DE19716374A1 - Brechen von Reinstsilicium auf Eis - Google Patents
Brechen von Reinstsilicium auf EisInfo
- Publication number
- DE19716374A1 DE19716374A1 DE19716374A DE19716374A DE19716374A1 DE 19716374 A1 DE19716374 A1 DE 19716374A1 DE 19716374 A DE19716374 A DE 19716374A DE 19716374 A DE19716374 A DE 19716374A DE 19716374 A1 DE19716374 A1 DE 19716374A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor material
- silicon
- ice
- protecting
- protecting semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000011109 contamination Methods 0.000 title description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 235000015243 ice cream Nutrition 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B07—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS; SORTING
- B07B—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS BY SIEVING, SCREENING, SIFTING OR BY USING GAS CURRENTS; SEPARATING BY OTHER DRY METHODS APPLICABLE TO BULK MATERIAL, e.g. LOOSE ARTICLES FIT TO BE HANDLED LIKE BULK MATERIAL
- B07B1/00—Sieving, screening, sifting, or sorting solid materials using networks, gratings, grids, or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B07—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS; SORTING
- B07B—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS BY SIEVING, SCREENING, SIFTING OR BY USING GAS CURRENTS; SEPARATING BY OTHER DRY METHODS APPLICABLE TO BULK MATERIAL, e.g. LOOSE ARTICLES FIT TO BE HANDLED LIKE BULK MATERIAL
- B07B1/00—Sieving, screening, sifting, or sorting solid materials using networks, gratings, grids, or the like
- B07B1/46—Constructional details of screens in general; Cleaning or heating of screens
- B07B1/4609—Constructional details of screens in general; Cleaning or heating of screens constructional details of screening surfaces or meshes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Disintegrating Or Milling (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Schutz von Halb
leitermaterial und ein Verfahren zum Schutz von
Halbleitermaterial.
Für die Herstellung von Solarzellen oder elektronischen Bauele
menten, wie beispielsweise Speicherelementen oder Mikroprozes
soren, wird hochreines Halbleitermaterial benötigt. Man ist da
her bestrebt, die Konzentrationen schädlicher Verunreinigungen
so niedrig wie möglich zu halten. Häufig wird beobachtet, daß
bereits hochrein hergestelltes Halbleitermaterial im Verlauf
der weiteren Verarbeitung zu den Zielprodukten erneut kontami
niert wird. So werden immer wieder aufwendige Reinigungsschrit
te notwendig, um die ursprüngliche Reinheit zurückzuerhalten.
Beispielsweise Fremdmetallatome, die in das Kristallgitter des
Halbleitermaterials eingebaut werden, stören die Ladungsvertei
lung und können die Funktion des späteren Bauteils vermindern
oder zu dessen Ausfall führen. Infolgedessen sind insbesondere
Kontaminationen des Halbleitermaterials durch metallische Ver
unreinigungen zu vermeiden. Dies gilt insbesondere für Silici
um, das in der Elektronikindustrie mit deutlichem Abstand am
häufigsten als Halbleitermaterial eingesetzt wird.
Hochreines Silicium erhält man beispielsweise durch thermische
Zersetzung leicht flüchtiger und deshalb einfach über Destilla
tionsverfahren zu reinigender Siliciumverbindungen, wie bei
spielsweise Trichlorsilan.
Zur Herstellung des hochreinen Siliciums nach dem am häufigsten
verwendeten Siemens-Verfahren wird in einem Reaktor aus Quarz
ein Gemisch Trichlorsilan und Wasserstoff über dünne Silicium
stäbe geleitet, die durch direkten Stromdurchgang auf etwa
1100°C erhitzt werden. Dabei entsteht polykristallines Silicium
in Form von Stäben mit typischen Durchmessern von 70 bis 300 mm
und Längen von 500 bis 2500 mm an. Das polykristalline Silicium
wird zur Produktion von tiegelgezogenen Einkristallen, von Bän
dern und Folien oder zur Herstellung von polykristallinem So
larzellengrundmaterial verwendet.
