JPS61125131A - 集積回路基板の洗浄および／または灰化方法 - Google Patents
集積回路基板の洗浄および／または灰化方法Info
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- JPS61125131A JPS61125131A JP24633184A JP24633184A JPS61125131A JP S61125131 A JPS61125131 A JP S61125131A JP 24633184 A JP24633184 A JP 24633184A JP 24633184 A JP24633184 A JP 24633184A JP S61125131 A JPS61125131 A JP S61125131A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000004380 ashing Methods 0.000 title claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract description 18
- 238000005406 washing Methods 0.000 title abstract 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 26
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000012466 permeate Substances 0.000 abstract 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、紫外Ｍ（以下「Ｕｖ」という）とオゾンを用
いて迅速に集積回路基板（以下ｒＩＣ基板」という）を
洗浄する方法に関する。
いて迅速に集積回路基板（以下ｒＩＣ基板」という）を
洗浄する方法に関する。
（従来技術）
ＵＶとオゾンを用いる洗浄法は、ＵＶによる有機物質の
化学結合の切断効果とオゾンの強力な酸化力との相乗効
果により、有機物汚れを分解し除去する洗浄方法である
。この方法は、真空系が不要であり、常温常圧で操作で
き、さらに高度の清浄度が得られる等の特徴を有するき
わめて有利な乾式洗浄法である。
化学結合の切断効果とオゾンの強力な酸化力との相乗効
果により、有機物汚れを分解し除去する洗浄方法である
。この方法は、真空系が不要であり、常温常圧で操作で
き、さらに高度の清浄度が得られる等の特徴を有するき
わめて有利な乾式洗浄法である。
この方法は、たとえばＩＣ基板に薄く付着して残ってい
る有機物質を除去する際に使用される。
る有機物質を除去する際に使用される。
ＩＣ基板に７オトレジストを塗布し、フォトマスクを介
して露光し現像すると、光のあたった部分に７オトレジ
ストが残留し光のあたらなかった部分は７オトレジスト
がなくなるが、しばしば未露先部分に薄くフォトレジス
トが残留することがあシ、この状態でエツチングなどし
た場合、パターンのきれが悪くなることがある。このよ
うなフナトレジストパターン全面にＵＶとオゾンによる
洗浄を施こすと、薄いフォトレジスト残渣が除去され、
パターンのきれが向上し、精度のよいパターンニングが
できる。
して露光し現像すると、光のあたった部分に７オトレジ
ストが残留し光のあたらなかった部分は７オトレジスト
がなくなるが、しばしば未露先部分に薄くフォトレジス
トが残留することがあシ、この状態でエツチングなどし
た場合、パターンのきれが悪くなることがある。このよ
うなフナトレジストパターン全面にＵＶとオゾンによる
洗浄を施こすと、薄いフォトレジスト残渣が除去され、
パターンのきれが向上し、精度のよいパターンニングが
できる。
従来のＵＶとオゾンによる洗浄法は、ＩＣ基板が収容さ
れた洗浄室に、空気または酸素を供給しなからＵＶを照
射してオゾンを発生させ、このオゾンとＵＶによシ洗浄
するようにしている（「洗浄設計Ｊ １９８１年秋季号
３７頁）。しかしこの従来法では、ＵＶランプの外装管
として、天然石英を溶融加工して得られる普通石英を使
用しておシ、該普通石英中には、天然石英中のアルカリ
金属、アルカリ士金属が混入し、該金属類が低波長領域
のＵＶを吸収して遮蔽するため、空気または酸素に照射
される低波長領域のＵＶの量および強度が減少してオゾ
ン発生量も減少する。従って、ＩＣ基板洗浄に要する時
間が長くなシ、大量のＩＣ基板処理が困難になる。電子
産業が発達し、ＩＣ基板の需要が飛躍的に増大している
今日では、ＩＣ基板の大量生産が望まれておシ、洗浄工
程の遅延による製品生産量の低下は避けなければならな
いことである。
