DE3132905C2 - - Google Patents

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Her­ stellung einer Halbleiteranordnung entsprechend dem Ober­ begriff des Patentanspruchs 1.
Ein solches Verfahren dient insbesondere zur Herstellung einer Feldeffektanordnung mit isolierter Gate-Elektrode.
Eine Feldeffektanordnung mit isolierter Gateelektrode, die aus einer Doppelschichtstruktur einer dotierten Polysili­ ciumschicht und einer Metallsilicidschicht besteht, ist z.B. aus der US-PS 40 80 719 bekannt.
Eine derartige Doppelschichtstruktur bietet viele Vortei­ le. Ihr kann z.B. ein viel niedrigerer spezifischer Wider­ stand als einzelnen dotierten Polysiliciumschichten gege­ ben werden. Außerdem sind weniger Verunreinigungen an der Grenzfläche zwischen der dotierten Polysiliciumschicht und der Isolierschicht als an der Grenzfläche zwischen der un­ dotierten Polysiliciumschicht und der Isolierschicht vor­ handen.
Bei der Doppelschichtstruktur mit einer dotierten Poly­ siliciumschicht kann die Schwellwertspannung von Feld­ effektanordnungen besser gesteuert werden als bei einer Doppelschichtstruktur mit einer undotierten Polysilicium­ schicht möglich ist.
Eine Gate-Elektrode mit einer Doppelschichtstruktur mit einer dotierten Polysiliciumschicht wird auf bekannte Weise wie folgt hergestellt: Eine Oberfläche eines Halb­ leiterkörpers wird mit einer elektrisch isolierenden Schicht, einer dotierten Polysiliciumschicht und einer Metallschicht versehen, die zusammen mit der dotierten Polysiliciumschicht einer Wärmebehandlung unterworfen wird, wobei die Polysiliciumschicht über einen Teil ihrer Dicke durch Reaktion mit dem Metall der Metallschicht in eine Metallsilicidschicht umgewandelt wird. Eine Metall­ silicidschicht kann durch Reaktion z.B. einer aufge­ sputterten oder aufgedampften Metallschicht, z.B. aus Molybdän, mit einer Polysiliciumschicht bei 600 bis 900°C hergestellt werden.
Die Metallsilicidschicht, die Polysiliciumschicht und die elektrisch isolierende Schicht werden zur Bildung einer Gate-Elektrode einer Feldeffektanordnung mit isolierter Gate-Elektrode maskiert und in Muster gebracht.
In der Praxis reagiert aber während der genannten Wärme­ behandlung eine mit Phosphor dotierte Polysiliciumschicht in ungenügendem Maße mit einer Molybdänschicht, so daß die genannte mit Phosphor dotierte Polysiliciumschicht über den Teil ihrer Dicke, der in Molybdänsilicid umgewandelt werden muß, nur unvollständig umgewandelt wird.
Diese ungenügende Reaktion läßt sich aus den Erfahrungen schließen, daß sogar nachdem eine Molybdänschicht und eine mit Phosphor dotierte Polysiliciumschicht der eigentlichen Wärmebehandlung unterworfen worden waren, die genannte Molybdänschicht noch ihre Metallfarbe beibehält, nicht die bläuliche Farbe von Molybdänsilicid aufweist und leicht in Salpetersäure (HNO3) löslich ist.
Vermutlich wird eine Art von Zwischenschicht auf der Ober­ fläche der genannten mit Phosphor dotierten Polysilicium­ schicht erzeugt, die nicht mit Hilfe von Fluorwasserstoff (HF) entfernt werden kann.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art so auszugestalten, daß die Polysiliciumschicht über den Teil ihrer Dicke, der in Metallsilicid umgewandelt werden muß, auch vollständig um­ gewandelt wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeich­ nenden Teil des Patentanspruchs 1 genannten Merkmale ge­ löst.
Der Erfindung liegt dabei die Erkenntnis zugrunde, daß ei­ ne ausreichende Metallsilicidbildung und eine konstante Schwellwertspannung bei Reaktion der Metallschicht mit ei­ ner undotierten Polysiliciumschicht und durch Einführung eines Dotierungsstoffes in eine undotierte Polysilicium­ schicht über eine Metallsilicidschicht erhalten werden können.
Das Dotierungsmittel kann mit üblichen Dotierungstechni­ ken, wie Diffusion, leicht durch die Metallsilicidschicht hindurchgeführt werden.
Der Dotierungsstoff wird daher vorzugsweise aus der aus P, B und As bestehenden Gruppe gewählt. Weitere Ausgestaltun­ gen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Eine Ausführungsform der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 bis 3 schematisch Schnitte durch einen Teil einer Halbleiteranordnung in aufeinander­ folgenden Stufen der Herstellung unter Verwendung des Verfahrens nach der Erfindung.
Entsprechende Teile sind im allgemeinen mit denselben Be­ zugsziffern bezeichnet.
Ein Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit isolierter Gate-Elektrode wird anhand der Fig. 1 bis 3 beschrieben. Es wird von einem Halbleiterkörper 1, im vorliegenden Beispiel einer Silicium­ scheibe 1 vom p-Leitungstyp, ausgegangen.
Eine Oberfläche 8 der Siliciumscheibe 1 wird mit einer elektrisch isolierenden Schicht 2 unter Verwendung eines üblichen Verfahrens versehen; z.B. wird eine etwa 50 nm dicke Siliciumoxidschicht 2 durch thermische Oxidation erzeugt.
Eine Polysiliciumschicht 3 wird auf der genannten Isolierschicht 2 mit einer Dicke von etwa 350 nm durch Zersetzung einer gasförmigen Siliciumverbindung niederge­ schlagen, wobei diese Polysiliciumschicht durch Einführung eines Dotierungsstoffes elektrisch leitend gemacht wird.
Eine Metallschicht 4, die im vorliegenden Beispiel aus Molybdän besteht, wird dann über die ganze Oberfläche der Polysiliciumschicht in einer Dicke von etwa 75 nm erzeugt.
Die Metallschicht 4 wird anschließend zusammen mit der Polysiliciumschicht 3 einer Wärmebehandlung unter­ worfen (Fig. 2). Zum Beispiel in dem Falle, in dem das Metall aus dem 75 nm dicken Molybdän besteht, wird die Wärmebehandlung bei einer Temperatur zwischen 600 und 900°C während 60 Minuten in einer inerten oder reduzierenden Atmosphäre durchgeführt, wobei die Polysiliciumschicht 3 über einen Teil ihrer Dicke in eine Molybdänsilicidschicht 5 durch Reaktion mit dem Molybdän der Molybdänschicht umgewandelt wird.
Während der Wärmebehandlung wird im vorliegenden Beispiel die genannte Molybdänmetallschicht 4 auf der Oberseite der Polysiliciumschicht 3 völlig in die Molyb­ dänsilicidschicht 5 mit einer Dicke von 300 nm umgewandelt, während eine sehr dünne undotierte Polysiliciumschicht 6, im vorliegenden Beispiel mit einer Dicke von etwa 40 bis 50 nm der genannten undotierten Polysiliciumschicht 3 noch unter der genannten Molybdänsilicidschicht 5 zurück­ bleibt.
Nach der Erfindung wird nach Umwandlung der Poly­ siliciumschicht 3 über einen Teil ihrer Dicke in die Metallsilicidschicht 5 der Dotierungsstoff über die Metallsilicidschicht 5 in den verbleibenden Teil 6 der Polysiliciumschicht 3 eingeführt. Der Dotierungsstoff, z.B. Phosphor, wird in die genannte verbleibende dünne un­ dotierte Polysiliciumschicht 6 über die Molybdänsilicid­ schicht 5 zum Erzeugen einer dotierten Polysiliciumschicht 6 aus einem Phosphin (PH3) oder Phosphoroxychlorid (POCl3) enthaltenden Gasstrom durch eine Wärmebehandlung bei einer Temperatur zwischen 900 und 1000°C während etwa 10 Minuten oder durch Ionenimplantation auf übliche Weise eingeführt.
Die isolierte Gate-Elektrode 7 wird nun dadurch erhalten, daß die Schichten 2, 6 und 5 mit Hilfe üblicher photolithographischer Ätzverfahren in Muster gebracht werden (Fig. 3).
Während dieser Verfahrensschritte können die zwei obengenannten Wärmebehandlungen zum Erzeugen einer Metallsilicidschicht und zur Einführung eines Dotierungs­ stoffes durch eine einzige Wärmebehandlung bei einer Temperatur zwischen 900 und 1000°C ersetzt werden.
Die Tatsache, dass die Metallsilicidschicht 5 aus Molybdänsilicid (MoSi2) besteht, wird durch Röntgen­ analyse und Messung des spezifischen Widerstandes bestätigt. Die Metallsilicidschicht weist eine bläuliche Farbe auf.
Der Halbleiterkörper wird weiter den üblichen Behandlungen zur Vervollständigung der Feldeffektan­ ordnung unterworfen.
Die Erfindung ist nicht auf das beschriebene Beispiel beschränkt, sondern kann auch bei anderen Verfahren zur Herstellung von MOS-Transistoren mit Poly­ silicium-Gates, z.B. bei der Herstellung von C-MOS- Transistoren, angewandt werden. Insbesondere sind nach der Erfindung ringförmige MOS-Transistoren mit günstigen Eigenschaften erhalten.
Bei dem oben beschriebenen Verfahren kann ein anderes Metall aus der aus Ti, Ta, W und Mo bestehenden Gruppe gewählt werden, während ein anderer Dotierungs­ stoff aus der aus P, B und As bestehenden Gruppe gewählt werden kann.
Das Verfahren nach der vorliegenden Erfindung weist den Vorteil auf, dass die Doppelschichtstruktur einer dünnen dotierten Polysiliciumschicht und einer Metallsilicidschicht für eine Gate-Elektrode eines MOS- Transistors leicht und auf reproduzierbare Weise angebracht werden kann, wobei ein für den verwendeten Dotierungsstoff kennzeichnender Wert der Schwellwertspannung erhalten wird.