Für die Herstellung dieser Produkte ist es notwendig, festes
Silicium in Tiegeln aufzuschmelzen. Um einen hohen Füllgrad des
Tiegels zu erreichen und so das Aufschmelzen möglichst effektiv
zu gestalten, müssen die erwähnten polykristallinen Silicumstäbe,
vor dem Aufschmelzen zerkleinert und anschließend klassiert
werden. Dies ist üblicherweise immer mit einer oberflächlichen
Verunreinigung des Halbleitermaterials verbunden, weil die Zer
kleinerung mit metallischen Brechwerkzeugen, wie Backen- oder
Walzenbrechern, Hämmern oder Meißeln auf Unterlagen aus Mate
rialien, wie Stahl oder Kunststoff, erfolgt. Auch der anschlie
ßende Klassiervorgang findet üblicherweise auf Sieben aus Me
tall oder Kunststoff statt. Während des Zerkleinerungsvorganges
und des Klassierschrittes wird so das Silicium durch Metalle
oder Kohlenstoff aus den Werkzeugen und der Unterlage verunrei
nigt. Zur Beseitigung dieser Kontamination müssen die Bruch
stücke vor dem Aufschmelzen einer aufwendigen und kosteninten
siven Oberflächenreinigung, wie zum Beispiel durch Ätzen mit
HF/HNO3, unterzogen werden.
Daher werden zur Verminderung der Kontamination beim Zerklei
nern auch Siliciumunterlagen und Werkzeuge aus Silicium oder
mit Siliciumbeschichtungen verwendet. Auch beim Klassiervorgang
sind Siebe aus Silicium oder siliciumbeschichtete Siebe Stand
der Technik. Diese haben jedoch den Nachteil, daß sie durch die
Übertragung der Kräfte, während des Zerkleinerungsvorgangs
(Schlagen mit Hämmern), oder beim Klassiervorgang beschädigt
oder zerstört werden und ersetzt werden müssen. Eine Unterlage
sowohl beim Brechen als auch beim Sieben hält im Mittel ca. 10
bis 15 Chargen (entspricht ca. 10 bis 15 t). Anschließend müs
sen zertrümmerte Stücke (ca. 30%) ersetzt werden, damit nicht
Bruchstücke der Unterlage in das zu verkaufende Material
gelangen.
Des weiteren müssen diese Unterlagen aus Silicium entsorgt wer
den, was weitere Kosten verursacht, da dieses Material rissig
ist oder auf unerwünschte Bruchgrößen zerkleinert worden ist
und daher nicht mehr verkauft werden kann. Die Herstellung ei
ner solchen Unterlage erfordert zusätzliche Abscheidung von
Silicium, mechanische Bearbeitung bei der Herstellung der Form
teile und deren aufwendige Reinigung, zum Beispiel durch Ätzen
mit HF/HNO3.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung die Nachteile des Standes
der Technik zu überwinden und eine Vorrichtung und ein Verfah
ren zur Verfügung zu stellen, das die zusätzliche Kontamination
von Halbleitermaterial beim Zerkleinern, Klassieren oder beim
Transport vermindert. Diese Aufgabe wird durch die Erfindung
gelöst.
Gegenstand der Erfindung ist es, eine Vorrichtung zum Schutz
von Halbleitermaterial zur Verfügung zu stellen, die dadurch
gekennzeichnet ist, daß Halbleitermaterial sich auf einer Ober
fläche aus Eis aus Reinstwasser befindet.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung wird durch Eis gebildet, das
kostengünstig aus Reinstwasser hergestellt werden kann und vor
zugsweise einen Leitwert größer 0,07 µS, und besonders bevor
zugt einen Leitwert größer als 0,05 µS aufweist. Dieses Eis aus
Reinstwasser befindet sich vorzugsweise auf der Oberfläche ei
nes Trägers, wie einer Unterlage aus Stahl, Kunststoff, einem
Halbleitermaterial, wie zum Beispiel Silicium oder einem ande
ren geeigneten Material. Allerdings kann das Eis aus Reinstwas
ser auch einen selbsttragenden Block bilden.
Dieses Eis wird hergestellt, indem es auf einem Träger, wie ei
ner Unterlage aus Stahl, Kunststoff, einem Halbleitermaterial,
wie zum Beispiel vorzugsweise Silicium oder einem anderen ge
eigneten Material abgeschieden wird, wobei auf der Unterseite
des Trägers Rohre befestigt sind, die von einer Kälteflüssig
keit, wie zum Beispiel vorzugsweise einer wäßrigen Kaliumcarbo
nat-Lösung durchströmt werden. Zur besseren Abkühlung des Trä
gers liegen die Rohre vorzugsweise in einer Wärmeleitpaste. Aus
Gründen der Energieeinsparung ist die dem Träger abgewandte
Seite der Rohre üblicherweise isoliert. Die Kälteflüssigkeit
wird in einer Kältemaschine auf vorzugsweise unter -10°C und
besonders bevorzugt auf ca. -25°C abgekühlt und durch die Rohre
des Trägers gepumpt.
