DE4010585C2 - Verfahren zur Herstellung von thermischen Oxiden hoher Qualität - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von thermischen Oxiden hoher Qualität

Info

Publication number
DE4010585C2
DE4010585C2 DE4010585A DE4010585A DE4010585C2 DE 4010585 C2 DE4010585 C2 DE 4010585C2 DE 4010585 A DE4010585 A DE 4010585A DE 4010585 A DE4010585 A DE 4010585A DE 4010585 C2 DE4010585 C2 DE 4010585C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
oxide
semiconductor material
oxygen
temperature
oxygen concentration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE4010585A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4010585A1 (de
Inventor
James D Paulsen
Mark Douglas Griswold
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Motorola Solutions Inc
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of DE4010585A1 publication Critical patent/DE4010585A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4010585C2 publication Critical patent/DE4010585C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H01L21/28158—Making the insulator
    • H01L21/28167—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation
    • H01L21/28211—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation in a gaseous ambient using an oxygen or a water vapour, e.g. RTO, possibly through a layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
    • H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
    • H01L21/02238—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02255—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/3165—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation
    • H01L21/31654—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself
    • H01L21/31658—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself by thermal oxidation, e.g. of SiGe
    • H01L21/31662—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself by thermal oxidation, e.g. of SiGe of silicon in uncombined form
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/401—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/4011—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes
    • H01L29/40114—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes the electrodes comprising a conductor-insulator-conductor-insulator-semiconductor structure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein ein Verfahren zur Herstellung von thermischen Oxiden hoher Qualität, spezi­ ell ein Verfahren zur im Verlauf der Zeit gesteigerten bzw. ansteigenden (ramped) Oxidbildung.
Bekannte Verfahren zur Herstellung von Oxidschichten hoher Qualität stoßen im allgemeinen auf viele Probleme. Bei Speichereinheiten unter Anwendung des Fowler-Nordheim- Tunnelns, die die Oxidation von Polysilicium-Gates anwenden, ist es wünschenswert, die Temperatur in einem Bereich von ungefähr 900 bis 1000°C zu halten, um die Lebensdauercha­ rakteristika der Einheit zu erhalten. Wenn die Oxidation bei einer höheren Temperatur erfolgt (bei 1050 bis 1100°C), wird das Tunneloxid oft abgebaut. Wenn niedrigere Temperaturen ver­ wendet werden, ist das Oxid, das auf dem Polysilicium-Gate ge­ bildet wird, im allgemeinen von niedriger Qualität, weil die schlechte Kornstruktur eine rauhe Oxidoberfläche ("Schroffheit") zur Folge hat.
Bekannte Oxidationsverfahren umfassen eine "verdünnte" Oxida­ tion im Verlauf des gesamten Zyklus, wobei Sauerstoff mit ei­ nem Inertgas verdünnt wird. Im allgemeinen sind Verfahren un­ ter "verdünnter" Oxidation relativ langsam, da der Sauerstoff längere Zeit benötigt, um die Grenzfläche zwischen Polysili­ cium und Oxid zu erreichen, wenn die Oxidschicht dicker wird. Zusätzlich herrschen die Beschränkungen der Temperatur, wie oben erwähnt. Oxidationen in zwei Schritten, bei denen zu­ nächst ein verdünnter und anschließend ein beträchtlich er­ höhter Sauerstoffstrom verwendet wird, sind auch weit verbrei­ tet. Wird jedoch der niedrige Sauerstoffstrom zu lange auf­ rechterhalten, kommt es zur Sauerstoffverarmung ("freie Bin­ dungen")an der Grenzfläche zwischen Polysilicium und Oxid. Stickstoff-Temperungen häufig gefolgt von kurzen Pulsen von Sauerstoff- und Wasserstoff-Temperungen wurden verwendet, um das Problem der Sauerstoffverarmung an der Grenzfläche zwi­ schen Polysilicium und Oxid zu beheben. Obwohl diese Temperun­ gen zum Teil erfolgreich sind, ist deren Kontrolle schwierig und sie hinterlassen immer noch eine größere Menge an nicht reagiertem Polysilicium an der Grenzfläche.
Die US-PS 4,776,925 beschreibt ein Verfahren zur Bildung eines Addukts von Silicium auf einer Oberfläche eines Sili­ ciumträgers, wobei ein Ionenstrahl mit einer Energie unterhalb etwa 150 eV auf die Oberfläche des Siliciumträgers gerichtet wird. Der Ionenstrahl wird aus einem Gas gebildet, das Sauer­ stoff und Argon umfaßt, wobei der Sauerstoffanteil im Verlauf der Zeit erhöht wird.
Die US-PS 4,574,466 beschreibt ein Verfahren zur Bildung einer Gate-Oxidschicht für eine CMOS-Vorrichtung. Das Verfahren umfaßt das Wachsen einer vorbestimmten Dicke eines Opfer-Oxids auf einer Halbleiteroberfläche, Abstreifen von vorbestimmten Teilen der Opfer-Oxidschicht, Ausbilden eines Flusses, der im wesentlichen aus Stickstoff und Sauerstoff besteht bei einer Temperatur von 700 bis 950°C, Unterbrechen des Stickstoffflusses bei 950°C und Erhöhen des Sauerstoff­ flusses und Abkühlen der Temperatur von 950 auf 900°C.
Demzufolge besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein Verfahren zur Herstellung von thermischen Oxiden hoher Qualität zur Verfügung zu stellen, die eine längere Le­ bensdauer der Einheit erlauben, und welches Zeit und Wärme rationell nützt.
Die Lösung der Aufgabe ist ein Verfahren gemäß Anspruch 1. Gemäß einer Ausführungsform wird eine Halbleiterstruktur, die sowohl Polysilicium- als auch Einzelkristalloberflächen be­ sitzt, in eine oxidierende Umgebung eingebracht. Die Halblei­ terstruktur wird einer vorbestimmten Konzentration an Sauer­ stoff ausgesetzt, welche im Verlauf der Zeit gesteigert wird, bis eine vorbestimmte Menge an Oxid gleichzeitig, sowohl auf der Polysilicium- als auch auf der Einzelkristalloberfläche, gebildet worden ist. Ein Puls an Dampf, enthaltend Wasserstoff und Sauerstoff, kann anschließend verwendet werden, um die Grenzflächen zwischen Silicium und Oxid zu passivieren.
Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin ein Verfahren zur Herstellung von thermischen Oxiden hoher Qualität für Speichereinheiten zur Verfügung zustellen, bei dem Oxide sowohl auf polykristallinem Material sowie weitere Oxide gleichzeitig gebildet werden können.
Eine weitere Ausbildung der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung von thermischen Oxiden hoher Qualität zur Verfügung zu stellen, bei dem eine verrin­ gerte Anzahl an freien Bindungen an der Grenzfläche zwischen Halbleitermaterial und Oxid vorhanden ist.
Die einzige Abbildung zeigt einen stark vergrößerten Querschnitt einer Halbleiterspeichereinheit 10 von einer Art, wie sie anhand der vorliegenden Erfindung hergestellt werden kann. Die Einheit 10 ist nur ein Beispiel und es ist selbstverständlich, daß die vorliegende Erfindung im Zusammenhang mit anderen Arten von Einheiten verwendet werden kann. Einheit 10 umfaßt ein Siliciumträgermaterial 12, enthaltend dotierte Bereiche 14. Eine Oxidschicht 16 wird auf dem Trägermaterial 12 ausgebildet. Ein getrenntes Gate 18 aus Polysilicium ist auf der Oxidschicht 16 des Trägermaterials angeordnet. Der Anteil, der auf dem Trägermaterial befindlichen Oxidschicht 16, welcher unterhalb des getrennten Gates 18 angeordnet ist, wird häufig als Tunneloxid bezeichnet und ist hier durch die Nummer 20 gekennzeichnet. Eine Oxidzwischenschicht 22 wird dann gebildet, um das getrennte Gate 18 zu umgeben, und es wird ein Bereich aus Polysilicium 24 auf der Oxidzwischenschicht 22 gebildet. Eine dielektrische Schicht 26 wird dann auf dem Bereich aus Polysilicium 24 gebildet. In Einheiten wie der Halbleiterspeichereinheit 10 ist es sehr wünschenswert, die Oxidzwischenschicht 22 und zusätzliches Oxid auf der Oxidschicht des Trägermaterials 16 gleichzeitig zu bilden. Es ist wichtig, daß dieses Oxid von hoher Qualität ist und daß bestehende dünne Oxide wie das Tunneloxid 20 nicht abgebaut werden. Der Abbau des Tunneloxids 20 hat eine Einheit mit extrem niedriger Lebensdauercharakteristik zur Folge.
