KR970048911A - 마스크 패턴 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 마스크 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 실리콘 기판에 포토 공정을 하기 위한 감광막을 형성하는 공정과; 이후 이온 주입 부분과 불필요한 부분의 감광막을 오픈시키는 공정으로 마스크 패턴 형성함으로써, 감광막 제거시 포핑 현상을 줄이고 이로써 공정 단계를 줄여 생산성의 향상을 가능하게 할 뿐만 아니라 포핑 현상후 감광막 잔여물에 의한 장비 및 웨이퍼의 오염의 방지를 가능하게 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가)는 본 발명에 따른 이온 주입용 마스크 패턴의 정면도, 제2도의 (나)는 제2도(가)의 B-B 부분의 확대 종단면도.
Claims (2)
- 실리콘 기판에 포토 공정을 하기 위한 감광막을 형성하는 공정과; 이후 이온 주입 부분과 불필요한 부분의 감광막을 오픈시키는 공정으로 제조되는 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 오픈시켜주는 감광막의 불필요한 부분은 웨이퍼의 가장자리 부분과 절개선 부분으로 하는 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950046385A KR970048911A (ko) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 마스크 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950046385A KR970048911A (ko) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 마스크 패턴 형성 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970048911A true KR970048911A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66592932
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950046385A KR970048911A (ko) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 마스크 패턴 형성 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970048911A (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100668867B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-01-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 센스 엠프 형성방법 |
KR100679811B1 (ko) * | 2005-09-23 | 2007-02-06 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이온 주입 공정용 사진 마스크 및 그 제조 방법 |
-
1995
- 1995-12-04 KR KR1019950046385A patent/KR970048911A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100679811B1 (ko) * | 2005-09-23 | 2007-02-06 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이온 주입 공정용 사진 마스크 및 그 제조 방법 |
KR100668867B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-01-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 센스 엠프 형성방법 |
US7402864B2 (en) | 2005-12-28 | 2008-07-22 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier |
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