KR960002661A - 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법에 관한 것으로, 산화공정후 열처리를 위한 온도상승시 낮은 온도상승비로 인하여 온도상승시간이 길어짐에 따라 실리콘 기판으로부터 게이트 산화막으로 붕소의 확산이 증가되어 게이트 산화막의 질이 저하되는 것을 방지하기 위해 산화(oxidation)공정 후 열처리(Anneal)를 위한 온도 상승시 온도 상승비(Temperature Ramp-up Rate)를 증가시키므로써 게이트 산화막의 질이 향상될 뿐만 아니라 공정시간도 단축될 수 있는 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (1)
- 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법에 있어서, 실리콘 기판을 소정온도의 반응로의 튜브내로 로딩시키고 온도를 상승시킨 후 산화공정을 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 온도 상승비를 10 내지 20℃/min로 하여 5 내지 10분동안 온도를 상승시킨 후 열처리 공정을 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 온도를 강하시키고 상기 실리콘 기판을 상기 튜브밖으로 언로딩 시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013897A KR960002661A (ko) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013897A KR960002661A (ko) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002661A true KR960002661A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66686252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940013897A KR960002661A (ko) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002661A (ko) |
-
1994
- 1994-06-20 KR KR1019940013897A patent/KR960002661A/ko not_active Application Discontinuation
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