Während des Abkühlvorgangs und in der Folgezeit wird die Ober
fläche der Unterlage mit Reinstwasser, das einen Leitwert wie
oben bezeichnet hat, besprüht. Ist die Schicht vorzugsweise auf
eine Dicke von 0,5 cm bis 30 cm, besonders bevorzugt auf 5 cm
bis 20 cm, ganz besonders bevorzugt auf 5 cm bis 10 cm ange
wachsen, wird Halbleitermaterial, wie Silicium oder Germanium
oder Galliumarsenid auf die Eisschicht gelegt.
Dieses Halbleitermaterial kann auch auf einen Block aus selbst
tragendem Eis aus Reinstwasser gelegt werden oder in diesen
eingefroren werden, um es zum Beispiel zu transportieren.
Vorzugsweise wird das Halbleitermaterial, wie beispielsweise
nach dem Siemensverfahren erzeugte Siliciumstäbe auf die Eis
schicht gelegt, um auf diesem Eis aus Reinstwasser mit kontami
nationationsfreien Brechverfahren, wie beispielsweise mit einem
Hammer aus Reinstsilicium zerkleinert zu werden. Denkbar ist
auch ein Zerkleinern zwischen zwei schlagartig zusammenzuschla
genden Eisschichten.
Anschließend wird das entstandene Eis-Silicium-Gemisch mit ei
nem Silicium-Schieber auf eine geheizte Silicium-Unterlage ge
schoben und mit Strahlungsheizern getrocknet. Nach dem
Trocknungsverfahren kann dann beispielsweise das übliche Klas
sieren auf Siliciumsieben stattfinden.
Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist eine erfindungsgemäße
Vorrichtung zum Schutz von Halbleitermaterial die, dadurch ge
kennzeichnet ist, daß die Vorrichtung eine Klassiervorrichtung
ist.
Des weiteren kann ein Klassiervorgang auf einem mit Eis aus
Reinstwasser beschichteten Sieb stattfindet. Für ein einwand
freies Klassierergebnis ist es allerdings notwendig, daß das
Eis aus dem beim Zerkleinern entstandenen Eis-Silicium-Gemisch
abgetrennt wird. Das kann beispielsweise durch kurzzeitiges Er
wärmen des Gemisches auf einer Siliciumunterlage über den
Schmelzpunkt des Wassers erreicht werden. Nach der erfolgten
Klassierung findet dann der oben beschriebene Trocknungsvorgang
statt.
Halbleitermaterial für das bekannte Zonenziehen, wie vorzugs
weise Siliciumstäbe können zur mechanischen Bearbeitung, zum
Beispiel Ablängen, Konus anschleifen, in die erfindungsgemäße
Vorrichtung eingebettet werden.
Auch Ausbauhilfen zum Ausbauen der Siliciumstäbe aus dem Sie
mensreaktor können in Form der erfindungsgemäßen Vorrichtung
hergestellt und verwendet werden.
Des weiteren kann die erfindungsgemäße Vorrichtung, die auf ei
ner Unterlage aus vorzugsweise Stahl ruht, verwendet werden, um
Stäbe aus Silicium kompakt einzubetten und von ihnen die Gra
phitelektrode zu entfernen, ohne den Stab mit Kohlenstoff zu
kontaminieren.
Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum
Schutz von Halbleitermaterial, das eine erfindungsgemäße Vor
richtung verwendet.
Bevorzugt ist ein Verfahren zum Schutz von Halbleitermaterial,
in der das Halbleitermaterial, vorzugsweise Silicium zerklei
nert wird. Der Vorteil dieser Zerkleinerung auf der erfindungs
gemäßen Vorrichtung ist, daß das zu zerkleinernde Material
nicht weiter kontaminiert werden kann und die Unterlage zum
Zerkleinern leicht von dem Halbleitermaterial getrennt werden
kann und entsorgt werden kann, da das Eis aus Reinstwasser ein
fach geschmolzen wird, was ein überaus umweltfreundliches Ver
fahren ist. Falls es sich bei dem Träger auf dem sich das Eis
aus Reinstwasser befindet, um Silicium handelt ist, ist dies
besonders bevorzugt, da falls doch einmal das Eis beschädigt
wird, so daß das sich darauf befindende Halbleitermaterial, in
Form von Silicium, mit dem Träger in Berührung kommt, das zu
zerkleinernde Halbleitermaterial nicht weiter kontaminiert
wird.