Claims (6)

1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einer Doppelschichtstruktur einer dotierten Polysiliciumschicht und einer Metallsilicidschicht, bei dem eine Oberfläche eines Halbleiterkörpers (1) mit einer elektrisch isolierenden Schicht (2), einer Polysiliciumschicht (3), und einer Metallschicht (4) versehen ist, welche Metallschicht zusammen mit der Polysiliciumschicht einer Wärmebehandlung unterworfen wird, wobei die Polysiliciumschicht über einen Teil ihrer Dicke durch Reaktion mit dem Metall der Metallschicht in eine Metallsiliciumschicht (5) umgewandelt wird, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Umwandlung der Polysiliciumschicht (3) der Dotierungsstoff über die Metallsilicidschicht (5) in den verbleibenden Teil (6) der Polysiliciumschicht (3) eingeführt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Dotierungsstoff aus der aus P, B und As bestehenden Gruppe gewählt ist.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Dotierungsstoff aus Phosphor besteht und aus einem PH3 oder POCL3 enthaltenden Gasstrom bei einer Temperatur zwischen 900 und 1000°C eingeführt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall aus der aue Ti, Ta, W und Mo bestehenden Gruppe gewählt ist.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall Molybdän ist und die Wärmebehandlung bei einer Temperatur zwischen 600 und 900°C durchgeführt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebehandlung zum Erzeugen der Metallsilicid­ schicht (5) und zur Einführung des Dotierungsstoffes durch eine einzige Wärmebehandlung bei einer Temperatur zwischen 900 und 1000°C ersetzt werden.
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NL (1) NL186352C (de)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5200349A (en) * 1980-12-30 1993-04-06 Fujitsu Limited Semiconductor device including schotky gate of silicide and method for the manufacture of the same
US5536967A (en) * 1980-12-30 1996-07-16 Fujitsu Limited Semiconductor device including Schottky gate of silicide and method for the manufacture of the same
US4399605A (en) * 1982-02-26 1983-08-23 International Business Machines Corporation Method of making dense complementary transistors
US4400867A (en) * 1982-04-26 1983-08-30 Bell Telephone Laboratories, Incorporated High conductivity metallization for semiconductor integrated circuits
DE3304642A1 (de) * 1983-02-10 1984-08-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Integrierte halbleiterschaltung mit bipolartransistor-strukturen und verfahren zu ihrer herstellung
US4450620A (en) * 1983-02-18 1984-05-29 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Fabrication of MOS integrated circuit devices
GB2139418A (en) * 1983-05-05 1984-11-07 Standard Telephones Cables Ltd Semiconductor devices and conductors therefor
JPH0612819B2 (ja) * 1983-06-16 1994-02-16 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
JPH0638496B2 (ja) * 1983-06-27 1994-05-18 日本電気株式会社 半導体装置
JPS60134466A (ja) * 1983-12-23 1985-07-17 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
GB2156579B (en) * 1984-03-15 1987-05-07 Standard Telephones Cables Ltd Field effect transistors
US4597163A (en) * 1984-12-21 1986-07-01 Zilog, Inc. Method of improving film adhesion between metallic silicide and polysilicon in thin film integrated circuit structures
US5280188A (en) * 1985-03-07 1994-01-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device having at least one bipolar transistor and a plurality of MOS transistors
JPS61222174A (ja) * 1985-03-27 1986-10-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPH061775B2 (ja) * 1985-07-17 1994-01-05 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH0665213B2 (ja) * 1985-10-31 1994-08-22 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 半導体装置及びその製造方法
US4782033A (en) * 1985-11-27 1988-11-01 Siemens Aktiengesellschaft Process for producing CMOS having doped polysilicon gate by outdiffusion of boron from implanted silicide gate
US4877749A (en) * 1986-02-28 1989-10-31 Polyfet Re Devices, Inc. Method of forming a low loss FET
JPS6337635A (ja) * 1986-07-31 1988-02-18 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US5017509A (en) * 1988-07-19 1991-05-21 Regents Of The University Of California Stand-off transmission lines and method for making same
US4992391A (en) * 1989-11-29 1991-02-12 Advanced Micro Devices, Inc. Process for fabricating a control gate for a floating gate FET
TW230266B (de) * 1993-01-26 1994-09-11 American Telephone & Telegraph
US6004869A (en) * 1997-04-25 1999-12-21 Micron Technology, Inc. Method for making a low resistivity electrode having a near noble metal
JP4851875B2 (ja) * 2006-07-14 2012-01-11 川崎重工業株式会社 自動二輪車のリヤステップ取付構造及び該リヤステップ取付構造を備えた自動二輪車
JP6997692B2 (ja) 2018-09-28 2022-01-18 本田技研工業株式会社 鞍乗り型車両

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3617824A (en) * 1965-07-12 1971-11-02 Nippon Electric Co Mos device with a metal-silicide gate
US3590471A (en) * 1969-02-04 1971-07-06 Bell Telephone Labor Inc Fabrication of insulated gate field-effect transistors involving ion implantation
US3967981A (en) * 1971-01-14 1976-07-06 Shumpei Yamazaki Method for manufacturing a semiconductor field effort transistor
JPS4960875A (de) * 1972-10-17 1974-06-13
GB1399163A (en) * 1972-11-08 1975-06-25 Ferranti Ltd Methods of manufacturing semiconductor devices
NL7510903A (nl) * 1975-09-17 1977-03-21 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
JPS52119186A (en) * 1976-03-31 1977-10-06 Nec Corp Manufacture of semiconductor
JPS6057227B2 (ja) * 1976-11-11 1985-12-13 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPS53114672A (en) * 1977-03-17 1978-10-06 Toshiba Corp Manufacture for semiconductor device
US4180596A (en) * 1977-06-30 1979-12-25 International Business Machines Corporation Method for providing a metal silicide layer on a substrate
JPS5488783A (en) * 1977-12-26 1979-07-14 Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Semiconductor
US4304042A (en) * 1978-11-13 1981-12-08 Xerox Corporation Self-aligned MESFETs having reduced series resistance
US4319395A (en) * 1979-06-28 1982-03-16 Motorola, Inc. Method of making self-aligned device
US4276688A (en) * 1980-01-21 1981-07-07 Rca Corporation Method for forming buried contact complementary MOS devices
US4285761A (en) * 1980-06-30 1981-08-25 International Business Machines Corporation Process for selectively forming refractory metal silicide layers on semiconductor devices

Also Published As

Publication number Publication date
US4373251A (en) 1983-02-15
JPS5772383A (en) 1982-05-06
NL8004835A (nl) 1982-04-01
NL186352B (nl) 1990-06-01
CA1176142A (en) 1984-10-16
NL186352C (nl) 1990-11-01
FR2489591B1 (de) 1985-03-08
GB2083284A (en) 1982-03-17
FR2489591A1 (fr) 1982-03-05
GB2083284B (en) 1984-07-25
DE3132905A1 (de) 1982-04-22

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