KR970053373A - 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 소자분리막 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
반도체 소자의 소자분리막을 형성하는데 버즈비크의 길이가 길어 셀의 액티브 영역이 좁아지고 충분히 활용할 수 없었고 또한 어드레스 접근시간이 길어 소자의 속도가 느리다는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
소자분리막을 형성하는데 패드 산화막 대신에 질소성분을 포함하는 산화막을 사용하므로써 버즈비크의 길이를 줄여 액티브 영역을 확대시키는 소자 분리막을 형성하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자의 소자분리막을 형성하는데 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법에 따른 공정도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 소자 분리막을 형성하는 방법에 있어서, 반도체 기판 상에 질소성분을 포함하는 산화막을 형성하는 단계와, 저압 화학기상중착 방식으로 질화막을 형성하는 단계와, 소자 분리막이 형성될 영역만 오픈된 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 베리어로 이용하여 상기 질화막과 상기 질소성분을 포함하는 산화막을 식각한 후, 잔류 포토레지스트를 제거하는 단계와, 산화를 실시하여 소자분리막을 형성하고 상기 질화막과 상기 질소성분을 포함하는 산화막을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 질소성분을 포함하는 산화막은 반도체 기판을 약 500℃내지 900℃의 온도에서 암모니아와 아르곤의 혼합가스의 분위기에 약 10분동안 질화시킨 후, 약 900℃의 온도에서 산소의 분위기에 약 30분 동안 산화시켜서 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950047093A KR970053373A (ko) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950047093A KR970053373A (ko) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053373A true KR970053373A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66593218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950047093A KR970053373A (ko) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053373A (ko) |
-
1995
- 1995-12-06 KR KR1019950047093A patent/KR970053373A/ko not_active Application Discontinuation
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