JP4593601B2 - 汚染物質除去方法、半導体製造方法、及び薄膜形成加工装置 - Google Patents
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Description
−90°<α<0°かつ0°<β<180°を満たす位置から、ビームを照射することによって、基板の裏面縁部の汚染物質を除去する第1除去工程と、
第1除去工程の後に0°<α<90°かつ0°<β<180°を満たす位置から、ビームを照射することによって、基板の基板側面の汚染物質を除去する第2除去工程と、を含むことを特徴とする。
基板の裏面縁部及び側面に付着した汚染物質をビームによってビーム照射手段を備える汚染物質除去機構と、
前記基板の中心の裏面側を回転の原点O、前記基板の外周の裏面側の任意の点をP、Pを含む接線上の任意の点をQとし、点O,P,Qを含む平面内において線分PQと照射される該ビームとがなす角度をαとし、かつ前記基板裏面縁部と照射される該ビームとがなす角をβとしたとき、
−90°<α<0°かつ0°<β<180°を満たす位置と、0°<α<90°かつ0°<β<180°を満たす位置とからビームが照射されるように前記ビーム照射手段の配置角度を変更するための機構と、を備えることを特徴とする。
さらに、本発明の汚染物質除去方法は、基板の裏面縁部及び側面に対して指向性を有するビームを照射して、汚染物質を除去する汚染物質除去方法であって、静電吸着によって基板を基板支持台に固定させる基板固定工程と、基板を回転させる基板回転工程と、前記基板の中心の裏面側を回転の原点O、前記基板の外周の裏面側の任意の点をP、Pを含む接線上の任意の点をQとし、点O,P,Qを含む平面内において線分PQと照射される該ビームとがなす角度をαとしたとき、
−90°<α<0°を満たす位置から、ビームを照射することによって、基板の裏面縁部の汚染物質を除去する第1除去工程と、前記第1除去工程の後に0°<α<90°を満たす位置から、ビームを照射することによって、基板の基板側面の汚染物質を除去する第2除去工程と、を含むことを特徴とする。
さらにまた、本発明の薄膜形成加工装置は、基板回転機構を備えた静電吸着式の基板支持台と、基板の裏面縁部及び側面に付着した汚染物質をビームによってビーム照射手段を備える汚染物質除去機構と、前記基板の中心の裏面側を回転の原点O、前記基板の外周の裏面側の任意の点をP、Pを含む接線上の任意の点をQとし、点O,P,Qを含む平面内において線分PQと照射される該ビームとがなす角度をαとしたとき、−90°<α<0°を満たす位置から、0°<α<90°を満たす位置へと順にビームが照射されるように前記ビーム照射手段の配置角度を変更する機構と、を備えることを特徴とする。
図1は、本発明を適用可能な汚染物質除去機構と汚染物質除去室を示す概略構成図である。
図2に示した被処理基板とイオンガンとの位置関係によれば、上述したように、被処理基板7の裏面縁部及び側面に付着した膜を除去することが可能である。しかしながら、イオンビームによって除去された膜(汚染物質)が被処理基板7の表面上に付着してしまうおそれがある。
図7は、本発明の真空薄膜形成加工装置の一例であるフラッシュメモリ用絶縁膜形成装置の概略構成を示す図である。
図8は、本発明の真空薄膜形成加工装置の一例である磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)用磁気トンネル接合成膜装置の概略構成を示す図である。
図10は、本発明の真空薄膜形成加工装置の一例である、実施例4で作製した磁気トンネル接合上にパターニングされたフォトレジストが形成された被処理基板を加工する装置を示す概略構成図である。
図11は、本発明の真空薄膜形成加工装置の一例である、相変化メモリ向け薄膜形成装置の概略構成図である。
2,21,22 イオンガン
3 回転導入機構
4 基板支持台
7 被処理基板
Claims (9)
- 基板の裏面縁部及び側面に対して指向性を有するビームを照射して、汚染物質を除去する汚染物質除去方法であって、
静電吸着によって基板を基板支持台に固定させる基板固定工程と、
