KR970008588A - 반도체 기억소자 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 기억소자 및 그 제조방법 Download PDF

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KR970008588A
KR970008588A KR1019950021864A KR19950021864A KR970008588A KR 970008588 A KR970008588 A KR 970008588A KR 1019950021864 A KR1019950021864 A KR 1019950021864A KR 19950021864 A KR19950021864 A KR 19950021864A KR 970008588 A KR970008588 A KR 970008588A
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정인술
우영택
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 기억소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 디램 셀의 PN 누설전류를 차단하기 위하여 소오스, 드레인과 반도체기판 사이에 절연산화막을 형성하는 것이다.

Description

반도체 기억소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 내지 제4도는 본 발명의 실시예에 의해 반도체 기억소자를 형성하는 단계를 도시한 단면도.

Claims (10)

  1. 반도체 기억소자 제조방법에 있어서, 반도체 기판에 게이트산화막, 게이트전극을 형성하는 단계와, 노출된 반도체기판으로 고농도의 불순물 이온을 주입하고, 열공정을 실시하여 예정된 소오스/드레인 영역의 하부에 산화절연막을 형성하는 단계와, 노출된 반도체기판으로 반도체기판과 다른 타입의 불순물 이온을 주입하여 소오스, 드레인을 형성하는 단계와, 상기 소오스에 접속된 비트라인을 형성하는 단계와, 상기 드레인에 접속되는 개패시터를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 불순물 이온 주입시에 반도체기판을 400℃ 이상의 온도를 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 열공정을 질소 분위기와 1100 내지 1175℃ 온도에서 3 내지 5시간 정도 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억소자의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 반도체 기판에는 웰이 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 기억소자의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 불순물 이온은 질소를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억소자의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 불순물 이온은 산소를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억소자의 제조방법.
  7. 하나의 트랜지스터와 하나의 캐패시터로 구성된 반도체 기억소자에 있어서, 상기 트랜지스터의 소오스와 드레인 하부의 반도체기판 내부에 절연막이 구비되어 소오스, 드레인 영역과 반도체 기판 사이의 누설전류를 최소화하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억소자.
  8. 제7항에 있어서, 상기 절연막이 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 기억소자.
  9. 제7항에 있어서, 상기 절연막이 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 반도체 기억소자.
  10. 제7항에 있어서, 상기 반도체 기판에 웰이 추기로 구비된 것을 특징으로 하는 반도체 기억소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950021864A 1995-07-24 1995-07-24 반도체 기억소자 및 그 제조방법 KR970008588A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100546286B1 (ko) * 1999-03-26 2006-01-26 삼성전자주식회사 에스오아이 트랜지스터의 제조방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100546286B1 (ko) * 1999-03-26 2006-01-26 삼성전자주식회사 에스오아이 트랜지스터의 제조방법

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