Claims (9)
1. Vorrichtung zum Schutz von Halbleitermaterial, dadurch ge
kennzeichnet, daß Halbleitermaterial sich auf einer Oberfläche
aus Eis aus Reinstwasser befindet.
2. Vorrichtung zum Schutz von Halbleitermaterial nach Anspruch
1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial Silicium
ist.
3. Vorrichtung zum Schutz von Halbleitermaterial nach Anspruch
l oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Eis aus Reinstwasser
einen Leitwert größer 0,07 µS hat.
4. Vorrichtung zum Schutz von Halbleitermaterial nach Anspruch
l, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche eines
Trägers eine Oberfläche aus Eis aus Reinstwasser aufweist.
5. Vorrichtung zum Schutz von Halbleitermaterial nach einem
oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß der Träger aus Silicium besteht.
6. Verfahren zum Schutz von Halbleitermaterial, dadurch gekenn
zeichnet, daß eine Vorrichtung nach einem oder mehreren der An
sprüche 1 bis 5 verwendet wird.
7. Verfahren zum Schutz von Halbleitermaterial nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß Halbleitermaterial in einer Vor
richtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5 zer
kleinert wird.
8. Vorrichtung zum Schutz von Halbleitermaterial nach einem
oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die Vorrichtung eine Klassiervorrichtung ist.
9. Verfahren zum Schutz von Halbleitermaterial nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet, daß Halbleitermaterial in einer Vor
richtung nach Anspruch 8 klassiert wird.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19716374A DE19716374A1 (de) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | Brechen von Reinstsilicium auf Eis |
| IT98RM000137A IT1299364B1 (it) | 1997-04-18 | 1998-03-06 | Frantumazione di silicio purissimo su ghiaccio |
| US09/052,661 US6063697A (en) | 1997-04-18 | 1998-03-31 | Crushing of silicon on ultrapure ice |
| CN98101177A CN1197284A (zh) | 1997-04-18 | 1998-04-10 | 在冰上粉碎超纯硅 |
| KR1019980013207A KR19980081378A (ko) | 1997-04-18 | 1998-04-14 | 반도체재료의 보호방법 |
| JP10107875A JP2982121B2 (ja) | 1997-04-18 | 1998-04-17 | 粉砕中に半導体材料のさらなる汚染を低減する装置および粉砕中に半導体材料のさらなる汚染を低減する方法。 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19716374A DE19716374A1 (de) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | Brechen von Reinstsilicium auf Eis |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19716374A1 true DE19716374A1 (de) | 1998-10-22 |
Family
ID=7826994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19716374A Withdrawn DE19716374A1 (de) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | Brechen von Reinstsilicium auf Eis |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6063697A (de) |
| JP (1) | JP2982121B2 (de) |
| KR (1) | KR19980081378A (de) |
| CN (1) | CN1197284A (de) |
| DE (1) | DE19716374A1 (de) |
| IT (1) | IT1299364B1 (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0995500A1 (de) * | 1998-10-13 | 2000-04-26 | Wacker-Chemie GmbH | Klassieren von Halbleitermaterial |
| EP0995821A1 (de) * | 1998-10-13 | 2000-04-26 | Wacker-Chemie GmbH | Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Halbleitermaterial |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000012648A (ja) * | 1998-06-17 | 2000-01-14 | Ebara Corp | 素子製造工程における基材表面保護方法及び装置 |
| US8021483B2 (en) * | 2002-02-20 | 2011-09-20 | Hemlock Semiconductor Corporation | Flowable chips and methods for the preparation and use of same, and apparatus for use in the methods |
| US6874713B2 (en) | 2002-08-22 | 2005-04-05 | Dow Corning Corporation | Method and apparatus for improving silicon processing efficiency |
| JP4567622B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2010-10-20 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体ウェハの保管方法 |
| DE102006035081A1 (de) * | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von klassiertem polykristallinen Siliciumbruch in hoher Reinheit |
| DE102006038243A1 (de) * | 2006-08-14 | 2008-02-28 | Qimonda Ag | Verfahren und Einrichtung zum Handhaben eines Gegenstandes im Rahmen einer Halbleiterfertigung |
| EP2319801A4 (de) * | 2009-08-20 | 2013-05-01 | Teoss Co Ltd | Zerkleinerungsvorrichtung für ein siliciumstartmaterial |
| US10005614B2 (en) | 2016-02-25 | 2018-06-26 | Hemlock Semiconductor Operations Llc | Surface conditioning of conveyor materials or contact surfaces |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3738344A1 (de) * | 1986-11-14 | 1988-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | Anlage zum einfuehren von gitterstoerstellen und verfahren dazu |
| JPH084063B2 (ja) * | 1986-12-17 | 1996-01-17 | 富士通株式会社 | 半導体基板の保存方法 |
| US5013693A (en) * | 1989-02-16 | 1991-05-07 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Formation of microstructures with removal of liquid by freezing and sublimation |
| JP2732392B2 (ja) * | 1992-03-17 | 1998-03-30 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの処理方法 |
| US5464480A (en) * | 1993-07-16 | 1995-11-07 | Legacy Systems, Inc. | Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid |
| US5443863A (en) * | 1994-03-16 | 1995-08-22 | Auburn University | Low-temperature oxidation at surfaces using ozone decomposition products formed by microwave discharge |
-
1997
- 1997-04-18 DE DE19716374A patent/DE19716374A1/de not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-03-06 IT IT98RM000137A patent/IT1299364B1/it active IP Right Grant
- 1998-03-31 US US09/052,661 patent/US6063697A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-04-10 CN CN98101177A patent/CN1197284A/zh active Pending
- 1998-04-14 KR KR1019980013207A patent/KR19980081378A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-04-17 JP JP10107875A patent/JP2982121B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0995500A1 (de) * | 1998-10-13 | 2000-04-26 | Wacker-Chemie GmbH | Klassieren von Halbleitermaterial |
| EP0995821A1 (de) * | 1998-10-13 | 2000-04-26 | Wacker-Chemie GmbH | Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Halbleitermaterial |
| US6073773A (en) * | 1998-10-13 | 2000-06-13 | Wacker-Chemie Gmbh | Separation of semiconductor material |
| US6313013B1 (en) | 1998-10-13 | 2001-11-06 | Wacker-Chemie Gmbh | Method and device for processing semiconductor material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10308336A (ja) | 1998-11-17 |
| KR19980081378A (ko) | 1998-11-25 |
| ITRM980137A0 (it) | 1998-03-06 |
| ITRM980137A1 (it) | 1999-09-06 |
| CN1197284A (zh) | 1998-10-28 |
| JP2982121B2 (ja) | 1999-11-22 |
| US6063697A (en) | 2000-05-16 |
| IT1299364B1 (it) | 2000-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4871117A (en) | Low-contamination method for comminuting solid silicon fragments | |
| EP0887105B1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Zerkleinern von Halbleitermaterial | |
| DE19716374A1 (de) | Brechen von Reinstsilicium auf Eis | |
| DE102005019873B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum maschinellen Zerkleinern von Halbleitermaterialien | |
| EP0573855B1 (de) | Verfahren zum kontaminationsfreien Zerkleinern von Halbleitermaterial, insbesondere Silicium | |
| EP0924487B1 (de) | Vakuumtechnisches Trocknen von Halbleiterbruch | |
| US20050082400A1 (en) | Method of crushing silicon blocks | |
| KR101738067B1 (ko) | 탄탈륨 분말 제조 방법 | |
| EP0995821B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Halbleitermaterial | |
| EP3097053B1 (de) | Verfahren zur herstellung von polykristallinem silicium | |
| Gao et al. | From crater eruption to surface purification of raw silicon: A treatment by pulsed electron beam | |
| DE102005061690A1 (de) | Verfahren zur Herstellung solartauglichen Siliziums | |
| DE102008033122A1 (de) | Verfahren zur Gewinnung von Reinstsilizium | |
| Jin et al. | Thermal conductivity in molten‐metal‐etched diamond films | |
| DE3523090A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum aufbringen von schutzbeschichtungen auf quarztiegel | |
| CH670456A5 (de) | ||
| DE19847100A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Zerkleinerung von Halbleitermaterial | |
| EP0995500B1 (de) | Klassieren von Halbleitermaterial | |
| DE4223458A1 (de) | Verfahren zur Zerkleinerung von Halbleitermaterial, insbesondere Silicium | |
| Mingbo et al. | The effect of pulse energy on the removal form of silicon crystal in electrical discharge machining | |
| DE102021109591A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von Multischichtverbundmaterialien | |
| WO2016046058A1 (de) | Verrundeter polysiliciumbruch und dessen herstellung | |
| Bouda et al. | Carbon Metamorphoses in a Medium with Varying Ionic Concentration | |
| DE2806727A1 (de) | Verfahren zum schmelzen von schlacke | |
| DE102011119353A1 (de) | Verfahren zur Zerkleinerung von Halbleiterformkörpern |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |