JP2000012648A - 素子製造工程における基材表面保護方法及び装置 - Google Patents
素子製造工程における基材表面保護方法及び装置Info
- Publication number
- JP2000012648A JP2000012648A JP10169463A JP16946398A JP2000012648A JP 2000012648 A JP2000012648 A JP 2000012648A JP 10169463 A JP10169463 A JP 10169463A JP 16946398 A JP16946398 A JP 16946398A JP 2000012648 A JP2000012648 A JP 2000012648A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- ice
- base material
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体デバイス等の素子製造工程において、
単位プロセス間を半導体ウエハ等の基材が移動する際、
不都合な環境に曝され、その表面が汚染されたり、劣化
することを防止・抑制できる素子製造工程における基材
表面保護方法及び装置を提供すること。 【解決手段】 基材１の表面に種々の膜を堆積したり、
該基材１の表面や該膜を食刻・除去加工する複数のプロ
セスを段階的に繰返して行う素子製造工程において、複
数のプロセスの各単位プロセス間を移動する際に、基材
１の表面の一部又は全体を氷被膜４で覆い該基材１の表
面の汚染、劣化を防止・抑制する。
単位プロセス間を半導体ウエハ等の基材が移動する際、
不都合な環境に曝され、その表面が汚染されたり、劣化
することを防止・抑制できる素子製造工程における基材
表面保護方法及び装置を提供すること。 【解決手段】 基材１の表面に種々の膜を堆積したり、
該基材１の表面や該膜を食刻・除去加工する複数のプロ
セスを段階的に繰返して行う素子製造工程において、複
数のプロセスの各単位プロセス間を移動する際に、基材
１の表面の一部又は全体を氷被膜４で覆い該基材１の表
面の汚染、劣化を防止・抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体デバイス等の
素子製造工程において、単位プロセス間を半導体ウエハ
等の基材が移動する際、その表面が汚染されたり、劣化
することを防止・抑制する素子製造工程における基材表
面保護方法及び装置に関するものである。
素子製造工程において、単位プロセス間を半導体ウエハ
等の基材が移動する際、その表面が汚染されたり、劣化
することを防止・抑制する素子製造工程における基材表
面保護方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスはその集積度が高
まる傾向が顕著である。その製造中に単位工程毎に堆積
したり、食刻したりする対象の層や膜の厚さが非常に薄
くなっている。それにつれて、製造工程中に不都合な環
境に基材が曝されてその表面が分子汚染や粒子汚染され
たり、化学反応によって劣化するという弊害が起こる危
険性が相対的に高まっている。
まる傾向が顕著である。その製造中に単位工程毎に堆積
したり、食刻したりする対象の層や膜の厚さが非常に薄
くなっている。それにつれて、製造工程中に不都合な環
境に基材が曝されてその表面が分子汚染や粒子汚染され
たり、化学反応によって劣化するという弊害が起こる危
険性が相対的に高まっている。
【０００３】例えば、純粋なＳｉ表面を常温の大気環境
にほんの数秒間曝すことによって、その表面は自然酸化
膜（厚さ５０Å程度）で覆われ（表面劣化・変質）、更
に最表面には大気中に含まれる種々のガス（Ｎ２、
Ｏ２、ＣＯ２等）分子が吸着（分子汚染）し、大気中に
漂う微粒子（有機物、酸化物、金属、イオン等）が付着
（粒子汚染）する。これらの基材表面の劣化・変質や分
子・粒子汚染はそれ以降の素子製造工程に悪影響を与
え、完成後の素子機能を阻害する要因となりやすい。
にほんの数秒間曝すことによって、その表面は自然酸化
膜（厚さ５０Å程度）で覆われ（表面劣化・変質）、更
に最表面には大気中に含まれる種々のガス（Ｎ２、
Ｏ２、ＣＯ２等）分子が吸着（分子汚染）し、大気中に
漂う微粒子（有機物、酸化物、金属、イオン等）が付着
（粒子汚染）する。これらの基材表面の劣化・変質や分
子・粒子汚染はそれ以降の素子製造工程に悪影響を与
え、完成後の素子機能を阻害する要因となりやすい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の点に鑑
みてなされたもので、半導体デバイス等の素子製造工程
において、単位プロセス間を半導体ウエハ等の基材が移
動する際、不都合な環境に曝され、その表面が汚染され
たり、劣化したりすることを防止・抑制できる素子製造
工程における基材表面保護方法及び装置を提供すること
を目的とする。
みてなされたもので、半導体デバイス等の素子製造工程
において、単位プロセス間を半導体ウエハ等の基材が移
動する際、不都合な環境に曝され、その表面が汚染され
たり、劣化したりすることを防止・抑制できる素子製造
工程における基材表面保護方法及び装置を提供すること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に記載の発明は、基材表面に種々の膜を堆積し
たり、該基材表面や該膜を食刻・除去加工する複数のプ
ロセスを段階的に繰返して行う素子製造工程において、
複数のプロセスの各単位プロセス間を移動する際に、基
材表面の一部又は全体を氷膜で覆い該基材表面の汚染、
劣化を防止・抑制することを特徴とする。
請求項１に記載の発明は、基材表面に種々の膜を堆積し
たり、該基材表面や該膜を食刻・除去加工する複数のプ
ロセスを段階的に繰返して行う素子製造工程において、
複数のプロセスの各単位プロセス間を移動する際に、基
材表面の一部又は全体を氷膜で覆い該基材表面の汚染、
劣化を防止・抑制することを特徴とする。
【０００６】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の素子製造工程における基材表面の保護方法にお
いて、膜の堆積や食刻・除去加工は種々の液体を用いて
行い、通常必要に応じて該基材を大気雰囲気に曝すこと
を特徴とする。
に記載の素子製造工程における基材表面の保護方法にお
いて、膜の堆積や食刻・除去加工は種々の液体を用いて
行い、通常必要に応じて該基材を大気雰囲気に曝すこと
を特徴とする。
【０００７】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
に記載の素子製造工程における基材表面の保護方法にお
いて、氷膜はその原料水として超純水を用いることを特
徴とする。
に記載の素子製造工程における基材表面の保護方法にお
いて、氷膜はその原料水として超純水を用いることを特
徴とする。
【０００８】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
に記載の素子製造工程における基材表面の保護方法にお
いて、基材は半導体ウエハであることを特徴とする。
に記載の素子製造工程における基材表面の保護方法にお
いて、基材は半導体ウエハであることを特徴とする。
【０００９】また、請求項５に記載の発明は、水供給手
段及び氷製造手段を具備し、基材の保護すべき表面を大
気に曝すことなく、該表面を氷で被覆することを特徴と
する。
段及び氷製造手段を具備し、基材の保護すべき表面を大
気に曝すことなく、該表面を氷で被覆することを特徴と
する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を説
明する。本発明は上記のように、基材が各単位プロセス
間を移動する際、該基材表面の一部又は全体を氷膜で覆
うことによって周囲の外環境と基材表面との接触を阻止
し、該基材表面が外環境によって劣化・変質・汚染等の
悪影響を受けることを防止・抑制することにあるが、そ
の実施方法について説明する。基材表面に氷の膜を形成
するためには、次の（１）、（２）の２通りの基本概念
が考えられる。
明する。本発明は上記のように、基材が各単位プロセス
間を移動する際、該基材表面の一部又は全体を氷膜で覆
うことによって周囲の外環境と基材表面との接触を阻止
し、該基材表面が外環境によって劣化・変質・汚染等の
悪影響を受けることを防止・抑制することにあるが、そ
の実施方法について説明する。基材表面に氷の膜を形成
するためには、次の（１）、（２）の２通りの基本概念
が考えられる。
【００１１】（１）基材表面を液体状態の水の薄い層で
覆っておいて、これを冷却することによって、凍結さ
せ、氷の膜に換える。
覆っておいて、これを冷却することによって、凍結さ
せ、氷の膜に換える。
【００１２】（２）基材周囲に水蒸気を充満しておき、
基材を含む全系を冷却することによって、該基材表面に
吸着した水分を凍結させ、氷の膜を得る。
基材を含む全系を冷却することによって、該基材表面に
吸着した水分を凍結させ、氷の膜を得る。
【００１３】上記（１）の概念により基材表面に氷の膜
を形成する場合は、図１（ａ）に示すように、基材１の
表面周囲に非透水性の材料からなる土手２を形成し、基
材１の表面に薄い水の層３を形成した後、該基材１を冷
却し、水の層３を凍結させ、図１（ｂ）に示すように氷
被膜４とする。なお、図１に示す手法の場合、凍結操作
に先だって基材１上に水の層３を保持するとき、水の層
３（ｌ）、基材１（ｓ）、大気５（ｇ）のそれぞれの相
互間に働く界面張力をγsl、γsg、γglとすると、図２
に示すような、下記式の釣合い条件で決まる周縁６が
生じる。
を形成する場合は、図１（ａ）に示すように、基材１の
表面周囲に非透水性の材料からなる土手２を形成し、基
材１の表面に薄い水の層３を形成した後、該基材１を冷
却し、水の層３を凍結させ、図１（ｂ）に示すように氷
被膜４とする。なお、図１に示す手法の場合、凍結操作
に先だって基材１上に水の層３を保持するとき、水の層
３（ｌ）、基材１（ｓ）、大気５（ｇ）のそれぞれの相
互間に働く界面張力をγsl、γsg、γglとすると、図２
に示すような、下記式の釣合い条件で決まる周縁６が
生じる。
【００１４】 γsg＝γsl＋γglcosθ ここで、θは接触角であり、水の層３の形態は式の条
件に加えて重力と密度に依存して決まる。従って、当然
のことながら基材１の材質、表面状態によって水の層３
の厚さは影響を受けるので、ある限度以下にこれを薄く
することは難しい。一例として、表面が清浄な直径２０
０ｍｍのＳｉウエハ表面上に水を張った場合、その最小
臨界厚さは１．９ｍｍ程度と測定されている。
件に加えて重力と密度に依存して決まる。従って、当然
のことながら基材１の材質、表面状態によって水の層３
の厚さは影響を受けるので、ある限度以下にこれを薄く
することは難しい。一例として、表面が清浄な直径２０
０ｍｍのＳｉウエハ表面上に水を張った場合、その最小
臨界厚さは１．９ｍｍ程度と測定されている。
【００１５】また、図１（ａ）で用いる土手２の材料の
具体例としては、レジスト用樹脂やシリコン樹脂等のよ
うに容易に剥離できるものが適している。
具体例としては、レジスト用樹脂やシリコン樹脂等のよ
うに容易に剥離できるものが適している。
【００１６】上記（２）の概念により基材表面に氷の膜
を形成する場合を図３に示す。下側の蒸発室１１の内部
に配設された貯水容器１２内には蒸発源水１３を貯留し
てあり、該蒸発源水１３に組み込んだ加熱器１４で所定
の温度にすることによって蒸発源水１３の気化（蒸発）
により水蒸気１５が発生する。
を形成する場合を図３に示す。下側の蒸発室１１の内部
に配設された貯水容器１２内には蒸発源水１３を貯留し
てあり、該蒸発源水１３に組み込んだ加熱器１４で所定
の温度にすることによって蒸発源水１３の気化（蒸発）
により水蒸気１５が発生する。
【００１７】また、図３において、蒸発室１１には隣接
して冷却室１６が配設されており、該冷却室１６内に配
設された冷却板１７の上に基材１が載置されている。該
冷却板１７内には冷却管１７ａが配設されており、該冷
却管１７ａに−１３０℃程度の冷却液を貫流させ、該冷
却板１７の上に基材１を載置した直後から基材１を急速
に冷却することができる。また、冷却室１６には真空ポ
ンプにつながる吸気管１８が設けられ、蒸発室１１を含
む全系内を真空排気することによって、蒸発源水１３の
蒸発を促進させ、急速な水蒸気１５の供給を実現してい
る。
して冷却室１６が配設されており、該冷却室１６内に配
設された冷却板１７の上に基材１が載置されている。該
冷却板１７内には冷却管１７ａが配設されており、該冷
却管１７ａに−１３０℃程度の冷却液を貫流させ、該冷
却板１７の上に基材１を載置した直後から基材１を急速
に冷却することができる。また、冷却室１６には真空ポ
ンプにつながる吸気管１８が設けられ、蒸発室１１を含
む全系内を真空排気することによって、蒸発源水１３の
蒸発を促進させ、急速な水蒸気１５の供給を実現してい
る。
【００１８】ここで、一般に気体分子を吸着する固体表
面の温度を降下するほど固体に衝突する気体分子の付着
率は増加することが知られている。図４は一例としてチ
タン表面による気体の付着係数と吸着量の値を常温２７
℃と液体窒素温度に近い−１９５℃の場合について示し
ている。なお、図４はD.J.Harra:J.V.S.T,Jan/Feb,（１
９７６）による。図示するように、ＣＯ、Ｏ２の付着係
数及び吸着分子密度は温度が低下すると実際に増大して
いることがわかる。
面の温度を降下するほど固体に衝突する気体分子の付着
率は増加することが知られている。図４は一例としてチ
タン表面による気体の付着係数と吸着量の値を常温２７
℃と液体窒素温度に近い−１９５℃の場合について示し
ている。なお、図４はD.J.Harra:J.V.S.T,Jan/Feb,（１
９７６）による。図示するように、ＣＯ、Ｏ２の付着係
数及び吸着分子密度は温度が低下すると実際に増大して
いることがわかる。
【００１９】図４ではＨ２Ｏの低温での測定値は欠落し
ているが、アネルバーニュース，Ｎｏ．６２，Ｐ８によ
ると−１９５℃でのＨ２Ｏの付着係数≒１が得られてい
る。上記のように一般に付着係数は温度の低下に伴って
増大する挙動を示すので、基材１を十分冷却しておけ
ば、水蒸気の吸着が活発に起こり、吸着と同時に固化す
るので、基材１の表面には氷膜１９が急速に形成され
る。
ているが、アネルバーニュース，Ｎｏ．６２，Ｐ８によ
ると−１９５℃でのＨ２Ｏの付着係数≒１が得られてい
る。上記のように一般に付着係数は温度の低下に伴って
増大する挙動を示すので、基材１を十分冷却しておけ
ば、水蒸気の吸着が活発に起こり、吸着と同時に固化す
るので、基材１の表面には氷膜１９が急速に形成され
る。
【００２０】因に冷却による吸着・固化の促進作用は、
ガス分子のトラップ効果として、気体溜め込み式真空ポ
ンプの一部、例えば、クライオポンプに適用され、広く
普及している。
ガス分子のトラップ効果として、気体溜め込み式真空ポ
ンプの一部、例えば、クライオポンプに適用され、広く
普及している。
【００２１】なお、図３において、凍結操作完了後、冷
却板１７からの基材１の分離を容易にするため、該冷却
板１７には専用の小容量の加熱器（図示を省略）を設け
たりすることも有効な場合がある。
却板１７からの基材１の分離を容易にするため、該冷却
板１７には専用の小容量の加熱器（図示を省略）を設け
たりすることも有効な場合がある。
【００２２】また、上記のように、冷却室１６には真空
ポンプにつながる吸気管１８が設けられ、蒸発室１１を
含む全系内を真空排気することによって、急速な水蒸気
１５の供給を実現しているが、これは一般的に目的とす
る液体から蒸気が発生する系においては、存在する蒸気
の分圧が低いほど単位面積当りの蒸発速度が高くなるこ
とを利用している。即ち、液体から蒸気が発生している
系で時間ｄｔの間に単位面積の液表面から蒸発する蒸気
分子の数をｄＮ、該液体の温度Ｔでの平衡蒸気圧をＰ
ｅ、その時の蒸気の分圧をＰとすると、次式（Hertz-
Knudsenの式）が成り立つ。
ポンプにつながる吸気管１８が設けられ、蒸発室１１を
含む全系内を真空排気することによって、急速な水蒸気
１５の供給を実現しているが、これは一般的に目的とす
る液体から蒸気が発生する系においては、存在する蒸気
の分圧が低いほど単位面積当りの蒸発速度が高くなるこ
とを利用している。即ち、液体から蒸気が発生している
系で時間ｄｔの間に単位面積の液表面から蒸発する蒸気
分子の数をｄＮ、該液体の温度Ｔでの平衡蒸気圧をＰ
ｅ、その時の蒸気の分圧をＰとすると、次式（Hertz-
Knudsenの式）が成り立つ。
【００２３】 ｄＮ／ｄｔ＝｛α／（２πｍｋＴ）1／2｝（Ｐｅ−Ｐ） ここで、ｍ：蒸気分子の分子量、α：蒸発係数、ｋ：ボ
ルツマン定数
ルツマン定数
【００２４】式で明らかなように、対象とする蒸気分
圧Ｐが低い程、ｄＮ／ｄｔは大きくなるので、図３の全
系を真空排気することによって水蒸気分圧を低減すれ
ば、基材１への水蒸気分子の供給は著しく増大する。
圧Ｐが低い程、ｄＮ／ｄｔは大きくなるので、図３の全
系を真空排気することによって水蒸気分圧を低減すれ
ば、基材１への水蒸気分子の供給は著しく増大する。
【００２５】本発明の応用可能領域は極めて広い。以下
に本発明の一応用例を説明する。図５は本発明による基
材表面保護装置を半導体ウエハへの湿式成膜−湿式研摩
のプロセスラインに適用する場合の概略構成を示す図で
ある。図５に示すように、センターロボット２１の周囲
に、多数枚の基材に同時に成膜する湿式成膜室２２、多
数の基材を保管する保管室２３、枚葉処理で研摩する湿
式研摩室２４、基材を一時保管する待機室２５及び基材
の表面に氷膜を形成する本発明に係る基材表面保護装置
である氷膜被覆室２６を配置する。
に本発明の一応用例を説明する。図５は本発明による基
材表面保護装置を半導体ウエハへの湿式成膜−湿式研摩
のプロセスラインに適用する場合の概略構成を示す図で
ある。図５に示すように、センターロボット２１の周囲
に、多数枚の基材に同時に成膜する湿式成膜室２２、多
数の基材を保管する保管室２３、枚葉処理で研摩する湿
式研摩室２４、基材を一時保管する待機室２５及び基材
の表面に氷膜を形成する本発明に係る基材表面保護装置
である氷膜被覆室２６を配置する。
【００２６】湿式成膜室２２で成膜後の基板の表面状態
又は湿式研摩室２４で研摩後の基板の所望の表面状態を
そのまま保存するため、必要に応じて、氷膜被覆室２６
で基板表面を氷膜で覆うことができるようになってい
る。こうすることにより、前述したように、所定の処理
をして所望の状態を形成した基板の表面が大気環境に触
れて、劣化、汚染することがないように保護することが
できる。
又は湿式研摩室２４で研摩後の基板の所望の表面状態を
そのまま保存するため、必要に応じて、氷膜被覆室２６
で基板表面を氷膜で覆うことができるようになってい
る。こうすることにより、前述したように、所定の処理
をして所望の状態を形成した基板の表面が大気環境に触
れて、劣化、汚染することがないように保護することが
できる。
【００２７】また、表面を保護する物質としては外環境
を遮断することに加えて、基材の表面と互いに反応を起
こすことなく、機械的にも無害なもので、容易に解凍・
除去できるものである必要がある。この観点から、水は
これらの条件を満たし、特に液中に基材を浸漬すれば直
ちに解凍可能であるから、水を用いることは適している
と言える。
を遮断することに加えて、基材の表面と互いに反応を起
こすことなく、機械的にも無害なもので、容易に解凍・
除去できるものである必要がある。この観点から、水は
これらの条件を満たし、特に液中に基材を浸漬すれば直
ちに解凍可能であるから、水を用いることは適している
と言える。
【００２８】図５において、プロセスを実行する具体的
手順の例を図６に示す。図示するように、湿式成膜室２
２で多数枚の基材に同時に成膜し（ステップＳＴ１）、
続いて氷膜被覆室２６で成膜表面をに氷膜で被覆し（ス
テップＳＴ２）、氷膜で被覆した基材は待機（一時保
管）する（ステップＳＴ３）。更に基材は湿式研摩室で
枚葉式に研摩され（ステップＳＴ４）、研摩終了した基
材は保管室２３に保管される（ステップＳＴ５）。ま
た、ステップＳＴ３で一時保管した基材を氷膜被覆室２
６に送り、氷膜被覆を施して、さらに湿式成膜室２２で
成膜することもある。また、ステップＳＴ４で研摩終了
した基材を氷膜被覆室２６に送り、氷膜被覆した上で待
機（一時保管）する場合もある。
手順の例を図６に示す。図示するように、湿式成膜室２
２で多数枚の基材に同時に成膜し（ステップＳＴ１）、
続いて氷膜被覆室２６で成膜表面をに氷膜で被覆し（ス
テップＳＴ２）、氷膜で被覆した基材は待機（一時保
管）する（ステップＳＴ３）。更に基材は湿式研摩室で
枚葉式に研摩され（ステップＳＴ４）、研摩終了した基
材は保管室２３に保管される（ステップＳＴ５）。ま
た、ステップＳＴ３で一時保管した基材を氷膜被覆室２
６に送り、氷膜被覆を施して、さらに湿式成膜室２２で
成膜することもある。また、ステップＳＴ４で研摩終了
した基材を氷膜被覆室２６に送り、氷膜被覆した上で待
機（一時保管）する場合もある。
【００２９】成膜と研摩のプロセス時間、一括処理可能
な枚数、スループットの差違、不一致等の緩和手段とし
て単位プロセス相互間に一時待機の過程を経る必要があ
るため、更に本プロセスは大気圧下で行うため、従来法
では大気環境に曝される時間が長くなるが、ここでは図
６に示すように、必要に応じて基材の表面を氷膜によっ
て被覆して保護することができるので、大気環境から被
る表面劣化・汚染の不都合は大幅に解消できる。
な枚数、スループットの差違、不一致等の緩和手段とし
て単位プロセス相互間に一時待機の過程を経る必要があ
るため、更に本プロセスは大気圧下で行うため、従来法
では大気環境に曝される時間が長くなるが、ここでは図
６に示すように、必要に応じて基材の表面を氷膜によっ
て被覆して保護することができるので、大気環境から被
る表面劣化・汚染の不都合は大幅に解消できる。
【００３０】なお、上記概念（１）による方法は、前述
した界面張力に伴う制約上必然的に氷の厚さが一定以上
となるので、固化に必要なエネルギーが多く、処理に要
する時間も長くなり易い。その反面装置自体は簡単に構
成のものですむ。一方、上記概念（２）による場合は、
装置が複雑となり易いものの、氷の膜厚は薄く、処理時
間は短くできるという利点がある。従って、両者を状況
に応じて使い分け、主たるプロセス装置に整合性のある
形式で実施することが望ましい。
した界面張力に伴う制約上必然的に氷の厚さが一定以上
となるので、固化に必要なエネルギーが多く、処理に要
する時間も長くなり易い。その反面装置自体は簡単に構
成のものですむ。一方、上記概念（２）による場合は、
装置が複雑となり易いものの、氷の膜厚は薄く、処理時
間は短くできるという利点がある。従って、両者を状況
に応じて使い分け、主たるプロセス装置に整合性のある
形式で実施することが望ましい。
【００３１】本発明で用いる水は、保護する基材表面の
用途・特質に応じて適宜品質を選んで使うことが望まし
い。特に、半導体製造プロセスで採用されるならば、超
純水を使うのが一般的なやり方と言える。また、本発明
は先にも述べたように真空プロセスよりむしろ湿式・大
気圧下で行う成膜・研摩等のプロセスに組み合わせて用
いることがもっとも好適である。
用途・特質に応じて適宜品質を選んで使うことが望まし
い。特に、半導体製造プロセスで採用されるならば、超
純水を使うのが一般的なやり方と言える。また、本発明
は先にも述べたように真空プロセスよりむしろ湿式・大
気圧下で行う成膜・研摩等のプロセスに組み合わせて用
いることがもっとも好適である。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数のプロセスの各単位プロセス間を移動する際に、基
材表面の一部又は全体を氷膜で覆うので、単位プロセス
間を基材が移動する際、不都合な環境に曝されその表面
が汚染されたり、劣化することを防止・抑制できるとい
う優れた効果が得られる。
複数のプロセスの各単位プロセス間を移動する際に、基
材表面の一部又は全体を氷膜で覆うので、単位プロセス
間を基材が移動する際、不都合な環境に曝されその表面
が汚染されたり、劣化することを防止・抑制できるとい
う優れた効果が得られる。
【図１】本発明の基材表面に氷被膜を形成する過程を示
す図である。
す図である。
【図２】水，基材，大気の夫々の相互間に働く界面張力
による釣合い状態を示す図である。
による釣合い状態を示す図である。
【図３】本発明の基材表面に氷被膜を形成する装置の概
略構成を示す図である。
略構成を示す図である。
【図４】チタン表面の気体の付着係数と吸着量を示す図
である。
である。
【図５】本発明の基材表面保護装置を半導体ウエハの成
膜・研摩プロセスラインに用いた例を示す図である。
膜・研摩プロセスラインに用いた例を示す図である。
【図６】図５に示す半導体ウエハの成膜・研摩プロセス
ラインの手順を示す図である。
ラインの手順を示す図である。
１ 基材 ２ 土手 ３ 水の層 ４ 氷被膜 ５ 大気 １１ 蒸発室 １２ 貯水容器 １３ 蒸発源水 １４ 加熱器 １５ 水蒸気 １６ 冷却室 １７ 冷却板 １８ 吸気管 １９ 氷膜 ２１ センターロボット ２２ 湿式成膜室 ２３ 保管室 ２４ 湿式研摩室 ２５ 待機室 ２６ 氷膜被覆室
Claims (5)
- 【請求項１】 基材表面に種々の膜を堆積したり、該基
材表面や該膜を食刻・除去加工する複数のプロセスを段
階的に繰返して行う素子製造工程において、 前記複数のプロセスの各単位プロセス間を移動する際
に、前記基材表面の一部又は全体を氷膜で覆い該基材表
面の汚染、劣化を防止・抑制することを特徴とする素子
製造工程における基材表面の保護方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の素子製造工程における
基材表面の保護方法において、 前記膜の堆積や食刻・除去加工は種々の液体を用いて行
い、通常必要に応じて該基材を大気雰囲気に曝すことを
特徴とする素子製造工程における基材表面の保護方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の素子製造工程における
基材表面の保護方法において、 前記氷膜はその原料水として超純水を用いることを特徴
とする素子製造工程における基材表面の保護方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載の素子製造工程における
基材表面の保護方法において、 前記基材は半導体ウエハであることを特徴とする素子製
造工程における基材表面の保護方法。 - 【請求項５】 水供給手段及び氷製造手段を具備し、基
材の保護すべき表面を大気に曝すことなく、該表面を氷
で被覆することを特徴とする素子製造工程における基材
表面保護装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10169463A JP2000012648A (ja) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | 素子製造工程における基材表面保護方法及び装置 |
| US09/332,904 US6573201B1 (en) | 1998-06-17 | 1999-06-15 | Method and apparatus for protection of substrate surface |
