KR940022741A - 실리레이트된 감광막 제거방법 - Google Patents

실리레이트된 감광막 제거방법 Download PDF

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    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials

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Abstract

본 발명은 고집적 반도체 소자의 DESIRE(Diffusion Enhanced Silylated Resist) 공정에서 실리레이트된 감광막(Silylated Resist) 제거방법에 관한 것으로, 특히 감광막(Photoresist)을 도포, 노광한 다음 실리레이션(Silyation)까지 완료한 상태에서 오정렬(Mis-Align)이나 다른 문제로 인하여 재작업이 필요한 경우 실리레이트된 감광막을 건식식각으로 제거할 수 있도록 하는 기술이다.

Description

실리레이트된 감광막 제거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는 공지의 DESIRE공정방법으로 감광막 패턴을 형성하는 단계를 도시한 단면도.

Claims (3)

  1. DESIRE공정방법에 의해 TMDS(Tetra-Methyl-Di-Silazane)로 실릴이트된 감광막을 재작업 하기위해 실시하는 실리레이트된 감광막 제어방법에 있어서, 실리레이트된 감광막의 TMDS성분을 제거한 다음, 산소플라즈마 건식식각 공정으로 실리레이트된 감광막을 완전히 제거하는 것을 특징으로 하는 실리레이트된 감광막 제거방법.
  2. 제1항에 있어서, 실리레이트된 감광막을 고온의 H2O증기 또는 D.I(De Ionized Water)에 노출시켜 TMDS성분을 제거한 다음, 건식식각하는 것을 특징으로 하는 실리레이트된 감광막 제거방법.
  3. 제1항에 있어서, 실리레이트된 감광막을 대기중에 3시간이상 노출시켜 TMDS성분을 제거한 다음 건식식각하는 것을 특징으로 하는 실리레이트된 감광막 제거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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