JPS5998726A - 酸化膜形成法 - Google Patents

酸化膜形成法

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JPS5998726A
JPS5998726A JP20740682A JP20740682A JPS5998726A JP S5998726 A JPS5998726 A JP S5998726A JP 20740682 A JP20740682 A JP 20740682A JP 20740682 A JP20740682 A JP 20740682A JP S5998726 A JPS5998726 A JP S5998726A
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JP
Japan
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oxide film
gas
arranged pipe
specimen
heater
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Application number
JP20740682A
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English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
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Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は低温化学蒸着酸化膜形成法に関する。
従来）、酸化膜の形成法としては、イヒ学蒸着法のでは
、 Ｓ　□Ｈ４＋　２０２　””’　”□。、−１−２Ｈ，
。
の反応によりＳｉＯ□膜を形成するのが通例であった。
しかし、上記従来技術では、化学蒸着温度が３５０℃程
度以下にできないという欠点があった本発明はかかる従
来技術の欠点をなくし、低温で酸化膜を化学蒸着法で提
供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は酸化
膜を化学蒸着法で形成する方法に関し、化合物ガスと水
蒸気または過酸化水素蒸気を含有せる雰囲気内に試料基
板を加熱して設置することを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明による酸化膜形成法の一例を模式的に示
したものである。石英反応管１内にはＳｉＨ，ガス配管
２　、Ｈ，０２バブラー３を６０℃程度に加熱するヒー
ター４により加熱したＨ２Ｏ２含有水をバブルする窒素
ガスを配管５より供給して、配管６よりＨ，Ｏ，蒸気を
供給する。石英反応管１内には試料７が設置され、該試
料２はヒーター８により２００℃程度に加熱される。排
ガスは配管９より排出される。
上記の如き方法により、。
ＳｉＨ，＋　　２Ｈ，０２’史窮　Ｓｉ０．＋４Ｈ，０
の反応により２００°Ｃ程度の低温で８１０２膜が形成
できる。
本発明はＳｉＯ□膜に限らず、Ａ　ｔ、　Ｏ、等地の化
学蒸着膜形成にも用いることができる。
本発明は少なくとも過酸化木葉蒸気を必要とし、その低
酸素、水蒸気、オゾン、窒素等のガスを同時に含んでも
良い。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による酸化膜形成法の一例を示す化学蒸
着法の模式図である。 １・・・・・・反応管 ２．３，５．９・・・・・・配　管 ４．８・・・・・・ヒーター ７・・・・・・試料基板 以　　上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. Ｓ１０．膜、Ａｔ２０ｓ膜等の酸化膜をイヒ学蒸着法で
    形成する方法に関し、シラン・ガス（Ｓｉｎ４．５ＩＨ
    ＯＬＢ　　ンｅアルミニウム・エチレート４Ａ（ｏａ２
    Ｈ，）３等のガス体と水蒸気または過酸化水素蒸気を含
    有せる雰囲気内に試料基板を加熱し゛て設置し、酸化膜
    を形成することを特徴とする酸化膜形成法。
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