清洁过程完成，传输物料5离开壳体2以后，第二抽排装置对壳体2内清洁后产生的污染气体进行彻底抽排。

更进一步地，第二导流通道112的长度可以根据实际工况需求进行设定，极端情况下所述第二导流通道112的长度可以为0。

上述包括气密封管路1的工艺处理装置不局限于EUV清洁装置，适用于其他满足物料5由一个或多个物料传输出入口进入壳体2，且壳体内部气体(有害气体)等污染物或者热量存在从物料传输出入口泄漏出去的问题的装置。

实施例二

如图3所示，本实施例公开了另一种工艺处理装置，例如EUV清洁装置。参见图3，该工艺处理装置中的气密封管路1的第一导流通道111与第二导流通道112呈钝角设置，第二通道12与第二导流通道112呈锐角设置。相较于实施例一中工艺处理装置的气密封管路，这样设置可以减小壳体外部气体进入气密封管路1的流动阻力，使得更多的壳体外部气体进入到气密封管路1形成气密封。

其余结构与实施例一相同，在此不再赘述。

实施例三

如图4所示，本实施例公开了又一种工艺处理装置，例如EUV清洁装置。参见图4，该工艺处理装置的气密封管路1的第一导流通道111与第二导流通道112的连接处呈圆弧弯道设置，圆弧弯道的两端分别与第一导流通道111和第二导流通道112相切。相较于实施例二中工艺处理装置的气密封管路，这样设置可以进一步减小壳体外部气体进入气密封管路1的流动阻力，使得更多的壳体外部气体进入到气密封管路1形成气封。

其余结构与实施例一相同，在此不再赘述。

通过对上述现有技术中的EUV清洁装置、实施例一中的EUV清洁装置、实施例二中的EUV清洁装置及实施例三中的EUV清洁装置进行仿真验证方案的效果，得到各方案的抽排流量比例对比表，如表1所示。

表1仿真验证抽排流量比例对比表

由表1可以看出，现有技术中未采用气密封管路1的EUV清洁装置中壳体外部气体与壳体内部气体相比明显较少，即气封效果很差；实施例一中的EUV清洁装置相较于现有技术中未采用气密封管路1的EUV清洁装置有了明显改善；实例二中的EUV清洁装置相较于实施例一中的EUV清洁装置气密封效果又有提高；实施例三中的EUV清洁装置相对于前述的EUV清洁装置气封效果最好。

显然，本发明的上述实施例仅仅是为了清楚说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种工艺处理装置，包括形成对物料(5)进行加工的腔体的壳体(2)，所述壳体(2)上设置有物料传输出入口和第一抽排口(23)，所述第一抽排口(23)连接有抽排装置；其特征在于，还包括与所述壳体(2)连接的气密封管路，所述气密封管路包括：

第一通道(11)，其一端连接所述物料传输出入口连接，另一端与所述第一抽排口(23)连接；

第二通道(12)，其一端与所述壳体(2)内部连通，另一端与所述第一通道(11)中间连通。

2.根据权利要求1所述的工艺处理装置，其特征在于，所述第一通道(11)包括相互连通的第一导流通道(111)和第二导流通道(112)，所述第一导流通道(111)与所述物料传输出入口连接，所述第二导流通道(112)与所述第一抽排口(23)连接，其中所述第二通道(12)与所述第一导流通道(111)连通。

3.根据权利要求2所述的工艺处理装置，其特征在于，所述第一导流通道(111)和所述第二通道(12)共线。

4.根据权利要求3所述的工艺处理装置，其特征在于，所述第一导流通道(111)和所述第二通道(12)均与所述第二导流通道(112)垂直。

5.根据权利要求3所述的工艺处理装置，其特征在于，所述第一导流通道(111)与所述第二导流通道(112)呈钝角，所述第二通道(12)与所述第二导流通道(112)呈锐角。

6.根据权利要求3所述的工艺处理装置，其特征在于，所述第一导流通道(111)与所述第二导流通道(112)的连接处呈圆弧弯道，所述圆弧弯道的两端分别与所述第一导流通道(111)和所述第二导流通道(112)相切。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的工艺处理装置，其特征在于，所述工艺处理装置为EUV清洁装置。

8.根据权利要求7所述的工艺处理装置，其特征在于，所述第一通道(11)与所述物料传输出入口连接的一端的横截面与所述物料传输出入口的形状相同。

9.根据权利要求7所述的工艺处理装置，其特征在于，所述壳体(2)还设置有第二抽排口(24)，所述第二抽排口(24)连接有抽排装置。

10.根据权利要求9所述的工艺处理装置，其特征在于，所述第二抽排口(24)尺寸和/或数量大于所述第一抽排口(23)尺寸和/或数量。