KR960015810A - 트랜지스터 제조방법 - Google Patents

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KR960015810A
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정성학
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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Abstract

본 발명은 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 트랜지스터의 채널길이를 게이트폭을 늘이지 않고 증가시키기 위한 것이다.
본 발명은 실리콘기판상에 폴리실리콘을 증착하는 공정과, 열처리공정을 행하여 상기 폴리실리콘의 그레인크기를 증가시키는 공정, 상기 폴리실리콘층상에 폴리실리콘과의 식각선택비를 가지는 소정의 물질층을 얇게 형성하는 공정, 상기 폴리실리콘층과 소정의 물질층의 식각선택비를 이용하여 기판이 노출될때까지 에치백하여 기판표면에 굴곡을 형성하는 공정, 상기 굴곡이 형성된 기판상에 게이트절연막을 형성하는 공정, 및 상기 게이트절연막상에 게이트전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 트랜지스터 제조방법을 제공함으로써 매우 단순한 공정에 의해 기판 표면에 굴곡을 형성하여 채널길이를 증가시킴으로써 게이트폭을 감소시킬 수 있도록 하여 소자의 고집적화를 도모한다.

Description

트랜지스터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 의한 트랜지스터 제조방법을 도시한 공정순서도.

Claims (3)

  1. 실리콘기판상에 폴리실리콘을 증착하는 공정과, 열처리공정을 행하여 상기 폴리실리콘의 그레인 크기를 증가시키는 공정, 상기 폴리실리콘층상에 폴리실리콘과의 식각선택비를 가지는 소정의 물질층을 얇게 형성하는 공정, 상기 폴리실리콘층과 소정의 물질층의 식각선택비를 이용하여 기판이 노출될때까지 에치백하여 기판 표면에 굴곡을 형성하는 공정, 상기 굴곡이 형성된 기판상에 게이트절연막을 형성하는 공정, 및 상기 게이트절연막상에 게이트전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소정의 물질층은 산화막, 질화막, SOG 또는 금속중에서 선택한 어느 하나임을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
  3. 실리콘기판 표면부위에 선택적으로 불순물을 이온주입하는 공정과, 산화공정을 실시하여 상기 기판상에 불규칙한 두께를 갖는 산화막을 형성하는 공정, 상기 산화막을 에치백하여 기판 표면에 굴곡을 형성하는 공정, 상기 굴곡이 형성된 기판상에 게이트절연막을 형성하는 공정, 및 상기 게이트절연막상에 게이트전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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