KR970048922A - 반도체 소자의 선택적 산화 마스크 제조 방법 - Google Patents
반도체 소자의 선택적 산화 마스크 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자의 제조방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
열산화 공정으로 인하여 산화막이 열손상을 받게 되어 산화막의 품질이 떨어져 질화막의 스트레스 감소 역할을 제대로 수행할 수 없으며, 또한 산화막과 질화막의 형성 과정이 이원화 되어 있어서 공정이 복잡하였다는 단점이 있었음.
3.발명의 해결방법의 요지
저압 화학 기상 증착법을 이용하여 두번에 걸쳐 산화막을 형성한 후 인-시투 방식으로 질화막을 형성하여 산화막의 품질을 높이고, 공정을 단일화 시킬 수 있도록 함.
4.발명의 중요한 용도
반도체 소자의 제조, 특히 반도체 소자의 선택적 산화 마스크 제조에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (4)
- 소자간 분리막 형성을 위한 반도체 소자의 선택적 산화 마스크 제조 방법에 있어서, 반도체 기판의 초기세정을 실시하는 단계와; 저압 화학 기상 중착 반응로의 온도가 소정의 온도에 도달하면 상기 반도체 기판을 로딩하여 소정 비율의 질소 가스와 산소가스를 주입하여 제1산화막을 형성하는 단계와, 상기 저압 화학 기상 증착 방응로에 반도체 기판의 로딩이 환료된 후 소정 비율의 실란 가스와 산소 가스를 주입하여 소정의 두께로 제2산화막을 형성하는 단계와, 인-시투 방식으로 질화막을 형성하는 단계를 포함해서 이루어진 반도체 소자의 선택적 산화 마스크 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 저압 화학 기상 증착로의 온도는 약 800℃인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 선택적 산화 마스크 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1산화막을 형성하는 단계에서 상기 질소:산소의 비율은 약 1:1인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 선택적 산화 마스크 제조 방법.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 제1산화막의 두께는 약 30Å내지 약 40Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 선택적 산화 마스크 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950054351A KR970048922A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체 소자의 선택적 산화 마스크 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950054351A KR970048922A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체 소자의 선택적 산화 마스크 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970048922A true KR970048922A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66617383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950054351A KR970048922A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체 소자의 선택적 산화 마스크 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970048922A (ko) |
-
1995
- 1995-12-22 KR KR1019950054351A patent/KR970048922A/ko not_active Application Discontinuation
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