KR970054433A - 모스 트랜지스터 및 그 제조 방법 - Google Patents
모스 트랜지스터 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
미세한 크기의 금속 게이트 전극을 가지는 모스 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 활성 영역을 한정하는 소자 분리 영역을 가지는 반도체 기판과, 상기 활성 영역에 형성된 소스 드레인 영역과, 상기 소스 드레인 영역위에 불순물을 포함하는 실리콘막으로 형성된 소스 드레인 패턴과, 상기 소스 드레인 패턴을 감싸는 절연막 패턴과, 상기 소스 드레인 패턴 사이의 채널 영역에 형성된 게이트 절연막과, 상기 소스 드레인 패턴 사이의 상기 게이트 절연막 위에 금속 물질로 형성된 게이트 전극을 포함하는 모스 트랜지스터를 제공한다. 따라서, 본 발명에 의하여 금속 물질로 형성된 게이트 전극을 가지는 미세 크기의 모스 트랜지스터를 제공한다. 또한, 본 발명의 모스 트랜지스터 제조 방법에서 상기 게이트전극을 형성하기 위한 식각 공정시 게이트 절연막이 노출되지 않기 때문에 종래의 플라즈마에 의한 손상을 방지한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 모스 트랜지스터의 제조 방법을 순서에 따라 보여주는 단면도이다.
Claims (8)
- 활성 영역을 한정하는 소자 분리 영역을 가지는 반도체 기판; 상기 활성 영역에 형성된 소스 드레인 영역; 상기 소스 드레인 영역위에 불순물을 포함하는 실리콘막으로 형성된 소스 드레인 패턴; 상기 소스 드레인 패턴을 감싸는 절연막 패턴; 상기 소스 드레인 패턴 사이의 채널 영역에 형성된 게이트 절연막; 및 상기 소스 드레인 패턴 사이의 상기 게이트 절연막 위에 금속 물질로 형성된 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막 및 상기 채널 영역은 반도체 기판을 식각하여 형성된 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 이층의 금속 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터.
- 반도체 기판에 활성 영역을 한정하는 소자 분리 영역을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판의 전면에 불순물을 포함하는 실리콘막을 형성하는 단계; 상기 실리콘막을 사진 식각하여 상기 반도체 기판 위에 소스 드레인 패턴을 형성하는 단계; 상기 소스 드레인 패턴을 포함하는 상기 반도체 기판의 전면에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층을 이방성 식각하여 상기 반도체 기판의 표면을 노출하고, 상기 소스 드레인 패턴을 감싸는 절연층 패턴을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판의 노출된 표면에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막을 포함하는 상기 반도체 기판의 전면에 제1금속막 및 제2금속막을 순서대로 형성하는 단계; 상기 제1금속막을 정지층(stopping layer)으로 상기 제2금속막을 식각하는 단계; 표면이 노출된 상기 제1금속막을 식각하여 게이트 전극을 형성하는 단계; 및 열처리를 실시하여 상기 소스 드레인 패턴 아래의 상기 반도체 기판에 소스 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터의 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 실리콘막은 다결정 실리콘막 또는 비정질 실리콘막인 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터의 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 절연층 패턴을 형성하는 단계에서 상기 반도체 기판을 식각하는 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터의 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제1금속막은 질화 금속막이고, 상기 제2금속막은 내화 금속막인 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터의 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제2금속막을 식각하는 단계에서 화학기계적 폴리싱 방법 또는 에치백 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950059488A KR970054433A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 모스 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950059488A KR970054433A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 모스 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054433A true KR970054433A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66620045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950059488A KR970054433A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 모스 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970054433A (ko) |
-
1995
- 1995-12-27 KR KR1019950059488A patent/KR970054433A/ko not_active Application Discontinuation
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