| TW088110057A TW426852B (en) | 1998-06-17 | 1999-06-16 | Method and apparatus for protection of substrate surface |
| EP99111089A EP0966024A3 (en) | 1998-06-17 | 1999-06-17 | Method and apparatus for protection of substrate surface |
| KR1019990022663A KR20000006236A (ko) | 1998-06-17 | 1999-06-17 | 기판표면보호방법및그장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10169463A JP2000012648A (ja) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | 素子製造工程における基材表面保護方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012648A true JP2000012648A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=15887046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10169463A Pending JP2000012648A (ja) | 1998-06-17 | 1998-06-17 | 素子製造工程における基材表面保護方法及び装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6573201B1 (ja) |
| EP (1) | EP0966024A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000012648A (ja) |
| KR (1) | KR20000006236A (ja) |
| TW (1) | TW426852B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007250759A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Fujitsu Ltd | 半導体ウェハの保管方法及び半導体ウェハ用保管具 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8303722B2 (en) * | 2001-03-16 | 2012-11-06 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Water and method for storing silicon wafer |
| DE102006038243A1 (de) * | 2006-08-14 | 2008-02-28 | Qimonda Ag | Verfahren und Einrichtung zum Handhaben eines Gegenstandes im Rahmen einer Halbleiterfertigung |
| US7933000B2 (en) * | 2006-11-16 | 2011-04-26 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method, method for holding a patterning device and lithographic apparatus including an applicator for applying molecules onto a clamp area of a patterning device |
| JP2022523709A (ja) | 2019-01-29 | 2022-04-26 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板の環境に敏感な表面のための犠牲保護層 |
| US11862473B2 (en) | 2020-05-12 | 2024-01-02 | Lam Research Corporation | Controlled degradation of a stimuli-responsive polymer film |
| WO2022006349A1 (en) * | 2020-07-02 | 2022-01-06 | Lam Research Corporation | Removable cvd polymer film for surface protection and queue period extension |
| WO2024081174A1 (en) * | 2022-10-10 | 2024-04-18 | Lam Research Corporation | Oxymethylene copolymers for transient surface protection during chemical vapor deposition |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5417450B2 (ja) * | 1974-05-17 | 1979-06-29 | ||
| US3918267A (en) * | 1974-11-18 | 1975-11-11 | Gen Motors Corp | Ice-maker control circuit with slab limiting control |
| US4156040A (en) * | 1976-05-12 | 1979-05-22 | Ford Motor Company | Coagulation coating process |
| US4281031A (en) * | 1979-07-25 | 1981-07-28 | Machine Technology, Inc. | Method and apparatus for processing workpieces |
| US4430150A (en) * | 1981-08-07 | 1984-02-07 | Texas Instruments Incorporated | Production of single crystal semiconductors |
| GB2129018B (en) * | 1982-08-30 | 1986-01-29 | Ricoh Kk | Vacuum evaporation apparatus |
| JPH084063B2 (ja) * | 1986-12-17 | 1996-01-17 | 富士通株式会社 | 半導体基板の保存方法 |
| US4951601A (en) * | 1986-12-19 | 1990-08-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber integrated process system |
| US4962776A (en) * | 1987-03-26 | 1990-10-16 | Regents Of The University Of Minnesota | Process for surface and fluid cleaning |
| EP0423761A3 (en) * | 1989-10-17 | 1992-08-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for particle removal by forced fluid convection |
| JPH03261142A (ja) * | 1990-03-12 | 1991-11-21 | Fujitsu Ltd | 半導体基板洗浄方法 |
| DE4010663C2 (de) * | 1990-04-03 | 1998-07-23 | Leybold Ag | Vorrichtung und Verfahren zur plasmagestützten Beschichtung von Werkstücken |
| US5976198A (en) * | 1995-06-09 | 1999-11-02 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate transfer and bath apparatus |
| US5787723A (en) * | 1995-08-21 | 1998-08-04 | Manitowoc Foodservice Group, Inc. | Remote ice making machine |
| US5763010A (en) * | 1996-05-08 | 1998-06-09 | Applied Materials, Inc. | Thermal post-deposition treatment of halogen-doped films to improve film stability and reduce halogen migration to interconnect layers |
| DE19716374A1 (de) * | 1997-04-18 | 1998-10-22 | Wacker Chemie Gmbh | Brechen von Reinstsilicium auf Eis |
| US6110011A (en) * | 1997-11-10 | 2000-08-29 | Applied Materials, Inc. | Integrated electrodeposition and chemical-mechanical polishing tool |
| DE19755975A1 (de) * | 1997-12-16 | 1999-06-17 | Wolters Peter Werkzeugmasch | Halter für flache Werkstücke, insbesondere Halbleiterwafer |
| US6132289A (en) * | 1998-03-31 | 2000-10-17 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for film thickness measurement integrated into a wafer load/unload unit |
-
1998
- 1998-06-17 JP JP10169463A patent/JP2000012648A/ja active Pending
-
1999
- 1999-06-15 US US09/332,904 patent/US6573201B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-06-16 TW TW088110057A patent/TW426852B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-06-17 EP EP99111089A patent/EP0966024A3/en not_active Withdrawn
- 1999-06-17 KR KR1019990022663A patent/KR20000006236A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007250759A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Fujitsu Ltd | 半導体ウェハの保管方法及び半導体ウェハ用保管具 |
| JP4567622B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2010-10-20 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体ウェハの保管方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW426852B (en) | 2001-03-21 |
| EP0966024A3 (en) | 2005-01-05 |
| KR20000006236A (ko) | 2000-01-25 |
| US6573201B1 (en) | 2003-06-03 |
| EP0966024A2 (en) | 1999-12-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10121646B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP5431343B2 (ja) | ゲッタ層と調整サブ層とを備える構造および製造方法 | |
| US8435392B2 (en) | Encapsulated sputtering target | |
| JP4593601B2 (ja) | 汚染物質除去方法、半導体製造方法、及び薄膜形成加工装置 | |
| US5135608A (en) | Method of producing semiconductor devices | |
| JP2010205854A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3287730B2 (ja) | 混入物の除去装置、これを用いた処理装置の真空排気系及びそのメンテナンス方法 | |
| JP3013446B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP2000012648A (ja) | 素子製造工程における基材表面保護方法及び装置 | |
| JPH06502687A (ja) | 圧力密閉室内の基板をガス中の汚染物質から保護する方法および装置 | |
| US20230083722A1 (en) | Method for atomic diffusion bonding and bonded structure | |
| Kim et al. | Protection schemes for critical surface in vacuum environments | |
| JP4116149B2 (ja) | 枚葉式ロードロック装置 | |
| US6638837B1 (en) | Method for protecting the front side of semiconductor wafers | |
| US8147909B2 (en) | Method of making and using alloy susceptor with improved properties for film deposition | |
| JPS58202535A (ja) | 被膜形成装置 | |
| JP2002083771A (ja) | ＳｉＣ素子の製造方法 | |
| JPH11354514A (ja) | クラスターツール装置及び成膜方法 | |
| US6020273A (en) | Method of stabilizing low dielectric constant films | |
| JPS61292922A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20130217207A1 (en) | Method for directly adhering two plates together, including a step of forming a temporary protective nitrogen layer | |
| JPH11345772A (ja) | 化学気相蒸着装置および半導体装置の汚染防止方法 | |
| JP2883390B2 (ja) | 半導体基板の表面処理方法及び半導体基板表面処理装置 | |
| JPH0864666A (ja) | 基板収納容器及び基板処理方法 | |
| US7489494B2 (en) | Guard wafer for semiconductor structure fabrication |