KR960015712A - 폴리실리콘의 재결정화에 의한 실리콘막 패턴 형성방법 - Google Patents

폴리실리콘의 재결정화에 의한 실리콘막 패턴 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 폴리실리콘의 재결정화에 의한 실리콘막 패턴 형성방법에 관한 것으로, 그레인 경계가 존재하는 않는 폴리실리콘 아일랜드를 형성하기 위한 것이다.
본 발명은 재결정화시키고자 하는 폴리실리콘층상부에 소정의 산화막패턴을 형성하는 단계와, 폴리실리콘에 흡수가 잘되는 레이저로 상기 상부에 산화막패턴이 형성된 폴리실리콘층을 어닐링하는 단계, 상기 산화막패턴을 마스크로 하여 상기 폴리실리콘층을 식각하는 단계로 이루어지는 것올 특징으로 하는 폴리실리콘의 재결정에 의한 실리콘막 패턴 형성방법을 제공함으로써 적절한 온도분포의 조절에 의해 그레인 경계가 거의 없는 폴리실리콘 아일랜드로 이루어진 소자형성영역을 형성하여 양질의 능동소자를 구현할 수 있도록 한다.

Description

폴리실리콘의 재결정화에 의한 실리콘막 패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 레이저 어닐링을 통한 폴리실리콘의 재결정화에 의한 실리콘 아일랜드 형성방법을 도시한 공정순서도.

Claims (2)

  1. 재결정화시키고자 하는 폴리실리콘층상부에 소정의 산화막패턴을 형성하는 단계와, 폴리실리콘에 흡수가 잘되는 레이저로 상기 상부에 산화막패턴이 형성된 폴리실리콘층을 어닐링하는 단계, 상기 산화막패턴을 마스크로 하여 상기 폴리실리콘층을 식각하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘의 재결정화에 의한 실리콘막 패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 레이저로 XeCl레이저를 사용하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘의 재결정화에 의한 실리콘막 패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940027732A 1994-10-27 1994-10-27 폴리실리콘의 재결정화에 의한 실리콘막 패턴 형성방법 KR0151182B1 (ko)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100660814B1 (ko) * 1999-12-31 2006-12-26 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막트랜지스터의 반도체층 형성방법
KR100761867B1 (ko) * 2006-06-08 2007-09-28 재단법인서울대학교산학협력재단 질화물계 반도체 소자 및 그 제조방법
KR20180068107A (ko) * 2016-12-13 2018-06-21 현대자동차주식회사 초저상 버스용 프론트 프레임 구조

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