KR950021200A - 포토레지스트 제거 방법 - Google Patents

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KR950021200A
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KR1019940035228A
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필 우튼
그리임 모란드
카알 이. 마우츠
달지엘 죤
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에이취. 이보트슨
모토로라 리미티드
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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Abstract

본 발명은 기판(1)상에 형성되고 부식 가스 플라즈마 에칭으로 한정되는 패턴을 갖는 금속막(16)으로부터 포토레지스트를 제거하는 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 포토레지스트 내에 흡수되는 모든 잔여 부식 가스를 제거하기에 충분한 고온 및 금속이 역류하기 시작하는 온도 이하에서 시간 주기동안 산소 가스 플라즈마 레지스트(20)를 에칭하는 단계를 포함한다.

Description

포토레지스트 제거 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명을 수행하는데 적합한 플라즈마 에칭 장치(plasma etching apparatus)의 단면도,
제3도 및 제4도는 플라즈마 에칭의 시간 및 온도와, 관측 금속 스테이닝
(st-aining)과의 관계를 나타내는 도표도.

Claims (8)

  1. 기판상에 형성되고, 부식 가스 플라즈마에 의해 한정 패턴을 갖는 금속막으로부터 포토레지스트를 제거하는 방법으로, 포토레지스트에 흡수된 모든 잔여 부식 가스를 거의 제거하기에 충분한 고온 및 금속을 역류시키기 시작하는 온도이하에서 시간주기에 대한 산소 가스 플라즈마에 있어 레지스트를 플라즈마 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거방법.
  2. 제1항에 있어서, 온도가 적어도 270℃인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 방법.
  3. 제2항에 있어서, 온도가 적어도 300℃인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 방법.
  4. 선택하는 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레지스트가 적어도 2분동안 플라즈마 에칭되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 레지스트가 적어도 3분동안 플라즈마 에칭되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 방법.
  6. 선행하는 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레지스트가 300℃에서 3분동안 에칭되는 것을 특징으로 하는 레지스트 제거 방법.
  7. 선행하는 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레지스트는 단일 웨이퍼 플라즈마 에칭기에서 에칭되고, 또한 이 에칭기 내부에서 가열 척(chuck)상에 배치됨으로써 가열되는 것을 특징으로 하는 레지스트 제거 방법.
  8. 선행하는 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레지스트가 알루미늄 패턴으로부터 제거되는 것을 특징으로 하는레지스트 제거 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940035228A 1993-12-23 1994-12-20 포토레지스트 제거 방법 KR950021200A (ko)

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