れた洗浄室に、空気または酸素を供給しなからＵＶを照
射してオゾンを発生させ、このオゾンとＵＶによシ洗浄
するようにしている（「洗浄設計Ｊ １９８１年秋季号
３７頁）。しかしこの従来法では、ＵＶランプの外装管
として、天然石英を溶融加工して得られる普通石英を使
用しておシ、該普通石英中には、天然石英中のアルカリ
金属、アルカリ士金属が混入し、該金属類が低波長領域
のＵＶを吸収して遮蔽するため、空気または酸素に照射
される低波長領域のＵＶの量および強度が減少してオゾ
ン発生量も減少する。従って、ＩＣ基板洗浄に要する時
間が長くなシ、大量のＩＣ基板処理が困難になる。電子
産業が発達し、ＩＣ基板の需要が飛躍的に増大している
今日では、ＩＣ基板の大量生産が望まれておシ、洗浄工
程の遅延による製品生産量の低下は避けなければならな
いことである。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明者は、高濃度酸素１ｃＵＶ−を照射する際に、よ
り高濃度のオゾンを発生させ、短時間で多くのＩＣ基板
を洗浄し、ＩＣ基板の大量生産を可能とするべき種々検
討した結果、本発明に到達したものである。
り高濃度のオゾンを発生させ、短時間で多くのＩＣ基板
を洗浄し、ＩＣ基板の大量生産を可能とするべき種々検
討した結果、本発明に到達したものである。
本発明は、ＵＶランプとＩＣ回路基板が収容された洗浄
室を高濃度酸素源に連結して成る装置を用いてＩＣ回路
−板を洗浄するに際し、ＵＶランプの外装管を合成石英
製とし、該紫外線ランプを冷却しながら洗浄室に供給し
た高濃度酸素に合成石英を透過したＵＶを照射してその
一部をオゾンに変換し、ＵＶとオゾンとでＩＣ回路基板
の表面を洗浄するＩＣ回路基板の洗浄方法である。
室を高濃度酸素源に連結して成る装置を用いてＩＣ回路
−板を洗浄するに際し、ＵＶランプの外装管を合成石英
製とし、該紫外線ランプを冷却しながら洗浄室に供給し
た高濃度酸素に合成石英を透過したＵＶを照射してその
一部をオゾンに変換し、ＵＶとオゾンとでＩＣ回路基板
の表面を洗浄するＩＣ回路基板の洗浄方法である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明に使用するＵＶランプは、酸素を分解してオゾン
を生成する波長のＵＶ、特に１８４９入の波長のＵＶを
発生するものであればその種類を問わず、水素放電ラン
プ、水銀ランプ等を制限なく使用することができる。こ
のＵＶランプの外装管としては、合成石英を用いる。合
成石英は、四塩化ケイ素（Ｓ ｉ Ｃ１４）を原料とし
、このＳ ｉ Ｃ１ａを溶融加熱して、５ｉＯ１から成
る合成石英とする。この溶融加熱の工程を適正に管理す
ることによ、９、ＵＶの透過を遮蔽する不純物の混入を
防止し、照射Ｗ量を極大とすることができ、これによシ
、発生オゾン量も比例して増大し、洗浄に使用するＵＶ
およびオゾン量が大きくなる。
を生成する波長のＵＶ、特に１８４９入の波長のＵＶを
発生するものであればその種類を問わず、水素放電ラン
プ、水銀ランプ等を制限なく使用することができる。こ
のＵＶランプの外装管としては、合成石英を用いる。合
成石英は、四塩化ケイ素（Ｓ ｉ Ｃ１４）を原料とし
、このＳ ｉ Ｃ１ａを溶融加熱して、５ｉＯ１から成
る合成石英とする。この溶融加熱の工程を適正に管理す
ることによ、９、ＵＶの透過を遮蔽する不純物の混入を
防止し、照射Ｗ量を極大とすることができ、これによシ
、発生オゾン量も比例して増大し、洗浄に使用するＵＶ
およびオゾン量が大きくなる。
洗浄するＩＣ基板は、何の制限もなく全ての基板を使用
できるが、対象とするのは、フォトレジスト塗布前及び
フォトレジストの一応の現像が完了し、表面にわずかに
有機物層の残っている基板であシ、該有機物層をＵＶと
オゾンで分解除去する。なお本発明は、フォトレジスト
以外に、遠紫外レジスト、電子線レジスト、Ｘ＃！レジ
スト、ドライクリーニングにも応用可能であシ、かつ各
種レジストの剥離にも適用可能である。
できるが、対象とするのは、フォトレジスト塗布前及び
フォトレジストの一応の現像が完了し、表面にわずかに
有機物層の残っている基板であシ、該有機物層をＵＶと
オゾンで分解除去する。なお本発明は、フォトレジスト
以外に、遠紫外レジスト、電子線レジスト、Ｘ＃！レジ
スト、ドライクリーニングにも応用可能であシ、かつ各
種レジストの剥離にも適用可能である。
ＵＶランプとＩＣ基板を収容する洗浄室は、両者を収容
しうる広さを有し、かつＵＶおよびオゾンに対する耐久
性のある材質であれば、形状、材質に制限はない。
しうる広さを有し、かつＵＶおよびオゾンに対する耐久
性のある材質であれば、形状、材質に制限はない。
洗浄室に供給される高濃度酸素は、酸素ボンベからの高
純度酸素でも、酸素濃度が６０チ〜９９％程度の不活性
ガスとの混合ガスでもよい。酸素濃度が６０１よシ小さ
くなると、発生オゾン量が低くなシ好ましくない。
純度酸素でも、酸素濃度が６０チ〜９９％程度の不活性
ガスとの混合ガスでもよい。酸素濃度が６０１よシ小さ
くなると、発生オゾン量が低くなシ好ましくない。
洗浄室内でのＵＶ発生効率とＵＶ強度は、ランプ表面温
度が４０℃付近のときに極大となシ、ランプ表面温度は
３０〜５０℃の範囲に維持することが好ましい。ランプ
表面は発生するＵＶの放射エネルギーにより昇温するの
で、紫外線ランプは低温気体等によシ冷却しておくこと
が必要である。
度が４０℃付近のときに極大となシ、ランプ表面温度は
３０〜５０℃の範囲に維持することが好ましい。ランプ
表面は発生するＵＶの放射エネルギーにより昇温するの
で、紫外線ランプは低温気体等によシ冷却しておくこと
が必要である。
高濃度酸素の供給速度は、洗浄室の大きさ、Ｗの強度な
どによシ異なるが、あまシ大きくなると発生したオゾン
がＩＣ基板と接触することなく洗浄室から取シ出される
ことＫなるため、比較的小さくすることが好ましい。
どによシ異なるが、あまシ大きくなると発生したオゾン
がＩＣ基板と接触することなく洗浄室から取シ出される
ことＫなるため、比較的小さくすることが好ましい。
ｔｌ’９ンプの外装管として合成石英を使用し、高濃度
酸素を使用する本発明では、条件にもよる洗浄速度は半
分以下に短縮される。
酸素を使用する本発明では、条件にもよる洗浄速度は半
分以下に短縮される。
次に本発明の実施例を記載するが、本発明はこれらに限
定されるものではない。
定されるものではない。
（実施例１）
１５３径のシリコンウェファ−の表面状態をオージャ放
出分光法によシ観察したところ、若干の炭素質物質の付
着が認められた。
出分光法によシ観察したところ、若干の炭素質物質の付
着が認められた。
セン特殊光源株式会社製の８ＵＶ−４２（４０ＷのＷ字
凰水鋏放電灯、外径１８箇で外装管は合成石英を使用）
２本をステンレススチール製の洗浄室内に直列、水平に
配置し、該放電管の管壁から１５＋１離れた位置に、前
記シリコンウェファ−を置き、洗浄室内に０．２〜２．
Ｏｂ−の流量で酸素ボンベから酸素を供給した。添付図
面は、流量とオゾン濃度の関係を示すグラフで、本実施
例の結果を図面中に○印で示す。
凰水鋏放電灯、外径１８箇で外装管は合成石英を使用）
２本をステンレススチール製の洗浄室内に直列、水平に
配置し、該放電管の管壁から１５＋１離れた位置に、前
記シリコンウェファ−を置き、洗浄室内に０．２〜２．
Ｏｂ−の流量で酸素ボンベから酸素を供給した。添付図
面は、流量とオゾン濃度の関係を示すグラフで、本実施
例の結果を図面中に○印で示す。
流量を０．７１１／Ｗｉｌｌとし、シリコンウェフアー
表面の炭素質物質の付着の有無の経時変化をオーシア放
出分光法によシ観察したところ、約１０秒間で炭素質物
質が分解除去されることを確認した。
表面の炭素質物質の付着の有無の経時変化をオーシア放
出分光法によシ観察したところ、約１０秒間で炭素質物
質が分解除去されることを確認した。
（実施例２）
酸素ボンベからの酸素と空気を混合して、酸素と窒素の
６５：３５の混合ガスとした。この混合ガスを用いて実
施例１と同様に流量とオゾン濃度の関係を測定した。そ
の結果を図面中にΔ印で示す。
６５：３５の混合ガスとした。この混合ガスを用いて実
施例１と同様に流量とオゾン濃度の関係を測定した。そ
の結果を図面中にΔ印で示す。
同様に実施例１と同じ条件で炭素質物質の分解除去時間
を測定したところ約２２秒であった。
を測定したところ約２２秒であった。
（比較例）
市販の４０ＷのＷ字型水銀放電灯（外管として普通石英
を使用）を用い、実施例１と同様に流量とオゾン濃度を
測定し、図面中にＸ印で示す結果が得られた。
を使用）を用い、実施例１と同様に流量とオゾン濃度を
測定し、図面中にＸ印で示す結果が得られた。
同様に実施例１と同じ条件で炭素質物質の分解除去時間
を測定したところ約３０秒であった。
を測定したところ約３０秒であった。
本発明はＵＶランプと高濃度酸素を用いて比較的高濃度
のオゾンを発生させ、ＵＶとオゾンによＪ）ＩＣ基板を
洗浄および／または灰化するに際し、ＵＶランプの外装
管としてアルカリ金属、アルカリ土類金属等の不純物が
１１とんど含まれない合成石英を使用し、さらにＵＶが
遮蔽されないようＵＶランプの表面温度を制御している
。従って、高濃度酸素を分解してオゾンを発生させるた
めに有効な紫外線がほとんど遮蔽されずに１高濃度酸素
に照射されてオゾン濃度を向上させる。これによシ洗浄
や灰化に必要な処理時間が短縮化され、ＩＣ基板の大量
生産が可能になる。さらにＵｖ−）ンプの外装管は一度
装着してしまえば長期に亘って交換する必要がないため
経済的である。
のオゾンを発生させ、ＵＶとオゾンによＪ）ＩＣ基板を
洗浄および／または灰化するに際し、ＵＶランプの外装
管としてアルカリ金属、アルカリ土類金属等の不純物が
１１とんど含まれない合成石英を使用し、さらにＵＶが
遮蔽されないようＵＶランプの表面温度を制御している
。従って、高濃度酸素を分解してオゾンを発生させるた
めに有効な紫外線がほとんど遮蔽されずに１高濃度酸素
に照射されてオゾン濃度を向上させる。これによシ洗浄
や灰化に必要な処理時間が短縮化され、ＩＣ基板の大量
生産が可能になる。さらにＵｖ−）ンプの外装管は一度
装着してしまえば長期に亘って交換する必要がないため
経済的である。
図面は、実施例及び比較例における高濃度酸素の流量と
オゾン濃度の関係を示すグラフである。
オゾン濃度の関係を示すグラフである。
Claims (3)
- （１）紫外線ランプと集積回路基板が収容された洗浄室
を高濃度酸素源に連結して成る装置を用いて集積回路基
板を洗浄するに際し、紫外線ランプの外装管を合成石英
製とし、該紫外線ランプを冷却しながら洗浄室に供給し
た高濃度酸素に合成石英を透過した紫外線を照射してそ
の一部をオゾンに変換し、紫外線とオゾンとで集積回路
基板の表面を洗浄することを特徴とする集積回路基板の
洗浄および／または灰化方法。 - （２）高濃度酸素の濃度を６０％以上とした特許請求の
範囲第（１）項に記載の方法。 - （３）紫外線ランプの表面温度を３０〜５０℃の範囲に
維持するようにした特許請求の範囲第（１）項又は第（
２）項に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24633184A JPS61125131A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 集積回路基板の洗浄および／または灰化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24633184A JPS61125131A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 集積回路基板の洗浄および／または灰化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61125131A true JPS61125131A (ja) | 1986-06-12 |
Family
ID=17146973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24633184A Pending JPS61125131A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 集積回路基板の洗浄および／または灰化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61125131A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63298242A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 感光性樹脂層の形成法 |
| JPH01189653A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-28 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5788003A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-01 | Hitachi Ltd | Ozonizer |
| JPS59161824A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-12 | Seimitsu Entapuraizu:Kk | 光照射装置 |
| JPS59193030A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
-
1984
- 1984-11-22 JP JP24633184A patent/JPS61125131A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| JPS63298242A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 感光性樹脂層の形成法 |
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