基板を回転させる基板回転工程と、
前記基板の中心の裏面側を回転の原点O、前記基板の外周の裏面側の任意の点をP、Pを含む接線上の任意の点をQとし、点O,P,Qを含む平面内において線分PQと照射される該ビームとがなす角度をαとし、かつ前記基板裏面縁部と照射される該ビームとがなす角をβとしたとき、
−90°<α<0°かつ0°<β<180°を満たす位置から、ビームを照射することによって、基板の裏面縁部の汚染物質を除去する第1除去工程と、
前記第1除去工程の後に0°<α<90°かつ0°<β<180°を満たす位置から、ビームを照射することによって、基板の基板側面の汚染物質を除去する第2除去工程と、
を含むことを特徴とする汚染物質除去方法。 - 前記第1除去工程及び前記第2除去工程は、汚染物質を防着板に向けて飛ばすようにビームを照射することを特徴とする請求項1に記載の汚染物質除去方法。
- 前記第1除去工程及び前記第2除去工程は、汚染物質を排気系に向けて飛ばすようにビームを照射することを特徴とする請求項1に記載の汚染物質除去方法。
- 請求項1に記載の汚染物質除去方法と、
少なくともマグネトロンスパッタリング法、レーザーアブレーション法、イオンビームスパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、MBE(モレキュラービームエピタキシ)法、プラズマCVD法、熱CVD法、光CVD法、Cat(触媒)CVD法、MO(有機金属)CVD法、ALD(アトミックレイヤーデポジション)法のうち少なくとも1つの薄膜形成方法とを含む半導体製造方法。 - 基板回転機構を備えた静電吸着式の基板支持台と、
基板の裏面縁部及び側面に付着した汚染物質をビームによってビーム照射手段を備える汚染物質除去機構と、
前記基板の中心の裏面側を回転の原点O、前記基板の外周の裏面側の任意の点をP、Pを含む接線上の任意の点をQとし、点O,P,Qを含む平面内において線分PQと照射される該ビームとがなす角度をαとし、かつ前記基板裏面縁部と照射される該ビームとがなす角をβとしたとき、
−90°<α<0°かつ0°<β<180°を満たす位置から、0°<α<90°かつ0°<β<180°を満たす位置へと順にビームが照射されるように前記ビーム照射手段の配置角度を変更する機構と、を備えることを特徴とする薄膜形成加工装置。 - 前記ビーム照射手段は、汚染物質を防着板に向けて飛ばすように配置されていることを特徴とする請求項5に記載の薄膜形成加工装置。
- 前記ビーム照射手段は、汚染物質を排気系に向けて飛ばすように配置されていることを特徴とする請求項5に記載の薄膜形成加工装置。
- 基板の裏面縁部及び側面に対して指向性を有するビームを照射して、汚染物質を除去する汚染物質除去方法であって、
静電吸着によって基板を基板支持台に固定させる基板固定工程と、
基板を回転させる基板回転工程と、
前記基板の中心の裏面側を回転の原点O、前記基板の外周の裏面側の任意の点をP、
Pを含む接線上の任意の点をQとし、点O,P,Qを含む平面内において線分PQと照射される該ビームとがなす角度をαとしたとき、
−90°<α<0°を満たす位置から、ビームを照射することによって、基板の裏面縁部の汚染物質を除去する第1除去工程と、
前記第1除去工程の後に0°<α<90°を満たす位置から、ビームを照射することによって、基板の基板側面の汚染物質を除去する第2除去工程と、
を含むことを特徴とする汚染物質除去方法。 - 基板回転機構を備えた静電吸着式の基板支持台と、
基板の裏面縁部及び側面に付着した汚染物質をビームによってビーム照射手段を備える汚染物質除去機構と、
前記基板の中心の裏面側を回転の原点O、前記基板の外周の裏面側の任意の点をP、Pを含む接線上の任意の点をQとし、点O,P,Qを含む平面内において線分PQと照射される該ビームとがなす角度をαとしたとき、
−90°<α<0°を満たす位置から、0°<α<90°を満たす位置へと順にビームが照射されるように前記ビーム照射手段の配置角度を変更する機構と、を備えることを特徴とする薄膜形成加工装置。
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