KR960002813A - 반도체 트랜지스터 제조 방법 - Google Patents
반도체 트랜지스터 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 게이트 산화막의 전기적 특성 열화를 가져오는 실리콘기판과 산화막 경계면의 거칠기 증가를 방지하기 위하여 열산화 방식이 아닌 화학기상증착법으로 SiH4가스와 N2O가스를 이용하여 산화막을 형성하는 것과, 외부 환경에 의한 오염을 최소화 하기 위하여 동일한 장치 내에서 연속으로 SiH4가스를 이용하여 게이트 전극용 폴리실리콘막을 증착하는 것을 내용으로 하는 반도체 트랜지스터 제조 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 본 발명에 따른 게이트 산화막 및 폴리실리콘막 형성 공정도.
Claims (2)
- 반도체 트랜지스터 제조 공정중 게이트 산화막 및 게이트 전극용 폴리실리콘막을 형성하는 방법에 있어서, 화학기상증착법으로 반도체 기판(1)상에 산화막(2)을 형성하는 단계; 동일한 장비에서 산화막(2)을 어닐링하는 단계; 동일한 장비에서 폴리실리콘막(3)을 상기 산화막(2)상에 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는것을특징으로 하는 반도체 트랜지스터 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막(2)은 저압화학기상증착 장비에서 SiH4가스와 N2O가스 사용하여 형성하며, N2O가스를 사용하여 어닐링하는 것을 특징으로 하는 반도체 트랜지스터 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940014487A KR960002813A (ko) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 반도체 트랜지스터 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940014487A KR960002813A (ko) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 반도체 트랜지스터 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002813A true KR960002813A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66686013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940014487A KR960002813A (ko) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 반도체 트랜지스터 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002813A (ko) |
-
1994
- 1994-06-23 KR KR1019940014487A patent/KR960002813A/ko not_active Application Discontinuation
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