Oxide hoher Qualität können in einem Temperaturbereich von ungefähr 900 bis 1000°C gebildet werden, indem lediglich genügend Sauerstoff an der Grenzfläche zwischen Halbleitermaterial und Oxid vorhanden ist, um mit dem Halbleitermaterial genau an der Grenzfläche zu reagieren. Dies erlaubt die Verringerung der Menge an nur teilweise reagiertem Halbleitermaterial an der Grenzfläche. Sobald die Oxiddicke zunimmt, muß die Sauerstoffkonzentration präzise im Verlaufe der Zeit gesteigert werden (aufwärts gesteigert), so daß der Sauerstoff durch das bestehende Oxid diffundieren kann und nur an der Grenzfläche reagiert. Das Aufwärtssteigern der Sauerstoffkonzentration erlaubt ein Verfahren, bei dem Zeit und Temperatur rationell genützt werden und das eine reproduzierbare Oxidationsrate unter durch Diffusion kontrollierten Bedingungen aufrechterhält. Dieses Verfahren erlaubt die Herstellung von Oxiden mit geringsten Schäden.
Ist die Steigerung der Oxidkonzentration beendet und eine vorbestimmte Menge des Oxids gebildet worden, sollte der Grenzfläche zwischen Halbleitermaterial und Oxid Sauerstoff entzogen werden. Dies bedeutet, daß sich an der Grenzfläche unvollständig reagierte Atome des Halbleitermaterials befinden. Indem die Grenzfläche einem Puls aus Dampf, enthaltend Wasserstoff und Sauerstoff, ausgesetzt wird, kann die Grenzfläche passiviert und die Anzahl nicht reagierte Atome stark verringert werden. Es ist wichtig, daß der Puls aus Dampf nur die Grenzfläche erreicht, da sein Zweck darin besteht, die Anzahl nicht reagierter Atome des Halbleitermaterials zu verringern und nicht das Halb­ leitermaterial bedeutend zu oxidieren.
Bezugnehmend auf die Einheit 10 aus der Abbildung kann die Oxidzwischenschicht 22 gleichzeitig mit weiterem Oxid auf der Oxidschicht des Trägermaterials 16 gebildet werden, indem der folgende spezielle Verfahrensablauf angewendet wird. Nachdem das Halbleitermaterial in einen Reaktor eingebracht wurde, wird die Temperatur im Verlaufe der Zeit aufwärts gesteigert bis ungefähr 975°C. Während dieser Temperatursteigerung wird eine niedrige Konzentration an Sauerstoff (ungefähr 2,5%) in einem inerten Trägergas, wie Stickstoff (ungefähr 97,5%), in den Reaktor eingeleitet. Ist die gewünschte Temperatur erreicht, wird ein Gasstrom, enthaltend ungefähr 5% Sauerstoff und ungefähr 95% Stick­ stoff, in den Reaktor eingeleitet. Dieser Vorgang dauert unge­ fähr 40 Minuten. Die Aufwärtssteigerung der Sauerstoffkonzen­ tration beginnt jetzt und der Sauerstoffgehalt wird auf unge­ fähr 30% erhöht, während der Gehalt an inertem Trägergas (Stickstoff) auf ungefähr 70% verringert wird. Diese Steige­ rung findet im Verlauf von ca. einer Stunde statt und die Sauerstoffkonzentration steigt mit einer Rate von 0,5% pro Minute.
Ist der Sauerstoffgehalt auf 30% angestiegen und der Stickstoffgehalt auf 70% verringert, wird dieser Gas­ strom für ungefähr eine Stunde aufrechterhalten. Am Ende dieser Zeitspanne sind ungefähr eine 55 nm dicke Oxid­ zwischenschicht 22 und eine 35 nm dicke Oxidzwischen­ schicht 16 auf dem Trägermaterial gebildet worden. Als näch­ stes wird dieses Material einem Puls aus Dampf ausgesetzt, der ungefähr 35% Sauerstoff, ungefähr 14% Wasserstoff und unge­ fähr 51% Stickstoff enthält. Dieser Puls an Dampf dauert un­ gefähr 3 1/2 Minuten und er passiviert die Grenzfläche, wäh­ rend zusätzlich ungefähr eine 5 nm dicke Oxidschicht gebildet wird. Die Schäden an der Grenzfläche zwischen Silicium und Siliciumdioxid werden durch OH-Radikale drastisch verringert. Nachdem der Puls an Dampf beendet worden ist, wird der Wasserstoff- und Sauerstoffstrom unterbrochen und die Temperatur von 975°C wird im Verlaufe der Zeit verringert, bis das Material aus dem Reaktor entfernt wird.

Claims (13)

1. Verfahren zur Herstellung von thermischen Oxiden hoher Qualität, umfassend die Schritte:
Bereitstellen von Halbleitermaterial,
Einbringen dieses Halbleitermaterials in eine oxidierende Umgebung und Aussetzen des Halbleitermaterials einer vorbestimmten Sauerstoffkonzentration,
dadurch gekennzeichnet, daß man die Sauerstoffkonzentration im Verlauf der Zeit derart erhöht, daß Sauerstoff durch das bereits gebildete Oxid diffundieren kann, so daß eine Oxidation nur an der Grenzfläche zwischen Halbleitermaterial und Oxid erfolgt, bis eine vorbestimmte Menge an Oxid gebildet worden ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur der oxidierenden Umgebung in einem Bereich von etwa 900 bis 1000°C liegt.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur der oxidierenden Umgebung ungefähr 975°C beträgt.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die Sauerstoffkonzentration von etwa 5% auf etwa 30% erhöht.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Erhöhung der Sauerstoffkonzentration mit einer Geschwindigkeit von ungefähr 0,5% pro Minute erfolgt.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das oxidierte Halbleitermaterial in einem weiteren Schritt Dampf ausgesetzt wird, um die Grenzflächen zwischen Halbleitermaterial und Oxid zu passivieren.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Dampf Wasserstoff und Sauerstoff enthält.
8. Verfahren nach Anspruch 1, wobei als Halbleitermaterial Siliciummaterial verwendet wird und wobei Siliciummaterial und Siliciumdioxid einem Dampf ausgesetzt werden, um die Grenzflächen zwischen Silicium und Siliciumdioxid zu passivieren.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur der oxidierenden Umgebung und die Temperatur, bei der die Dampfbehandlung erfolgt in einem Bereich von etwa 900 bis 1000°C liegt.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur der oxidierenden Umgebung und die Temperatur, bei der die Dampfbehandlung erfolgt, ungefähr 975°C beträgt.
11. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Sauerstoffkonzentration von etwa 5% auf etwa 30% erhöht wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß man die Sauerstoffkonzentration mit einer Geschwindigkeit von ungefähr 0,5% pro Minute erhöht.
13. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß man zum Passivieren einen Dampf verwendet, der Wasserstoff und Sauerstoff enthält.
DE4010585A 1989-05-30 1990-04-02 Verfahren zur Herstellung von thermischen Oxiden hoher Qualität Expired - Fee Related DE4010585C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/357,838 US5123994A (en) 1989-05-30 1989-05-30 Ramped oxide formation method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4010585A1 DE4010585A1 (de) 1990-12-06
DE4010585C2 true DE4010585C2 (de) 2000-04-13

Family

ID=23407237

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4010585A Expired - Fee Related DE4010585C2 (de) 1989-05-30 1990-04-02 Verfahren zur Herstellung von thermischen Oxiden hoher Qualität

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5123994A (de)
JP (1) JP2949777B2 (de)
KR (1) KR0162900B1 (de)
DE (1) DE4010585C2 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996033510A1 (en) * 1995-04-21 1996-10-24 International Business Machines Corporation PROCESS FOR THE CREATION OF A THERMAL SiO2 LAYER WITH EXTREMELY UNIFORM LAYER THICKNESS
US7151042B2 (en) * 2005-02-02 2006-12-19 Macronix International Co., Ltd. Method of improving flash memory performance

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4574466A (en) * 1984-12-10 1986-03-11 Gte Communication Systems Corporation High quality gate oxides for VLSI devices
US4776925A (en) * 1987-04-30 1988-10-11 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method of forming dielectric thin films on silicon by low energy ion beam bombardment

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4167915A (en) * 1977-03-09 1979-09-18 Atomel Corporation High-pressure, high-temperature gaseous chemical apparatus
JPS5421266A (en) * 1977-07-19 1979-02-17 Mitsubishi Electric Corp Forming method of semiconductor oxide film
US4154873A (en) * 1977-11-10 1979-05-15 Burr-Brown Research Corporation Method of increasing field inversion threshold voltage and reducing leakage current and electrical noise in semiconductor devices
JPS54162980A (en) * 1978-06-14 1979-12-25 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
US4380865A (en) * 1981-11-13 1983-04-26 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of forming dielectrically isolated silicon semiconductor materials utilizing porous silicon formation
DE3206376A1 (de) * 1982-02-22 1983-09-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von siliziumoxidschichten
JPS593932A (ja) * 1982-06-29 1984-01-10 Fujitsu Ltd シリコン酸化膜中の電子捕獲中心を除去する方法
FR2542500B1 (fr) * 1983-03-11 1986-08-29 Thomson Csf Procede de fabrication d'un dispositif semiconducteur du type comprenant au moins une couche de silicium deposee sur un substrat isolant
JPS6020904A (ja) * 1983-07-14 1985-02-02 Mitsubishi Rayon Co Ltd 熱可塑性重合体の製造法
JPS6153771A (ja) * 1984-08-24 1986-03-17 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
DE3572086D1 (en) * 1984-12-13 1989-09-07 Siemens Ag Method of producing an isolation separating the active regions of a highly integrated cmos circuit
US4789560A (en) * 1986-01-08 1988-12-06 Advanced Micro Devices, Inc. Diffusion stop method for forming silicon oxide during the fabrication of IC devices
JPS62182186A (ja) * 1986-02-03 1987-08-10 Matsushita Electronics Corp 単結晶薄膜の形成方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4574466A (en) * 1984-12-10 1986-03-11 Gte Communication Systems Corporation High quality gate oxides for VLSI devices
US4776925A (en) * 1987-04-30 1988-10-11 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method of forming dielectric thin films on silicon by low energy ion beam bombardment

Also Published As

Publication number Publication date
KR900019130A (ko) 1990-12-24
JP2949777B2 (ja) 1999-09-20
US5123994A (en) 1992-06-23
KR0162900B1 (ko) 1999-02-01
DE4010585A1 (de) 1990-12-06
JPH036825A (ja) 1991-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3311635C2 (de)
DE3132905C2 (de)
DE2400670A1 (de) Verfahren zur herstellung von mostransistoren
DE1614540A1 (de) Halbleiteranordnung
DE2923737A1 (de) Passivierung eines integrierten schaltkreises
DE2414982A1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiter-bauelementes
DE2615754C2 (de)
DE2419030A1 (de) Integrierte optische vorrichtung mit lichtwellenleiter und photodetektor, sowie verfahren zu ihrer herstellung
DE2422138A1 (de) Verfahren zur herstellung von elektroden aus halbleitermaterial
DE1564963B2 (de) Verfahren zum herstellen eines stabilisierten halbleiter bauelements
DE2225374B2 (de) Verfahren zum herstellen eines mos-feldeffekttransistors
DE1814747C2 (de) Verfahren zum Herstellen von Feldefekttransistoren
DE4010585C2 (de) Verfahren zur Herstellung von thermischen Oxiden hoher Qualität
DE2758888A1 (de) Verfahren zur herstellung reinster siliciumeinkristalle
DE2616857A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen
DE1294138B (de) Verfahren zur Verbesserung einer Siliziumdioxiddeckschicht auf Halbleitergrundkoerpern
DE2224515B2 (de) Verfahren zum verdichten von silikatglaesern
DE3007500A1 (de) Verfahren zum passivieren eines integrierten schaltkreises
DE19625404B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Feldoxidschicht in einer Halbleitervorrichtung
DE2219696B2 (de) Verfahren zum Herstellen einer monolithisch integrierten Halbleiteranordnung
DE3301479A1 (de) Verfahren zum herstellen eines halbleiterelementes
DE3313163A1 (de) Halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung
DE2130928A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1544323A1 (de) Verfahren zur Erzeugung von p-Diffusionen in Germanium und zur Herstellung doppelt diffundierter planarer Germaniumtransistoren
DE2149566A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung,die durch dielektrisches Material isoliert ist

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee