KR970048911A - 마스크 패턴 형성 방법 - Google Patents

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KR970048911A
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KR
South Korea
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mask pattern
photosensitive film
forming
forming method
wafer
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KR1019950046385A
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English (en)
Inventor
최상국
Original Assignee
문정환
Lg 반도체 주식회사
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 마스크 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 실리콘 기판에 포토 공정을 하기 위한 감광막을 형성하는 공정과; 이후 이온 주입 부분과 불필요한 부분의 감광막을 오픈시키는 공정으로 마스크 패턴 형성함으로써, 감광막 제거시 포핑 현상을 줄이고 이로써 공정 단계를 줄여 생산성의 향상을 가능하게 할 뿐만 아니라 포핑 현상후 감광막 잔여물에 의한 장비 및 웨이퍼의 오염의 방지를 가능하게 한다.

Description

마스크 패턴 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가)는 본 발명에 따른 이온 주입용 마스크 패턴의 정면도, 제2도의 (나)는 제2도(가)의 B-B 부분의 확대 종단면도.

Claims (2)

  1. 실리콘 기판에 포토 공정을 하기 위한 감광막을 형성하는 공정과; 이후 이온 주입 부분과 불필요한 부분의 감광막을 오픈시키는 공정으로 제조되는 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 오픈시켜주는 감광막의 불필요한 부분은 웨이퍼의 가장자리 부분과 절개선 부분으로 하는 것을 특징으로 하는 마스크 패턴 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100668867B1 (ko) * 2005-12-28 2007-01-16 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 센스 엠프 형성방법
KR100679811B1 (ko) * 2005-09-23 2007-02-06 동부일렉트로닉스 주식회사 이온 주입 공정용 사진 마스크 및 그 제조 방법

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US7402864B2 (en) 2005-12-28 2008-07-22 Hynix Semiconductor Inc. Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

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