KR0162900B1 - 산화물 형성 방법 - Google Patents

산화물 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR0162900B1
KR0162900B1 KR1019900007682A KR900007682A KR0162900B1 KR 0162900 B1 KR0162900 B1 KR 0162900B1 KR 1019900007682 A KR1019900007682 A KR 1019900007682A KR 900007682 A KR900007682 A KR 900007682A KR 0162900 B1 KR0162900 B1 KR 0162900B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
oxide
oxygen
interface
semiconductor material
high quality
Prior art date
Application number
KR1019900007682A
Other languages
English (en)
Other versions
KR900019130A (ko
Inventor
디. 폴슨 제임스
더글러스 그리스월드 마크
Original Assignee
빈센트 죠셉 로너
모토로라 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 빈센트 죠셉 로너, 모토로라 인코포레이티드 filed Critical 빈센트 죠셉 로너
Publication of KR900019130A publication Critical patent/KR900019130A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0162900B1 publication Critical patent/KR0162900B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H01L21/28158—Making the insulator
    • H01L21/28167—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation
    • H01L21/28211—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation in a gaseous ambient using an oxygen or a water vapour, e.g. RTO, possibly through a layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
    • H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
    • H01L21/02238—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02255—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/3165—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation
    • H01L21/31654—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself
    • H01L21/31658—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself by thermal oxidation, e.g. of SiGe
    • H01L21/31662—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself by thermal oxidation, e.g. of SiGe of silicon in uncombined form
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/401—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/4011—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes
    • H01L29/40114—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes the electrodes comprising a conductor-insulator-conductor-insulator-semiconductor structure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

반도체 물질이 산화환경내에 위치하고, 소정 농도의 산소로 처리되어지는 고품질 산화물을 만드는 방법에 관한 것이다. 이러한 산소농도는 소정의 산화물이 형성될 때까지 시간적으로 증가한다. 일단 소정의 산화물이 형성되면, 반도체물질/산화물 인터페이스, 인터페이스를 패시베이션시키는 증기로 처리된다. 그러므로 반응이 되지 않은 반도체물질 원자들의 수를 감소시키게 된다.

Description

산화물 형성 방법
제1도는 본 발명을 이용하여 처리되는 타입의 반도체 메모리 장치의 일부분을 크게 확대한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 반도체 메모리 장치 12 : 실리콘 기판
16 : 기판 산화물층 18 : 폴리실리콘 플로팅 게이트
20 : 터널 산화물 22 : 인터레벨 산화물
24 : 폴리실리콘 영역 26 : 유전체층
본 발명은 산화물 형성 방법, 특히 경사화한 산화물 형성방법(a ramped oxide formation method)에 관한 것이다.
고품질의 산화물층을 형성하려는 종래 기술의 방법은 일반적으로 많은 문제점을 가지고 있다. 폴리실리콘 게이트의 산화를 이용하는 포울러-노드헤임 터널링(Fowler-Nordheim tunneling)을 채택한 메모리 장치에 있어서, 장치의 내구력 특성을 보존하기 위해서는 대략 900 내지 1,000℃의 범위로 온도를 유지하는 것이 바람직하다. 산화가 높은 온도(1,050 내지 1,100℃)에서 이루어지면, 터널 산화물은 종종 그 품질이 떨어진다. 낮은 온도가 사용되면, 폴리실리콘 게이트상에 형성되는 산화물은, 불량한 그레인 구조(grain structure)로 인해 산화물 표면이 거칠어지기 때문에 (꺼칠꺼칠함: asperities)일반적으로 품질이 낮게 된다.
종래 기술의 산화 방법은 산소가 불활성 기체로 희석되어지는 희석 산화(dilute oxidation)를 전체 공정중에 포함시키고 있다. 일반적으로, 희석 산화 방법은 산화물이 두꺼워짐에 따라 산소가 폴리실리콘/산화물 인터페이스(interface)에 도달하는 시간이 길어지기 때문에 비교적 느린 방법이다. 또한, 앞서 언급한 온도 제한 조건이 큰 영향을 미친다. 먼저 희석된 산소 흐름이 사용된 다음 상당히 진한 산소 흐름이 나중에 사용되는 두 단계의 산화 공정도 통상적으로 사용되는 것이다. 그런데, 묽은 산소 흐름이 너무 오래 유지되면, 폴리실리콘/산화물 인터페이스에서 산소 고갈(dangling bond)이 일어난다. 폴리실리콘/ 산화물 인터페이스에서 산소 고갈의 문제를 치유하기 위해 산소가 단기간 뿜어지기 전의 질소 어니일과 수소 어니일(anneal)이 사용되고 있는데, 이들 어니일이 얼마가 유익하긴 하지만, 제어하기가 어렵고 인터페이스에 상당한 양의 반응하지 않은 폴리실리콘이 그대로 남게된다.
따라서, 본 발명의 목적은 장치의 내구력이 향상된 고품질의 산화물을 형성하는 방법을 제공하려는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 확산 제어 공정이 사용되는 고품질 산화물을 형성하는 방법을 제공하려는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 시간 및 온도면에서 효율적인 고품질 산화물 형성방법을 제공하려는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 산소 흐름이 경사화된(ramped)고품질 산화물 형성 방법을 제공하려는 것이다.
본 발명이 추가적인 목적은 반도체물질/산화물 인터페이스에서 댕글링 본드(dangling bond)의 수가 감소된 고품질 산화물 형성 방법을 제공하려는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 산화물이 다결정 물질상에 형성되며 다른 산화물도 동시에 형성되는 고품질 산화물을 메모리 장치내에 형성시키는 방법을 제공하려는 것이다.
전술한 것과 그밖의 목적 및 장점등은 본 발명에 있어 한 실시예에 의해 달성되는데, 여기에는, 폴리실리콘 및 단결성 표면 모두를 가진 반도체 구조체를 제공하고, 그것을 산화 분위기내에 위치시키는 단계를 포함한다. 반도체 구조체는 소정 농도의 산소로 처리되며, 산소의 농도는 소정양의 산화물이 폴리실리콘 및 단결정 표면상에 동시에 형성될 때까지 시간 경과에 따라 증가된다. 그 후에 실리콘/산화물 인터페이스를 패시베이션시키기 위해 수소 및 산소를 포함한 증기가 이용될 수 있다.
도면은 본 발명을 이용하여 처리되는 타입의 반도체 메모리 장치(10)의 일부분을 크게 확대한 단면도이다. 장치(10)는 단지 설명하기 위한 것이며, 여기에 기술된 본 발명은 다른 타입의 장치와도 연관되어 이용할 수 있다는 것을 이해 해야겠다. 장치(10)는 도핑된 영역(14)을 가진 실리콘 기판(12)을 구비한다. 기판(12)상에는 기판 산화물층(16)이 형성된다. 도시된 바와 같이 기판 산화물층(16)위에 폴리실리콘 플로팅(floating) 게이트(18)가 배치된다. 플로팅 게이트(18)아래의 기판 산화물층(16)의 부분을 통상 터널 산화물이라 부르며 여기서는 번호(20)로 표시되었다. 다음에 플로팅 게이트(18)를 둘러싸도록 인터레벨 산화물(22)이 형성되고 폴리실리콘 영역(24)이 인터레벨 산화물(22)위에 형성된다. 그 다음 폴리실리콘 영역(24)상에는 유전체층(26)이 형성된다.
반도체 메모리 장치(10)와 같은 장치에 있어서, 인터레벨(interlevel) 산화물(22) 및 부수적인 산화물을 가판 산화물층(16)상에 동시에 형성시키는 것이 매우 바람직하다. 이러한 산화물이 고품질로 이루어지고 터널(tunnel)산화물(20)과 같은 기존의 얇은 산화물의 품질을 저하시키지 않게 하는 것이 중요한 일이다. 터널산화물(20)의 품질 저하는 장치가 매우 불량한 내구력 특성을 갖게 만든다.
반도체물질/산화물 인터페이스에 충분한 산소를 제공함으로써, 정확하게 접촉 영역에서 반도체 물질과 반응하여 약 900 내지 1000℃ 온도 범위에서 정확하게 인터페이스에서 반도체 물질과 반응하여 고품질 산화물이 형성될 수 있다. 상기 과정을 통해 인터페이스에서 부분적으로 반응하는 반도체물질의 양이 감소될 수 있다. 산화물이 두꺼워 짐에 따라, 산소가 이미 만들어진 산화물을 통해 확산하여 인터페이스에서만 반응하도록 산소 농도는 시간에 따라 정확하게 증가되어야 한다(상방향 경사). 산소 농도의 상방향 경사화(ramped upward)는 확산 제어 공정내에서 일정한 산화 속도를 유지하며, 시간 및 온도면에서 효율적인 공정을 가능케 해준다. 이 공정은 산화물 결함을 최소로 해준다.
산소의 경사화가 완결되고 소정 양의 산화물이 형성되면, 반도체물질/산화물 인터페이스에는 산소가 고갈될 것이다. 이는 인터페이스에서 부분적으로 반응되는 반도체물질 원자가 존재한다는 것을 의미한다. 인터페이스에 수소 및 산소를 포함한 증기를 뿜어줌으로써, 인터페이스는 패시베이션(passivation)되며, 반응하지 않은 원자의 수는 상당히 감소하게 된다. 인터페이스에만 증가를 뿜어주는 것이 중요한데, 그 이유는, 증기를 뿜어주는 것이 반응하지 않은 반도체물질 원자의 수를 감소 시키는 것이지, 반도체물질을 산화시키려는 것은 아니기 때문이다.
다시 도면의 장치(10)로 되돌아가 보면, 인터레벨 산화물층(22)은 하기의 특정한 공정을 이용하여 기판 산화물층(16)상의 부수적인 산화물과 동시에 형성된다. 반도체 구조가 반응기내에 놓여진 후, 온도는 시간에 따라 상방향 경사되어 대략 975℃에 달하게 된다. 상기 온도 경사 시간동안, 질소(대략 97.5퍼센트)와 같은 불활성 캐리어 기체내의 낮은 농도의 산소(대략 2.5퍼센트)가 반응기내로 주입된다. 원하는 온도에 도달하게 되면, 대략 5 퍼센트의 산소 흐름이 반응기내로 유입되고 질소의 흐름은 대략 95 퍼센트 된다. 이 공정은 대략 40 분 걸린다. 이제 산소 농도의 상방향 경사화가 시작되어 산소 흐름은 대략 30 퍼센트로 증가되는 반면 불활성 캐리어 기체 흐름(질소)은 대략 70 퍼센트로 감소된다. 상기 경사화는 대략 1시간에 걸쳐 발생하며 산소 농도는 분당 0.5%의 비율로 증가한다.
산소 흐름이 30퍼센트로 증가되고 질소 흐름이 70%로 감소되면, 이러한 흐름은 대략 1시간동안 지속된다. 이 시간이 끝날 무렵에, 대략 550 옹그스트롬의 인터레벨 산화물(22) 및 350 옹그스트롬의 기판 산화물(16)이 형성된다. 다음, 산소 흐름이 대략 35 퍼센트, 수소 흐름이 대략 14 퍼센트, 질소 흐름이 대략 51 퍼센트인 증기가 상기 구조체에 뿜어진다.
이 증기의 뿜어짐은 대략 3분 30초 동안 지속되어 인터페이스를 패시베이션시키는 한편 대략 50옹그스트롬의 산화물을 부수적으로 형성시킨다. Si/SiO2인터페이스 결함은 OH 기에 상당히 감소된다. 증기의 뿜어짐이 완결되면, 수소 및 산소 흐름은 중지되고 구조체가 반응기로부터 제거될 때까지 온도는 975℃에서 시간에 따라 하방향으로 경사된다.

Claims (3)

  1. 고품질 산화물을 형성하는 방법에 있어서, 반도체물질을 제공하는 단계와, 상기 반도체물질을 산화 환경내에 위치시키고 상기 반도체물질을 소정 농도의 산소로 처리하는 단계와, 소정 양의 산화물이 형성될 때까지 반도체물질/산화물 인터페이스에서만 산화가 일어나도록 산소 농도를 시간에 따라 증가시키는 단계를 포함하는 고품질 산화물 형성 방법.
  2. 고품질 산화물을 형성하는 방법에 있어서, 반도체물질/산화물 인터페이스를 형성하기 위해, 반도체 물질 위에 산화물을 형성시키는 단계와, 반도체물질/산화물 인터페이스를 패시베이션시키기 위해, 상기 반도체물질/ 산화막 인터페이스를 증기로 처리하는 단계를 포함하는 고품질 산화물 형성방법.
  3. 고품질의 실리콘 산화물을 형성하는 방법에 있어서, 실리콘 물질을 제공하는 단계와, 상기 실리콘 물질을 산화 환경내에 위치시키고 상기 실리콘 물질을 소정농도의 산소로 처리하는 단계와, 소정 양의 실리콘 이산화물의 형성될 때까지 산소 농도를 시간에 따라 증가시키는 단계와, 상기 실리콘 물질 및 실리콘 이산화물을 증기로 처리하여, 실리콘 물질/ 실리콘 이산화물 인터페이스를 패시베이션시키는 단계를 포함하는 고품질 실리콘 산화물 형성 방법.
KR1019900007682A 1989-05-30 1990-05-28 산화물 형성 방법 KR0162900B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US357,838 1989-05-30
US07/357,838 US5123994A (en) 1989-05-30 1989-05-30 Ramped oxide formation method
US357838 1994-12-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900019130A KR900019130A (ko) 1990-12-24
KR0162900B1 true KR0162900B1 (ko) 1999-02-01

Family

ID=23407237

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900007682A KR0162900B1 (ko) 1989-05-30 1990-05-28 산화물 형성 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5123994A (ko)
JP (1) JP2949777B2 (ko)
KR (1) KR0162900B1 (ko)
DE (1) DE4010585C2 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996033510A1 (en) * 1995-04-21 1996-10-24 International Business Machines Corporation PROCESS FOR THE CREATION OF A THERMAL SiO2 LAYER WITH EXTREMELY UNIFORM LAYER THICKNESS
US7151042B2 (en) * 2005-02-02 2006-12-19 Macronix International Co., Ltd. Method of improving flash memory performance

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4167915A (en) * 1977-03-09 1979-09-18 Atomel Corporation High-pressure, high-temperature gaseous chemical apparatus
JPS5421266A (en) * 1977-07-19 1979-02-17 Mitsubishi Electric Corp Forming method of semiconductor oxide film
US4154873A (en) * 1977-11-10 1979-05-15 Burr-Brown Research Corporation Method of increasing field inversion threshold voltage and reducing leakage current and electrical noise in semiconductor devices
JPS54162980A (en) * 1978-06-14 1979-12-25 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
US4380865A (en) * 1981-11-13 1983-04-26 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of forming dielectrically isolated silicon semiconductor materials utilizing porous silicon formation
DE3206376A1 (de) * 1982-02-22 1983-09-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von siliziumoxidschichten
JPS593932A (ja) * 1982-06-29 1984-01-10 Fujitsu Ltd シリコン酸化膜中の電子捕獲中心を除去する方法
FR2542500B1 (fr) * 1983-03-11 1986-08-29 Thomson Csf Procede de fabrication d'un dispositif semiconducteur du type comprenant au moins une couche de silicium deposee sur un substrat isolant
JPS6020904A (ja) * 1983-07-14 1985-02-02 Mitsubishi Rayon Co Ltd 熱可塑性重合体の製造法
JPS6153771A (ja) * 1984-08-24 1986-03-17 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US4574466A (en) * 1984-12-10 1986-03-11 Gte Communication Systems Corporation High quality gate oxides for VLSI devices
DE3572086D1 (en) * 1984-12-13 1989-09-07 Siemens Ag Method of producing an isolation separating the active regions of a highly integrated cmos circuit
US4789560A (en) * 1986-01-08 1988-12-06 Advanced Micro Devices, Inc. Diffusion stop method for forming silicon oxide during the fabrication of IC devices
JPS62182186A (ja) * 1986-02-03 1987-08-10 Matsushita Electronics Corp 単結晶薄膜の形成方法
US4776925A (en) * 1987-04-30 1988-10-11 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method of forming dielectric thin films on silicon by low energy ion beam bombardment

Also Published As

Publication number Publication date
KR900019130A (ko) 1990-12-24
JP2949777B2 (ja) 1999-09-20
US5123994A (en) 1992-06-23
DE4010585A1 (de) 1990-12-06
JPH036825A (ja) 1991-01-14
DE4010585C2 (de) 2000-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5885870A (en) Method for forming a semiconductor device having a nitrided oxide dielectric layer
US5258333A (en) Composite dielectric for a semiconductor device and method of fabrication
US5591681A (en) Method for achieving a highly reliable oxide film
JP2871530B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US5571734A (en) Method for forming a fluorinated nitrogen containing dielectric
US4906595A (en) Method of manufacturing a semiconductor device, in which a silicon wafer is provided at its surface with field oxide regions
JP2001502115A (ja) 信頼できる極薄酸窒化物形成のための新規なプロセス
EP0685115A1 (en) Semiconductor device comprising deuterium atoms
US6017806A (en) Method to enhance deuterium anneal/implant to reduce channel-hot carrier degradation
JPH06204496A (ja) 高品質の酸化膜を成長させるための方法
US6372578B1 (en) Manufacturing method of non-volatile semiconductor device
US4894353A (en) Method of fabricating passivated tunnel oxide
EP0167208B1 (en) A method for growing an oxide layer on a silicon surface
JP3593340B2 (ja) 集積回路デバイスの製造方法
US6372581B1 (en) Process for nitriding the gate oxide layer of a semiconductor device and device obtained
KR0162900B1 (ko) 산화물 형성 방법
JP3457533B2 (ja) プログラマブル半導体デバイス及びその製造方法
JP3439657B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US6949804B2 (en) Semiconductor device with gate dielectric film having an oxide film and an oxynitride film
US20060094259A1 (en) Forming gas anneal process for high dielectric constant gate dielectrics in a semiconductor fabrication process
KR0137550B1 (ko) 게이트 산화막 형성 방법
US20020151099A1 (en) Method of fabricating a semiconductor device containing nitrogen in an oxide film
KR960013152B1 (ko) 반도체소자의 게이트 산화막 형성방법
KR100312017B1 (ko) Ｎｄ₃을 이용한 반도체 소자용 극박막 절연막의 형성공정
KR950011989B1 (ko) 게이트 산화막 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20040719

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee