KR940022752A - 박막 트랜지스터의 채널 폴리 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박막 트랜지스터의 채널 폴리 제조방법에 있어서, 산화막(2)상에 비정질 실리콘 박막(3)을 형성하는 단계, 상기 비정질 실리콘 박막(3)을 공정 튜브(Tube)내에서 어널링(Annealing)하여 다결정 실리콘 박막(5)으로 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 채널 폴리 제조방법에 관한 것이다.

Description

박막 트랜지스터의 채널 폴리 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 채널 폴리 제조공정도이다.

Claims (2)

  1. 박막 트랜지스터의 채널 폴리 제조방법에 있어서, 산화막(2)상에 비정질 실리콘박막(3)을 형성하는 단계, 상기 비정질 실리콘 박막(3)을 증착한 공정 튜브(Tube)내에서 인 시츄(in-situ)로 어널링(Annealing)하여 다결정 실리콘 박막(5)으로 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 채널 폴리 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 다결정 실리콘 박막(4)는 불활성기체(N2, Ar) 분위기와 600∼650℃의 온도 범위에서 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 채널 폴리 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930004452A 1993-03-22 1993-03-22 박막트랜지스터의 채널폴리 제조방법 KR960013516B1 (ko)

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