CN101136334A - 一种制作多晶硅发射极界面层的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种制作多晶硅发射极界面层的方法，首先对硅片表面进行HF－Last湿法洗净处理，以完全去除硅片表面的自然氧化层；然后将硅片放入UV O3(紫外线臭氧)处理装置，在一定温度及时间内形成的界面氧化层，制作Bipolar或BiCMOS的多晶硅发射极界面层。上述工艺中温度最好为100－300度，时间为1－10分钟，界面氧化层厚度为5－15埃。本发明方法工艺步骤很简单，在实施时容易控制温度，生成的界面氧化膜迅速且质量较好，可使得器件的电流增益成倍的增加，可以解决在在较低低温下，快速的形成多晶硅发射极界面层，且膜质和膜厚均一性较好。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种制作多晶硅发射极界面层的方法
背景技术
在制作Bipolar或BiCMOS的多晶硅发射极时，通常需在发射极多晶硅与基区之间形成一层非常薄的界面氧化层，以使得器件的电流增益成倍的增加，可参见图1。目前生成界面氧化层主要有如下几种方法：
1、在室温条件下长时间放置，形成自然氧化膜。该方法时间消耗较长，且在自然氛围中生成的氧化膜，其中含有较多碳等杂质，且不致密。
2、使用RCA湿法溶液对表面进行处理，在表面形成氧化层。该方法表面形成的氧化层不是很致密，而且硅片内均一性不好。
3、运用快速热处理(RTP)装置对表面进行氧化。该方法代价高，且RTP在低温下不容易温度控制。
4、使用DRY O2(等离子表面氧化处理)。该方法有引入PLASMA DAMAGE(等离子损伤)的可能。
5、WET O3(湿法臭氧处理)。该方法表面形成的氧化层不是很致密，而且硅片内均一性不好。
因此，如何提供一种对温度要求不高，处理时间不长，且形成的多晶硅发射极界面层膜质和膜厚均一性较好的工艺方法仍很必要。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种制作多晶硅发射极界面层的方法，可以解决在在较低低温下，快速的形成多晶硅发射极界面层，且膜质和膜厚均一性较好。
为解决上述技术问题，本发明的一种制作多晶硅发射极界面层的方法，首先对硅片表面进行HF-Last湿法洗净处理，以完全去除硅片表面的自然氧化层；然后将硅片放入UV O3(紫外线臭氧)处理装置，在一定温度及时间内形成的界面氧化层，制作Bipolar(双极型晶体管)或BiCMOS(bipolarcomplementary metal-oxide semiconductor双极互补金属氧化物型晶体管)的多晶硅发射极界面层。上述工艺中温度最好为100-300摄氏度，时间为1-10分钟，界面氧化层厚度为5-15埃。
本发明方法工艺步骤很简单，在实施时容易控制温度，生成的界面氧化膜迅速且质量较好，可使得器件的电流增益成倍的增加。
附图说明
图1是多晶硅发射极界面氧化层示意图；
图2是本发明方法使用的UV O3处理装置示意图；
图3是本发明方法的工艺流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细的说明。
本发明方法使用UV O3制作Bipolar或BiCMOS的多晶硅发射极界面层，其使用的UV O3处理装置可参见图2。在本发明中在制作多晶硅发射极界面层之前需要经过HF-Last(一种最后为氢氟酸处理，而不是水洗的方法)湿法处理，保证表面的自然氧化层被完全去除且表面受到氢钝化自然氧化层生长非常缓慢；然后将需要处理的硅片放入UV O3处理装置中。下面根据一具体实施例讲述本发明。具体的流程图可参见图3。
实施例一：
在该例中，首先按本发明方法将硅片表面经HF-Last湿法洗净处理，保证表面的自然氧化层被完全去除，然后将硅片置入如图2所示的UV O3处理装置示意图中；将氧气引入如图2所示UV O3处理装置，该UV O3处理装置的臭氧发生器处理氧气产生臭氧，处理装置的汞灯进行加热；在该实施例中处理装置内温度控制在：150-250摄氏度处理时间为8分钟；通过该例制作Bipolar多晶硅发射极界面氧化层比较均一质量较好界面，该例中生成的氧化层厚度为10埃。用同样方法也可制作BiCMOS的多晶硅发射极界面层，且效果较好。
根据实施例，本发明方法中具体工艺参数最好控制在如下范围，即：温度为100-300摄氏度；处理时间为1分钟-10分钟；生成的氧化层厚度为5-15埃。
综上所述，本发明提出了一种使用UV 03装置制作多晶硅发射极界面层的方法，该方法简单易行，容易控制，可以在较低的温度下迅速在发射极多晶硅与基区之间形成一层非常薄的界面氧化层，且生成的界面氧化膜质量均一，在现实工艺中具有很高的价值。
Claims (4)
1.一种制作多晶硅发射极界面层的方法，其特征在于，包括：
步骤一、对硅片表面进行HF-Last湿法处理，以去除硅片表面的自然氧化层；
步骤二、将所述硅片放入UV O3处理装置，在一定温度及时间内形成的界面氧化层，制作Bipolar或BiCMOS的多晶硅发射极界面层，该UV O3处理装置包括臭氧发生器和加热装置。
2.根据权利要求1所述的制作多晶硅发射极界面层的方法，其特征在于，所述温度为100-300摄氏度，温度由加热装置控制，所述加热装置为汞灯。
3.根据权利要求1所述的制作多晶硅发射极界面层的方法，其特征在于，所述时间为1-10分钟。
4.根据权利要求1所述的制作多晶硅发射极界面层的方法，其特征在于，所述界面氧化层厚度为5-15埃。
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| CN102205942A (zh) * | 2011-05-13 | 2011-10-05 | 上海集成电路研发中心有限公司 | Mems牺牲层结构制造方法 |
| WO2016101361A1 (zh) * | 2014-12-24 | 2016-06-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种非晶硅表面氧化层形成方法 |
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2006
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