JPH0396235A - 酸化装置 - Google Patents
酸化装置Info
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- JPH0396235A JPH0396235A JP23331589A JP23331589A JPH0396235A JP H0396235 A JPH0396235 A JP H0396235A JP 23331589 A JP23331589 A JP 23331589A JP 23331589 A JP23331589 A JP 23331589A JP H0396235 A JPH0396235 A JP H0396235A
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- Japan
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- gas
- oxide film
- ozone
- pressurized
- oxidation
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- Pending
Links
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は電子装置の製造工程における酸化処理装置に関
し、とりわけ半導体の酸化処理装置K関する。
し、とりわけ半導体の酸化処理装置K関する。
[従来の技術コ
従来、常圧や高圧の酸素ガス含有雰囲気中あるいは水蒸
気ガス含有雰囲気中にてシリコン・ウエーハ等の半導体
等の電子装置製作における酸化処理装置はあった。
気ガス含有雰囲気中にてシリコン・ウエーハ等の半導体
等の電子装置製作における酸化処理装置はあった。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、上記従来技術によると、必ずしも酸化温度が充
分低くならず、又、界面準位密度が小さくたらない等の
酸化膜質上の課題があった。
分低くならず、又、界面準位密度が小さくたらない等の
酸化膜質上の課題があった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、低温で且つ
良質の酸化膜を形成する事ができる酸化装置を提供する
事を目的とする。
良質の酸化膜を形成する事ができる酸化装置を提供する
事を目的とする。
[課題を解決するための手段コ
上記課題を解決するために、本発明は酸化装置に関し、
加圧されたオゾン含有ガス供給系を具備する手段を取る
事を基本とする。
加圧されたオゾン含有ガス供給系を具備する手段を取る
事を基本とする。
[咋用コ
シリコンの酸化作用を代表例にとると、酸化速度は、酸
素濃度と酸化温度及び活性化エネルギーによって定めら
れる。そこでオゾンの供給は前記酸化速度に対しては、
酸素濃度の向上及び活性化エネルギーの増大を誘起し、
酸化温度の低下を計ることができる作用があると共に、
酸素濃度の向上は、酸化膜中酸素濃度の向上につながり
酸化膜質の向上を計ることができる作用がある。
素濃度と酸化温度及び活性化エネルギーによって定めら
れる。そこでオゾンの供給は前記酸化速度に対しては、
酸素濃度の向上及び活性化エネルギーの増大を誘起し、
酸化温度の低下を計ることができる作用があると共に、
酸素濃度の向上は、酸化膜中酸素濃度の向上につながり
酸化膜質の向上を計ることができる作用がある。
[実施例]
゛以下、実施例により本発明を詳述する。
いま、10気圧に加圧されたオゾン(O,)ガスを石英
管内に供給し、一シリコン・ウエーハヲ酸化すると、1
0気圧に加圧された酸素(O,)ガスによる酸化に比し
、100℃程度低い温度、(900″’o→SOO″0
)にて、同一の膜厚の酸化膜が形成されると共に、同一
温席による酸化では、界面準位密度が5 X 1 0
’ cyr”から2X10”の一雪とI X 1 0’
ct2程度小さくでき、良質の酸化膜を得る事ができ
る。
管内に供給し、一シリコン・ウエーハヲ酸化すると、1
0気圧に加圧された酸素(O,)ガスによる酸化に比し
、100℃程度低い温度、(900″’o→SOO″0
)にて、同一の膜厚の酸化膜が形成されると共に、同一
温席による酸化では、界面準位密度が5 X 1 0
’ cyr”から2X10”の一雪とI X 1 0’
ct2程度小さくでき、良質の酸化膜を得る事ができ
る。
更に、オゾン(03 )ガスのみならず、オゾン(0,
)ガスと水素(H,)ガスを反応させて過酸化水素ガス
(Hoot)を形成させて石英管内でシリコン・ウエー
ハを加圧酸化するいわゆるウエット酸化処理に於ても上
記第1の実施例と何様な酸化温度の低温化や酸化膜質の
向上を計ることができることは云うまでもない。
)ガスと水素(H,)ガスを反応させて過酸化水素ガス
(Hoot)を形成させて石英管内でシリコン・ウエー
ハを加圧酸化するいわゆるウエット酸化処理に於ても上
記第1の実施例と何様な酸化温度の低温化や酸化膜質の
向上を計ることができることは云うまでもない。
[発明の効果]
本発明により、低温にて良質の酸化膜を得ることができ
る酸化装置を提供することができる効果がある。
る酸化装置を提供することができる効果がある。
以上
Claims (1)
- 加圧されたオゾン含有ガス供給系を具備する事を特徴と
する酸化装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23331589A JPH0396235A (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 酸化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23331589A JPH0396235A (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 酸化装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0396235A true JPH0396235A (ja) | 1991-04-22 |
Family
ID=16953205
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23331589A Pending JPH0396235A (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 酸化装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0396235A (ja) |
-
1989
- 1989-09-08 JP JP23331589A patent/JPH0396235A/ja active Pending
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