KR970052107A - 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents
반도체 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970052107A KR970052107A KR1019950061997A KR19950061997A KR970052107A KR 970052107 A KR970052107 A KR 970052107A KR 1019950061997 A KR1019950061997 A KR 1019950061997A KR 19950061997 A KR19950061997 A KR 19950061997A KR 970052107 A KR970052107 A KR 970052107A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- temperature
- diffusion furnace
- heat treatment
- manufacturing
- low pressure
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 티타늄 실리사이드 제조 방법시 화학 기상 중착에 의한 산화막 적층 구조를 형성하지 않고 티타늄표면에 티타늄 산화막의 형성을 방지할 수 있는 티타늄을 실리콘 위에 증착한 후 열처리 및 선택 식각 공정을 실시하여 제조하는 방법에 관한 것이다. 저압 확산로를 이용하여 열처리를 하여 실리사이드를 형성하며, 상기 열처리시 산화막 방지를 위해 보오트가 튜브로 들어갈 때와 나올 때 확산로의 온도를 200℃~350℃의 온도로 하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도의 (가)는 조래의 일반적인 확산로이고,
제1도의 (나)는 본 발명의 실시예에 따른 저압 확산로이다.
Claims (4)
- 저압 확산로를 이용하여 열처리를 하여 실리사이드를 형성하며, 상기 열처리시 산화막 방지를 위해 보오트가 튜브로 들어갈 때와 나올 때 확산로의 온도를 200℃~350℃의 온도로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 티타늄 실리사이드 형성에 필요한 공정 온도까지 확산로 온도를 올리기 전에 펌프다운을 실시하여 10-3Torr이하의 저압을 유지하여 유입된 의기를 제거한 후 온도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항에서, 상기 티타늄 실리사이드 형성에 적합한 확산로 온도를 550℃~700℃의 온도를 사용하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항에서, 상기 티타늄 실리사이드 형성시 공정 진행 시간은 10분~40분 사이로 하는 반도체 장치의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950061997A KR970052107A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950061997A KR970052107A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052107A true KR970052107A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66620623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950061997A KR970052107A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052107A (ko) |
-
1995
- 1995-12-28 KR KR1019950061997A patent/KR970052107A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960042954A (ko) | 반도체 장치의 확산장벽용 산화루테늄막 형성방법 | |
| KR970067542A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR950034626A (ko) | 반도체 장치 제조 방법 | |
| KR970052107A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR970053902A (ko) | 공정시간 단축형 반도체 제조방법 | |
| KR100309125B1 (ko) | 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법 | |
| KR960042961A (ko) | 반도체 소자의 확산방지층 형성방법 | |
| JPS62293728A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR960035875A (ko) | 반도체 소자의 게이트전극 형성방법 | |
| KR940016690A (ko) | 반도체장치의 콘택플러그 형성방법 | |
| KR960019572A (ko) | 반도체 집적회로 유전체막 형성방법 | |
| KR940001279A (ko) | 반도체의 금속배선 형성방법 | |
| KR970053584A (ko) | 반도체 소자의 비아홀 매립 금속배선 형성방법 | |
| KR960039210A (ko) | 반도체 소자의 게이트전극 형성방법 | |
| KR970052871A (ko) | 반도체 소자의 비피에스지 형성방법 | |
| KR940016541A (ko) | 텅스텐 폴리사이드 게이트(tungsten polycide gate)에서 수소 분위기(in low pressure tube)에서의 열처리(annealing)를 통한 불소(fluorine) 제거 방법 | |
| KR950027911A (ko) | 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법 | |
| KR940010181A (ko) | 반도체장치의 얕은 접합 형성방법 | |
| KR960026925A (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 | |
| KR930017093A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR940027093A (ko) | 게이트산화막 제조방법 | |
| KR970052572A (ko) | 도핑된 폴리 실리콘막의 형성방법 | |
| KR970052480A (ko) | 폴리사이드 구조의 게이트 형성방법 | |
| KR970023704A (ko) | 반도체 소자의 접촉창 형성방법 | |
| KR970048922A (ko) | 반도체 소자의 선택적 산화 마스크 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |